Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6349391B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6349391B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6349391B2
JPS6349391B2 JP54042920A JP4292079A JPS6349391B2 JP S6349391 B2 JPS6349391 B2 JP S6349391B2 JP 54042920 A JP54042920 A JP 54042920A JP 4292079 A JP4292079 A JP 4292079A JP S6349391 B2 JPS6349391 B2 JP S6349391B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state image
image sensor
color separation
separation filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54042920A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55135485A (en
Inventor
Akira Okazaki
Norihiko Tsukui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP4292079A priority Critical patent/JPS55135485A/en
Publication of JPS55135485A publication Critical patent/JPS55135485A/en
Publication of JPS6349391B2 publication Critical patent/JPS6349391B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors

Landscapes

  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、固体撮像素子上に色分離フイルター
を貼合せ一体化したカラー固体撮像素子板の製造
法に関し、更に詳しくは多数個配列した固体撮像
素子と多数個配列した色分離フイルターを一度に
貼合せ一体化する量産性に富んだカラー固体撮像
素子板の製造法に関する。 固体撮像素子にはフレーム転送方式CCD、イ
ンターライン転送方式CCD、MOS、BBD、
CID、PCD等各種あり開発が進められている。カ
ラー固体撮像装置をつくるにはカラー信号を得る
ため色分離が必要である。色分離を行なうために
は固体撮像素子を3ケ用いプリズム方式あるいは
ミラー方式により色分離する三板方式と、色分離
フイルターを用いて色分離する単板方式及びプリ
ズム方式あるいはミラー方式で輝度信号とクロマ
信号を分ける二板方式があるが、色分離フイルタ
ーは単板方式と二板方式に必要とされる。固体撮
像素子の各要素に対応してモザイク状あるいはス
トライプ状のフイルター素子をもあ色分離フイル
ターを配置させる方法としては、前もつてガラス
等の透明支持体上に固体撮像素子の各画素に対応
するようにフイルター素子を形成した色分離フイ
ルターをリレーレンズを介して固体撮像素子上に
結像する方法(リレーレンズ法)、色分離フイル
ターを接着剤により固体撮像素子表面に貼合せる
方法(貼合せ法)及び固体撮像素子上に色分離フ
イルターを直接加工し配置する方法(直接法)が
ある。本発明は上記貼合せ法に関するものであ
る。 従来の固体撮像素子上に色分離フイルターを貼
合せて一体化するカラー固体撮像素子板の製造方
法としてインターライン転送方式CCDについて
一例を挙げて説明すると、まず第1図aに示す如
くチツプ化した固体撮像素子1と、第1図bに示
す如く固体撮像素子2の各画素3(この方式では
感光性部分とシフトレジスター部などの非感光性
部分からなる)に対応するように(固体撮像素子
の2画素に1フイルター素子あるいは2画像に3
フイルター素子が対応するようにしても良い)モ
ザイク状あるいはストライプ状にフイルター素子
を形成した色分離フイルター2を第1図cに示す
如く、接着剤7により画素とフイルター素子を正
確に位置合せを行ない固体撮像素子と色分離フイ
ルターを貼合せて一体化しカラー固体撮像素子板
を作製する。第1図において各画素等を模式的に
書いたが、一般的には画素数は6万〜35万ケあ
る。 第1図aに示した如く固体撮像素子1は上記画
素3の集合した受光部4とリードを取り出すため
のボンデイングパツト部5があるが、第1図bに
示す色分離フイルター2を貼合せる場合ボンデイ
ングパツト部5が色分離フイルター部におおわれ
てはならない。色分離フイルターの透明支持体8
のサイズはボンデイングパツト部5にはみださな
いように精度良く前もつて切断しておく必要があ
る。このように貼合せ後においてボンデイングパ
ツト部5を露出させておく必要があるため色分離
フイルターを固体撮像素子1ケ分に切断した後貼
合せる必要があつた。 尚、フレーム転送方式CCDでは固体撮像素子
は受光部、蓄積部、シフトレジスター部に分かれ
ているため、色分離用フイルターは受光部のみに
対応するように色分離フイルターを貼合せれば良
いことは言うまでもない。この場合においても色
分離用フイルターの貼り合せ後ボンデイングパツ
ト部を露出させておく必要がある。 一般に、固体撮像素子はSiの3インチウエハー
あるいは4インチウエハーを用いて通常のウエハ
ープロセスにより多数個固体撮像素子を配列して
製造することにより量産性を上げている。また、
色分離フイルターも3インチあるいは4インチサ
イズのガラス等の透明支持体上に多数個配列して
製造することができる。ただし、従来の場合多数
個配列した固体撮像素子と多数個配列した色分離
フイルターを一度に貼合せると固体撮像素子のボ
ンデイング部が色分離フイルター基板によりおお
われてしまうため、上記の一度に貼合せる方法が
とれない。この問題は量産性ということを考えた
場合非常に大きな課題となつている。そもそも固
体カラーカメラは低コストカメラを指向したもの
であり、色分離フイルターの貼合せを1ケごとに
正確に位置合せして貼合せることは製造工程上大
きな問題となる。 上記貼合せ法における量産上の問題点を改善す
る方法として、本発明者らは、紫外線で硬化しか
つ加熱処理によつても硬化する接着剤を用いて、
多数個配列した固体撮像素子と多数個配列した色
分離フイルターとを一度の位置合せにより貼り合
せることによりカラー固体撮像素子板を製造する
方法を開発した(同日付の特許出願(1))。このよ
うな方法によれば量産性が飛躍的に向上するので
あるが、未だ次の問題点が残されている。すなわ
ち、多数固配列された固体撮像素子と色分離フイ
ルターはそのすべてのチツプ(1ケの固体撮像素
子あるいは1ケの色分離フイルター)が良品であ
れば問題ないが、固体撮像素子と色分離フイルタ
ーはそれぞれ別々に製造するため、多数個配列さ
れたもののうちある程度の割合で不良チツプが、
位置合せした状態を考えた場合それぞれ別の位置
に不良チツプが発生することになる。同一位置の
固体撮像素子と色分離フイルターが不良チツプで
あれば問題ないのであるが、このようなことは確
率的にも少ない。固体撮像素子及び色分離フイル
ターとも多数の工程により製造するため、同一基
板の全チツプが良品であるように作製することは
現状ではほとんど不可能に近い。かつこれらの固
体撮像素子及び色分離フイルターは固体カラーカ
メラシステムからみた場合高価なものである。本
発明は、上記問題点を改善することを目的とする
ものであつて、多数個配列した固体撮像素子と多
数個配列して色分離フイルターを一度の位置合せ
で貼合せ量産性のある製造法を提供するだけでな
く、固体撮像素子あるいは色分離フイルターの良
品チツプを別個に良品チツプとして残し、さらに
歩留りを向上させたカラー固体撮像素子板の製造
法を提供するものである。 すなわち、本発明は下記、及びの各工程
を順に行なつた後、及びの工程を任意の順で
行なうカラー固体撮像素子板の製造法を要旨とす
るものである。 少なくとも一個が不良品である多数個の固体
撮像素子を配列した固体撮像素子基板の上記固
体撮像素子面と、上記固体撮像素子の各画素に
対応してストライプ状もしくはモザイク状に配
列されたフイルター素子を有する少なくとも一
個が不良品である多数個の色分離フイルターを
透明支持体上に上記固体撮像素子と同一ピツチ
で配列した色分離フイルター基板のフイルター
素子面とを、紫外線で硬化しかつ加熱処理によ
つても硬化する接着剤を介して位置合せした後
密着する工程、 上記固体撮像素子基板の少なくともボンデイ
ングパツト部に対応する位置に配した紫外線遮
蔽層を介して、対面する上記固体撮像素子と上
記色分離フイルターの一方が不良品である領域
を少なくとも除いて上記透明支持体側から紫外
線を照射して少なくとも対面する上記固体撮像
素子と上記色分離フイルターの両方が良品であ
る紫外線照射領域内の色分離フイルター周縁部
を含む紫外線透過領域の上記接着剤を硬化させ
る工程、 上記色分離フイルター基板の少なくとも上記
ボンデイングパツト部に対応する部分もしくは
該部分とその周辺部を除去し、次いで、未硬化
の上記接着剤を溶解する溶剤で洗浄した後、対
面する上記固体撮像素子と上記色分離フイルタ
ーの一方が不良品である上記紫外線非照射領域
の色分離フイルターを除去する工程、 加熱処理により、上記固体撮像素子面と残存
するフイルター素子面との間の全領域の接着剤
を完全に硬化させる工程、および 固体撮像素子基板の各固体撮像素子の隣接す
るボンデイングパツト部の間を切断する工程。 以下、上記本発明をインターライン転送方式
CCDの場合の一例に基づき図面を参照しつつ説
明する。まず、第2図aの如くSiウエハー上に通
常のウエハープロセスにより固体撮像素子23が
多数個配列された固体撮像素子基板21と、第2
図bに示す如く第2図aの固体撮像素子23の各
画素と対応するようにモザイク状あるいはストラ
イプ状に各フイルター素子が形成された色分離フ
イルター26が各固体撮像素子と対応するように
多数個配列された色分離フイルター基板22を作
製する。色分離フイルター基板22は通常ウエハ
ーの形状でも角形でも良い。この色分離フイルタ
ー基板22には少なくとも固体撮像素子23のボ
ンデイングパツト部25に対応する部分に紫外線
遮蔽効果のある層27(以下、UV遮蔽層とい
う)を形成しておく。第2図bにおいてUV遮蔽
層は隣接するボンデイングパツト部にそれぞれ一
本ずつ設けるようにした例(この場合、二本の平
行するUV遮蔽層の間の接着剤が紫外線で硬化す
るため固定が確実に行なわれる)を示したが、平
行する二本のUV遮蔽層は共通させて一本にする
こともできる。少なくともボンデイングパツト部
がおおわれるようにすれば、いずれの態様による
こともできる。 第2図aに示す固体撮像素子基板21におい
て、たとえばチツプNo.101、102、103、104のう
ち、No.101と102が良品チツプ、No.103と104が不良
品チツプであつたとする。その他のチツプについ
ては説明の簡略化のために省略する。ここで、良
品チツプであるか不良品チツプであるかはたとえ
ば、プロービングし電気特性をチエツクすること
により容易に判別される。一方、第2図bに示す
色分離フイルター基板22において、たとえばチ
ツプNo.201、202、203、204のうちNo.201とNo.203が
良品チツプ、No.202とNo.204が不良品チツプであつ
たとする。その他のチツプについては省略する。
良品チツプが不良品チツプかは検査により前もつ
て知ることができる。 第3図aは第2図aに示す上記固体撮像素子基
板21のA−A′線切断部端面図、又第3図bは
第2図bに示す上記色分離フイルター基板22の
B−B′線切断部端面図を示す。次に、第3図c
に示す如く紫外線で硬化しかつ加熱処理でも硬化
する接着剤28を介して固体撮像素子基板21と
色分離フイルター基板22とを正確に位置合せし
て密着させる。この時、接着剤層28に泡やごみ
がはいらないよう注意する。 次に第3図dに示す如く色分離フイルター基板
22側から正確に位置合せした状態で紫外線30
を照射し、少なくとも紫外線照射領域内の各色分
離フイルター周縁部を含む紫外線通過領域の接着
剤28を硬化させる。ただし、紫外線を照射する
