JPS6350814B2 - - Google Patents
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- JPS6350814B2 JPS6350814B2 JP58154851A JP15485183A JPS6350814B2 JP S6350814 B2 JPS6350814 B2 JP S6350814B2 JP 58154851 A JP58154851 A JP 58154851A JP 15485183 A JP15485183 A JP 15485183A JP S6350814 B2 JPS6350814 B2 JP S6350814B2
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- electron gun
- heat
- grid
- cylinder
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は傍熱型含浸陰極用電子銃の構造に関す
るものである。
るものである。
含浸あるいは補給型と呼ばれる方式の陰極は、
撮像管、ブラウン管などの光電変換管や進行波
管、クライストロン、マグネトロンなどのマイク
ロ波管用として有望視されている。従来からの含
浸陰極は、電子放射物者が含浸された陰極基体と
スリーブとからなり、ヒータなどの発熱体により
陰極を加熱する方式の傍熱型陰極である。この含
浸陰極は、Ｗを主成分とする粉末を適当な焼結条
件で焼結した多孔質の陰極基体にBaO・Al2O3・
CaOなどからなる溶融化合物を電子放射物質とし
て陰極基体の空孔内に含浸したものである。使用
時には、MoやTa等の高融点金属の円筒形のスリ
ーブで陰極基体を保持し、スリーブ内に陰極加熱
用のヒータを装着する傍熱形の構造となつてい
る。ヒータは通常、耐熱性良好なＷ線が用いら
れ、Ｗ線表面に電気的絶縁用のアルミナ被覆層が
形成されている。
撮像管、ブラウン管などの光電変換管や進行波
管、クライストロン、マグネトロンなどのマイク
ロ波管用として有望視されている。従来からの含
浸陰極は、電子放射物者が含浸された陰極基体と
スリーブとからなり、ヒータなどの発熱体により
陰極を加熱する方式の傍熱型陰極である。この含
浸陰極は、Ｗを主成分とする粉末を適当な焼結条
件で焼結した多孔質の陰極基体にBaO・Al2O3・
CaOなどからなる溶融化合物を電子放射物質とし
て陰極基体の空孔内に含浸したものである。使用
時には、MoやTa等の高融点金属の円筒形のスリ
ーブで陰極基体を保持し、スリーブ内に陰極加熱
用のヒータを装着する傍熱形の構造となつてい
る。ヒータは通常、耐熱性良好なＷ線が用いら
れ、Ｗ線表面に電気的絶縁用のアルミナ被覆層が
形成されている。
従来、撮像管、ブラウン管等の電子放射源とし
ては、（Ba、Sr、Ca）Ｏを主成分とする酸化物
カソードが用いられている。酸化物カソードは
1000〓で10A／cm2の飽和電流密度を得ることがで
きる電子源であるが、電子源が（Ba、Sr、Ca）
Ｏの粉末を用いるためイオン衝撃に弱く、また電
気抵抗が（充分活性化された酸化物カソードの比
抵抗は約104Ωcm）大きいため多くの放射電流で
動作すると自己加熱により酸化物カソード自体が
劣化するという欠点がある。従つて酸化物カソー
ドの定常動作時の放射電流密度は約0.5A／cm2と
低い値に設定してある。
ては、（Ba、Sr、Ca）Ｏを主成分とする酸化物
カソードが用いられている。酸化物カソードは
1000〓で10A／cm2の飽和電流密度を得ることがで
きる電子源であるが、電子源が（Ba、Sr、Ca）
Ｏの粉末を用いるためイオン衝撃に弱く、また電
気抵抗が（充分活性化された酸化物カソードの比
抵抗は約104Ωcm）大きいため多くの放射電流で
動作すると自己加熱により酸化物カソード自体が
劣化するという欠点がある。従つて酸化物カソー
ドの定常動作時の放射電流密度は約0.5A／cm2と
低い値に設定してある。
一方、含浸型陰極は陰極基体としてＷあるいは
MoあるいはReあるいはこれらの合金等の高温強
度の高い金属を用いているため、イオン衝撃に強
く、みまた電気抵抗（Ｗの比抵抗は約4.9×10-6
Ωcm）が小さいので多くの放射電流密度で動作し
