JPS6348381B2

JPS6348381B2 -

Info

Publication number: JPS6348381B2
Application number: JP54172855A
Authority: JP
Inventors: Hisaaki Sato; Hiroyuki Hashimoto
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1979-12-28
Filing date: 1979-12-28
Publication date: 1988-09-28
Also published as: JPS5696444A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、電子ビーム集束装置として周期永久
磁石（PPM）を使用したヘリツクス形進行波管
の高周波回路の支持構造に関する。

ヘリツクス形進行波管は、電子ビームの発生さ
せる電子銃部、電子ビームと電磁波の相互作用を
行なう高周波回路部（ヘリツクス部）電子ビーム
を捕足するコレクタ部、電子ビームを集束させる
PPM、それに管球を保持、収納するケース等が
一般的な構成要素である。

周知の如く、ヘリツクス形進行波管は、高周波
回路の構造が比較的簡単で、かつその外径が比較
的小さいため、PPMによる電子ビーム集束が簡
単に行なえるという大きな特徴をもつている。

従来の代表的なヘリツクス形進行波管の構造例
を第１図に示す。第１図において、１が電子銃
部、２が高周波回路部及びPPM部、３がコレク
タ部、４がケースの一部をなすべースプレート、
５が高周波回路の支持体を、それぞれ示す。ま
た、第１図の断面Ａ−A′を第２図に示す。第２
図において、PPMを構成するひとつのマグネツ
ト２′の外周の一部が支持体５で受けられており、
支持体５はべースプレート４にねじ等によつて固
着されている。また、マグネツト２′が支持体５
から浮かないように、通常、厚さ0.5〜１mm程度
の銅製のバンド６がマグネツト２′をはさんで支
持体５に固着される。バンド６を銅製にするの
は、高周波回路で発生した熱を支持体側に伝導で
逃がすためである。支持体５及びバンド６だけを
とり出して立体的に示すと第３図のようになる。
従来の構造では、このような支持機構が管軸方向
に沿つて数ケ所に設置され、各支持体の間は空間
のままであつた。その理由は、PPM上の任意の
位置に、マグネツトの偏磁を補正するための小磁
性体７を置いて、電子ビームの透過率の調整をす
ることができるようにしておくためである。この
場合、小磁性体７を厚いバンド６の外側においた
のでは、ビーム透過率調整の役に立たない。なぜ
ならば、バンドの厚み分だけ磁気的に隔離されて
しまうため、偏磁補正の効果が著しく弱められる
からである。

ところで、このような従来構造においては、次
のような欠点があつた。すなわち、ヘリツクス形
進行波管は一般に回路の外形が小さい割に回路の
全長が長いものであり、その機械的強度はもとも
と非常に弱い。従つて、このような回路を数個の
支持体で支持した程度では、支持体で支持されな
い部分の機械的強度は非常に弱いものである。ま
た、仮に製造段階で回路の真直度が良好であつて
も、輸送中や実装中の思わぬ衝撃で回路の一部
（支持体で支持されない部分）が変形してビーム
透過特性が悪化する場合も起り得る。しかし、だ
からと言つて、支持体の数を無暗に増やすのは原
価高にもなるし、支持体相互の芯出しも困難にな
り、また前述の偏磁調整用の小磁性体を置く場所
が小なくなることにもなつて、好ましくない。

以上の如き構造の欠点に鑑み、ヘリツクス回路
の機械的強度を十分保つたまま、ビーム透過率調
整も容易に行なえる別の高周波回路の支持構造が
考案されている。

その構造の一例は、第４図に示されている。同
図に見る如く、この構造においては、まず第１
に、従来軸方向に対して数個所に分れて設置され
ていた支持体の代りに、軸方向全体にわたつて１
本の長い支持体８を用いている。また、第２に、
従来の銅製バンド（厚さ0.5〜１mm）の代りに厚
さの非常に薄いステンレス製カバー９（厚さ0.1
〜0.15mm）を用い、これを前述の長い支持体と原
理的に同一長さになるようにしている。そして、
第３に、ビーム透過調整用の小磁性体７は、厚さ
の薄いカバー９の外側にとりつけられる。