場合下表の条件を満たす部分のみ照射する。下表
は第3図dの符号に基づく。
The present invention relates to a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate in which color separation filters are bonded and integrated onto a solid-state image sensor, and more specifically, a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate in which a large number of solid-state image sensors and a large number of color separation filters are bonded together at the same time. This invention relates to a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate that is highly mass-producible and can be assembled and integrated. Solid-state image sensors include frame transfer CCD, interline transfer CCD, MOS, BBD,
Various types such as CID and PCD are being developed. To create a color solid-state imaging device, color separation is necessary to obtain color signals. To perform color separation, there are two methods: a three-chip method that uses three solid-state image sensors to separate colors using a prism method or a mirror method, a single-chip method that uses a color separation filter to separate colors, and a prism method or a mirror method that separates luminance signals and chroma signals. There are two-panel systems that separate the signals, but color separation filters are required for the single-panel system and the two-panel system. A method of arranging mosaic or stripe-like filter elements corresponding to each element of the solid-state image sensor is to place color separation filters on a transparent support such as glass with a front panel corresponding to each pixel of the solid-state image sensor. A method of forming an image on a solid-state image sensor using a color separation filter formed with a filter element as shown in FIG. (method) and a method (direct method) in which a color separation filter is directly processed and placed on the solid-state image sensor. The present invention relates to the above-mentioned bonding method. To explain an interline transfer type CCD as an example of a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate in which color separation filters are laminated and integrated onto a conventional solid-state image sensor, first, the interline transfer type CCD is made into a chip as shown in Figure 1a. The solid-state image sensor 1 corresponds to each pixel 3 of the solid-state image sensor 2 (in this method, it consists of a photosensitive part and a non-photosensitive part such as a shift register part) as shown in FIG. 1 filter element for 2 pixels or 3 filter elements for 2 images
As shown in FIG. 1c, as shown in FIG. The solid-state image sensor and color separation filter are bonded and integrated to produce a color solid-state image sensor plate. Although each pixel is schematically drawn in Figure 1, the number of pixels is generally 60,000 to 350,000. As shown in FIG. 1a, the solid-state image sensor 1 has a light-receiving section 4 where the pixels 3 are assembled and a bonding pad section 5 for taking out the leads, but when bonding the color separation filter 2 shown in FIG. 1b, The bonding pad portion 5 must not be covered by the color separation filter portion. Transparent support 8 of color separation filter
It is necessary to accurately cut the size in advance so that it does not protrude into the bonding pad portion 5. Since it is necessary to expose the bonding pad portion 5 after bonding as described above, it is necessary to cut the color separation filter into pieces for one solid-state image sensor and then bond them together. In addition, in a frame transfer type CCD, the solid-state image sensor is divided into a light receiving section, a storage section, and a shift register section, so it is only necessary to attach a color separation filter so that it corresponds to the light receiving section only. Needless to say. In this case as well, it is necessary to expose the bonding pad portion after bonding the color separation filter. In general, solid-state imaging devices are manufactured using 3-inch or 4-inch Si wafers by arranging a large number of solid-state imaging devices through a normal wafer process to improve mass productivity. Also,
Color separation filters can also be manufactured by arranging a large number of them on a transparent support such as 3-inch or 4-inch glass. However, in the conventional case, if a large number of solid-state image sensors and a large number of color separation filters were bonded together at the same time, the bonding part of the solid-state image sensor would be covered by the color separation filter substrate, so the above method of bonding them at once I can't get it. This problem becomes a very big issue when considering mass production. In the first place, solid-state color cameras are intended to be low-cost cameras, and it is a major problem in the manufacturing process to accurately align and bond each color separation filter. As a method to improve mass production problems in the above bonding method, the present inventors used an adhesive that hardens with ultraviolet rays and also hardens with heat treatment.
We have developed a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate by bonding together a large number of solid-state image sensors and a large number of color separation filters in a single alignment (patent application (1) filed on the same date). Although such a method dramatically improves mass productivity, the following problems still remain. In other words, there is no problem with a large number of solid-state image sensors and color separation filters as long as all of the chips (one solid-state image sensor or one color separation filter) are good. Since each chip is manufactured separately, a certain percentage of the chips that are arranged in large numbers are defective.
