JPS6347346B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6347346B2 JPS6347346B2 JP57160199A JP16019982A JPS6347346B2 JP S6347346 B2 JPS6347346 B2 JP S6347346B2 JP 57160199 A JP57160199 A JP 57160199A JP 16019982 A JP16019982 A JP 16019982A JP S6347346 B2 JPS6347346 B2 JP S6347346B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- metal strip
- composite metal
- aluminum
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/042—Etching
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウムを蒸着あるいはクラツド
した複合金属条からなる半導体用リードフレーム
の製造方法に関する。
した複合金属条からなる半導体用リードフレーム
の製造方法に関する。
従来、トランジスタ集積回路(IC)などの半
導体装置の製造に用いられるリードフレームに
は、ベース金属条の一部に異種金属をクラツドあ
るいは蒸着した複合金属条が用いられる。異種金
属としては、主に金、銀、銅、アルミ等の金属が
用いられるが、これらは貴金属高騰の折から金、
銀から銅、アルミ等へと安いものに変わる傾向に
あり、その被覆部位も半導体の機能部位に限られ
る傾向ある。
導体装置の製造に用いられるリードフレームに
は、ベース金属条の一部に異種金属をクラツドあ
るいは蒸着した複合金属条が用いられる。異種金
属としては、主に金、銀、銅、アルミ等の金属が
用いられるが、これらは貴金属高騰の折から金、
銀から銅、アルミ等へと安いものに変わる傾向に
あり、その被覆部位も半導体の機能部位に限られ
る傾向ある。
その結果として、この種複合金属条としては、
ベース金属条に異種金属をストライプあるいはス
ポツト状に被覆したものが多く用いられ、しかも
この場合被覆された異種金属の寸法精度について
は、厚さを含めてきわめてシビアな値が要求され
る状況にある。
ベース金属条に異種金属をストライプあるいはス
ポツト状に被覆したものが多く用いられ、しかも
この場合被覆された異種金属の寸法精度について
は、厚さを含めてきわめてシビアな値が要求され
る状況にある。
しかるに、ベース金属条に異種金属を高精度に
スポツト状に被覆することは、メツキの場合はと
もかく、クラツドあるいは蒸着等の場合は困難で
あり、したがつてクラツドあるいは蒸着等の場合
はベース金属条に異種金属を全面被覆した後、し
かもこれをプレスにより所定のパターン形状に打
抜き後、印刷、エツチング法により、異種金属の
不要部を除去することが行なわれる。
スポツト状に被覆することは、メツキの場合はと
もかく、クラツドあるいは蒸着等の場合は困難で
あり、したがつてクラツドあるいは蒸着等の場合
はベース金属条に異種金属を全面被覆した後、し
かもこれをプレスにより所定のパターン形状に打
抜き後、印刷、エツチング法により、異種金属の
不要部を除去することが行なわれる。
印刷、エツチング法では、印刷及びエツチング
工程と共に印刷塗料の塗布、焼付けさらには剥離
工程が必要であり、工程が複雑となると共に、印
刷に使用される塗料にもよるがマスクが不完全で
あり、しかも印刷境界が不鮮明であることから、
異種金属の被覆の寸法精度をシビアにコントロー
ルすることは一般に困難である。
工程と共に印刷塗料の塗布、焼付けさらには剥離
工程が必要であり、工程が複雑となると共に、印
刷に使用される塗料にもよるがマスクが不完全で
あり、しかも印刷境界が不鮮明であることから、
異種金属の被覆の寸法精度をシビアにコントロー
ルすることは一般に困難である。
このことから、出願人は先に特開昭57−99763
号公報に見られるように、アルミニウムを蒸着あ
るいはクラツドした複合金属条から、同公報第4
図のような機械的マスクを用いたエツチング法に
より不要なアルミニウム部を除去してリードフレ
ームを製造する方法を提案した。このような機械
的マスクを用いたエツチング法は、印刷工程を省
略できる有利な方法であるが、この場合すなわち
プレスによる打抜き後のエツチングでは、必要な
アルミニウム部に当接されるマスクによつては、
エツチングに際しエツチング液が必要なアルミニ
ウム部の先の打抜きにより形成された側面(切断
面)及びエツチングにより形成された側面を侵食
し、エツチング後における必要なアルミニウム部
の形状及び寸法精度を悪くするという問題があ
る。又、打ち抜き後では、複合金属条が変形しや
