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JPS6349594B2 - - Google Patents
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JPS6349594B2 - - Google Patents

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JPS6349594B2
JPS6349594B2 JP54108059A JP10805979A JPS6349594B2 JP S6349594 B2 JPS6349594 B2 JP S6349594B2 JP 54108059 A JP54108059 A JP 54108059A JP 10805979 A JP10805979 A JP 10805979A JP S6349594 B2 JPS6349594 B2 JP S6349594B2
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pulse
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Description

【発明の詳細な説明】 セラミツクのチツプ形コンデンサは耐久性、体
積効率、広い適用範囲および安価なことによりハ
イブリツドモジユールおよび印刷回路モジユール
に広く用いられている。一般にこれらチツプは方
形の電極板と誘電体層とを交互に配置し、これら
電極板をチツプ両端上の2つの端子バンドに交互
に付着することによりつくられる。セラミツクチ
ツプコンデンサの大部分は誘電体として一般に1
ミルの厚さをもつチタン酸バリウムセラミツクを
用いてつくられる。そして電極板としてはパラジ
ウム銀が一般に0.1ミル程の厚さとしてしばしば
使用される。このモジユールの回路へこれら端子
バンドを接続するには半田付を用いるのが一般的
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Ceramic chip capacitors are widely used in hybrid modules and printed circuit modules due to their durability, volumetric efficiency, wide application range, and low cost. Generally, these chips are made by alternating rectangular electrode plates and dielectric layers, which are alternately attached to two terminal bands on opposite ends of the chip. The majority of ceramic chip capacitors generally have 1 as their dielectric material.
Manufactured using mill-thick barium titanate ceramic. Palladium silver is often used as the electrode plate, generally with a thickness of about 0.1 mil. Soldering is typically used to connect these terminal bands to the module's circuitry.

一般にチツプコンデンサとチツプ要素を半田付
するための主たる手段は半田鏝を用いるものであ
り、これはこの要素を損うのみならずモジユール
をも損う可能性がある。例えば熱が要素まで伝わ
ると、要素内にトラツプされているガス分子の膨
脹に比例して逃げることが出来ないから内圧が発
生する。またこの要素の隣接層が熱膨脹係数の異
るものであれば要素内に剪断応力が発生する。更
にこの熱膨脹係数を同様のものとなるように材料
を選んだとしても熱伝導率を同様にすることは比
較的困難であるのが普通であるから温度傾度が層
間に生じこれにより剪断応力が生じる。また応力
は2つの条件により実質的に半田付個所に生じ
る。まず第1に、加熱プロセス中にチツプは自由
膨脹するがモジユール領域はその周囲のより低温
の材料により与えられる機械的な抑制により膨脹
出来ずモジユールの局部的領域に膨脹ではなく圧
縮応力が生じる。次に室温への冷却によりこのチ
ツプと半田付個所はチツプが固化した半田により
元の長さまで縮むことにつき部分的に制限を受け
るから引張応力をもつ状態となる。第2に、半田
付個所が一時に1個づつつくられるとすると2番
目の半田付個所の形成中にチツプとの接触を最少
にしてもそれら個所とチツプとに大きな応力が生
じる。
Generally, the primary means for soldering chip capacitors and chip components is with a soldering iron, which can damage not only the component but also the module. For example, when heat is transferred to an element, internal pressure is generated because it cannot escape in proportion to the expansion of gas molecules trapped within the element. Also, if adjacent layers of the element have different coefficients of thermal expansion, shear stress will occur within the element. Furthermore, even if materials are selected so that they have similar coefficients of thermal expansion, it is usually relatively difficult to make them have similar thermal conductivities, so a temperature gradient occurs between the layers, which causes shear stress. . Furthermore, stress is substantially generated at the soldering point due to two conditions. First, during the heating process, the chip is free to expand, but the module region is unable to expand due to mechanical restraint provided by the surrounding cooler material, resulting in compressive stress in localized regions of the module rather than expansion. Then, upon cooling to room temperature, the chip and the solder joints become under tensile stress as the chip is partially restricted from shrinking to its original length by the solidified solder. Second, if the solder spots are made one at a time, even if contact with the chip is minimized during the formation of the second solder spot, significant stress will be placed on the spots and the chip.