When considering the aligned state, defective chips will occur at different positions. There is no problem if the solid-state image sensor and color separation filter located at the same location are defective chips, but this is unlikely to happen. Since solid-state imaging devices and color separation filters are both manufactured through a large number of processes, it is currently almost impossible to manufacture all chips on the same substrate to be of good quality. Moreover, these solid-state image sensors and color separation filters are expensive from the perspective of a solid-state color camera system. The present invention aims to improve the above-mentioned problems, and provides a mass-producible manufacturing method in which a large number of arrayed solid-state image sensors and a large number of arrayed color separation filters are bonded together in a single alignment. In addition, the present invention provides a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate in which good chips of the solid-state image sensor or color separation filter are kept separately as good chips, and the yield is further improved. That is, the gist of the present invention is a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate, in which the following steps and are performed in order, and then steps and are performed in any order. The solid-state image sensor surface of the solid-state image sensor substrate on which a large number of solid-state image sensors, at least one of which is defective, is arranged, and filter elements arranged in a stripe or mosaic pattern corresponding to each pixel of the solid-state image sensor. A large number of color separation filters, at least one of which is defective, are arranged on a transparent support at the same pitch as the solid-state image sensor, and the filter element surface of the color separation filter substrate is cured with ultraviolet rays and subjected to heat treatment. a step of aligning and adhering to each other through an adhesive that hardens over time; the solid-state image sensor and the above-mentioned solid-state image sensor facing each other through an ultraviolet shielding layer disposed at a position corresponding to at least a bonding pad portion of the solid-state image sensor substrate; Color separation in an ultraviolet irradiation area where at least both the solid-state imaging device and the color separation filter facing each other are non-defective by irradiating ultraviolet rays from the side of the transparent support, excluding at least the area where one of the color separation filters is defective. curing the adhesive in the ultraviolet transmitting region including the peripheral edge of the filter, removing at least a portion of the color separation filter substrate corresponding to the bonding pad portion or the portion and its surrounding area, and then removing the uncured adhesive. removing the color separation filter in the non-ultraviolet irradiation area where one of the solid-state image sensor and the color separation filter facing each other is a defective product, after cleaning with a solvent that dissolves the dye; a step of completely curing the adhesive in all areas between the surface and the remaining filter element surface; and a step of cutting between adjacent bonding pad portions of each solid-state image sensor on the solid-state image sensor substrate. Hereinafter, the above invention will be explained using an interline transfer method.
An example of a CCD will be explained with reference to the drawings. First, as shown in FIG.
As shown in FIG. 2B, there are a large number of color separation filters 26 in which filter elements are formed in a mosaic or stripe pattern so as to correspond to each pixel of the solid-state image sensor 23 in FIG. 2a. An array of color separation filter substrates 22 is prepared. The color separation filter substrate 22 may have a normal wafer shape or a rectangular shape. A layer 27 having an ultraviolet shielding effect (hereinafter referred to as a UV shielding layer) is formed on the color separation filter substrate 22 at least in a portion corresponding to the bonding pad portion 25 of the solid-state image sensor 23. In Fig. 2b, one UV shielding layer is provided on each adjacent bonding patch (in this case, the adhesive between the two parallel UV shielding layers is cured by ultraviolet rays, ensuring secure fixation). However, the two parallel UV shielding layers can also be combined into one. Any embodiment can be used as long as at least the bonding pad portion is covered. In the solid-state image sensor substrate 21 shown in FIG. 2A, for example, it is assumed that among chips Nos. 101, 102, 103, and 104, Nos. 101 and 102 are good chips, and Nos. 103 and 104 are defective chips. Other chips will be omitted to simplify the explanation. Here, whether a chip is a good chip or a defective chip can be easily determined by, for example, probing and checking the electrical characteristics. On the other hand, in the color separation filter board 22 shown in FIG. 2b, for example, among chips No. 201, 202, 203, and 204, No. 201 and No. 203 are good chips, and No. 202 and No. 204 are defective chips. Suppose it was. Other chips will be omitted.