ても自己加熱による陰極基体も温度上昇もない。
しかし、含浸型陰極では10A／cm2の飽和電流密度
を得るには、1000〜1100℃の高温に陰極基体を加
熱する必要がある。従つて、発熱体としてのヒー
タから供給される電力を有効に利用するための電
子銃の構造が要求される。
MoあるいはReあるいはこれらの合金等の高温強
度の高い金属を用いているため、イオン衝撃に強
く、みまた電気抵抗（Ｗの比抵抗は約4.9×10-6
Ωcm）が小さいので多くの放射電流密度で動作し
ても自己加熱による陰極基体も温度上昇もない。
しかし、含浸型陰極では10A／cm2の飽和電流密度
を得るには、1000〜1100℃の高温に陰極基体を加
熱する必要がある。従つて、発熱体としてのヒー
タから供給される電力を有効に利用するための電
子銃の構造が要求される。
以下には、従来の傍熱方式による電子銃の構造
を、酸化物カソードを用いた場合と含浸型陰極を
用いた場合を例にとつて説明する。
を、酸化物カソードを用いた場合と含浸型陰極を
用いた場合を例にとつて説明する。
例 １
第１図は従来の傍熱型酸化物カソードを用いた
最も一般的な電子銃の構造を示す。（Ba、Sr、
Ca）Ｏから成る酸化物は陰極基体１上に塗布さ
れる。陰極基体１の材料は主としてNiが用いら
れ、他の少量の活性剤（Mg、Si、Al等）添加さ
れている。陰極基体１は耐熱合金（例えばニクロ
ム）製の支持円筒２で支持され、さらに支持円筒
２は、保持台８を界して、熱反射用筒体を兼ねた
陰極支持体４に固定されて、絶縁板７に取付けら
れる。陰極加熱用のヒータ３は支持円筒２の内側
に挿入して用いる。実用の電子銃としては、陰極
基体１に対向して電子流を流す孔を有した第１グ
リツド５及び電子の引出し用の第２グリツド６の
他に複数個の電極を用いて螢光面に電子流を投影
する様になつている。この電子銃構成の欠点は、
支持円筒２の熱容量が大きく、かつ長さも長く、
また保持台８、陰極支持体４への熱の逃げも多い
ため、ヒータ３も大きいものが要求されてくる。
また陰極表面温度が定常値に達する時間も長くな
る。さらに支持円筒２の長さが長いと、温度上昇
による熱膨張の量も増加して、陰極表面と第１グ
リツド５の間隔の変動（陰極表面と第１グリツド
の間隔が100μｍの場合の変動の許容値は10％以
下と云われている）も大きくなる。
最も一般的な電子銃の構造を示す。（Ba、Sr、
Ca）Ｏから成る酸化物は陰極基体１上に塗布さ
れる。陰極基体１の材料は主としてNiが用いら
れ、他の少量の活性剤（Mg、Si、Al等）添加さ
れている。陰極基体１は耐熱合金（例えばニクロ
ム）製の支持円筒２で支持され、さらに支持円筒
２は、保持台８を界して、熱反射用筒体を兼ねた
陰極支持体４に固定されて、絶縁板７に取付けら
れる。陰極加熱用のヒータ３は支持円筒２の内側
に挿入して用いる。実用の電子銃としては、陰極
基体１に対向して電子流を流す孔を有した第１グ
リツド５及び電子の引出し用の第２グリツド６の
他に複数個の電極を用いて螢光面に電子流を投影
する様になつている。この電子銃構成の欠点は、
支持円筒２の熱容量が大きく、かつ長さも長く、
また保持台８、陰極支持体４への熱の逃げも多い
ため、ヒータ３も大きいものが要求されてくる。
また陰極表面温度が定常値に達する時間も長くな
る。さらに支持円筒２の長さが長いと、温度上昇
による熱膨張の量も増加して、陰極表面と第１グ
リツド５の間隔の変動（陰極表面と第１グリツド
の間隔が100μｍの場合の変動の許容値は10％以
下と云われている）も大きくなる。
例 ２
第２図は陰極部の熱容量を減らし、かつ熱膨張
による変形量も減少する様に工夫された電子銃構
成の一例を示す。陰極基体１は支持円筒２で支持
される。陰極加熱用ヒータ３が、陰極部を集中的
に加熱できるように工夫された結果、支持円筒の
長さも例１の場合に比べて半分以下になつてい
る。支持円筒２は、その円周上の３箇所もしくは
４箇所に取付けられた陰極支持板９により、陰極
支持体４の上部に固定される。他の電極構造は例
１の場合とほとんど同じである。本方式の特徴
は、陰極部の熱容量が減少したことにより、陰極
表面温度が定常時に達する時間が短縮（例１の場
合の約1/4に短縮されている）された。また、支
持円筒２の熱膨張による変形に対して、陰極支持
板９はこれを吸収する様な伸びをして、陰極表面