上述の内部的な要素の応力はその要素を損うも
のでありそれによりモジユールの信頼性を大幅に
低下させる。応力により生じる構造的欠陥の例は
層のはく離、材料のねじれ、気泡、および割れで
ある。これらによる効果は例えば回路の短絡、開
放、あるいは容量特性の変化である。また半田付
個所の応力は接続不良をもたらす。従来チツプコ
ンデンサの半田付には種々の方法が用いられてお
り、最も普通のものは半田鏝を用いるものであ
る。他の方法としては炎、熱空気、または集束さ
れた放射エネルギーの使用がある。しかしながら
内部的要素応力と半田付個所の応力を最少にする
ためのチツプコンデンサの半田付装置と方法がい
まだに要望されている。
The internal component stresses described above can damage the components and thereby significantly reduce the reliability of the module. Examples of structural defects caused by stress are delamination of layers, twisting of the material, bubbles, and cracks. These effects include, for example, shorting or opening the circuit, or changing the capacitance characteristics. Furthermore, stress at the soldered points can lead to poor connections. Conventionally, various methods have been used to solder chip capacitors, and the most common method is to use a soldering iron. Other methods include the use of flame, hot air, or focused radiant energy. However, there remains a need for an apparatus and method for soldering chip capacitors that minimizes internal component stresses and solder point stresses.

本発明の目的は上記の半田付装置および方法を
提供することである。
It is an object of the present invention to provide the above-mentioned soldering device and method.

本発明に依れば、1ミリメートルから1ナノメ
ートルの範囲の波長を有する電磁輻射線が複数の
ビームに分離され、これらビームが付着されるべ
き材料を支持するための支持装置上の間隔をもつ
た衝突領域に指向される。詳細にはこの輻射線は
好適にはパルス幅10ミリ秒以下、パルス繰返し周
波数10パルス/秒以下、パルス列幅1秒以下の脈
動化されたコヒーレントレーザエネルギーからな
る。また好適にはこれらパルスのパラメータは
種々の応用に適合させるべく選択可能とされる。
According to the invention, electromagnetic radiation having a wavelength in the range from 1 millimeter to 1 nanometer is separated into a plurality of beams, which beams have a spacing on a support device for supporting the material to be deposited. is directed to the collision area. In particular, this radiation preferably consists of pulsating coherent laser energy with a pulse width of less than 10 milliseconds, a pulse repetition frequency of less than 10 pulses/second, and a pulse train width of less than 1 second. Preferably, the parameters of these pulses are also selectable to suit various applications.

この装置は半田付に用いられる。詳細にはこの
装置を、回路モジユール上にチツプ要素を半田付
するための装置として使用すると好適である。そ
の場合には輻射線は波長1.06マイクロメートルで
パルス幅4〜6ミリ秒をもつものとするとよい。
またこのモジユールをマイクロプロセサにより制
御され且つチツプ要素の半田付中にモジユールを
正確に位置づけするに使用されるX−Yテーブル
上に支持するとよい。
This device is used for soldering. In particular, the device is preferably used as a device for soldering chip elements onto circuit modules. In that case, the radiation preferably has a wavelength of 1.06 micrometers and a pulse width of 4 to 6 milliseconds.
The module may also be supported on an X-Y table controlled by a microprocessor and used to accurately position the module during soldering of chip components.

