JPS6348142B2 - - Google Patents
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- JPS6348142B2 JPS6348142B2 JP6994183A JP6994183A JPS6348142B2 JP S6348142 B2 JPS6348142 B2 JP S6348142B2 JP 6994183 A JP6994183 A JP 6994183A JP 6994183 A JP6994183 A JP 6994183A JP S6348142 B2 JPS6348142 B2 JP S6348142B2
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- graphite
- tungsten
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- ceramic substrate
- tungsten alloy
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、大容量・高速回転陽極Ｘ線管用ター
ゲツトに関するものである。
ゲツトに関するものである。
従来大容量Ｘ線管用のターゲツトとしては、
(1)；モリブデンの基板にタングステンまたはタン
グステン合金の薄板（約１mm）を鍛造により張り
合せたもの、(2)；(1)のモリブデン基板部を薄く
し、裏側にグラフアイト円板をろう付けなどの方
法により接合したもの、(3)；グラフアイトの基板
にタングステンまたはタングステン合金をコーテ
イングしたものであるが、いずれも高速回転には
適さなかつた。すなわち、(1)の構造のものは、機
械的強度は高いが、大容量にした場合、重量が大
きくなり、(2)の構造のものはモリブデンとグラフ
アイトとの接合強度が余り強くないうえに、モリ
ブデン基板自体の重量がなお相当に大きい。これ
に対し、(3)の構造では密度の低いグラフアイトの
使用により比較的軽量で熱容量の大きいターゲツ
トを構成しやすい利点はあるが、グラフアイトは
その機械的強度が低く、高速回転すると破損する
場合があり、大径のターゲツトを高速回転して使
用することはできなかつた。
(1)；モリブデンの基板にタングステンまたはタン
グステン合金の薄板（約１mm）を鍛造により張り
合せたもの、(2)；(1)のモリブデン基板部を薄く
し、裏側にグラフアイト円板をろう付けなどの方
法により接合したもの、(3)；グラフアイトの基板
にタングステンまたはタングステン合金をコーテ
イングしたものであるが、いずれも高速回転には
適さなかつた。すなわち、(1)の構造のものは、機
械的強度は高いが、大容量にした場合、重量が大
きくなり、(2)の構造のものはモリブデンとグラフ
アイトとの接合強度が余り強くないうえに、モリ
ブデン基板自体の重量がなお相当に大きい。これ
に対し、(3)の構造では密度の低いグラフアイトの
使用により比較的軽量で熱容量の大きいターゲツ
トを構成しやすい利点はあるが、グラフアイトは
その機械的強度が低く、高速回転すると破損する
場合があり、大径のターゲツトを高速回転して使
用することはできなかつた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、軽量で機械的強度の高い、
高速回転に適した大容量のＸ線管用ターゲツトを
提供することにある。
であり、その目的は、軽量で機械的強度の高い、
高速回転に適した大容量のＸ線管用ターゲツトを
提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、
熱伝導率の高いセラミツク円板を用い、その上面
にグラフアイト層を接合してその上面外周部を傾
斜させ、その傾斜面にタングステンまたはタング
ステン合金をコーテイングしたものである。
熱伝導率の高いセラミツク円板を用い、その上面
にグラフアイト層を接合してその上面外周部を傾
斜させ、その傾斜面にタングステンまたはタング
ステン合金をコーテイングしたものである。
すなわち、セラミツク基板を用いることで機械
的強度を得、このセラミツクにタングステンまた
はタングステン合金を強固に接着するために、グ
ラフアイトを介在させたものである。セラミツク
材は、グラフアイト材に比べて約10倍の強度を有
し、ヤング率も高いので、遠心応力その他の機械
的応力はセラミツク材にかかることになる。な
お、加速電子の衝撃により生ずる熱を効率良く逃
がすために、このようなセラミツク材としては金
属と同等に大きな熱伝導率を有することが必要で
あり、このためにはBeO添加SiCなどの材料が好
適である。タングステンまたはタングステン合金
のコーテイングによる密着度は、セラミツク材に
対してよりもグラフアイト材に対しての方が良好