と第１グリツド５との間隔を一定に保つ様になつ
ている。
による変形量も減少する様に工夫された電子銃構
成の一例を示す。陰極基体１は支持円筒２で支持
される。陰極加熱用ヒータ３が、陰極部を集中的
に加熱できるように工夫された結果、支持円筒の
長さも例１の場合に比べて半分以下になつてい
る。支持円筒２は、その円周上の３箇所もしくは
４箇所に取付けられた陰極支持板９により、陰極
支持体４の上部に固定される。他の電極構造は例
１の場合とほとんど同じである。本方式の特徴
は、陰極部の熱容量が減少したことにより、陰極
表面温度が定常時に達する時間が短縮（例１の場
合の約1/4に短縮されている）された。また、支
持円筒２の熱膨張による変形に対して、陰極支持
板９はこれを吸収する様な伸びをして、陰極表面
と第１グリツド５との間隔を一定に保つ様になつ
ている。
ここに上げた２つの例は、電子放射物質として
（Ba、Sr、Ca）Ｏ等の酸化物を用いた場合で、
従つて陰極基体１の温度も高々800℃と低いので、
陰極部から発散する熱を有効に利用するための熱
反射用筒体を兼ねた陰極筒体４に特別の操作をし
なくても実用上は大きな障害はない。
（Ba、Sr、Ca）Ｏ等の酸化物を用いた場合で、
従つて陰極基体１の温度も高々800℃と低いので、
陰極部から発散する熱を有効に利用するための熱
反射用筒体を兼ねた陰極筒体４に特別の操作をし
なくても実用上は大きな障害はない。
次に含浸型陰極を用いた電子銃の従来構造の例
を示す。
を示す。
例 ３
第３図は含浸型陰極を用いた傍熱型電子銃の構
造の例を示す。多孔質Ｗに電子放射物質として
BaO・Al2・O3・CaOを含浸した陰極基体１′は、
MoあるいはTaあるいはＷ等の耐熱金属の薄板
（20〜30μｍ厚）で作つた支持円筒２で支持され
る。この支持円筒２は陰極基体１′と反対の一端
において、陰極部からの放射熱を反射する熱反射
用筒体を兼用した陰極支持体４によつて保持され
ている。ヒータ３は支持円筒２の内側に挿入さ
れ、熱伝導と輻射熱により陰極基体１′を加熱す
る。陰極基体１′のヒータ３と接する側には、電
子放射物質がヒータ３側に蒸発してヒータ３の絶
縁破壊を生じるのを防止するための障壁板１０が
設けてある。陰極支持体４は絶縁板７に取付け固
定される。この様な含浸型陰極を電子銃として用
いる場合、陰極基体１′に対向して電子線を通す
孔を有する第１グリツド５、及び電子線の引出し
用電極の第２グリツド６の他収束用電極を用いて
螢光面等に投影される。
造の例を示す。多孔質Ｗに電子放射物質として
BaO・Al2・O3・CaOを含浸した陰極基体１′は、
MoあるいはTaあるいはＷ等の耐熱金属の薄板
（20〜30μｍ厚）で作つた支持円筒２で支持され
る。この支持円筒２は陰極基体１′と反対の一端
において、陰極部からの放射熱を反射する熱反射
用筒体を兼用した陰極支持体４によつて保持され
ている。ヒータ３は支持円筒２の内側に挿入さ
れ、熱伝導と輻射熱により陰極基体１′を加熱す
る。陰極基体１′のヒータ３と接する側には、電
子放射物質がヒータ３側に蒸発してヒータ３の絶
縁破壊を生じるのを防止するための障壁板１０が
設けてある。陰極支持体４は絶縁板７に取付け固
定される。この様な含浸型陰極を電子銃として用
いる場合、陰極基体１′に対向して電子線を通す
孔を有する第１グリツド５、及び電子線の引出し
用電極の第２グリツド６の他収束用電極を用いて
螢光面等に投影される。
含浸型陰極は高電流密度の電子線源として期待
されているが、その動作温度が1000〜1100℃と高
いため、ヒータの消費電力をできるだけ低くする
様な電子銃構成が期待される。この様な観点から
第３図の例をみた場合、従来の電子銃構造には次
の様な欠点がある。すなわち、陰極基体１′の周
囲からの熱放射によつつて消費される熱を有効に
利用する電子銃構造になつていない。つまり、陰
極基体１′周囲からの輻射熱を陰極側に反射する
様な電子銃構造になつていない。
されているが、その動作温度が1000〜1100℃と高
いため、ヒータの消費電力をできるだけ低くする
様な電子銃構成が期待される。この様な観点から
第３図の例をみた場合、従来の電子銃構造には次
の様な欠点がある。すなわち、陰極基体１′の周
囲からの熱放射によつつて消費される熱を有効に
利用する電子銃構造になつていない。つまり、陰