Whether a good chip is a defective chip or not can be known in advance through inspection. FIG. 3a is an end view of the solid-state image sensor substrate 21 cut along line A-A' shown in FIG. 2a, and FIG. 3b is an end view of the color separation filter substrate 22 shown in FIG. An end view of the section cut along the ' line is shown. Next, Figure 3c
As shown in FIG. 2, the solid-state image sensor substrate 21 and the color separation filter substrate 22 are accurately aligned and brought into close contact with each other through an adhesive 28 that is cured by ultraviolet rays and also by heat treatment. At this time, care must be taken not to get bubbles or dirt into the adhesive layer 28. Next, as shown in FIG. 3d, the ultraviolet ray 3
is applied to cure the adhesive 28 in the ultraviolet passing region including at least the periphery of each color separation filter in the ultraviolet irradiation region. However, when irradiating ultraviolet rays, only the parts that meet the conditions in the table below are irradiated. The table below is based on the numbers in Figure 3d.

【表】 上記のような方法で紫外線照射する方法として
はサイズXの領域でステツプアンドリピート方式
により各チツプごと固体撮像素子チツプの良品、
不良品の検査データ及び色分離フイルターチツプ
の良品、不良品の検査データをもとに紫外線照射
する。単純にマスキングして照射する方法でも良
いことはいうまでもない。 このようにすると固体撮像素子基板21と色分
離フイルター基板22は紫外線透過領域の接着剤
層が硬化して硬化接着剤層29を形成するため正
確に位置合せられて固定される。尚、この時、紫
外線照射領域のフイルター素子下の接着剤は、色
分離フイルター素子中に紫外線透過性の素子があ
れば、その部分も硬化する。この状態では固体撮
像素子のボンデイングパツト部25が色分離フイ
ルター基板22の透明支持体22aにおおわれて
しまうためこの部分を除く必要がある。除去する
方法としては各種あるがダイシングソーによる除
去が望ましい。 この除去した状態を第3図eに示す。この段階
では紫外線照射領域X1,X4のUV遮蔽層27下
の未硬化の接着剤28及び紫外線非照射領域X2
X3の接着剤28は未硬化の状態のため接着剤を
溶解させる溶剤により洗浄する。この洗浄を行な
うと、未硬化接着剤28が除去できるとともに
X2,X3部の色分離フイルターチツプも元の状態
で取り出すことができる(図示せず)。色分離フ
イルターチツプNo.203は良品チツプのため取り出
し保存する。次に、加熱処理を行ない接着剤層の
未硬化領域を硬化させて完全に貼合せを行なう
(図示せず)。次に、第3図fに示すごとく固体撮
像素子基板部をダイシングあるいはスクライピン
グし切断を行なう。このようにして固体撮像素子
チツプNo.102は良品チツプのため取り出し保存す
る。領域X1部は固体撮像素子及び色分離フイル
ターともに良品のため良品のカラー固体撮像素子
板Aが作製できる。尚、領域X4部は固体撮像素
子及び色分離フイルター共に不良品のため不良品
のカラー固体撮像素子板Bが作製される。ここで
製造工程途中で別個に保存しておいた良品の固体
撮像素子チツプと良品の色分離フイルターチツプ
は単体の状態で接着剤を介して位置合せ行ない貼
合せてカラー固体撮像素子板を作製することがで
きる。この場合の接着剤は従来法における如く熱
硬化タイプの接着剤を使用しても良い。 上記の製造工程ではe工程→加熱処理→f工程
としたが、e工程→f工程→加熱処理の順で行な
うこともできる。 本発明の製造法によると、多数個配列した固体
撮像素子基板及び色分離フイルター基板を一度に
位置合せて貼合せる量産効果大のプロセスをとつ
ても、各良品チツプを不良にすることなく単体で
別途に貼合せてカラー固体撮像素子板を作製でき
るので総合的な歩留りを一層上げることができ
る。単体で別個に貼り合わせる場合にも熱硬化タ
イプの接着剤のかわりに紫外線で硬化しかつ加熱
処理でも硬化する接着剤を用いると作業性が良
い。 又、上記第3図fに示す切断工程においては、
固体撮像素子基板部を日東電材(株)製SPV−224あ
るいはSEC社製13673NATURAL CAST
VINYL FILM等の粘着テープ等に接着した後粘
着テープを残した状態までダイシングソーで切断
すると、切断機エクスパンダー装置により各カラ
ー固体撮像素子板Aの間隔を拡大することがで
き、切断後のダイボンダー装置での加工が容易と
なる。また、同様に粘着テープに接着後スクライ
ブしブレーキングした後エクスパンダー装置によ
