JPS6348444B2 - - Google Patents
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- JPS6348444B2 JPS6348444B2 JP2143882A JP2143882A JPS6348444B2 JP S6348444 B2 JPS6348444 B2 JP S6348444B2 JP 2143882 A JP2143882 A JP 2143882A JP 2143882 A JP2143882 A JP 2143882A JP S6348444 B2 JPS6348444 B2 JP S6348444B2
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 57
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0658—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D9/0666—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using bipolar transistors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波帯のミキサ回路に関する
もので、特に、トランジスタあるいは、電界効果
トランジスタ(以下FETという)を用いたミキ
サ回路に関するものである。
もので、特に、トランジスタあるいは、電界効果
トランジスタ(以下FETという)を用いたミキ
サ回路に関するものである。
従来、種々のマイクロ波帯のミキサ回路が考案
され、実現されている。マイクロ波帯のミキサ回
路の方式としては、ミキサ素子としてダイオード
を用いるか、トランジスタ、あるいはFETを用
いるかにより二つの方式が考えられている。
され、実現されている。マイクロ波帯のミキサ回
路の方式としては、ミキサ素子としてダイオード
を用いるか、トランジスタ、あるいはFETを用
いるかにより二つの方式が考えられている。
しかし、いずれの方式においてもミキサ素子が
複数個必要である、回路構成が複雑である、高周
波受信信号と局部発振信号との分離が良好でない
等の欠点がある。
複数個必要である、回路構成が複雑である、高周
波受信信号と局部発振信号との分離が良好でない
等の欠点がある。
第1図は、従来よく使用されているダイオード
を用いたダブル・バランス・ミキサ(リング変調
器とも言う)の基本的回路を示す。
を用いたダブル・バランス・ミキサ(リング変調
器とも言う)の基本的回路を示す。
図において、1,6は平衡−不平衡変成器で、
1は受信信号用変成器、6は局部発振信号用変成
器である。2,3,4,5はミキサ・ダイオード
である。fR,fLはそれぞれ受信信号、局部発振信
号を示す。7は中間周波数を取出す出力端子であ
り、fIFは中間周波信号を示す。
1は受信信号用変成器、6は局部発振信号用変成
器である。2,3,4,5はミキサ・ダイオード
である。fR,fLはそれぞれ受信信号、局部発振信
号を示す。7は中間周波数を取出す出力端子であ
り、fIFは中間周波信号を示す。
第1図に示した方式においては、受信信号fRと
局部発振信号fLの分離が良く、特性が安定である
という長所があるが、ミキサ使用素子が複数個必
要であり、平衡−不平衡変成器1及び6が必要で
あるため、回路が複雑となり、また高周波入力信
号fRから中間周波数fIFへ変換されるとき、常に変
換損失を生じるという欠点がある。
局部発振信号fLの分離が良く、特性が安定である
という長所があるが、ミキサ使用素子が複数個必
要であり、平衡−不平衡変成器1及び6が必要で
あるため、回路が複雑となり、また高周波入力信
号fRから中間周波数fIFへ変換されるとき、常に変
換損失を生じるという欠点がある。
第2図は、従来よく使用されているトランジス
タを用いたマイクロ波ミキサの基本的回路構成を
示すものである。
タを用いたマイクロ波ミキサの基本的回路構成を
示すものである。
図において、8,9,10は、それぞれ高周波
受信信号入力端子、局部発振信号入力端子、およ
び中間周波信号出力端子である。14は高周波用
トランジスタ、13は入力整合回路である。fR,
fL,fIFはそれぞれ高周波受信信号、局部発振信
号、中間周波信号を示す。15は中間周波信号を
選択通過させる低域通過波器、11,12はそ
れぞれ直流カツト用のコンデンサであるが、高周
波受信信号fRが局部発振信号入力端子9へ漏洩す
ることによるミキサとしての特性の劣化(特にミ