極基体１′周囲からの輻射熱を陰極側に反射する
様な電子銃構造になつていない。
本発明の第１の目的は、陰極基体及びその支持
体となる支持円筒から放散される熱を有効に利用
出来、かつ電子銃構造を簡略化できる傍熱型の含
浸陰極用電子銃を提供することである。
体となる支持円筒から放散される熱を有効に利用
出来、かつ電子銃構造を簡略化できる傍熱型の含
浸陰極用電子銃を提供することである。
本発明の他の目的は、陰極部からの輻射熱によ
る第１グリツドの熱膨張による変形を減少する電
子銃構造を提供することである。
る第１グリツドの熱膨張による変形を減少する電
子銃構造を提供することである。
本発明の傍熱型含浸陰極用電子銃は、多孔質金
属からなる陰極基体、これを支持する円筒型の支
持円筒及び発熱体とからなる傍熱型の含浸陰極、
陰極基体と支持円筒から外側に放散される熱を陰
極側に反射する熱反射用筒体、及び電子流を通す
孔を有し陰極に対向する第１グリツドから構成さ
れる電子銃において、該熱反射用筒体と第１グリ
ツドを一体の複合体としたことおよびこの複合体
の側面に輪状襞を設けることを特徴とする。
属からなる陰極基体、これを支持する円筒型の支
持円筒及び発熱体とからなる傍熱型の含浸陰極、
陰極基体と支持円筒から外側に放散される熱を陰
極側に反射する熱反射用筒体、及び電子流を通す
孔を有し陰極に対向する第１グリツドから構成さ
れる電子銃において、該熱反射用筒体と第１グリ
ツドを一体の複合体としたことおよびこの複合体
の側面に輪状襞を設けることを特徴とする。
以下、本発明を実施例により説明する。
参考例
本発明の基礎となる電子銃の構造を第４図によ
り説明する。空孔率20〜25％の多孔質Ｗに
4BaO・Al2O3・CaOなる電子放射物質を含浸し
た陰極基体１′（直径1.4mmφ、厚さ0.6mm）は、
肉厚25μｍ、長さ６mmのMo製の支持円筒２で支
持した。支持円筒２の材質としてはMoの他、高
温強度の高い耐熱金属であれば、Ｗ、Ta、Re、
Ptやこれらの合金を用いてもよい。発熱体とし
てのヒータ３は支持円筒２の内側に挿入して用い
る。陰極基体１′がヒータ３と接する側には、電
子放射物質の蒸発によるヒータ３の絶縁破壊等を
防止するための障壁板１０を設けた。障壁板１０
としては、支持円筒２と同様に高温強度の高い耐
熱金属を用いるのが望ましい。本参考例では肉厚
25μｍのMo板を用いた、陰極基体１′と支持円筒
２、及び障壁板はRu−Moのろう材にて固定し
た。陰極取付け用の孔（カラーブラウン管のよう
に複数の陰極ある時は複数個の孔）を有するアル
ミナ等の絶縁板７に、陰極取付用孔を中心とした
円周上を３等分（もしくは４等分）した位置にお
いて陰極支持棒１２を固定する。陰極支持棒１２
には陰極支持板９を介して支持円筒２を固定し
た。陰極支持板９としては、できるだけ支持円筒
２と同一材質とした方が望ましいが、高温強度が
高く、熱膨張の少ない耐熱金属であればMo、
Ｗ、Ta、Re、Ptあるいはこれらの合金を用いて
も良い。本参考例ではMoを用いた。さらに陰極
支持棒１２の一つに、陰極基体１′の電位設定用
の陰極リード線を設けた。陰極基体１′と支持円
筒２の外側には、陰極基体１′に対向し電子線を
通す孔を有する第１グリツドと、陰極基体１′及
び支持円筒２から放散される輻射熱を有効に利用
するための熱反射用筒体を兼用した複合体１１を
設けた。複合体１１は、陰極基体１′及び支持円
筒２の輻射熱で500〜600℃に上昇することもある
ので、複合体１１の材質としては高温強度が高く
熱膨張の少ない耐熱合金であればMo、Ｗ、Ta、
Re、Pt、Niあるいはこれらの合金を用いても良
い。複合体１１の肉厚は陰極基体１′の動作温度
によつても多少異なるが（動作温度が高いと厚肉
が良い）、50〜200μｍが適当である。本参考例の
複合体１１は、Moのブロツクを100μｍ肉厚の形
状に削り出したものを用いたが、複合体１１の製
法としては深絞りによつても、または円筒と第１
グリツドにあたる孔あきの円板をろう接あるいは
溶接によつて行つてもよい。また第１グリツドと
陰極基体１′の間隔は100μｍ、支持円筒２と複合
体１１との間の間隔は1.0mmとなる様に組立てた。
複合体１１には電位設定用の第１グリツドリード
線１４を接続した。複合体１１の外側に第２グリ
