JPS6350554B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350554B2 JPS6350554B2 JP56004344A JP434481A JPS6350554B2 JP S6350554 B2 JPS6350554 B2 JP S6350554B2 JP 56004344 A JP56004344 A JP 56004344A JP 434481 A JP434481 A JP 434481A JP S6350554 B2 JPS6350554 B2 JP S6350554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cryopanel
- chevron
- radiation
- cryopump
- room temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はクライオポンプに関する。詳しくは本
発明はクライオポンプの改良に係り、イオンビー
ム等によるスパツタ粒子が黒化処理したシエブロ
ンに付着することによつて生ずるクライオパネル
への熱負荷を軽減するシエブロンの構造の改良さ
れたクライオポンプに関する。
発明はクライオポンプの改良に係り、イオンビー
ム等によるスパツタ粒子が黒化処理したシエブロ
ンに付着することによつて生ずるクライオパネル
への熱負荷を軽減するシエブロンの構造の改良さ
れたクライオポンプに関する。
一般に20K以下のクライオパネルにより気体を
真空排気するクライオポンプはクライオパネルの
温度を低く保つためにクライオパネルへの熱負荷
を充分小さく抑えることが重要である。このた
め、クライオパネルの前面に黒化処理した放射率
を１に近いものとした開き角90度ないし120度の
シエブロンを設けクライオポンプの外部に存在す
る機器や壁からの室温の放射を吸収し、もつてク
ライオパネルに到達する放射による熱負荷を小さ
くしている。このシエブロンの開き角や大きさは
上記放射による熱負荷を抑え、他方排気の対象と
する気体に対するコンダクタンスを可能な限り大
きくなるように選定される。
真空排気するクライオポンプはクライオパネルの
温度を低く保つためにクライオパネルへの熱負荷
を充分小さく抑えることが重要である。このた
め、クライオパネルの前面に黒化処理した放射率
を１に近いものとした開き角90度ないし120度の
シエブロンを設けクライオポンプの外部に存在す
る機器や壁からの室温の放射を吸収し、もつてク
ライオパネルに到達する放射による熱負荷を小さ
くしている。このシエブロンの開き角や大きさは
上記放射による熱負荷を抑え、他方排気の対象と
する気体に対するコンダクタンスを可能な限り大
きくなるように選定される。
かかるクライオポンプを核融合実験装置や実験
用加速器、産業用イオンビーム発生装置、産業用
電子ビーム発生装置等の真空排気ポンプとして使
用する場合、排気効率を良くするためにはクライ
オポンプを荷電粒子ビームや中性粒子ビームの通
過する空間の近傍に、そのシエブロンが上記ビー
ムに対向するように設置することが望ましい。従
来のシエブロンの設置方法を第１図に基いて説明
する。１はクライオポンプ全体を示す。２はビー
ムリミターやビームターゲツトなどビームの衝突
によつて引き起こされるスパツター粒子の発生源
でその位置はビーム軸３の周辺近傍にある。
用加速器、産業用イオンビーム発生装置、産業用
電子ビーム発生装置等の真空排気ポンプとして使
用する場合、排気効率を良くするためにはクライ
オポンプを荷電粒子ビームや中性粒子ビームの通
過する空間の近傍に、そのシエブロンが上記ビー
ムに対向するように設置することが望ましい。従
来のシエブロンの設置方法を第１図に基いて説明
する。１はクライオポンプ全体を示す。２はビー
ムリミターやビームターゲツトなどビームの衝突
によつて引き起こされるスパツター粒子の発生源
でその位置はビーム軸３の周辺近傍にある。
前記クライオポンプ１はシエブロン４、気体を
吸着することによつて真空排気するクライオパネ
ル５、およびその裏面や側面から室温放射が入射
するのを防ぐシールド板６などから構成される。
吸着することによつて真空排気するクライオパネ
ル５、およびその裏面や側面から室温放射が入射
するのを防ぐシールド板６などから構成される。
このようなクライオポンプをビーム通過位置の
近傍に置くと、ビームリミターやビームターゲツ
トから放出されるスパツター粒子がシエブロンに
付着する。７は前記シエブロンのうちスパツター
粒子が付着する面を示す。なお、スパツター粒子
はその殆んどすべてが直進するので前記付着面７
はシエブロンのすべての面のうち直接スパツター
粒子発生源を見込む面に等しい。スパツター粒子
が付着した面は放射率が低下するので反射率が大
きくなりクライオポンプの外部からの室温の放射
が付着面に進入するとクライオパネル５への熱負
荷が大きくなる。放射の光路８はかかる放射の一
例を示すものである。
近傍に置くと、ビームリミターやビームターゲツ
トから放出されるスパツター粒子がシエブロンに
付着する。７は前記シエブロンのうちスパツター
粒子が付着する面を示す。なお、スパツター粒子
はその殆んどすべてが直進するので前記付着面７
はシエブロンのすべての面のうち直接スパツター
粒子発生源を見込む面に等しい。スパツター粒子