第1図は本発明の実施例の動作を示すものであ
る。2本のレーザービーム2と4は2重スロツト
開口デイスク板8にコヒーレントレーザービーム
6を当てることにより形成される。好適にはこの
デイスク板はこれらスロツトの長さと幅が種々の
応用に対して交換出来るように複数のデイスク板
から選んで用いるようにするとよい。例えばレイ
セオン(Raytheon)社のモデルSS−380のよう
な任意のパルスレーザを本発明のレーザ輻射源と
して用いることが出来る。好適には後述する理由
により、約1.06マイクロメータの波長をもつレー
ザ輻射が用いられる。また好適なパルス幅、パル
ス繰返し周波数および総合エネルギー要求につい
ては後述する。2本の成形されたビームの総合エ
ネルギーは第1図に示すように入射エネルギーの
1%を従来のエネルギーモニター12に反射する
周知のビームスプリツタミラー10にこれらビー
ムを指向させることによりモニタされる。残りの
99%はこのミラー10を通つて反射プリズム14
に入る。このプリズムの機能はこれらビームが第
1図に示すように要素16の両端に同時に当るよ
うに充分大きな間隔を両ビーム間に与えることで
ある。次に各ビームは従来の円筒レンズ18と2
0を通つてそのエネルギーを後述する寸法と形に
進束あるいは焦点づけられる。夫々の集束された
ビームはビームエネルギースプリツタミラー22
と24に入る。このミラーはその周波数でビーム
のエネルギーの99%を半田を融かすべき半田付面
32に向けて反射する特性を有する。ミラー22
と24は残りの1%のエネルギーをエネルギーモ
ニタ26と28に通す。ミラー24の位置はビー
ムが異つた寸法の要素の両端の同時半田付を容易
にするように異つた間隔で半田付面に入るように
第1図に示すごとくに調整される。更にミラー2
4の調整と同様にミラー22の位置に段階的変化
を与えることにより調整が行われる。また、第1
図に示すように100%反射ミラー34と36が半
田付面からの可視光38と40の像をテレビジヨ
ンカメラ42,44に指向させて2本のレーザビ
ームが指向される視線に対する要素16の位置の
整合を行う。可視光は光フアイバ(図示せず)を
用いて半田付面に伝送されるようにしてもよい。
上述した構成は周知のものである。
FIG. 1 shows the operation of an embodiment of the present invention. Two laser beams 2 and 4 are formed by directing a coherent laser beam 6 onto a double slot aperture disk plate 8. Preferably, the disc plate is selected from a plurality of disc plates so that the lengths and widths of the slots can be interchanged for various applications. Any pulsed laser, such as the Raytheon model SS-380, can be used as a laser radiation source in the present invention. Preferably, laser radiation having a wavelength of about 1.06 micrometers is used, for reasons explained below. Further, preferred pulse widths, pulse repetition frequencies, and total energy requirements will be discussed later. The combined energy of the two shaped beams is monitored by directing the beams to a conventional beam splitter mirror 10 which reflects 1% of the incident energy to a conventional energy monitor 12 as shown in FIG. . Remaining
99% passes through this mirror 10 to the reflecting prism 14
to go into. The function of this prism is to provide a sufficiently large spacing between the beams so that they simultaneously impinge on both ends of element 16 as shown in FIG. Each beam is then connected to a conventional cylindrical lens 18 and 2
Through 0, the energy is directed or focused into the dimensions and shapes described below. Each focused beam passes through a beam energy splitter mirror 22.
and enters 24. This mirror has the property of reflecting 99% of the beam's energy at that frequency towards the soldering surface 32 where the solder is to be melted. mirror 22
and 24 pass the remaining 1% of the energy to energy monitors 26 and 28. The position of mirror 24 is adjusted as shown in FIG. 1 so that the beam enters the soldering surface at different spacings to facilitate simultaneous soldering of opposite ends of differently sized elements. Furthermore, mirror 2
Similar to the adjustment in step 4, the adjustment is performed by giving a stepwise change to the position of the mirror 22. Also, the first
As shown, 100% reflective mirrors 34 and 36 direct images of visible light 38 and 40 from the soldering surface to television cameras 42, 44 to direct the two laser beams to the line of sight of element 16. Perform position alignment. Visible light may be transmitted to the soldering surface using optical fibers (not shown).
The configuration described above is well known.

第2図について動作を説明すると、保護板46
がオペレータにより開けられて従来のX−Yテー
ブル(図示せず)を露出する。一般には第3図に
示すような印刷回路モジユール70が適当にこの
X−Yテーブルに固定されており、チツプ要素1
6が、印刷回路モジユールの部分であつてそれに
要素を半田付すべき導体パツド74にまたかり配
置される。保護板が閉じられた後に両軸について
夫々粗および微調整装置を有するX−Yテーブル
制御パネル48がモジユールの位置ぎめに用いら
れて、レーザ50が作動されるとき第1図につい
て述べた2本のビームがチツプ要素の両端のベー
スに同時に当るようにする。X−Yテーブルの適
正な位置ぎめは第1図のテレビジヨンカメラに接
続してレーザ輻射の面積と位置を示すべく透明の
表板56,57を有するテレビジヨンモニタ5
2,54により行つてもよい。後述するレーザー
のパラメータがレーザ制御パネル58を用いて選
ばれた後に、このレーザーが作動される。パツド
上の半田とチツプ要素上の半田により吸収される
レーザー輻射エネルギーは熱エネルギーに変換さ
れて半田を融かす。このエネルギーが除却されそ
して半田が冷されると、半田付がチツプ要素の各
端で形成されてモジユールの回路にそれを接続す
る。総合エネルギーモニタと個々のビームモニタ
でのエネルギーはレーザ制御パネルにジユールで
示される。
To explain the operation with reference to FIG. 2, the protection plate 46
is opened by the operator to expose a conventional X-Y table (not shown). Generally, a printed circuit module 70, as shown in FIG.
6 is placed over a conductor pad 74 which is part of the printed circuit module and to which elements are to be soldered. After the protective plate is closed, an X-Y table control panel 48 having coarse and fine adjustment devices for both axes, respectively, is used to position the module, and when the laser 50 is activated, the two axes described in connection with FIG. so that the beams strike the bases at both ends of the chip element simultaneously. Proper positioning of the X-Y table is achieved by using a television monitor 5, which is connected to the television camera in FIG.
2.54 may be used. The laser is activated after the laser parameters described below are selected using the laser control panel 58. Laser radiation energy absorbed by the solder on the pad and the solder on the chip elements is converted to thermal energy and melts the solder. Once this energy is removed and the solder cools, solder joints are formed on each end of the chip element to connect it to the module's circuitry. The energy in the overall energy monitor and the individual beam monitors is indicated in units on the laser control panel.