この支持構造の第１の特徴は、高周波回路を軸
方向全体にわたつて支持しているため、従来のよ
うに宙づり状態の部分がなく、機械的に極めて強
固なものになつている点である。また、第２の特
徴は、カバー９の厚さを材料の選定により薄く
し、小磁性体とPPMの距離を近づけて、小磁性
体のPPMに及ぼす効果を大きくし、もつて機械
的強度を保つたまま、その外方から容易にビーム
調整を行なえるようにしている点である。この構
造においては、支持体８の存在する部分、すなわ
ち、PPMの下半分側には小磁性体７をとりつけ
ることはできないが、ビーム透過の調整はPPM
の上半分に小磁性体を置くだけでも、実用上十分
行なえることが確認された。

ところが、上述の高周波回路支持構造には、次
のような欠点があることが見出された。すなわ
ち、カバー９を支持体８にねじ止めする場合、組
立当初は、高周波回路を強くはさみ込んだ状態で
固定するのであるが、進行波管としての動作をく
り返しているうちに、高周波回路の熱的膨張収縮
により、次第にはさみ込みの力が弱まつてくるこ
とが明らかになつた。

本発明の目的は、このような熱的膨張収縮のく
り返しにより、支持機構にゆるみができない支持
構造を有するヘリツク形進行波管を提供すること
である。

本発明によれば、電子ビーム集束装置として周
期永久磁石を使用し、ケースの一部をなす高周波
回路支持体が管軸方向にわたつて高周波回路の全
長にほゞ等しく、磁石の外径の下半分もしくはそ
の一部が支持体によつて管軸方向にわたつて受け
られ、更に管軸方向の長さが支持体と略等しく弾
性係数の大きな厚さの非常に薄いカバーを磁石を
はさんで支持体に弾性変化内でとりつけ、周期永
久磁石の磁界調整をカバーの外側から行なうこと
を特徴とする進行波管が得られる。

本発明に係る高周波回路支様機構の構造例を第
５図に示す。第５図においては、カバー９は断面
が逆Ｕ字形ではなく、その両端を途中から水平方
向に折り曲げられた構造をしており、また支持体
８の両端もそれに応じてひろげられた構造となつ
ている。そしてカバー９は、ステンレス、りん青
銅等の弾性係数の大きな非磁性物質が選定され、
その材料の弾性変化内で使用するように、ねじ１
０にてとりつけられる。このような構成において
は、高周波回路に熱的膨張収縮があつてもその支
持機構にゆるみが出る確率は大いに軽減されるわ
けである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のヘリツクス形進行波管の高周波
回路支持構造を示す斜視図、第２図は、第１図の
Ａ−A′断面図、第３図は、第１図の高周波回路
支持機構を立体的に示した斜視図、第４図は改良
された従来形の高周波回路支持機構を示す斜視
図、第５図は、本発明に係る高周波回路支持機構
を示す斜視図である。図において、１が電子銃
部、２が高周波回路及びPPM部、３がコレクタ
部、４がケースの一部をなすべースプレート、５
が高周波回路支持体、６がバンド、７が小磁性
体、８が高周波回路支持体、９がカバー、１０が
ねじである。

Claims

【特許請求の範囲】

１外周に周期永久磁石を備えた高周波回路を、
高周波回路の全長にほぼ等しい長さを有し前記周
期永久磁石のほぼ下半分を受ける溝を設けた高周
波回路支持体で支え、弾性係数の大きな非磁性材
料でできており長さが前記高周波回路支持体とほ
ぼ同じで厚さの薄いカバーを前記高周波回路の上
方からかぶせるとともに前記カバーの両端が途中
から水平方向に折り曲げられており、かつ前記高
周波回路支持体も前記カバーの両端の折り曲げに
応じて水平方向にひろげられた突出部を有してお
り、前記カバーの材料の弾性変化内で前記カバー
の両端が前記高周波回路支持体の前記突出部に固
定されていることを特徴とする進行被管。