すいために、マスクとの位置決めにも不安があ
る。
号公報に見られるように、アルミニウムを蒸着あ
るいはクラツドした複合金属条から、同公報第4
図のような機械的マスクを用いたエツチング法に
より不要なアルミニウム部を除去してリードフレ
ームを製造する方法を提案した。このような機械
的マスクを用いたエツチング法は、印刷工程を省
略できる有利な方法であるが、この場合すなわち
プレスによる打抜き後のエツチングでは、必要な
アルミニウム部に当接されるマスクによつては、
エツチングに際しエツチング液が必要なアルミニ
ウム部の先の打抜きにより形成された側面(切断
面)及びエツチングにより形成された側面を侵食
し、エツチング後における必要なアルミニウム部
の形状及び寸法精度を悪くするという問題があ
る。又、打ち抜き後では、複合金属条が変形しや
すいために、マスクとの位置決めにも不安があ
る。
本発明の目的は、上記問題を解消し、複合金属
条の打ち抜き後のエツチングにおいて、必要なア
ルミニウム部の側面を侵食させることなく、その
形状及び寸法精度において優れたリードフレーム
を得ることができる、機械的マスクを用いたエツ
チング法による半導体用リードフレームの製造方
法を提供することにある。
条の打ち抜き後のエツチングにおいて、必要なア
ルミニウム部の側面を侵食させることなく、その
形状及び寸法精度において優れたリードフレーム
を得ることができる、機械的マスクを用いたエツ
チング法による半導体用リードフレームの製造方
法を提供することにある。
すなわち、本発明の要旨は、Fe−Ni合金をベ
ース金属条とし、その一部もしくは全面にアルミ
ニウムを蒸着あるいはクラツドした複合金属条を
用意し、その複合金属条から不要のアルミニウム
部をエツチング液の浸蝕作用によるエツチングに
より除去する、半導体用リードフレームの製造方
法において、前記複合金属条をプレスにより所定
のパターン形状に打ち抜く前に前記エツチングを
行うに際し、その複合金属条における必要なアル
ミニウム部に耐薬品性の軟質弾性体からなる機械
的マスクを所定の押圧力をもつて当接し、それに
より、エツチング進行時にはそのマスク先端部が
その当接下にある前記必要なアルミニウム部のエ
ツチング液による浸蝕作用により形成された側面
を食い込むようにすることを特徴とする半導体用
リードフレームの製造方法にある。
ース金属条とし、その一部もしくは全面にアルミ
ニウムを蒸着あるいはクラツドした複合金属条を
用意し、その複合金属条から不要のアルミニウム
部をエツチング液の浸蝕作用によるエツチングに
より除去する、半導体用リードフレームの製造方
法において、前記複合金属条をプレスにより所定
のパターン形状に打ち抜く前に前記エツチングを
行うに際し、その複合金属条における必要なアル
ミニウム部に耐薬品性の軟質弾性体からなる機械
的マスクを所定の押圧力をもつて当接し、それに
より、エツチング進行時にはそのマスク先端部が
その当接下にある前記必要なアルミニウム部のエ
ツチング液による浸蝕作用により形成された側面
を食い込むようにすることを特徴とする半導体用
リードフレームの製造方法にある。
本発明において、耐薬品性の軟質弾性体として
は、例えばシリコーンゴム、テフロン、ポリエチ
レン、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは
一種もしくは数種組み合わせて使用することがで
きる。
は、例えばシリコーンゴム、テフロン、ポリエチ
レン、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは
一種もしくは数種組み合わせて使用することがで
きる。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつて
さらに説明する。
さらに説明する。
第1図は、厚さ0.2517、幅3017のFe−42%Niに
合金からなるベース金属条1の片側全面にアルミ
ニウムをクラツドすることにより厚さ0.0117の被
覆金属層2を設けてなる複合金属条3の一部を示
すものである。なお、4は以後の工程において複
合金属条3の位置決めを行なうために設けられた
ピン孔である。
合金からなるベース金属条1の片側全面にアルミ
ニウムをクラツドすることにより厚さ0.0117の被
覆金属層2を設けてなる複合金属条3の一部を示
すものである。なお、4は以後の工程において複
合金属条3の位置決めを行なうために設けられた
ピン孔である。
つぎに第3図は連続動作するの機械的マスクエ
ツチング装置5を示し、この中にかかる複合金属
条3を7本並列配置して間欠移動により通過さ
せ、夫々複合金属条3の被覆金属層2における不
要なアルミニウム部に対するエツチングを行な
う。この場合複合金属条3の移動間隔及びエツチ
ング位置の設定はピン孔4にもとづいて行われ