他の実施例ではマイクロプロセサ(図示せず)
がX−Yテーブルの位置およびレーザの励起を複
数のテツプ要素がオペレータの介入なしに単一の
モジユールに順次半田付出来るように制御するた
め用いられる。自動モードであるか手動モードで
あるかにかかわりなく、X−YテーブルのXおよ
びY座標はX−Y制御パネル上のデイジタル読取
装置59に表示される。
In other embodiments, a microprocessor (not shown)
is used to control the position of the X-Y table and the excitation of the laser so that multiple step elements can be sequentially soldered onto a single module without operator intervention. Whether in automatic or manual mode, the X and Y coordinates of the X-Y table are displayed on a digital reader 59 on the X-Y control panel.

これまで述べた半田付装置は従来のものを大幅
に改善する半田付技術を与えるものである。これ
ら改善は実質的にはチツプの両端における半田の
同時融解と半田付パラメータについての非常に正
確な制御を行う装置のオペレータとにより得られ
るものである。
The soldering apparatus described thus far provides a soldering technique that is a significant improvement over prior art. These improvements result substantially from simultaneous melting of the solder at both ends of the chip and from the operator of the machine having very precise control over the soldering parameters.

第3図および前述の従来技術を参照するに、チ
ツプコンデンサは夫々チツプの両端の終端バンド
64に交互につけるように方形の電極板60と誘
電体層62を交互に配置することによりつくられ
る。例えば電極板はパラジウム銀でつくられ誘電
体はセラミツクである。チツプは製造中に半田付
66に漬けられてもよい。熱膨脹係数の異る2つ
の材料からなる異つた条片が1つの界面に沿つて
接合されそして等温で加熱されると、この合成体
は熱膨脹係数の低い方の材料で出来た条片に対し
て窪むように曲がる。中性領域は圧縮応力および
引張応力の境界を限定する応力を受けない点の軌
跡をつくる各材料内に生じる。そして最大圧縮応
力と引張応力は一般にこれら材料の表面にある。
界面が平らに維持されるようにセラミツクと電極
板の連続する層により曲げモーメントが釣り合う
チツプコンデンサの場合にはこれら応力は各層の
中心で最小となり境界で最大となる。またチツプ
コンデンサの場合には隣接する層の熱膨脹係数が
同様であつてもこれら材料は一般にこれら応力が
熱膨脹係数の差ではなく温度差により生じる膨脹
の差で生じるような熱拡散度の差を有する。材料
の熱拡散はその熱伝導度をその比熱と比重の積で
割つたものにより定義される。従つてチツプコン
デンサすなわちチツプ要素の損傷を妨げるには一
般に半田付中にチツプに移入する熱を最小にする
必要がある。
Referring to FIG. 3 and the prior art described above, a chip capacitor is fabricated by alternating square electrode plates 60 and dielectric layers 62, each alternating with termination bands 64 at opposite ends of the chip. For example, the electrode plates are made of palladium silver and the dielectric is ceramic. The chips may be immersed in solder 66 during manufacture. When different strips of two materials with different coefficients of thermal expansion are joined along an interface and heated isothermally, the composite will be It curves like a concave. Neutral regions occur within each material creating a locus of unstressed points that define the boundaries of compressive and tensile stresses. And the maximum compressive and tensile stresses are generally at the surface of these materials.
In the case of chip capacitors in which bending moments are balanced by successive layers of ceramic and electrode plates such that the interfaces remain flat, these stresses are minimum at the center of each layer and maximum at the boundaries. Also, in the case of chip capacitors, even if adjacent layers have similar coefficients of thermal expansion, these materials generally have differences in thermal diffusivity such that these stresses are caused by differences in expansion caused by temperature differences, rather than differences in coefficients of thermal expansion. . Thermal diffusion of a material is defined as its thermal conductivity divided by the product of its specific heat and specific gravity. Therefore, to prevent damage to chip capacitors or chip components, it is generally necessary to minimize heat transfer to the chip during soldering.

上述のレーザ半田付装置は半田に移入されるエ
ネルギーの量と形状についての非常に正確な制御
を可能にし、それによりチツプへの熱を最少にす
る手段を与える。例えば、物質を融かすに必要な
エネルギーの基本式は EM/V=δ(C△T+HS) 但し、EMは所望の溶融エネルギ(ジユール)、
Vは溶融されるべき体積(cm3)、δは物質の密度
(g/cm3)、Cは材料の比熱(カロリ/g/℃)△
Tは溶融温度から初期材料温度を差引いた差
(℃)、HSは熱拡散(カロリ/g)である。一般
に半田は良好な融合を得るにはその溶融温度より
約30〜50゜高くすべきである。それ故、所要の総
合エネルギーはほゞ E〓/V=δ(C△T1+HS)+δ(C△T2) となる。但し△T2は所要の融着温度から溶融温
度を引いた差である。
The laser soldering apparatus described above allows very precise control over the amount and shape of energy transferred to the solder, thereby providing a means to minimize heat to the chip. For example, the basic formula for the energy required to melt a substance is E M /V=δ(C△T+H S ), where E M is the desired melting energy (joules),
V is the volume to be melted (cm 3 ), δ is the density of the substance (g/cm 3 ), and C is the specific heat of the material (calories/g/°C) △
T is the difference between the melting temperature and the initial material temperature (°C), and H S is the thermal diffusion (calories/g). Generally, the solder should be about 30-50 degrees above its melting temperature to obtain good fusion. Therefore, the required total energy is approximately E〓/V=δ(C△T 1 +H S )+δ(C△T 2 ). However, ΔT 2 is the difference obtained by subtracting the melting temperature from the required fusion temperature.