が付着した面は放射率が低下するので反射率が大
きくなりクライオポンプの外部からの室温の放射
が付着面に進入するとクライオパネル５への熱負
荷が大きくなる。放射の光路８はかかる放射の一
例を示すものである。
一方、室温の放射によるクライオパネルへの熱
負荷の大部分はシエブロンで１回反射しただけで
クライオパネルに到達する放射に起因することが
判つている。従つて１回の反射のみでクライオパ
ネルに到達し得る面にスパツター粒子が付着する
とクライオパネルへの熱負荷は著しく増大する。
第２図はかかる放射が存在し得る反射面の領域を
示したものである。なお、第１図と同じ符号を附
した部分は同一又は対応部分を示す。本図に於て
９、および１０は外部からの放射が１回の反射だ
けでクライオパネルに到達する放射の光路例であ
る。反射面１２はかかる光路があり得る反射面の
領域を示している。これに対し前記反射面１２以
外の面に入射した放射は２回以上の反射を経験す
ることなくクライオパネルに到達することはあり
得ない。光路１１は前記反射面１２以外の面に入
射した放射が２回の反射を経験した後クライオパ
ネルに到達する場合の一例を示す。
負荷の大部分はシエブロンで１回反射しただけで
クライオパネルに到達する放射に起因することが
判つている。従つて１回の反射のみでクライオパ
ネルに到達し得る面にスパツター粒子が付着する
とクライオパネルへの熱負荷は著しく増大する。
第２図はかかる放射が存在し得る反射面の領域を
示したものである。なお、第１図と同じ符号を附
した部分は同一又は対応部分を示す。本図に於て
９、および１０は外部からの放射が１回の反射だ
けでクライオパネルに到達する放射の光路例であ
る。反射面１２はかかる光路があり得る反射面の
領域を示している。これに対し前記反射面１２以
外の面に入射した放射は２回以上の反射を経験す
ることなくクライオパネルに到達することはあり
得ない。光路１１は前記反射面１２以外の面に入
射した放射が２回の反射を経験した後クライオパ
ネルに到達する場合の一例を示す。
第１図と第２図を比べてみると、第１図の例で
はビーム軸より上方に位置するシエブロンに於て
は単にスパツタ粒子が付着する部分の面積が大き
いばかりでなく、第２図の反射面１２の一部にス
パツター粒子が付着する。このため１回の反射に
よつてクライオパネルに到達する放射がもたらす
熱負荷は著しく増加する。また、２回以上反射す
る放射に対してもスパツタ粒子の付着による放射
率の低下は反射率の増大に寄与し、クライオパネ
ルへの熱負荷の増大につながるのでスパツター粒
子の付着面積が大きいほど熱負荷は増大する。し
たがつて第１図に於てビーム軸より上方に属する
シエブロンは下方に属するものに比べてこの部分
を通過する放射熱量は著しく大きい。
はビーム軸より上方に位置するシエブロンに於て
は単にスパツタ粒子が付着する部分の面積が大き
いばかりでなく、第２図の反射面１２の一部にス
パツター粒子が付着する。このため１回の反射に
よつてクライオパネルに到達する放射がもたらす
熱負荷は著しく増加する。また、２回以上反射す
る放射に対してもスパツタ粒子の付着による放射
率の低下は反射率の増大に寄与し、クライオパネ
ルへの熱負荷の増大につながるのでスパツター粒
子の付着面積が大きいほど熱負荷は増大する。し
たがつて第１図に於てビーム軸より上方に属する
シエブロンは下方に属するものに比べてこの部分
を通過する放射熱量は著しく大きい。
以上を要約すると第１図の例のような従来方式
のクライオポンプを長時間使用しているとスパツ
ター粒子によつてシエブロンの放射率が低下し、
クライオポンプへの熱負荷が著しく増え真空排気
作用をしなくなるという欠点があつた。
のクライオポンプを長時間使用しているとスパツ
ター粒子によつてシエブロンの放射率が低下し、
クライオポンプへの熱負荷が著しく増え真空排気
作用をしなくなるという欠点があつた。
本発明はかかる欠陥を改善するためになしたも
のである。
のである。
本発明を第３図によつて説明する。なお、第１
図と同じ符号を附した部分は同一又は対応部分を
示す。シエブロン４はビーム軸３の上下で開口の
向きが逆転している。このためスパツタ粒子が付
着する面７は第１図の場合とは異り、その面積が
小さくなる。
図と同じ符号を附した部分は同一又は対応部分を
示す。シエブロン４はビーム軸３の上下で開口の
向きが逆転している。このためスパツタ粒子が付
着する面７は第１図の場合とは異り、その面積が
小さくなる。
なお、ビーム軸と対向するシエブロンの中央の
面１２はスパツター粒子が付着する面積が大きい
が、この部分はクライオパネルに到達する放射に
対して何ら影響を及ぼさない部分であるので放射
率が低下したとしても問題とはならない。更に、
室温の放射がシエブロンで１回のみの反射でクラ
イオパネルに到達し得る面即ち第２図に於ける１
２に対応する面にはスパツター粒子が付着しな
い。このため、スパツタ粒子の付着に伴うクライ
オパネルへの熱負荷を大幅に軽減できる。
面１２はスパツター粒子が付着する面積が大きい
が、この部分はクライオパネルに到達する放射に
対して何ら影響を及ぼさない部分であるので放射
率が低下したとしても問題とはならない。更に、
室温の放射がシエブロンで１回のみの反射でクラ
イオパネルに到達し得る面即ち第２図に於ける１
２に対応する面にはスパツター粒子が付着しな
い。このため、スパツタ粒子の付着に伴うクライ