る。ステージ6上に設置された7本の複合金属条
3は、ピン孔4にピン7を設置しさらに端面ガイ
ド8をもつて位置決めされる。なお、9は機械的
マスク、10は内部にエツチング液を満たした中
空の圧力室、11は噴射口、12はエツチング液
導入口、13はエアーシリンダである。
ツチング装置5を示し、この中にかかる複合金属
条3を7本並列配置して間欠移動により通過さ
せ、夫々複合金属条3の被覆金属層2における不
要なアルミニウム部に対するエツチングを行な
う。この場合複合金属条3の移動間隔及びエツチ
ング位置の設定はピン孔4にもとづいて行われ
る。ステージ6上に設置された7本の複合金属条
3は、ピン孔4にピン7を設置しさらに端面ガイ
ド8をもつて位置決めされる。なお、9は機械的
マスク、10は内部にエツチング液を満たした中
空の圧力室、11は噴射口、12はエツチング液
導入口、13はエアーシリンダである。
又22は圧力調整板であり、エツチング液が各
噴射口11より均等に噴出するように配置したも
のである。
噴射口11より均等に噴出するように配置したも
のである。
この機械的マスキング装置によるエツチング状
況の概略を第4図により説明すると、エツチング
液導入口12から送られたエツチング液14は中
空の圧力室10を満たし、噴射口11を通つて被
覆金属層の不要なアルミニウム部15に衝突し、
不要なアルミニウム部15をエツチングにより除
去する。ここで、マスク9は、シリコーンゴム
9′及びテフロン9″を組み合わせた耐薬品性の軟
質弾性体からなる。このようなマスク9を被覆金
属層の必要なアルミニウム層に所定の押圧力をも
つて当接する。その結果、エツチング進行時に
は、第5図のようにマスク先端部がその当接下に
ある必要なアルミニウム部の側面17を食い込む
ようにになる。
況の概略を第4図により説明すると、エツチング
液導入口12から送られたエツチング液14は中
空の圧力室10を満たし、噴射口11を通つて被
覆金属層の不要なアルミニウム部15に衝突し、
不要なアルミニウム部15をエツチングにより除
去する。ここで、マスク9は、シリコーンゴム
9′及びテフロン9″を組み合わせた耐薬品性の軟
質弾性体からなる。このようなマスク9を被覆金
属層の必要なアルミニウム層に所定の押圧力をも
つて当接する。その結果、エツチング進行時に
は、第5図のようにマスク先端部がその当接下に
ある必要なアルミニウム部の側面17を食い込む
ようにになる。
このようにすることによつて、前記側面17の
エツチング液14による侵食は防止され、この結
果第6図にみられるように、機能部16に相当す
る必要な被覆金属層を寸法精度よろしく十分に残
存させ、高品質の部分被覆複合金属条からなるリ
ードフレーム20を得ることができた。
エツチング液14による侵食は防止され、この結
果第6図にみられるように、機能部16に相当す
る必要な被覆金属層を寸法精度よろしく十分に残
存させ、高品質の部分被覆複合金属条からなるリ
ードフレーム20を得ることができた。
因みに、従来の機械的マスクエツチング法で
は、マスク体が剛体でできていることから、第7
図のように被覆金属層の必要なアルミニウム部の
側面がエツチング液により侵食され、所望の形状
及び寸法精度を確保することができない。
は、マスク体が剛体でできていることから、第7
図のように被覆金属層の必要なアルミニウム部の
側面がエツチング液により侵食され、所望の形状
及び寸法精度を確保することができない。
エツチング終了後は、第8図にみられるように
前記複合金属条18をプレスにより所定のパター
ン形状19に打ち抜き、リードフレーム20を完
成させる。なお、点線枠21内はリードフレーム
20の機能部16に相当し、表面にアルミニウム
被覆があるところである。
前記複合金属条18をプレスにより所定のパター
ン形状19に打ち抜き、リードフレーム20を完
成させる。なお、点線枠21内はリードフレーム
20の機能部16に相当し、表面にアルミニウム
被覆があるところである。
以上説明したように、本発明によれば、機械的
マスクを用いたエツチング法による半導体用リー
ドフレームの製造方法において、マスクとして耐
薬品性の軟質弾性体からなるものを用い、これを
巧みに押圧してエツチングを行うことにより、エ
ツチングに際して被覆金属層の必要なアルミニウ
ム部をエツチング液による側面侵食から防止する
ことができ、その結果として、上記アルミニウム
部の形状及び寸法精度を著しく向上させることが
でき、製品として非常に優れた半導体用リードフ
レームを得ることができるという効果がある。
マスクを用いたエツチング法による半導体用リー
ドフレームの製造方法において、マスクとして耐
薬品性の軟質弾性体からなるものを用い、これを
巧みに押圧してエツチングを行うことにより、エ
ツチングに際して被覆金属層の必要なアルミニウ
ム部をエツチング液による側面侵食から防止する
ことができ、その結果として、上記アルミニウム
