JPS6350849B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350849B2 JPS6350849B2 JP17136679A JP17136679A JPS6350849B2 JP S6350849 B2 JPS6350849 B2 JP S6350849B2 JP 17136679 A JP17136679 A JP 17136679A JP 17136679 A JP17136679 A JP 17136679A JP S6350849 B2 JPS6350849 B2 JP S6350849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- capacitance
- manganese
- silicon
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
この発明は、電解コンデンサ陰極用アルミニウ
ム合金箔に関する。 この明細書において「％」は「重量％」を示す
ものとする。 従来技術とその問題点 電解コンデンサの性能を向上させるためには、
陽極用箔の静電容量だけでなく、陰極用箔の静電
容量を増大させることが必要である。箔の静電容
量を増大させるためには、箔にエツチングを施し
て箔の表面に微細な凹部を高密度に形成すること
により、その表面積を増大させることが有効であ
るが、エツチングが過度になると、腐食減量も過
度になり、結果的に箔の静電容量は低下し、また
機械的強度も低下する。また、コンデンサの小型
軽量化のために箔の厚さを薄くする必要があり、
そのためには箔の強度を大きくしなければならな
い。したがつて、電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔の具備すべき条件は、静電容量が大き
いこと、エツチングのさいの腐食減量が過度にな
らず適量であること、および機械的強度が大きい
ことである。 従来から電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔は種々存在するが、上記３条件をすべて満た
す箔は存在しなかつたのが実情である。 この発明の目的は、上記条件をすべて満足しう
る電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔を提
供することにある。 問題点を解決するための手段 この発明による電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔は、ケイ素を0.5％を越えかつ1.0％以
下、マンガンを0.2〜2.0％、および不純物として
の鉄を0.5％以下含有し、残部アルミニウムおよ
び不可避不純物からなることを特徴とするもので
ある。 ケイ素およびマンガンは、これらをともにアル
ミニウム中に含有せしめることにより、アルミニ
ウム合金箔の静電容量を増大させる性質を有する
が、ケイ素の含有量が0.5％以下、マンガンの含
有量が0.2％未満では上記効果は得られず、ケイ
素の含有量が1.0％を越え、マンガンの含有量が
2.0％を越えると微細なエツチング組織を得られ
ないので箔の静電容量は小さくなり、腐食減量も
過度になる。したがつて、ケイ素の含有量を0.5
％を越えかつ1.0％以下、マンガンの含有量を0.2
〜2.0％とするべきである。 ケイ素およびマンガンをともに含有せしめるこ
とによりアルミニウム合金箔の静電容量が増大す
るのは、次の理由による。すなわち、周知の如
く、アルミニウム合金箔の静電容量は箔の表面積
と比例し、箔の表面積を増大させるためには、エ
ツチングによつて箔の表面に微細な凹部を均一か
つ高密度に生じさせる必要がある。アルミニウム
中にケイ素を0.5％を越えて含有せしめるととも
に、マンガンを0.2％以上含有せしめると、微細
なAl―Si―Mn化合物がアルミニウム・マトリツ
クス中に多数分散した組織を得ることができる。
Al―Si―Mn化合物は、電位的に貴であつてアル
ミニウム・マトリツクスと大きな電極電位差を有
するので、エツチングのさいにアルミニウム・マ
トリツクスが優先的に腐食されて、箔の表面に微
細な凹部が均一かつ高密度に形成され、その表面
積が増大する。しかしながら、ケイ素の含有量が
1.0％を越え、マンガンの含有量が2.0％を越える
と、Al―Si―Mn化合物が粗大になり合金箔中に
均一に分散されなくなるために、微細なエツチン
グ組織が得られず、静電容量が低下する。 この発明によるアルミニウム合金箔には、鉄な
どの製造上不可避の不純物が含まれているが、不
純物の中で、とくに鉄の場合は、その含有量が
0.5％を越えると鋳造時に粗大なAl―Si―Mn―
Fe化合物を晶出し、上述したようなケイ素およ
びマンガンを添加することにより得られる効果を