キサとしての雑音指数が劣化する。)を防ぐため、
コンデンサ12は、高周波受信信号fRおよび局部
発振信号fLの周波数帯において、非常に高いイン
ピーダンスを持つように、容量値の小さいコンデ
ンサを使用する必要がある。
受信信号入力端子、局部発振信号入力端子、およ
び中間周波信号出力端子である。14は高周波用
トランジスタ、13は入力整合回路である。fR,
fL,fIFはそれぞれ高周波受信信号、局部発振信
号、中間周波信号を示す。15は中間周波信号を
選択通過させる低域通過波器、11,12はそ
れぞれ直流カツト用のコンデンサであるが、高周
波受信信号fRが局部発振信号入力端子9へ漏洩す
ることによるミキサとしての特性の劣化(特にミ
キサとしての雑音指数が劣化する。)を防ぐため、
コンデンサ12は、高周波受信信号fRおよび局部
発振信号fLの周波数帯において、非常に高いイン
ピーダンスを持つように、容量値の小さいコンデ
ンサを使用する必要がある。
第2図に示した回路においては、コンデンサ1
2とコンデンサ11のみが、高周波受信信号入力
端子8と局部発振信号入力端子9とを分離する働
きをしているため、その分離は良好でない。ま
た、局部発振信号入力端子9への高周波受信信号
fRの漏洩はある程度抑えることができても、高周
波受信信号入力端子8への局部発振信号fLの漏洩
(これは、受信機の不要輻射となり、他の受信機
に悪影響を与える。)は防ぐことができないなど
の欠点がある。
2とコンデンサ11のみが、高周波受信信号入力
端子8と局部発振信号入力端子9とを分離する働
きをしているため、その分離は良好でない。ま
た、局部発振信号入力端子9への高周波受信信号
fRの漏洩はある程度抑えることができても、高周
波受信信号入力端子8への局部発振信号fLの漏洩
(これは、受信機の不要輻射となり、他の受信機
に悪影響を与える。)は防ぐことができないなど
の欠点がある。
第3図は第2図のトランジスタ・ミキサ回路の
欠点である高周波受信信号と局部発振信号の分離
をよくするため、帯域通過波器を使用した従来
の回路の例である。
欠点である高周波受信信号と局部発振信号の分離
をよくするため、帯域通過波器を使用した従来
の回路の例である。
図において、第2図と同じ部分は、同一の符号
を付し、その説明を省く。16は高周波受信信号
fRを選択的に通過させ、局部発振信号fLを抑圧す
るための帯域通過波器である。17は局部発振
信号fLを選択的に通過させ、高周波受信信号fRを
抑圧するための帯域通過波器である。
を付し、その説明を省く。16は高周波受信信号
fRを選択的に通過させ、局部発振信号fLを抑圧す
るための帯域通過波器である。17は局部発振
信号fLを選択的に通過させ、高周波受信信号fRを
抑圧するための帯域通過波器である。
第3図に示した回路においては、高周波受信信
号周波数fRと局部発振信号周波数fLとの周波数が
高く、中間周波信号周波数fIFの低い場合には帯
域通過波器16及び17の選択度が十分とれな
くなる。そのため、高周波受信信号fRと局部発振
信号fLとの分離が良好でなくなるという欠点があ
る。
号周波数fRと局部発振信号周波数fLとの周波数が
高く、中間周波信号周波数fIFの低い場合には帯
域通過波器16及び17の選択度が十分とれな
くなる。そのため、高周波受信信号fRと局部発振
信号fLとの分離が良好でなくなるという欠点があ
る。
また、帯域通過波器16および17を使用し
ているため、構造が複雑となり、さらに、高周波
受信信号fR用の帯域通過波器16の挿入損だ
け、ミキサとしての雑音指数が劣化するなどの欠
点がある。
ているため、構造が複雑となり、さらに、高周波
受信信号fR用の帯域通過波器16の挿入損だ
け、ミキサとしての雑音指数が劣化するなどの欠
点がある。
本発明は、前記従来例にみられる欠点を除去せ
んとするもので、ミキサ素子としてマイクロ波帯
のトランジスタ、あるいはFETを1個使用して、
簡単な回路構成により、高周波受信信号と局部発
振信号との分離が良好で、特性の良好なマイクロ
波ミキサ回路を提供するものである。
んとするもので、ミキサ素子としてマイクロ波帯
のトランジスタ、あるいはFETを1個使用して、
簡単な回路構成により、高周波受信信号と局部発
振信号との分離が良好で、特性の良好なマイクロ
波ミキサ回路を提供するものである。
以下、本発明の具体的実施例を詳細に説明す
る。
る。
第4図は本発明の一実施例におけるトランジス
タ・ミキサ回路の基本的回路構成を示す図であ
る。
タ・ミキサ回路の基本的回路構成を示す図であ
る。
図中、バイアス回路は省略して示している。