り各チツプ間隔を拡大する方法でも良い。 上記説明に於いては、UV遮蔽層を色分離フイ
ルター基板上に設けた例を用いたが、該UV遮蔽
層は色分離フイルター基板上でなく、別個の紫外
線透過性支持体、たとえばガラス板、の上に設け
ておき、このようなマスクを用いて本発明の方法
を行なうこともできる。このようなマスクを用い
る場合には図示しないが、固体撮像素子基板と色
分離フイルター基板とを接着剤を介して密着させ
た後、色分離フイルター基板の透明支持体上に上
記UV遮蔽層側を接して位置合わせした後密着さ
せた後、必要領域に紫外線を露光し、しかる後、
上記マスクを取り去り、ボンデイングパツト部に
対応する透明支持体を除去する工程に付すること
ができ、以下上記と同様に行なえばよい。 又上記のようなUV遮蔽層を別途の紫外線透過
性支持体上に設けたマスクを用いて色分離フイル
ター基板の透明支持体上に位置合せ密着して露光
する方法の場合、マスクの色分離フイルター基板
22にそれぞれの色分離フイルター26部に対応
する部分にも紫外線遮蔽部を形成し紫外線を露光
しても良い。色分離フイルター素子の色相は赤、
緑、青の場合、黄、シアン、透明の場合等各種の
組合せがある。赤、緑、青のフイルター素子をも
つ色分離フイルターを例にとり説明すると紫外線
は赤、緑のフイルター素子では遮蔽されるが青の
フイルター素子は透過する。つまり第3図d工程
で紫外線照射した場合色分離フイルターの一部の
フイルター素子に対応する部分の接着剤層が硬化
することになる。接着剤の種類によつては紫外線
硬化により体積収縮の割合大きいものもあり、ま
た、その後の加熱硬化行たつても光学的屈折率の
均一性が少ないものもあるため、これらの影響を
防止するためにも色分離フイルター部を遮蔽して
も良い。第二の理由として色分離フイルターとし
て有機染色フイルターを用いる場合、有機染色フ
イルターを用いる場合、有機染色フイルターは耐
紫外線性がダイクロイツクフイルターに比較して
悪いため、紫外線遮蔽することは望ましい。 本発明に用いる色分離フイルター基板の作成に
は多層干渉薄膜であるダイクロイツクフイルタ
ー、有機染色フイルター等各種のフイルター素子
が適用でき、従来の製造法を利用して行なうこと
が可能である。 上記色分離フイルター基板又はマスク用支持体
上にUV遮蔽層又は紫外線遮蔽部を形成するには
IC製造時のフオトレジスト製版用に用いるフオ
トマスク材料が用いられ、材料としてはCr、
CrOx、Si、SiO2、Ta等を蒸着、スパツタリング
後製版、エツチングを行ない所定の形状にUV遮
蔽層等を形成する。あるいは紫外線を遮光する分
光特性をもつように公知のダイクロツクフイルタ
ーあるいは有機染色フイルターによりUV遮蔽層
等を形成しても良い。色分離フイルター基板上に
UV遮蔽層を形成する場合は色分離フイルター素
子のうち紫外線を遮蔽するフイルター素子を利用
し色分離フイルター製造工程と同時に所定位置に
所定の形状で形成すると、あらためてUV遮蔽層
を形成する必要がなく便利である。色分離フイル
ター素子を重ね合せてUV遮蔽層を形成しても良
い。 本発明において用いる接着剤は紫外線で硬化
し、かつ加熱処理によつても硬化するタイプのも
のであればいずれでも適用できる。たとえば、ア
クリル系、エポキシ系、ウレタン系、スチレン系
などの各種樹脂を主成分とし、必要に応じて紫外
線硬化促進剤、熱硬化促進剤などを適宜含むもの
が好ましく用いられる。さらに具体的にはノーラ
ンド社製NOA60、NOA61、NOA63、NOA65、
明星チヤーチル社製フオトボンド100、同300、同
500、厚膜技術社製ゾンネボンド、コニシ社製
UVAC、UV03162、旭電化工業社製アデカウル
トラセツト等、及びこれらの接着剤樹脂をベース
として熱硬化促進剤を適宜含む接着剤が挙げられ
る。本発明において接着剤層の好ましい膜厚は4
〜100μ程度である。 また、本発明において末硬化状態の接着剤を除
去するために用いる洗浄剤としては、たとえば、
トルエン、トリクレン、キシレン、ベンゼン等の
溶剤を用いることができ、洗浄方法としては、第
3図のボンデイングパツト部に位置する透明支持
体基板部を除く工程後、上記溶剤をスプレーする
と良い。場合によつてはスプレー洗浄後超音波洗
浄を行なつても良い。 以上、主としてインターライン転送方式CCD
の場合について説明したが、他の方式によるも
の、たとえば、フレーム転送方式CCD、MOS、
BBD、CID、PCD等の固体撮像素子にも本発明
が適用できることはもちろんである。本発明によ
れば、カラー固体撮像素子板が量産できるだけで
なく総合的な歩留りを一層向上させうるという多
大な利点が得られ、工業上極めて有効である。 以下、実施例を示して本発明をさらに説明す
る。 実施例 1 第3図に示すごとく3インチウエハー上に固体
撮像素子が多数個配列された固体撮像素子基板を
作製する(第2図a及び第3図a)。また、3イ
ンチで板厚が0.4mmのガラス基板上にUV遮蔽層用
としてCrを1000Åスパツタリングにより膜づけ
した後製版エツチングを行ない固体撮像素子のボ
ンデイングパツト部に位置する部分にUV遮蔽層
を形成し、かつ通常の方法により有機染色フイル
ターによる色分離フイルターを多数個配列した色
分離フイルター基板を作製する(第2図b及び第
3図b)。次に、ウレタン系接着剤ノーランド社
製NOA60を用いて泡やごみがはいらないように
して固体撮像素子基板と色分離フイルターを正確
に位置合せを行なう(第3図c)。次にスラツプ
アンドリピート機構をもつ紫外線により領域Xの
サイズで各チツプごとに順次紫外線の照射を行な
う。ただし、対応する固体撮像素子と色分離フイ
ルターのうち片方が良品チツプで片方が不良品チ
ツプの領域に紫外線照射しない。 このようにして1KWの水銀ランプを使用し各
チツプ領域毎に1分間紫外線を順次照射する。第
3図dにおいてX1,X4領域を照射する。X2,X3
領域はNo.102のチツプ及びNo.203のチツプ及びNo.