であるため、グラフアイト材を介在させることに
よりコーテイング作業が行ないやすくなるととも
に、使用時の信頼性も向上する。以下、本発明を
実施例を用いて詳細に説明する。
的強度を得、このセラミツクにタングステンまた
はタングステン合金を強固に接着するために、グ
ラフアイトを介在させたものである。セラミツク
材は、グラフアイト材に比べて約10倍の強度を有
し、ヤング率も高いので、遠心応力その他の機械
的応力はセラミツク材にかかることになる。な
お、加速電子の衝撃により生ずる熱を効率良く逃
がすために、このようなセラミツク材としては金
属と同等に大きな熱伝導率を有することが必要で
あり、このためにはBeO添加SiCなどの材料が好
適である。タングステンまたはタングステン合金
のコーテイングによる密着度は、セラミツク材に
対してよりもグラフアイト材に対しての方が良好
であるため、グラフアイト材を介在させることに
よりコーテイング作業が行ないやすくなるととも
に、使用時の信頼性も向上する。以下、本発明を
実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。図において、熱伝導率の高い円板状のセラミ
ツク基板１の上下面にそれぞれ導電性を有するグ
ラフアイト層２および３を重ねて接合してある。
上面側のグラフアイト層２については、その上面
外周部の電子ビームが衝突する部分を傾斜面状に
形成し、この傾斜面に、タングステンまたはタン
グステン合金からなるコーテイング層４が設けて
ある。５はロータ接合穴を示す。コーテイング
は、例えばCVD法などにより行なうが、グラフ
アイト層２の表面に、予めレニウム層を薄くコー
テイングした上に、タングステンまたはタングス
テン合金層をコーテイングする方が、グラフアイ
ト表面に直接コーテイングするよりも接着強度は
高い。また、タングステンまたはタングステン合
金層の厚さは、厚すぎると付きにくいとか割れや
すいとかの欠点を有するため、約600μｍ以下が
適当である。タングステン合金としては、レニウ
ムを１〜20％含むものが、使用状態での焦点軌道
面の荒れが少なく実用上好適である。
る。図において、熱伝導率の高い円板状のセラミ
ツク基板１の上下面にそれぞれ導電性を有するグ
ラフアイト層２および３を重ねて接合してある。
上面側のグラフアイト層２については、その上面
外周部の電子ビームが衝突する部分を傾斜面状に
形成し、この傾斜面に、タングステンまたはタン
グステン合金からなるコーテイング層４が設けて
ある。５はロータ接合穴を示す。コーテイング
は、例えばCVD法などにより行なうが、グラフ
アイト層２の表面に、予めレニウム層を薄くコー
テイングした上に、タングステンまたはタングス
テン合金層をコーテイングする方が、グラフアイ
ト表面に直接コーテイングするよりも接着強度は
高い。また、タングステンまたはタングステン合
金層の厚さは、厚すぎると付きにくいとか割れや
すいとかの欠点を有するため、約600μｍ以下が
適当である。タングステン合金としては、レニウ
ムを１〜20％含むものが、使用状態での焦点軌道
面の荒れが少なく実用上好適である。
セラミツク基板１と、グラフアイト層２および
３との接合、貼り合せは、セラミツク基板１をホ
ツトプレスにより加工する際に、型の中でセラミ
ツク材料をグラフアイト板で上下面から挾み、全
体を真空中で高温に保持してグラフアイト板に加
圧すれば、セラミツク基板１が成形されると同時
に、その上下面にグラフアイト層が接着される。
３との接合、貼り合せは、セラミツク基板１をホ
ツトプレスにより加工する際に、型の中でセラミ
ツク材料をグラフアイト板で上下面から挾み、全
体を真空中で高温に保持してグラフアイト板に加
圧すれば、セラミツク基板１が成形されると同時
に、その上下面にグラフアイト層が接着される。
上記構成において、セラミツク基板１の上面側
のグラフアイト層２は、タングステンまたはタン
グステン合金からなるコーテイング層４の接着強
度を確保する役割を果していることは先に述べた
通りであるが、下面側のグラフアイト層３は、電
子ビームの衝突により発生しセラミツク基板１の
内部に蓄えられる熱の、外部への放散を促進する
役割を果している。
のグラフアイト層２は、タングステンまたはタン
グステン合金からなるコーテイング層４の接着強
度を確保する役割を果していることは先に述べた
通りであるが、下面側のグラフアイト層３は、電
子ビームの衝突により発生しセラミツク基板１の
内部に蓄えられる熱の、外部への放散を促進する
役割を果している。
なお、セラミツク基板１はBeO添加SiCなどの
黒色材料を使用した場合には、それ自体熱輻射率
が高く熱放射が良好なのでターゲツトの下面はセ
ラミツク材がむき出しのままでよい。
黒色材料を使用した場合には、それ自体熱輻射率
が高く熱放射が良好なのでターゲツトの下面はセ