図において、24,25,26はそれぞれ受信
信号入力端子、局部発振信号入力端子、および中
間周波信号出力端子である。27,28,29は
直流カツト用のコンデンサ、30,31はそれぞ
れ受信信号fR、局部発振信号fL用の整合回路、3
3はミキサ素子として使用するトランジスタ、3
2は中間周波信号fIFを選択通過させる低域通過
波器である。34は抵抗で、数十Ωの抵抗値の
ものを使用する。35は局部発振信号周波数fL帯
で1/4波長の電気長をもつ線路である。36は高
周波短絡用のコンデンサである。
信号入力端子、局部発振信号入力端子、および中
間周波信号出力端子である。27,28,29は
直流カツト用のコンデンサ、30,31はそれぞ
れ受信信号fR、局部発振信号fL用の整合回路、3
3はミキサ素子として使用するトランジスタ、3
2は中間周波信号fIFを選択通過させる低域通過
波器である。34は抵抗で、数十Ωの抵抗値の
ものを使用する。35は局部発振信号周波数fL帯
で1/4波長の電気長をもつ線路である。36は高
周波短絡用のコンデンサである。
以下このミキサ回路の動作を説明する。
受信信号入力端子24から入力された受信信号
fRは、入力整合回路30を通つて、トランジスタ
33のベースに注入される。一方、局部発振信号
入力端子25から入力された局部発振信号fLは整
合回路31を通つて、トランジスタ33のエミツ
タに注入される。ベースから入力された受信信号
fRはトランジスタ33で増幅されるとともに、エ
ミツタから注入された局部発振信号fLと混合さ
れ、受信信号fRと局部発振信号fLとの差の信号で
ある中間周波信号fIFが、トランジスタ33内で
発生する。トランジスタ内で発生した中間周波信
号fIFは、トランジスタ33で増幅されて、トラ
ンジスタ33のコレクタより低減通過波器32
を通つて出力端子26に出力される。
fRは、入力整合回路30を通つて、トランジスタ
33のベースに注入される。一方、局部発振信号
入力端子25から入力された局部発振信号fLは整
合回路31を通つて、トランジスタ33のエミツ
タに注入される。ベースから入力された受信信号
fRはトランジスタ33で増幅されるとともに、エ
ミツタから注入された局部発振信号fLと混合さ
れ、受信信号fRと局部発振信号fLとの差の信号で
ある中間周波信号fIFが、トランジスタ33内で
発生する。トランジスタ内で発生した中間周波信
号fIFは、トランジスタ33で増幅されて、トラ
ンジスタ33のコレクタより低減通過波器32
を通つて出力端子26に出力される。
第4図に示したように、ミキサとして使用する
トランジスタ33のエミツタと接地間に抵抗34
とこれと平行に局部発振周波数fL帯で1/4波長の
電気長をもつ線路35と高周波短絡用コンデンサ
36を接続しているため、局部発振信号fLは効率
的にエミツタからトランジスタに注入されるとと
もに、中間周波数帯fIFでは、低雑音な増幅器と
して動作する。
トランジスタ33のエミツタと接地間に抵抗34
とこれと平行に局部発振周波数fL帯で1/4波長の
電気長をもつ線路35と高周波短絡用コンデンサ
36を接続しているため、局部発振信号fLは効率
的にエミツタからトランジスタに注入されるとと
もに、中間周波数帯fIFでは、低雑音な増幅器と
して動作する。
線路35は、局部発振信号の周波数帯fLで1/4
波長の電気長をもつ線路であることと、前記線路
35の先端が、コンデンサ36により高周波的に
短絡されているため、局部発振信号周波数fL帯で
は、トランジスタ33のエミツタとアース間は、
抵抗34と整合回路31が接続された第5図aに
示すような等価回路となる。通常、高周波帯で
は、入出力インピーダンスは、50Ωで設計され
る。従つて本実施例では抵抗34の抵抗値を50Ω
とすれば、整合回路31を省略することが可能と
なり、さらに回路構成が簡単となる。
波長の電気長をもつ線路であることと、前記線路
35の先端が、コンデンサ36により高周波的に
短絡されているため、局部発振信号周波数fL帯で
は、トランジスタ33のエミツタとアース間は、
抵抗34と整合回路31が接続された第5図aに
示すような等価回路となる。通常、高周波帯で
は、入出力インピーダンスは、50Ωで設計され
る。従つて本実施例では抵抗34の抵抗値を50Ω
とすれば、整合回路31を省略することが可能と
なり、さらに回路構成が簡単となる。
中間周波信号周波数fIF帯では、トランジスタ
33のエミツタとアース間は、線路34とコンデ
ンサ36により等価的に第5図bに示すように短
絡されることになる。
33のエミツタとアース間は、線路34とコンデ
ンサ36により等価的に第5図bに示すように短