202のチツプが不良品であつたため紫外線を照射
しなかつた(第3図d)。 以上の工程を経ると動かしても位置合せ状態が
持続される。次に、ダイシングソーによりブレー
ド巾100μの樹脂ブレードを用いて固体撮像素子
のボンデイングパツト部に位置する透明支持体
(ガラス)を切除する(第3図e)。この場合、ボ
ンデイングパツト表面を破損しないようにブレー
ドの切込み深さを正確にコントロールする必要が
ある。次にトリクレンにより洗浄し、溶解可能領
域の接着剤を洗浄する。この場合色分離フイルタ
ーチツプNo.202及びNo.203がとれるが、No.203は良
品チツプのため保存する。次に、160℃で3時間
加熱処理を行なう。次に、ダイシングソーにより
通常の方法で固体撮像素子を切断する。ここで固
体撮像素子No.102は良品チツプのため保存する。
このようにしてX1,X4部は固体撮像素子と色分
離フイルターが一体化される。X4部は不良だが、
X1部は良品のカラー固体撮像素子板が製造でき
る。
[Table] The method of irradiating ultraviolet rays using the method described above is to use the step-and-repeat method in the area of size
Ultraviolet rays are irradiated based on the inspection data of defective products and the inspection data of good and defective color separation filter chips. It goes without saying that a method of simply masking and irradiating may also be used. In this way, the solid-state image sensor substrate 21 and the color separation filter substrate 22 are accurately aligned and fixed because the adhesive layer in the ultraviolet transmitting region is cured to form a cured adhesive layer 29. At this time, if there is an ultraviolet-transmissive element in the color separation filter element, the adhesive under the filter element in the ultraviolet irradiation area is also cured. In this state, the bonding pad portion 25 of the solid-state image sensing device is covered by the transparent support 22a of the color separation filter substrate 22, so this portion must be removed. Although there are various methods for removing it, it is preferable to use a dicing saw. This removed state is shown in FIG. 3e. At this stage, the uncured adhesive 28 under the UV shielding layer 27 in the UV irradiation areas X 1 and X 4 and the UV non-irradiation areas X 2 ,
Since the adhesive 28 of X 3 is in an uncured state, it is cleaned with a solvent that dissolves the adhesive. By performing this cleaning, the uncured adhesive 28 can be removed and
The color separation filter chips in the X 2 and X 3 sections can also be taken out in their original state (not shown). Color separation filter chip No. 203 is a good chip, so it will be removed and saved. Next, heat treatment is performed to harden the uncured areas of the adhesive layer to complete bonding (not shown). Next, as shown in FIG. 3f, the solid-state image sensor substrate portion is cut by dicing or scriping. In this way, solid-state image sensor chip No. 102 is taken out and saved because it is a good chip. In region X 1 , both the solid-state image sensor and the color separation filter are of good quality, so a color solid-state image sensor plate A of good quality can be produced. Note that in the area X4 , both the solid-state image sensor and the color separation filter are defective, so a defective color solid-state image sensor plate B is produced. Here, the good solid-state image sensor chip and the good color separation filter chip, which were stored separately during the manufacturing process, are aligned and bonded together using an adhesive to fabricate a color solid-state image sensor plate. be able to. In this case, a thermosetting adhesive may be used as in the conventional method. In the above manufacturing process, the steps are e-step → heat treatment → f-step, but the steps can also be performed in the order of e-step → f-step → heat treatment. According to the manufacturing method of the present invention, even if a large number of arrayed solid-state image sensor substrates and color separation filter substrates are aligned and bonded together in a process that is highly effective for mass production, each good chip can be made into a single unit without making them defective. Since a color solid-state image sensor plate can be manufactured by laminating them separately, the overall yield can be further increased. Even when bonding individual pieces together, workability is improved by using an adhesive that is cured by ultraviolet light and also cured by heat treatment instead of a thermosetting type adhesive. In addition, in the cutting process shown in FIG. 3f above,
The solid-state image sensor substrate part is SPV-224 manufactured by Nitto Denzai Co., Ltd. or 13673NATURAL CAST manufactured by SEC.
After adhering to adhesive tape such as VINYL FILM and cutting it with a dicing saw until the adhesive tape remains, the distance between each color solid-state image sensor plate A can be expanded by the cutting machine expander device, and the die bonder after cutting Processing with equipment becomes easier. Alternatively, a similar method may be used in which the adhesive tape is adhered, scribed, braked, and then the spacing between each chip is expanded using an expander device. In the above description, an example was used in which the UV shielding layer was provided on the color separation filter substrate, but the UV shielding layer was not provided on the color separation filter substrate but on a separate ultraviolet transparent support, such as a glass plate, It is also possible to carry out the method of the present invention using such a mask. When using such a mask, although not shown, the solid-state image sensor substrate and color separation filter substrate are brought into close contact with each other via an adhesive, and then the UV shielding layer side is placed on the transparent support of the color separation filter substrate. After aligning and adhering, the necessary areas are exposed to ultraviolet light, and then
The mask can be removed and the transparent support corresponding to the bonding pad portions can be removed in the same manner as described above. In addition, in the case of the above method in which a mask in which a UV shielding layer is provided on a separate ultraviolet-transparent support is aligned and exposed on the transparent support of the color separation filter substrate, the color separation filter of the mask is Ultraviolet shielding portions may also be formed in portions of the substrate 22 corresponding to the color separation filters 26 and exposed to ultraviolet light. The hue of the color separation filter element is red,
There are various combinations such as green, blue, yellow, cyan, and transparent. Taking a color separation filter having red, green, and blue filter elements as an example, ultraviolet rays are blocked by the red and green filter elements, but are transmitted through the blue filter element. In other words, when the ultraviolet rays are irradiated in step d of FIG. 3, the adhesive layer in the portions of the color separation filter corresponding to some of the filter elements is cured. Depending on the type of adhesive, there may be a large volume shrinkage due to ultraviolet curing, and there may also be cases where the optical refractive index is not uniform even after subsequent heat curing, so these effects should be prevented. For this purpose, the color separation filter section may be shielded. The second reason is that when an organic dyed filter is used as a color separation filter, it is desirable to shield it from ultraviolet rays because the organic dyed filter has poorer ultraviolet resistance than a dichroic filter. Various filter elements such as dichroic filters, which are multilayer interference thin films, organic dye filters, etc., can be applied to the production of the color separation filter substrate used in the present invention, and conventional manufacturing methods can be used. To form a UV shielding layer or UV shielding portion on the color separation filter substrate or mask support described above
The photomask material used for photoresist plate making during IC manufacturing is used, and the materials include Cr,
After vapor deposition and sputtering of CrOx, Si, SiO 2 , Ta, etc., plate making and etching are performed to form a UV shielding layer, etc. in a predetermined shape. Alternatively, a UV shielding layer or the like may be formed using a known dichroic filter or organic dyed filter so as to have spectral characteristics that shield ultraviolet rays. Color separation filter on board
When forming a UV shielding layer, use a filter element that blocks ultraviolet rays among the color separation filter elements, and form it in a predetermined position and shape at the same time as the color separation filter manufacturing process, thereby eliminating the need to form a UV shielding layer again. It's convenient. A UV shielding layer may be formed by overlapping color separation filter elements. As the adhesive used in the present invention, any type of adhesive that can be cured by ultraviolet rays and can also be cured by heat treatment can be used. For example, those containing various resins such as acrylic, epoxy, urethane, and styrene resins as main components, and optionally containing ultraviolet curing accelerators, thermosetting accelerators, etc., are preferably used. More specifically, Norland NOA60, NOA61, NOA63, NOA65,
Photobond 100, Photobond 300, Photobond made by Myojo Churchill Co., Ltd.
500, Sonnebond manufactured by Atsushi Gijutsu Co., Ltd., manufactured by Konishi Co., Ltd.