0.2ミルの銀1.5ミルの銅およびそれに続いて1.5
ミルの63Sn/37Pbの半田からなる終端子をもち
つA寸法(0.035×0.055×0.65インチ)のチツプ
コンデンサを考え、これら三つの材料を63/37半
田の溶融点より32℃高くすなわち215℃の温度に
すると、各半田接合をつくるに要する全エネルギ
ーは0.434ジユールとなる。更に半田における50
%の反射因子と90%の光学的伝達因子を考えれば
約0.964ジユールがこれら条件については各ビー
ムに与えられるようにするとよい。同様にF寸法
(0.235×0.075×0.210インチ)のチツプコンデン
サについては各ビームに3.7ジユールを与えるよ
うにするとよい。一連のテストが本装置により行
われ、そして種々の2重スロツトデイスク板とレ
ーザーパラメータの組合せについてエネルギーモ
ニタデータがとられた。実際上生じる誤差を考慮
して前述の如く理論的に計算された正確なエネル
ギー量は、高い再現性及び一致性をもつて本装置
から供給することができる。
0.2 mil silver 1.5 mil copper followed by 1.5
Consider a chip capacitor of dimensions A (0.035 x 0.055 x 0.65 inches) with terminations made of Mil's 63Sn/37Pb solder, and these three materials are combined at a temperature of 32°C higher than the melting point of 63/37 solder, or 215°C. In terms of temperature, the total energy required to make each solder joint is 0.434 Joules. 50 more in solder
% reflection factor and 90% optical transfer factor, approximately 0.964 Joules should be provided to each beam for these conditions. Similarly, for an F size (0.235 x 0.075 x 0.210 inch) chip capacitor, each beam should provide 3.7 joules. A series of tests were conducted with the device and energy monitoring data was taken for various dual slot disk plate and laser parameter combinations. Accurate amounts of energy, theoretically calculated as described above taking into account errors that occur in practice, can be supplied from the device with high reproducibility and consistency.

レーザーモデルSS−380は波長1.06マイクロメ
ータで動作するネオデイミウム・イツトリウム・
アルミニウム・ガーネツト(Nd−YAG)形のも
のである。パルス幅はパルス繰返し率を選択的に
6パルス/秒、4パルス/秒、2パルス/秒、1
パルス/秒および手動による単パルスにして2か
ら10ミリ秒の範囲で可変である。最大出力は40ワ
ツトである。好適な実施例ではこのSS−380レー
ザーは更に大きな融通性をもたせるように変更さ
れた。0.1ミリ秒を増分として30ミリ秒までのパ
ルス幅が得られる。また50ワツトで30ジユール/
パルスのエネルギーが出しうる。更にバーストモ
ードは10パルス/秒以上で与えられる。
The laser model SS-380 is a neodymium yttrium laser that operates at a wavelength of 1.06 micrometers.
It is an aluminum garnet (Nd-YAG) type. The pulse width can be selectively adjusted by changing the pulse repetition rate to 6 pulses/second, 4 pulses/second, 2 pulses/second, or 1 pulse/second.
Variable from 2 to 10 milliseconds in pulses per second and manual single pulses. The maximum output is 40 watts. In the preferred embodiment, this SS-380 laser was modified to provide even greater flexibility. Pulse widths up to 30 ms can be obtained in 0.1 ms increments. Also, 50 watts is 30 joules/
Pulse energy can be produced. Furthermore, burst mode is applied at 10 pulses/second or more.