絡されることになる。
以上の理由により、局部発振信号fLは効率的に
エミツタからトランジスタに注入されるととも
に、トランジスタ33は、低雑音で効率のよい中
間周波数増幅器として動作する。
エミツタからトランジスタに注入されるととも
に、トランジスタ33は、低雑音で効率のよい中
間周波数増幅器として動作する。
また、入力受信信号fRをベースから注入し、局
部発振信号fLをエミツタから注入するため、高周
波受信信号fRと局部発振信号fLの分離も良好とな
る。
部発振信号fLをエミツタから注入するため、高周
波受信信号fRと局部発振信号fLの分離も良好とな
る。
さらに、簡単な回路構成で良好なトランジスタ
ミキサ回路を実現することができる。
ミキサ回路を実現することができる。
一例として、fTが8GHz程度のトランジスタを
使用して、受信信号周波数が2.5GHz、局部発振
信号周波数が2.4GHz、中間周波信号周波数fIF
100MHzのミキサ回路を本発明により実現すると、
局部発振注入電力が0dBm、コレクタ電流が1m
Aで、変換利得12dB、雑音指数6dBの良好な特
性が得られる。
使用して、受信信号周波数が2.5GHz、局部発振
信号周波数が2.4GHz、中間周波信号周波数fIF
100MHzのミキサ回路を本発明により実現すると、
局部発振注入電力が0dBm、コレクタ電流が1m
Aで、変換利得12dB、雑音指数6dBの良好な特
性が得られる。
また、本発明によれば、局部発振信号fLが、前
述したように効率的にエミツタからトランジスタ
に注入されるため、局部発振信号fLの注入電力
が、−10dBm程度でも良好な特性を示す。
述したように効率的にエミツタからトランジスタ
に注入されるため、局部発振信号fLの注入電力
が、−10dBm程度でも良好な特性を示す。
第6図は、局部発振信号注入電力対雑音指数特
性の一例を示したものである。横軸は、局部発振
信号注入電力を、縦軸は、雑音指数を示す。37
は雑音指数特性である。
性の一例を示したものである。横軸は、局部発振
信号注入電力を、縦軸は、雑音指数を示す。37
は雑音指数特性である。
第7図は、本発明によるFET・ミキサ回路の
基本的回路構成を示す図である。
基本的回路構成を示す図である。
図において、第5図のトランジスタ・ミキサ回
路と同様の働きをする部分には、同一の番号を付
してある。
路と同様の働きをする部分には、同一の番号を付
してある。
24,25,26は、それぞれ受信信号入力端
子、局部発振信号入力端子、中間周波信号出力端
子である。27,28,29は直流カツト用のコ
ンデンサ、30,31はそれぞれ受信信号fR、局
部発振信号fL用の整合回路、44はミキサ素子と
して使用するFET、441,442,443は、
それぞれFETのゲート電極、ドレイン電極、ソ
ース電極である。
子、局部発振信号入力端子、中間周波信号出力端
子である。27,28,29は直流カツト用のコ
ンデンサ、30,31はそれぞれ受信信号fR、局
部発振信号fL用の整合回路、44はミキサ素子と
して使用するFET、441,442,443は、
それぞれFETのゲート電極、ドレイン電極、ソ
ース電極である。
32は、中間周波信号fIFを選択通過させる低
域通過波器、34は抵抗、35は、局部発振信
号周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路、36
は高周波短絡用のコンデンサである。
域通過波器、34は抵抗、35は、局部発振信
号周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路、36
は高周波短絡用のコンデンサである。
受信信号入力端子24から入力された受信信号
(周波数fR)は入力整合回路30を通つて、FET
44のゲート441に注入される。一方、局部発
振信号入力端子25から入力された局部発振信号
(周波数fL)は整合回路31を通つて、FET44
のソース443に注入される。ゲート441から
入力された受信信号fRは、FET44で増幅される
とともに、ソース443から注入された局部発振
信号fLと混合され、受信信号fRと局部発振信号fL
との差の信号である中間周波信号fIFがFET44
内で発生する。FET44内で発生した中間周波
信号fIFは、FET44で増幅されて、FET44の
ドレイン442より低域通過波器32を通つて
出力端子26に出力される。
(周波数fR)は入力整合回路30を通つて、FET
44のゲート441に注入される。一方、局部発
振信号入力端子25から入力された局部発振信号
(周波数fL)は整合回路31を通つて、FET44