Examples include UVAC, UV03162, Adeka Ultraset manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., and adhesives based on these adhesive resins and appropriately containing a thermosetting accelerator. In the present invention, the preferred thickness of the adhesive layer is 4
It is about ~100μ. Further, in the present invention, the cleaning agent used to remove the adhesive in a partially cured state includes, for example,
Solvents such as toluene, trichlene, xylene, and benzene can be used, and as a cleaning method, the above-mentioned solvent is preferably sprayed after the step of removing the transparent support substrate portion located at the bonding pad portion shown in FIG. In some cases, ultrasonic cleaning may be performed after spray cleaning. The above is mainly an interline transfer type CCD.
Although we have explained the case using other methods, such as frame transfer method CCD, MOS,
Of course, the present invention can also be applied to solid-state imaging devices such as BBD, CID, and PCD. According to the present invention, it is possible to mass-produce color solid-state image sensor plates, and the overall yield can be further improved, which is a great advantage, and it is extremely effective industrially. The present invention will be further explained below with reference to Examples. Example 1 As shown in FIG. 3, a solid-state imaging device substrate in which a large number of solid-state imaging devices are arranged on a 3-inch wafer is prepared (FIGS. 2a and 3a). In addition, a 1000 Å film of Cr was sputtered on a 3-inch glass substrate with a thickness of 0.4 mm as a UV shielding layer, and then plate etching was performed to form a UV shielding layer on the bonding pad portion of the solid-state image sensor. Then, a color separation filter substrate on which a large number of color separation filters made of organic dyed filters are arranged is prepared by a conventional method (FIGS. 2b and 3b). Next, using a urethane adhesive NOA60 manufactured by Norland Co., Ltd., the solid-state image sensor substrate and color separation filter are accurately aligned without any bubbles or dust (Figure 3c). Next, ultraviolet rays having a slap-and-repeat mechanism are sequentially applied to each chip in the size of area X. However, the area where one of the corresponding solid-state image sensors and color separation filters is a good chip and the other is a defective chip is not irradiated with ultraviolet rays. In this way, each chip area is sequentially irradiated with ultraviolet rays for 1 minute using a 1KW mercury lamp. In FIG. 3d, areas X 1 and X 4 are irradiated. X2 , X3
The area is No. 102 chip, No. 203 chip, and No.
Since the chip 202 was defective, it was not irradiated with ultraviolet light (Figure 3d). After the above steps are performed, the aligned state will be maintained even if the parts are moved. Next, the transparent support (glass) located at the bonding pad portion of the solid-state image sensor is cut out using a resin blade with a blade width of 100 μm using a dicing saw (FIG. 3e). In this case, it is necessary to accurately control the cutting depth of the blade so as not to damage the surface of the bonding pad. Next, it is cleaned with Triclean to clean the adhesive in the dissolvable area. In this case, color separation filter chips No. 202 and No. 203 can be removed, but No. 203 is saved as it is a good chip. Next, heat treatment is performed at 160°C for 3 hours. Next, the solid-state imaging device is cut using a dicing saw in the usual manner. Here, solid-state image sensor No. 102 is saved because it is a good chip.
In this way, the solid-state image sensor and color separation filter are integrated in the X 1 and X 4 sections. X 4th part is defective, but
X 1 part can produce good quality color solid-state image sensor plates.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来法によりカラー固体撮像素子板
を製造する方法の一例を説明するためのものであ
つて、第1図aはチツプ化した固体撮像素子の平
面図、第1図bは色分離フイルターの平面図、第
1図cは固体撮像素子と色分離フイルターとを貼
合せたところを示す模式断面図である。第2図a
は本発明の製造法に用いる固体撮像素子基板の一
例を示す平面図、第2図bは本発明の製造法に用
いる色分離フイルター基板の一例を示す平面図で
ある。第3図a〜fは本発明の製造法の各工程を
例示する模式断面図である。 21……固体撮像素子基板、22……色分離フ
イルター基板、22a……透明支持体、23……
固体撮像素子、24……受光部、25……ボンデ
イングパツト部、26……色分離フイルター、2
7……UV遮蔽層、28……接着剤、29……硬
化接着剤、30……紫外線、X1,X4……紫外線
照射領域、X2,X3……紫外線非照射領域、
…カラー固体撮像素子板。
FIG. 1 is for explaining an example of a method for manufacturing a color solid-state image sensor plate by a conventional method. FIG. 1a is a plan view of a solid-state image sensor plate made into a chip, and FIG. FIG. 1c, which is a plan view of the separation filter, is a schematic cross-sectional view showing a solid-state image sensor and a color separation filter bonded together. Figure 2a
2 is a plan view showing an example of a solid-state image sensor substrate used in the manufacturing method of the present invention, and FIG. 2b is a plan view showing an example of a color separation filter substrate used in the manufacturing method of the present invention. FIGS. 3a to 3f are schematic cross-sectional views illustrating each step of the manufacturing method of the present invention. 21 ... Solid-state image sensor substrate, 22 ... Color separation filter substrate, 22a... Transparent support, 23...
Solid-state image sensor, 24... Light receiving section, 25... Bonding pad section, 26... Color separation filter, 2
7...UV shielding layer, 28...Adhesive, 29...Curing adhesive, 30...Ultraviolet light, X1 , X4 ...Ultraviolet irradiation area, X2 , X3 ...Ultraviolet non-irradiation area, A ...