1.06マイクロメータの波長を使用すると10.6マ
イクロメータの炭酸ガスレーザと比較して半田か
らの光反射を最少に出来る。半田によるエネルギ
ー吸収が増加するとチツプへの反射率が低くなり
チツプ内での応力が増加する。またこのエネルギ
ーはコヒーレントであるから円筒形レンズはチツ
プに直接入る入射エネルギーが実質的になくなる
ようにほゞすべてのエネルギーを正確に集束する
ように設計することが出来る。更に、好適なレー
ザエネルギーの形状は比較的狭いパルス幅をもつ
た一連のパルスである。例えばA寸法のチツプコ
ンデンサの半田付には夫々4〜6ミリ秒のパルス
幅をもつ6個のパルスを6パルス/秒の繰返し数
で与えるとよいことがわかつた。使用された2重
スロツト開口デイスク板は第3図に示すように深
さ寸法(0.035インチ)にほゞ等しい深さをもつ
ビームを与えるものである。また、レーザー振幅
は最大20%にセツトされる。1つの要素寸法から
他に変えるときには振幅ではなく2重スロツト開
口を変えてパルス繰返し数、パルス幅、期間を変
えてその目的に合うようにするとよい。
Using a wavelength of 1.06 micrometers minimizes light reflection from the solder compared to a 10.6 micrometer carbon dioxide laser. As the energy absorption by the solder increases, the reflectance to the chip decreases and stress within the chip increases. Also, since this energy is coherent, the cylindrical lens can be designed to precisely focus nearly all of the energy so that virtually no incident energy goes directly into the chip. Additionally, the preferred laser energy shape is a series of pulses with a relatively narrow pulse width. For example, it has been found that for soldering a size A chip capacitor, it is effective to apply six pulses each having a pulse width of 4 to 6 milliseconds at a repetition rate of 6 pulses/second. The double slotted aperture disc plate used provides a beam with a depth approximately equal to the depth dimension (0.035 inches) as shown in FIG. Also, the laser amplitude is set to a maximum of 20%. When changing from one element size to another, it is better to change the double slot aperture rather than the amplitude to change the pulse repetition rate, pulse width, and duration to suit the purpose.

上記の狭いパルス列エネルギー形状は半田付中
およびその直後の要素の損傷に対する大きな保護
を与える。まず液相半田の熱放出度は固体相のも
のよりかなり大である。従つて液体になつた後の
半田に加わる熱の比較的高い割合が要素に伝わる
こととなる。従つて半田に加えられるエネルギー
はミリ秒単位の非常に短時間のみ液体となり要素
に入る熱の量が最少となるように正確な制御され
る。次にチツプコンデンサ内の任意の与えられた
点について応力は電柱と誘電体の層間の温度差が
最大になるとき最大になる。更に最大差がほゞ3
つの時定数で生じることがわかつた。すなわち、
1つの時定数は1点につき材料への加熱により生
じるその全温度上昇分の63%まで上昇する時間で
定義される。これは、温度が比較的長時間にわた
り非常にゆつくり上昇する場合にはこれら層の熱
拡散度の差はあまり効果を生ぜず2つの層間の温
度差は非常に小さいから論理的である。これらの
膨脹係数が非常に近いものとすれば、限界までの
応力は時定数の数が増加すれば小さくなる。また
時定数の数が3より小さければ材料としては反応
するに充分な時間を有さない。多くの工業的応用
においては生産速度は重要であり要素の温度をゆ
つくり上昇させるために時間をとることは望まし
くない。それ故、応力を最少とするために半田に
高速で熱を移すことが大切である。4〜6ミリ秒
のパルスは1時定数よりかなり短い時間内に半田
に熱を導入する。
The narrow pulse train energy profile described above provides great protection against element damage during and immediately after soldering. First, the degree of heat release of liquid phase solder is considerably greater than that of solid phase solder. Therefore, a relatively high proportion of the heat applied to the solder after it becomes a liquid is transferred to the element. The energy applied to the solder is therefore precisely controlled so that it becomes liquid only for a very short period of time, on the order of milliseconds, minimizing the amount of heat that enters the element. Then, for any given point within the chip capacitor, the stress is greatest when the temperature difference between the pole and dielectric layers is greatest. Furthermore, the maximum difference is approximately 3
It was found that this phenomenon occurs with two time constants. That is,
One time constant is defined as the time for one point to rise to 63% of the total temperature rise caused by heating the material. This is logical because if the temperature rises very slowly over a relatively long period of time, the difference in thermal diffusivity of these layers will have little effect and the temperature difference between the two layers will be very small. Assuming that these expansion coefficients are very close, the stress to the limit becomes smaller as the number of time constants increases. Further, if the number of time constants is smaller than 3, the material does not have enough time to react. In many industrial applications, production rate is important and it is undesirable to take the time to slowly raise the temperature of the element. Therefore, it is important to transfer heat to the solder quickly to minimize stress. A 4-6 millisecond pulse introduces heat into the solder in much less than one time constant.

2本のレーザービームを用いてのチツプコンデ
ンサの両端の同時半田付は従来法に比較して応力
の逃がしの点で大幅な改善を与える。詳細には冷
却後には半田付部の応力は小さくなり、従つてチ
ツプに加わる応力も小さくなる。外部接点を用い
ずに要素の両端で同時に半田を融かすことにより
要素が液体の半田上に浮くことが出来る。これに
より要素と印刷回路板との間に充分な厚さの半田
を与えることが出来る。詳細にはチツプ内の応力
を制御し半田の可塑疲労を制御するにはチツプの
下で固化する半田の厚さは0.064mm(0.0025イン
チ)以下であるとよい。
Simultaneous soldering of both ends of a chip capacitor using two laser beams provides a significant improvement in stress relief compared to conventional methods. Specifically, after cooling, the stress in the soldered portion becomes smaller, and therefore the stress applied to the chip also becomes smaller. Melting the solder on both ends of the element simultaneously without external contacts allows the element to float on top of the liquid solder. This provides a sufficient thickness of solder between the component and the printed circuit board. Specifically, to control stress within the chip and plastic fatigue of the solder, the thickness of the solder solidifying under the chip should be less than 0.064 mm (0.0025 inch).