ラミツク材がむき出しのままでよい。
第２図は、本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。本実施例は、セラミツク基板を１ａおよび
１ｂの２層で形成したもので、間にはグラフアイ
ト層６が挿入してある。
ある。本実施例は、セラミツク基板を１ａおよび
１ｂの２層で形成したもので、間にはグラフアイ
ト層６が挿入してある。
同じく第３図は本発明の他の実施例を示す断面
図である。本実施例は、セラミツク基板１１それ
自体の上面外周部に傾斜面を設けたもので、上下
面に接合するグラフアイト層１２および１３とし
て予め外周部に傾斜面を設けたグラフアイト板を
用い、前述したと同様にこれでセラミツク材料を
挾んでプレスすることにより容易に形成できる。
図である。本実施例は、セラミツク基板１１それ
自体の上面外周部に傾斜面を設けたもので、上下
面に接合するグラフアイト層１２および１３とし
て予め外周部に傾斜面を設けたグラフアイト板を
用い、前述したと同様にこれでセラミツク材料を
挾んでプレスすることにより容易に形成できる。
以上説明したように、本発明によれば、グラフ
アイトに比べて約10倍の強度を有するセラミツク
基板を用いたことにより、ターゲツトとしての強
度が向上するとともに、密度はグラフアイトに比
べれば約1.6〜1.8倍に増大するものの、モリブデ
ン等の金属基板を用いたものに比較した場合には
著しく軽量にすることができ、軽量で高強度の、
大容量・高速回転陽極Ｘ線管用として最適なター
ゲツトが得られる。
アイトに比べて約10倍の強度を有するセラミツク
基板を用いたことにより、ターゲツトとしての強
度が向上するとともに、密度はグラフアイトに比
べれば約1.6〜1.8倍に増大するものの、モリブデ
ン等の金属基板を用いたものに比較した場合には
著しく軽量にすることができ、軽量で高強度の、
大容量・高速回転陽極Ｘ線管用として最適なター
ゲツトが得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す断面図である。 １，１ａ，１ｂ，１１……セラミツク基板、
２，３，６，１２，１３……グラフアイト層、４
……タングステンまたはタングステン合金からな
るコーテイング層。
図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を
示す断面図である。 １，１ａ，１ｂ，１１……セラミツク基板、
２，３，６，１２，１３……グラフアイト層、４
……タングステンまたはタングステン合金からな
るコーテイング層。
Claims (1)
- １ 熱伝導率の大きなセラミツクからなる円板の
少なくとも上面にグラフアイト層を積層し、この
グラフアイト層上面の外周部に設けた傾斜面にタ
ングステンまたはタングステン合金層を積層して
なるＸ線管用ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6994183A JPS59196542A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6994183A JPS59196542A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196542A JPS59196542A (ja) | 1984-11-07 |
| JPS6348142B2 true JPS6348142B2 (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13417185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6994183A Granted JPS59196542A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196542A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655192A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Gen Electric Cgr | Anode pour tube a rayons x a corps de base composite. |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP6994183A patent/JPS59196542A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59196542A (ja) | 1984-11-07 |
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