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JPS6347264B2 - - Google Patents
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JPS6347264B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6347264B2
JPS6347264B2 JP57006016A JP601682A JPS6347264B2 JP S6347264 B2 JPS6347264 B2 JP S6347264B2 JP 57006016 A JP57006016 A JP 57006016A JP 601682 A JP601682 A JP 601682A JP S6347264 B2 JPS6347264 B2 JP S6347264B2
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JP
Japan
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melting point
low melting
point glass
sealing
pellets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57006016A
Other languages
English (en)
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JPS58124248A (ja
Inventor
Kazuo Horiuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58124248A publication Critical patent/JPS58124248A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セラミツクをパツケージに使用する
半導体装置に係り、特にペレツト接着用低融点ガ
ラスを有するパツケージの半導体装置に関する。
一般にサーデイツプと称するセラミツクパツケ
ージ型の半導体装置では、パツケージベース、リ
ードフレーム及びパツケージキヤツプを封止用低
融点ガラスにて封止する一方、ペレツトをペレツ
ト接着用低融点ガラスにてベースに固着する構成
が採用されることがある。この場合、従来では、
前記した封止用低融点ガラスとペレツト接着用低
融点ガラスの軟化点が同一のものを採用してお
り、このためペレツト接着時に温度が高すぎると
封止用低融点ガラスがキヤビテイ内に流れ込み封
止時にガラス不足になつて封止が不完全なものに
なる一方、温度が低すぎると、ペレツトの接着が
悪くペレツトクラツク不良が生じる等の欠点があ
つた。
したがつて、本発明の目的は、サーデイツプ型
パツケージの構成において、封止用低融点ガラス
より軟化点の低いペレツト接着用低融点ガラスを
採用することによりペレツトの接着性を良好にし
高歩留で高品質の製品を得ることができる半導体
装置を提供することにある。
本発明の要旨は、パツケージ本体のキヤビテイ
内に半導体ペレツト接着用低融点ガラスと、セラ
ミツクベースとセラミツクキヤツプを接着するた
めの封止用低融点ガラスを有する半導体装置にお
いて、前記半導体ペレツト接着用低融点ガラスの
軟化点は前記封止用低融点ガラスの軟化点よりも
低いことを特徴とする半導体装置にある。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図
に基づいて説明する。
図において、１はパツケージ本体、２はセラミ
ツクベースであり、その中央凹部２ａの低面には
半導体ペレツト３を固着する。周辺には、外部導
出用の複数本のリード４を整列配置して封止用低
融点ガラス６にて支持している。これらのリード
４には、前記半導体ペレツト３との間にワイヤ８
を接続して電気的接続を図つている。５は、前記
セラミツクベースの上部を覆うようにして固着す
るセラミツクキヤツプであり周辺において前記封
止用低融点ガラス６にて固着し、これによりパツ
ケージ本体１を構成している。そして、前記半導
体ペレツトは、ペレツト接着用の低融点ガラス７
にてセラミツクベースに固着しており、このペレ
ツト接着用の低融点ガラス７は、封止用低融点ガ
ラス６と異なり、封止用低融点ガラス６より低い
温度の軟化点を有するように構成している。
この構成によれば、ペレツト３をセラミツクベ
ース２に固着する際にセラミツクベースを加熱し
ても、これはペレツト接着用の低融点ガラス７の
軟化点まで加熱するのみでよく、これによりこれ
よりも軟化点の高い封止用低融点ガラス６が軟化
することはない。
なお、半導体ペレツト接着用低融点ガラス及び
封止用低融点ガラスは、市販品から適宜、選択す
ればよい。
一例として、日本電気硝子株式会社の下記の製
品を用いることができる。
(1) 半導体ペレツト接着用低融点ガラスとして、
同社のLS―0113（製品コード）、軟化点；400
℃。
(2) 封止用低融点ガラスとして、同社のLS―
0110（製品コード）、軟化点；422℃。
上記ガラスは、いずれも、低融点ガラス
（PbO・B2O3）粉末と特殊なセラミツク粉末を均
一にブレンドした、複合系低融点ガラスである
（同社の製品カタログより）。
したがつて、本発明によれば、ペレツト３の固
着時に、封止用低融点ガラス６のキヤビテイ内へ
の流れ込みを防止でき、ペレツト接着用低融点ガ
ラス７の軟化性を良くできることによりペレツト
固着が良好にでき、工程歩留の向上及び品質の向
上の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の上面図、第２図
は第１図の―線断面図でである。 １…パツケージ本体、２…セラミツクベース、
３…半導体ペレツト、４…リード、５…セラミツ
クキヤツプ、６…封止用低融点ガラス、７…ペレ
ツト付け用低融点ガラス、８…ワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ パツケージ本体のキヤビテイ内に半導体ペレ
    ツト接着用低融点ガラスと、セラミツクベースと
    セラミツクキヤツプを接着するための封止用低融
    点ガラスを有する半導体装置において、前記半導
    体ペレツト接着用低融点ガラスの軟化点は前記封
    止用低融点ガラスの軟化点よりも低いことを特徴
    とする半導体装置。
JP57006016A 1982-01-20 1982-01-20 半導体装置 Granted JPS58124248A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57006016A JPS58124248A (ja) 1982-01-20 1982-01-20 半導体装置

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JP57006016A JPS58124248A (ja) 1982-01-20 1982-01-20 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS58124248A JPS58124248A (ja) 1983-07-23
JPS6347264B2 true JPS6347264B2 (ja) 1988-09-21

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ID=11626897

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073521A (en) * 1989-11-15 1991-12-17 Olin Corporation Method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed
EP0569799B1 (en) * 1992-05-14 2000-09-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making via conductors in multilayer ceramic substrates

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5230352B2 (ja) * 1974-02-08 1977-08-08
JPS5230352A (en) * 1975-09-04 1977-03-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Micro program control method

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JPS58124248A (ja) 1983-07-23

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