第4A,4B図は与えられたδについて半田付
中の要素の膨脹を補償するに必要な要素の各端部
における印刷回路モジユールより大きいクリープ
距離を示しており、クリープ角θは半田の厚さが
増すと小さくなる。詳細にはt2がt1より大である
からθ2はθ1より小である。第5図は、冷却後に要
素に加わる引張応力の厚さが0.076mm(0.003イン
チ)から0.025mm(0.010インチ)まで増加すると
き減少することを示すための経験によるデータで
ある。またはこの同時溶融は要素の一端の半田付
後に他端を半田付するときにチツプに加わる垂直
の応力を実質的になくす。
Figures 4A and 4B illustrate the creep distance greater than the printed circuit module at each end of the element required to compensate for expansion of the element during soldering for a given δ, where the creep angle θ is the solder thickness. becomes smaller as increases. Specifically, since t 2 is greater than t 1 , θ 2 is smaller than θ 1 . FIG. 5 provides empirical data to show that the tensile stress applied to the element after cooling decreases as the thickness increases from 0.076 mm (0.003 inch) to 0.025 mm (0.010 inch). Alternatively, this simultaneous melting substantially eliminates the normal stresses on the chip when soldering one end of the element and then the other end.

以上チツプコンデンサの半田付について詳述し
たが、この技術はそれ以外のものの半田付にも容
易に応用出来ることは云うまでもない。
Although soldering of chip capacitors has been described in detail above, it goes without saying that this technique can be easily applied to soldering of other items.

以下に本発明を実施する態様のいくつかを挙げ
る。
Some embodiments of carrying out the present invention are listed below.

(1) 1ミリメートルから1ナノメートルの範囲の
波長を有する電磁輻射を与える段階、この輻射
を実質的に等しいエネルギーを有する複数のビ
ームに分離する段階、半田を流すべく要素の両
端に向けて内向きに上記ビームを指向づける段
階、および基体に上記要素を接着する接合を実
質的に同時に形成すべく上記複数のビームを除
去する段階からなる基体に要素を接着する方
法。
(1) providing electromagnetic radiation having a wavelength in the range of 1 millimeter to 1 nanometer; separating the radiation into multiple beams of substantially equal energy; A method of bonding an element to a substrate comprising the steps of: directing the beams in a direction; and removing the plurality of beams to substantially simultaneously form a bond bonding the element to the substrate.

(2) 1ミリメートルから1ナノメートルの範囲の
波長を有する電磁輻射源と、この輻射を複数の
ビームに空間的に分離する装置と、これらビー
ムを半田付されるべき物体を支持する支持装置
上の間隔をもつた衝突領域に指向させる装置と
よりなるレーザ半田付装置。
(2) a source of electromagnetic radiation with a wavelength in the range from 1 millimeter to 1 nanometer, a device for spatially separating this radiation into a plurality of beams, and a support device for supporting the object to be soldered; A laser soldering device comprising: a device for directing collision areas with a spacing of .

(3) 前記波長が1.06マイクロメーである態様(2)記
載のレーザ半田付装置。
(3) The laser soldering device according to aspect (2), wherein the wavelength is 1.06 micrometers.

(4) 前記電磁輻射は4〜6ミリ秒の範囲のパルス
幅を有する複数のパルスからなる態様(2)記載の
レーザ半田付装置。
(4) The laser soldering apparatus according to aspect (2), wherein the electromagnetic radiation comprises a plurality of pulses having a pulse width in a range of 4 to 6 milliseconds.