ツド６を設け、さらに第２グリツドリード線１５
を接続した。１８，１９は絶縁板７に複合体１１
および第２グリツド６を固定するための取付金具
である。なお、第４図ｂは陰極リード線等の若干
の部分を省略してある。
り説明する。空孔率20〜25％の多孔質Ｗに
4BaO・Al2O3・CaOなる電子放射物質を含浸し
た陰極基体１′（直径1.4mmφ、厚さ0.6mm）は、
肉厚25μｍ、長さ６mmのMo製の支持円筒２で支
持した。支持円筒２の材質としてはMoの他、高
温強度の高い耐熱金属であれば、Ｗ、Ta、Re、
Ptやこれらの合金を用いてもよい。発熱体とし
てのヒータ３は支持円筒２の内側に挿入して用い
る。陰極基体１′がヒータ３と接する側には、電
子放射物質の蒸発によるヒータ３の絶縁破壊等を
防止するための障壁板１０を設けた。障壁板１０
としては、支持円筒２と同様に高温強度の高い耐
熱金属を用いるのが望ましい。本参考例では肉厚
25μｍのMo板を用いた、陰極基体１′と支持円筒
２、及び障壁板はRu−Moのろう材にて固定し
た。陰極取付け用の孔（カラーブラウン管のよう
に複数の陰極ある時は複数個の孔）を有するアル
ミナ等の絶縁板７に、陰極取付用孔を中心とした
円周上を３等分（もしくは４等分）した位置にお
いて陰極支持棒１２を固定する。陰極支持棒１２
には陰極支持板９を介して支持円筒２を固定し
た。陰極支持板９としては、できるだけ支持円筒
２と同一材質とした方が望ましいが、高温強度が
高く、熱膨張の少ない耐熱金属であればMo、
Ｗ、Ta、Re、Ptあるいはこれらの合金を用いて
も良い。本参考例ではMoを用いた。さらに陰極
支持棒１２の一つに、陰極基体１′の電位設定用
の陰極リード線を設けた。陰極基体１′と支持円
筒２の外側には、陰極基体１′に対向し電子線を
通す孔を有する第１グリツドと、陰極基体１′及
び支持円筒２から放散される輻射熱を有効に利用
するための熱反射用筒体を兼用した複合体１１を
設けた。複合体１１は、陰極基体１′及び支持円
筒２の輻射熱で500〜600℃に上昇することもある
ので、複合体１１の材質としては高温強度が高く
熱膨張の少ない耐熱合金であればMo、Ｗ、Ta、
Re、Pt、Niあるいはこれらの合金を用いても良
い。複合体１１の肉厚は陰極基体１′の動作温度
によつても多少異なるが（動作温度が高いと厚肉
が良い）、50〜200μｍが適当である。本参考例の
複合体１１は、Moのブロツクを100μｍ肉厚の形
状に削り出したものを用いたが、複合体１１の製
法としては深絞りによつても、または円筒と第１
グリツドにあたる孔あきの円板をろう接あるいは
溶接によつて行つてもよい。また第１グリツドと
陰極基体１′の間隔は100μｍ、支持円筒２と複合
体１１との間の間隔は1.0mmとなる様に組立てた。
複合体１１には電位設定用の第１グリツドリード
線１４を接続した。複合体１１の外側に第２グリ
ツド６を設け、さらに第２グリツドリード線１５
を接続した。１８，１９は絶縁板７に複合体１１
および第２グリツド６を固定するための取付金具
である。なお、第４図ｂは陰極リード線等の若干
の部分を省略してある。
以上述べた電極構造を用いる事により、同一寸
法の陰極基体１′を同一温度まで加熱するのに要
するヒータ３の消費電力を約15％低減できた。複
合体１１の材料を別の金属を用いても同様の結果
を得た。本発明は本例を基礎としてなされたもの
である。
法の陰極基体１′を同一温度まで加熱するのに要
するヒータ３の消費電力を約15％低減できた。複
合体１１の材料を別の金属を用いても同様の結果
を得た。本発明は本例を基礎としてなされたもの
である。
実施例
第５図は、放熱される熱の有効利用およびヒー
タ３の消費電力低減と複合体１１の熱変形による
第１グリツド５′と陰極基体１′の間隔の変化を減
少することを目的とした本発明の実施例を示す。
タ３の消費電力低減と複合体１１の熱変形による
第１グリツド５′と陰極基体１′の間隔の変化を減
少することを目的とした本発明の実施例を示す。
複合体１１は、電子線を通す孔を有する円板か
らなる第１グリツド５′と、側面に輪形襞を有す
る円筒からなる熱反射用筒体１６で構成される。
この複合体１１は、高温強度が高く熱膨張の少な
い耐熱金属であればMo、Ｗ、Ta、Re、Ptある
いはこれらの合金を用いても良い。また複合体１