のソース443に注入される。ゲート441から
入力された受信信号fRは、FET44で増幅される
とともに、ソース443から注入された局部発振
信号fLと混合され、受信信号fRと局部発振信号fL
との差の信号である中間周波信号fIFがFET44
内で発生する。FET44内で発生した中間周波
信号fIFは、FET44で増幅されて、FET44の
ドレイン442より低域通過波器32を通つて
出力端子26に出力される。
第4図のトランジスタ・ミキサ回路と同様に、
ミキサとして使用するFET44のソース443
とアース間に抵抗34とこれと平行に局部発振信
号周波数fL帯で1/4波長の電気長をもつ線路35
と高周波短絡用のコンデンサ36を接続している
ため、局部発振信号fLは効率的にソース443か
らFET44に注入されるとともに、中間周波数
fIFでは、低雑音の増幅器として動作する。その
ため、図に示すような簡単な回路構成により、雑
音特性が良好で、受信信号と局部発振信号の分離
がよいミキサ回路を実現することができる。
ミキサとして使用するFET44のソース443
とアース間に抵抗34とこれと平行に局部発振信
号周波数fL帯で1/4波長の電気長をもつ線路35
と高周波短絡用のコンデンサ36を接続している
ため、局部発振信号fLは効率的にソース443か
らFET44に注入されるとともに、中間周波数
fIFでは、低雑音の増幅器として動作する。その
ため、図に示すような簡単な回路構成により、雑
音特性が良好で、受信信号と局部発振信号の分離
がよいミキサ回路を実現することができる。
以上述べたように本発明はトランジスタを用い
たマイクロ波帯のミキサ回路において、トランジ
スタのベースより高周波入力信号を印加し、トラ
ンジスタのエミツタより局部発振信号を印加し、
トランジスタのコレクタより中間周波信号を取り
出し、トランジスタのエミツタとアース間に局部
発振信号周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路
とコンデンサの直列回路を接続し、この線路とコ
ンデンサの直列回路と並列に抵抗を接続したもの
で、簡単な回路構成により、ミキサとして雑音特
性が良好で、受信信号と局部発振信号との分離が
良好なミキサ回路を実現することができる利点を
有する。
たマイクロ波帯のミキサ回路において、トランジ
スタのベースより高周波入力信号を印加し、トラ
ンジスタのエミツタより局部発振信号を印加し、
トランジスタのコレクタより中間周波信号を取り
出し、トランジスタのエミツタとアース間に局部
発振信号周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路
とコンデンサの直列回路を接続し、この線路とコ
ンデンサの直列回路と並列に抵抗を接続したもの
で、簡単な回路構成により、ミキサとして雑音特
性が良好で、受信信号と局部発振信号との分離が
良好なミキサ回路を実現することができる利点を
有する。
第1図は従来のダイオードを使用したダブル・
バランス・ミキサの基本的構成例を示す結線図、
第2図、第3図は従来のトランジスタを使用した
ミキサの基本的構成例を示す結線図、第4図は本
発明の一実施例におけるマイクロ波ミキサ回路の
結線図、第5図a,bは同ミキサ回路の局部発振
信号周波数fL帯での等価回路および中間周波信号
周波数fIF帯での等価回路をそれぞれ示す結線図、
第6図は同ミキサ回路の雑音指数特性の一例を示
す図、第7図は本発明の他の実施例におけるマイ
クロ波ミキサ回路の結線図である。 fR,fL,fIF……それぞれ入力受信信号、局部発
振信号、中間周波信号の周波数、1,6……平衡
−不平衡変成器、2,3,4,5……ダイオー
ド、14,33……トランジスタ、44……
FET、8,24……受信信号入力端子、9,2
5……局部発振信号入力端子、7,10,26…
…中間周波信号出力端子、30,31……整合回
路、15,32……中間周波信号を選択通過させ
る低域通過濾波器、34……抵抗、35……局部
発振信号の周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線
路、36……高周波短絡用のコンデンサ。
バランス・ミキサの基本的構成例を示す結線図、
第2図、第3図は従来のトランジスタを使用した
ミキサの基本的構成例を示す結線図、第4図は本
発明の一実施例におけるマイクロ波ミキサ回路の
結線図、第5図a,bは同ミキサ回路の局部発振
信号周波数fL帯での等価回路および中間周波信号
周波数fIF帯での等価回路をそれぞれ示す結線図、
第6図は同ミキサ回路の雑音指数特性の一例を示