オパネルへの熱負荷を大幅に軽減できる。
以上述べたように本発明によれば、クライオポ
ンプを荷電粒子ビームや中性粒子ビーム等の通過
する環境で使用するときシエブロンの放射率低下
を最小限に抑えることによりクライオパネルへの
熱負荷を抑え、長期間排気性能が劣化しないクラ
イオポンプを実現することができる。
ンプを荷電粒子ビームや中性粒子ビーム等の通過
する環境で使用するときシエブロンの放射率低下
を最小限に抑えることによりクライオパネルへの
熱負荷を抑え、長期間排気性能が劣化しないクラ
イオポンプを実現することができる。
第１図は従来例のクライオポンブとスパツタ粒
子発生源との関係を示す図、第２図は室温放射が
１回のみの反射でクライオパネルに到達し得る面
を示す。第３図は本発明の１具体例を示す。 １……クライオポンプ、２……スパツタ粒子の
発生源、３……ビーム軸、４……シエブロン、５
……クライオパネル、６……シールド板、７……
スパツタ粒子の付着面（点線部分）、８……室温
放射がシエブロンで反射されてクライオパネルに
到達する一例、９……シエブロンで１回反射する
だけでクライオパネルに到達する系外からの室温
放射の一例、１０……シエブロンで１回反射する
だけでクライオパネルに到達する外部からの室温
放射の一例、１１……シエブロンで２回反射して
クライオパネルに到達する外部からの室温放射の
一例、１２……外部からの室温放射がシエブロン
で１回反射するだけでクライオパネルに到達し得
る面。
子発生源との関係を示す図、第２図は室温放射が
１回のみの反射でクライオパネルに到達し得る面
を示す。第３図は本発明の１具体例を示す。 １……クライオポンプ、２……スパツタ粒子の
発生源、３……ビーム軸、４……シエブロン、５
……クライオパネル、６……シールド板、７……
スパツタ粒子の付着面（点線部分）、８……室温
放射がシエブロンで反射されてクライオパネルに
到達する一例、９……シエブロンで１回反射する
だけでクライオパネルに到達する系外からの室温
放射の一例、１０……シエブロンで１回反射する
だけでクライオパネルに到達する外部からの室温
放射の一例、１１……シエブロンで２回反射して
クライオパネルに到達する外部からの室温放射の
一例、１２……外部からの室温放射がシエブロン
で１回反射するだけでクライオパネルに到達し得
る面。
Claims (1)
- １ 荷電粒子ビームや中性粒子ビームの周辺に置
かれたクライオポンプに於てシエプロンの開口の
向きがビーム軸の上下で逆転していることを特徴
とするクライオポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP434481A JPS57119186A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Cryo pump |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP434481A JPS57119186A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Cryo pump |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57119186A JPS57119186A (en) | 1982-07-24 |
| JPS6350554B2 true JPS6350554B2 (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=11581804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP434481A Granted JPS57119186A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Cryo pump |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57119186A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123775A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Toshiba Corp | クライオポンプ |
| JPH074671U (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-24 | 三洋工業株式会社 | 波反り防止用フローリング材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543219A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-27 | Aisin Seiki Co Ltd | Cryopump |
-
1981
- 1981-01-14 JP JP434481A patent/JPS57119186A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57119186A (en) | 1982-07-24 |
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