１は、同種の金属を組合せても、異種の金属を組
合せて構成しても良い。本実施例では、第１グリ
ツド５′と熱反射用円筒体１６としてMoを用い
た例につき述べる。第１グリツド５′は肉厚100μ
ｍの円板を用いた。熱反射用筒体１６は肉厚50μ
ｍの円筒の側面に、曲率半径0.5mmの外向けの輪
形襞１７をプレス整形して作つたものを用いた。
第１グリツド５′と熱反射用筒体１６はRu−Mo
のろう材により接続した。他に点溶接しても良
い。輪形襞１７の曲率半径は0.5〜１mmが有効で
ある。また熱反射用筒体１６の輪形襞１７は、円
筒の内側に凸になつても本発明の目的に対しては
有効であるが、支持円筒２と熱反射用筒体１６と
の間隔を接近できる点からは、輪形襞１７は円筒
の外側に凸にした方が良い。
らなる第１グリツド５′と、側面に輪形襞を有す
る円筒からなる熱反射用筒体１６で構成される。
この複合体１１は、高温強度が高く熱膨張の少な
い耐熱金属であればMo、Ｗ、Ta、Re、Ptある
いはこれらの合金を用いても良い。また複合体１
１は、同種の金属を組合せても、異種の金属を組
合せて構成しても良い。本実施例では、第１グリ
ツド５′と熱反射用円筒体１６としてMoを用い
た例につき述べる。第１グリツド５′は肉厚100μ
ｍの円板を用いた。熱反射用筒体１６は肉厚50μ
ｍの円筒の側面に、曲率半径0.5mmの外向けの輪
形襞１７をプレス整形して作つたものを用いた。
第１グリツド５′と熱反射用筒体１６はRu−Mo
のろう材により接続した。他に点溶接しても良
い。輪形襞１７の曲率半径は0.5〜１mmが有効で
ある。また熱反射用筒体１６の輪形襞１７は、円
筒の内側に凸になつても本発明の目的に対しては
有効であるが、支持円筒２と熱反射用筒体１６と
の間隔を接近できる点からは、輪形襞１７は円筒
の外側に凸にした方が良い。
本発明の構造の複合体１１にすることによつ
て、第１グリツド５′の円板の直径方向の伸びと、
熱反射用筒体１６の軸方向の伸びを、輪形襞１７
により緩和することができた。輪形襞１７を有し
た複合体１１を用いることにより、輪形襞１７の
ない複合体を用いた場合に比べて、熱膨張による
変形量を約10％減少でき、その結果、第１グリツ
ド５′と陰極基体１′の間隔の変化も減少できた。
また、複合体１１を有した電子銃構造を用いる事
により、従来の電子銃構造の場合に比べて、約15
％のヒータ３の消費電力を削減でできた。
て、第１グリツド５′の円板の直径方向の伸びと、
熱反射用筒体１６の軸方向の伸びを、輪形襞１７
により緩和することができた。輪形襞１７を有し
た複合体１１を用いることにより、輪形襞１７の
ない複合体を用いた場合に比べて、熱膨張による
変形量を約10％減少でき、その結果、第１グリツ
ド５′と陰極基体１′の間隔の変化も減少できた。
また、複合体１１を有した電子銃構造を用いる事
により、従来の電子銃構造の場合に比べて、約15
％のヒータ３の消費電力を削減でできた。
以上、説明したごとく本発明によれば、傍熱型
含浸陰極において、陰極加熱用の発熱体の消費電
力を低下でき、また輪形襞を設けることにより第
１グリツドの熱膨張による変形も低減できる。
含浸陰極において、陰極加熱用の発熱体の消費電
力を低下でき、また輪形襞を設けることにより第
１グリツドの熱膨張による変形も低減できる。
第１図と第２図は従来の酸化物カソードを用い
た傍熱型電子銃の構造を示す断面図、第３図は含
浸型陰極を用いた従来の傍熱型電子銃の構造を示
す断面図、第４図ａ，ｂは本発明の参考例たる傍
熱型含浸陰極用電子銃の構造を示す断面図と底面
図、第５図は本発明の実施例における傍熱型含浸
陰極用電子銃の構造を示す断面図である。 １，１′……陰極基体、２……支持円筒、３…
…ヒータ、４……陰極支持体、５，５′……第１
グリツド、６……第２グリツド、７……絶縁板、
８……保持台、９……陰極支持板、１０……障壁
板、１１……複合体、１２……陰極支持棒、１３
……陰極リード線、１４……第１グリツドリード
線、１５……第２グリツドリード線、１６……熱
反射用筒体、１７……輪形襞、１８……取付金
具、１９……取付金具。
た傍熱型電子銃の構造を示す断面図、第３図は含
浸型陰極を用いた従来の傍熱型電子銃の構造を示
す断面図、第４図ａ，ｂは本発明の参考例たる傍
熱型含浸陰極用電子銃の構造を示す断面図と底面