...Color solid-state image sensor board.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 下記、及びの各工程を順に行なつた
後、及びの工程を任意の順で行なうことを特
徴とするカラー固体撮像素子板の製造法、 少なくとも一個が不良品である多数個の固体
撮像素子を配列した固体撮像素子基板の上記固
体撮像素子面と、上記固体撮像素子の各画素に
対応してストライプ状もしくはモザイク状に配
列されたフイルター素子を有する少なくとも一
個が不良品である多数個の色分離フイルターを
透明支持体上に上記固体撮像素子と同一ピツチ
で配列した色分離フイルター基板のフイルター
素子面とを、紫外線で硬化しかつ加熱処理によ
つても硬化する接着剤を介して位置合わせした
後密着する工程、 上記固体撮像素子基板の少なくともボンデイ
ングパツト部に対応する位置に配した紫外線遮
蔽層を介して、対面する上記固体撮像素子と上
記色分離フイルターの一方が不良品である領域
を少なくとも除いて上記透明支持体側から紫外
線を照射して少なくとも対面する上記固体撮像
素子と上記色分離フイルターの両方が良品であ
る紫外線照射領域内の各色分離フイルター周縁
部を含む紫外線透過領域の上記接着剤を硬化さ
せる工程、 上記色分離フイルター基板の少なくとも上記
ボンデイングパツト部に対応する部分もしくは
該部分とその周辺部を除去し、次いで未硬化の
上記接着剤を溶解する溶剤で洗浄した後、対面
する上記固体撮像素子と上記色分離フイルター
の一方が不良品である上記紫外線非照射領域の
色分離フイルターを除去する工程、 加熱処理により、上記固体撮像素子面と残存
するフイルター素子面との間の全領域の接着剤
を完全に硬化させる工程、および 固体撮像素子基板の各固体撮像素子の隣接す
るボンデイングパツト部の間を切断する工程。 2 前記工程における紫外線遮蔽層は、前記色
分離フイルター基板上に予め設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のカラー
固体撮像素子板の製造法。 3 前記工程における紫外線遮蔽層は、紫外線
透過性支持体上に紫外線遮蔽層を有するマスクを
前記透明支持体上に密着させることにより配する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のカ
ラー固体撮像素子板の製造法。 4 前記マスクは、さらに紫外線照射領域内の各
色分離フイルターに対応する位置に紫外線遮蔽部
を有することを特徴とする特許請求の範囲第3項
記載のカラー固体撮像素子板の製造法。 5 前記工程は固体撮像素子基板を粘着テープ
に接着させた状態で行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項記
載のカラー固体撮像素子板の製造法。
[Scope of Claims] 1. A method for manufacturing a color solid-state image sensor plate, characterized in that the steps of and below are performed in order, and then the steps of and are performed in any order. At least one of the plates is defective. A solid-state image sensor substrate on which a large number of solid-state image sensors are arranged has a solid-state image sensor surface and a filter element arranged in a stripe or mosaic pattern corresponding to each pixel of the solid-state image sensor, and at least one is defective. An adhesive that can be cured by ultraviolet rays and can also be cured by heat treatment is used to bond a filter element surface of a color separation filter substrate in which a large number of color separation filters are arranged on a transparent support with the same pitch as the solid-state image pickup device. a step of aligning and bringing them into close contact through the solid-state imaging device substrate, one of the solid-state imaging device and the color separation filter facing each other through an ultraviolet shielding layer disposed at a position corresponding to at least a bonding pad portion of the solid-state imaging device substrate; Ultraviolet rays are irradiated from the side of the transparent support, excluding at least the area that is a non-defective product, and ultraviolet rays are transmitted including the periphery of each color separation filter in the ultraviolet irradiation area where both the solid-state imaging device and the color separation filter facing each other are non-defective products. curing the adhesive in the area, removing at least a portion of the color separation filter substrate corresponding to the bonding pad portion or the portion and its surrounding area, and then cleaning with a solvent that dissolves the uncured adhesive; and a step of removing the color separation filter in the ultraviolet non-irradiation area where one of the solid-state image sensor and the color separation filter facing each other is a defective product, and heat treatment is performed to separate the solid-state image sensor surface and the remaining filter element surface. a step of completely curing the adhesive in all areas between the two; and a step of cutting between adjacent bonding pad portions of each solid-state image sensor on the solid-state image sensor substrate. 2. The method of manufacturing a color solid-state image sensor plate according to claim 1, wherein the ultraviolet shielding layer in the step is previously provided on the color separation filter substrate. 3. The color according to claim 1, wherein the ultraviolet shielding layer in the step is provided by placing a mask having an ultraviolet shielding layer on an ultraviolet transparent support and closely contacting the transparent support. A method for manufacturing a solid-state image sensor plate. 4. The method of manufacturing a color solid-state image sensing device plate according to claim 3, wherein the mask further has an ultraviolet shielding portion at a position corresponding to each color separation filter within the ultraviolet irradiation area. 5. The color solid-state image sensor plate according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the step is performed with the solid-state image sensor substrate adhered to an adhesive tape. Manufacturing method.
JP4292079A 1979-04-09 1979-04-09 Manufacture of color solid state pickup element plate Granted JPS55135485A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4292079A JPS55135485A (en) 1979-04-09 1979-04-09 Manufacture of color solid state pickup element plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4292079A JPS55135485A (en) 1979-04-09 1979-04-09 Manufacture of color solid state pickup element plate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55135485A JPS55135485A (en) 1980-10-22
JPS6349391B2 true JPS6349391B2 (en) 1988-10-04

Family

ID=12649450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4292079A Granted JPS55135485A (en) 1979-04-09 1979-04-09 Manufacture of color solid state pickup element plate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS55135485A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57103482A (en) * 1980-12-17 1982-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color filter

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55135485A (en) 1980-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4523102A (en) Solid-state color-image sensor and process for fabricating the same
US4388128A (en) Solid-state color-image sensor and process for fabricating the same
KR100678984B1 (en) Method for manufacturing semiconductor wafer with lead part and method for manufacturing semiconductor device
TWI394269B (en) Electronic component wafer module, electronic component wafer module manufacturing method, electronic component module and electronic information device
US8388793B1 (en) Method for fabricating camera module
CN101752271A (en) Electronic element wafer module and, optical element wafer module and method for manufacturing same
JPH033201B2 (en)
US8048768B2 (en) Joined wafer, fabrication method thereof, and fabrication method of semiconductor devices
JP4049854B2 (en) Liquid crystal device for liquid crystal projector and counter substrate for liquid crystal device
US4661191A (en) Method for bonding a color separation filter
JPS6310584B2 (en)
JPS6349391B2 (en)
CN100454070C (en) Micro lens and manufacturing method thereof
JP3998234B2 (en) Imaging device
JPS6041873B2 (en) Manufacturing method of color solid-state image sensor plate
JPS6130241B2 (en)
JPS6193782A (en) Solid state imager chip and method for manufacturing a solid state imager using the same
JPS5999761A (en) Manufacturing method of color solid-state image sensor
JPS62106404A (en) Color separation filter and its manufacturing method
JPH0243350B2 (en)
JPH11202133A (en) Hologram color filter and its manufacture
JP2751376B2 (en) Solid-state imaging device
JPH01293659A (en) Manufacturing method of color solid-state image sensor plate
JPH01233402A (en) Production of color separation filter
JPS6046593B2 (en) Solid-state imaging device and its manufacturing method