(5) 前記支持装置はマイクロプロセサにより制御
されるX−Yテーブルからなる態様(2)記載のレ
ーザ半田付装置。
(5) The laser soldering apparatus according to aspect (2), wherein the support device comprises an X-Y table controlled by a microprocessor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例の動作を示す概略図、
第2図はレーザ半田付装置の外観概略図、第3図
はモジユール回路に半田付されるチツプコンデン
サを示す部分断面図、第4A図および第4B図は
与えられたクリープ距離δについての2つの異つ
た半田の厚さt1とt2についてのクリープ角の関係
を示す図、第5図は2つの異つた半田厚について
温度の関数としてのチツプの引張応力を示す図で
ある。 8……2重スロツト開口デイスク板、10……
ビームスプリツタミラー、12……エネルギーモ
ニタ、14……反射プリズム、16……要素(チ
ツプコンデンサ)、18,20……円筒レンズ、
22,24……ビームスプリツタミラー、26,
28……エネルギーモニタ、38,40……可視
光、42,44……テレビジヨンカメラ、46…
…保護板、50……レーザー、70……印刷回路
モジユール、74……導体パツド、48……X−
Yテーブル制御パネル、52,54……テレビジ
ヨンモニタ、58……レーザ制御パネル、60…
…電極板、62……誘電体層、64……終端バン
ド、66……半田。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the operation of an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a schematic external view of a laser soldering device, Fig. 3 is a partial sectional view showing a chip capacitor soldered to a module circuit, and Figs. 4A and 4B are two FIG. 5 shows the creep angle relationship for different solder thicknesses t 1 and t 2 . FIG. 5 shows the tensile stress in the chip as a function of temperature for two different solder thicknesses. 8...Double slot opening disk plate, 10...
Beam splitter mirror, 12... Energy monitor, 14... Reflection prism, 16... Element (chip condenser), 18, 20... Cylindrical lens,
22, 24...beam splitter mirror, 26,
28... Energy monitor, 38, 40... Visible light, 42, 44... Television camera, 46...
...Protection plate, 50...Laser, 70...Printed circuit module, 74...Conductor pad, 48...X-
Y table control panel, 52, 54...television monitor, 58...laser control panel, 60...
... Electrode plate, 62 ... Dielectric layer, 64 ... Termination band, 66 ... Solder.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 両端に半田を有する電子チツプ要素を基板に
接続された2つの支持導体パツドに半田付する方
法であつて、 10ミリ秒以下のパルス幅、10パルス/秒以下の
パルス繰返し率、1秒以下のパルス列持続時間の
パルス化コヒーレント・レーザ輻射を供給し、 前記輻射を実質上等しいエネルギを有する2つ
の同時に空間的に分離するビームに分け、 前記電子チツプ要素の両端に前記ビームを内側
に向けて指向させ前記半田を再び融かし、 前記要素と前記パツドとの間に実質上同時に半
田接合を形成して前記ビームを除去する、 ステツプから構成される半田付方法。 2 前記パルス幅が4乃至6ミリ秒の範囲にある
特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 前記パルス列が6パルスから成る特許請求の
範囲第2項記載の方法。 4 前記輻射の波長が1.06マイクロメータである
特許請求の範囲第1項記載の方法。 5 両端に半田を有する電子チツプ要素を基板に
接続された2つの支持導体パツドに半田付する装
置であつて、 1ミリメートルから1ナノメートルの範囲の波
長を有するレーザ輻射を供給する輻射源と、 前記レーザ輻射から2つの空間的に分離された
ビームを同時に形成する装置であつて、前記ビー
ムが10ミリ秒以下のパルス幅、10パルス/秒以下
のパルス繰返し率、及び1秒以下のパルス列接続
時間のパルス化コヒーレント・レーザ輻から成
る、ビーム形成装置と、 前記ビームを前記電子チツプ要素の両端に向け
て指向させ、前記要素とパツドとの間に実質上同
時に半田接合を形成する装置と、 から構成される半田付装置。 6 前記パルス列のエネルギが選択可能である特
許請求の範囲第5項記載の半田付装置。
[Claims] 1. A method of soldering an electronic chip element having solder at both ends to two support conductor pads connected to a substrate, comprising a pulse width of 10 milliseconds or less and a pulse of 10 pulses/second or less. providing pulsed coherent laser radiation with a repetition rate, pulse train duration of less than 1 second, dividing the radiation into two simultaneous spatially separated beams of substantially equal energy; A method of soldering comprising the steps of: directing a beam inwardly to remelt the solder; substantially simultaneously forming a solder joint between the element and the pad and removing the beam. 2. The method of claim 1, wherein the pulse width is in the range of 4 to 6 milliseconds. 3. The method of claim 2, wherein the pulse train consists of 6 pulses. 4. The method of claim 1, wherein the wavelength of the radiation is 1.06 micrometers. 5. An apparatus for soldering an electronic chip element having solder at both ends to two supporting conductor pads connected to a substrate, the apparatus comprising: a radiation source providing laser radiation having a wavelength in the range from 1 millimeter to 1 nanometer; Apparatus for simultaneously forming two spatially separated beams from said laser radiation, said beams having a pulse width of 10 milliseconds or less, a pulse repetition rate of 10 pulses/second or less, and a pulse train connection of 1 second or less. a beam forming device comprising time-pulsed coherent laser radiation; and a device for directing the beam toward opposite ends of the electronic chip element to substantially simultaneously form a solder joint between the element and a pad; A soldering device consisting of. 6. The soldering apparatus according to claim 5, wherein the energy of the pulse train is selectable.
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