図、第５図は本発明の実施例における傍熱型含浸
陰極用電子銃の構造を示す断面図である。 １，１′……陰極基体、２……支持円筒、３…
…ヒータ、４……陰極支持体、５，５′……第１
グリツド、６……第２グリツド、７……絶縁板、
８……保持台、９……陰極支持板、１０……障壁
板、１１……複合体、１２……陰極支持棒、１３
……陰極リード線、１４……第１グリツドリード
線、１５……第２グリツドリード線、１６……熱
反射用筒体、１７……輪形襞、１８……取付金
具、１９……取付金具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多孔質金属からなる陰極基体、前記陰極基体
を支持する支持円筒及び発熱体とからなる傍熱型
の含浸陰極、前記陰極基体と前記支持円筒から外
側に放散される熱を前記含浸陰極側に反射する熱
反射用筒体、及び電子流を通す孔を有し前記含浸
陰極に対向するグリツドを有する電子銃におい
て、前記熱反射用筒体と前記グリツドとを一体の
複合体とせしめ、且つ前記複合体の側面に輪状襞
を有することを特徴とする傍熱型含浸陰極用電子
銃。 ２ 前記輪状襞は前記複合体の外側に凸部となる
様に構成されて成ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の傍熱型含浸陰極用電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154851A JPS5958736A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 傍熱型含浸陰極用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154851A JPS5958736A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 傍熱型含浸陰極用電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958736A JPS5958736A (ja) | 1984-04-04 |
| JPS6350814B2 true JPS6350814B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15593287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154851A Granted JPS5958736A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 傍熱型含浸陰極用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958736A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138824A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Toyota Motor Corp | 多気筒内燃機関の吸気管長可変式吸気装置 |
| JPS61207822A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Toyota Motor Corp | 吸気管長可変式吸気装置の吸気制御弁の制御方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112166A (en) * | 1975-03-27 | 1976-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Impregnated cathode |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154851A patent/JPS5958736A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5958736A (ja) | 1984-04-04 |
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