す図、第7図は本発明の他の実施例におけるマイ
クロ波ミキサ回路の結線図である。 fR,fL,fIF……それぞれ入力受信信号、局部発
振信号、中間周波信号の周波数、1,6……平衡
−不平衡変成器、2,3,4,5……ダイオー
ド、14,33……トランジスタ、44……
FET、8,24……受信信号入力端子、9,2
5……局部発振信号入力端子、7,10,26…
…中間周波信号出力端子、30,31……整合回
路、15,32……中間周波信号を選択通過させ
る低域通過濾波器、34……抵抗、35……局部
発振信号の周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線
路、36……高周波短絡用のコンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 トランジスタのベースまたはFETのゲート
に接続され、受信信号を入力する第1の端子と、
エミツタまたはソースに接続され、局部発振信号
を入力する第2の端子と、コレクタまたはドレイ
ンに接続され、中間周波数信号を取り出す第3の
端子とを有し、前記トランジスタのエミツタまた
はFETのソースと接地間に、局部発振信号周波
数帯で4分の1波長の電気長を持つ線路とコンデ
ンサとの直列回路を接続し、前記直列回路と並列
に抵抗を接続したことを特徴とするマイクロ波ミ
キサ回路。 2 第1の端子とトランジスタのベースまたは
FETのゲートとの間及び上記第2の端子とトラ
ンジスタのエミツタまたはFETのソースとの間
に整合回路を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のマイクロ波ミキサ回路。 3 第1の端子とトランジスタのベースまたは
FETのゲートとの間に整合回路を設け、上記抵
抗の抵抗値を50オームとし、第2の端子とトラン
ジスタのエミツタまたはFETのソースとの間を
整合回路を設けることなしに接続したことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波ミ
キサ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021438A JPS58138107A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | マイクロ波ミキサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021438A JPS58138107A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | マイクロ波ミキサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138107A JPS58138107A (ja) | 1983-08-16 |
| JPS6348444B2 true JPS6348444B2 (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=12054968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021438A Granted JPS58138107A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | マイクロ波ミキサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138107A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59176909A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ回路 |
| JP4881596B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2012-02-22 | パナソニック株式会社 | 双方向周波数変換器およびこれを用いた無線機 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57021438A patent/JPS58138107A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58138107A (ja) | 1983-08-16 |
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