部の形状及び寸法精度を著しく向上させることが
でき、製品として非常に優れた半導体用リードフ
レームを得ることができるという効果がある。
又、プレスによる打ち抜き工程を製造工程の最
後にもつてくることは、エツチングの際の複合金
属条の位置決めを確実なものとし、前記したアル
ミニウム部の形状及び寸法精度向上効果に大きく
寄与するものである。
後にもつてくることは、エツチングの際の複合金
属条の位置決めを確実なものとし、前記したアル
ミニウム部の形状及び寸法精度向上効果に大きく
寄与するものである。
第1図は本発明の一実施例に係る複合金属条の
一部斜視図、第2図はエツチング後の複合金属条
の一部斜視図、第3図は同機械的マスクを用いた
エツチング装置の正面図、第4図は同機械的マス
クを用いたエツチング装置によるエツチング状況
を示す概略図、第5図は同前記第4図の要部拡大
断面図、第6図は同エツチング後の複合金属条の
断面図、第7図は従来例にかかるエツチング後の
複合金属条の断面図、第8図は所定のパターン形
状に打ち抜かれたリードフレームの一部正面図で
ある。 1:ベース金属条、2:被覆金属層、3:複合
金属条、5:機械的マスクエツチング装置、9:
機械的マスク、11:噴射口、14:エツチング
液。16:機能部、19:パターン形状。
一部斜視図、第2図はエツチング後の複合金属条
の一部斜視図、第3図は同機械的マスクを用いた
エツチング装置の正面図、第4図は同機械的マス
クを用いたエツチング装置によるエツチング状況
を示す概略図、第5図は同前記第4図の要部拡大
断面図、第6図は同エツチング後の複合金属条の
断面図、第7図は従来例にかかるエツチング後の
複合金属条の断面図、第8図は所定のパターン形
状に打ち抜かれたリードフレームの一部正面図で
ある。 1:ベース金属条、2:被覆金属層、3:複合
金属条、5:機械的マスクエツチング装置、9:
機械的マスク、11:噴射口、14:エツチング
液。16:機能部、19:パターン形状。
Claims (1)
- 1 Fe−Ni合金をベース金属条とし、その一部
もしくは全面にアルミニウムを蒸着あるいはクラ
ツドした複合金属条を用意し、その複合金属条か
ら不要のアルミニウム部をエツチング液の浸蝕作
用によるエツチングにより除去する、半導体用リ
ードフレームの製造方法において、前記複合金属
条をプレスにより所定のパターン形状に打ち抜く
前に前記エツチングを行うに際し、その複合金属
条における必要なアルミニウム部に耐薬品性の軟
質弾性体からなる機械的マスクを所定の押圧力を
もつて当接し、それにより、エツチング進行時に
はそのマスク先端部がその当接下にある前記必要
なアルミニウム部のエツチング液の浸蝕作用によ
り形成された側面を食い込むようすることを特徴
とする半導体用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160199A JPS5948946A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160199A JPS5948946A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948946A JPS5948946A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6347346B2 true JPS6347346B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=15709943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160199A Granted JPS5948946A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948946A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5983977A (en) * | 1994-06-14 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sleeve for die casting machines and die casting machine using the same |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57160199A patent/JPS5948946A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5948946A (ja) | 1984-03-21 |
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