阻害するので、不純物中鉄の含有量は0.5％以下
にすべきである。 実施例 以下、この発明の実施例を対照例とともに説明
する。 下表に示す組成の16種のアルミニウム合金から
通常の製箔法によつて箔を製造した後、これらの
合金箔を液温60℃の３％塩酸および0.5％シユウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度30A/dm2の交流電
流を通じて１分30秒間エツチングを行い、静電容
量を測定した。その結果は下表の通りであつた。
ム合金箔に関する。 この明細書において「％」は「重量％」を示す
ものとする。 従来技術とその問題点 電解コンデンサの性能を向上させるためには、
陽極用箔の静電容量だけでなく、陰極用箔の静電
容量を増大させることが必要である。箔の静電容
量を増大させるためには、箔にエツチングを施し
て箔の表面に微細な凹部を高密度に形成すること
により、その表面積を増大させることが有効であ
るが、エツチングが過度になると、腐食減量も過
度になり、結果的に箔の静電容量は低下し、また
機械的強度も低下する。また、コンデンサの小型
軽量化のために箔の厚さを薄くする必要があり、
そのためには箔の強度を大きくしなければならな
い。したがつて、電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔の具備すべき条件は、静電容量が大き
いこと、エツチングのさいの腐食減量が過度にな
らず適量であること、および機械的強度が大きい
ことである。 従来から電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔は種々存在するが、上記３条件をすべて満た
す箔は存在しなかつたのが実情である。 この発明の目的は、上記条件をすべて満足しう
る電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔を提
供することにある。 問題点を解決するための手段 この発明による電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔は、ケイ素を0.5％を越えかつ1.0％以
下、マンガンを0.2〜2.0％、および不純物として
の鉄を0.5％以下含有し、残部アルミニウムおよ
び不可避不純物からなることを特徴とするもので
ある。 ケイ素およびマンガンは、これらをともにアル
ミニウム中に含有せしめることにより、アルミニ
ウム合金箔の静電容量を増大させる性質を有する
が、ケイ素の含有量が0.5％以下、マンガンの含
有量が0.2％未満では上記効果は得られず、ケイ
素の含有量が1.0％を越え、マンガンの含有量が
2.0％を越えると微細なエツチング組織を得られ
ないので箔の静電容量は小さくなり、腐食減量も
過度になる。したがつて、ケイ素の含有量を0.5
％を越えかつ1.0％以下、マンガンの含有量を0.2
〜2.0％とするべきである。 ケイ素およびマンガンをともに含有せしめるこ
とによりアルミニウム合金箔の静電容量が増大す
るのは、次の理由による。すなわち、周知の如
く、アルミニウム合金箔の静電容量は箔の表面積
と比例し、箔の表面積を増大させるためには、エ
ツチングによつて箔の表面に微細な凹部を均一か
つ高密度に生じさせる必要がある。アルミニウム
中にケイ素を0.5％を越えて含有せしめるととも
に、マンガンを0.2％以上含有せしめると、微細
なAl―Si―Mn化合物がアルミニウム・マトリツ
クス中に多数分散した組織を得ることができる。
Al―Si―Mn化合物は、電位的に貴であつてアル
ミニウム・マトリツクスと大きな電極電位差を有
するので、エツチングのさいにアルミニウム・マ
トリツクスが優先的に腐食されて、箔の表面に微
細な凹部が均一かつ高密度に形成され、その表面
積が増大する。しかしながら、ケイ素の含有量が
1.0％を越え、マンガンの含有量が2.0％を越える
と、Al―Si―Mn化合物が粗大になり合金箔中に
均一に分散されなくなるために、微細なエツチン
グ組織が得られず、静電容量が低下する。 この発明によるアルミニウム合金箔には、鉄な
どの製造上不可避の不純物が含まれているが、不
純物の中で、とくに鉄の場合は、その含有量が
0.5％を越えると鋳造時に粗大なAl―Si―Mn―
Fe化合物を晶出し、上述したようなケイ素およ
びマンガンを添加することにより得られる効果を
阻害するので、不純物中鉄の含有量は0.5％以下
にすべきである。 実施例 以下、この発明の実施例を対照例とともに説明
する。 下表に示す組成の16種のアルミニウム合金から
通常の製箔法によつて箔を製造した後、これらの
合金箔を液温60℃の３％塩酸および0.5％シユウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度30A/dm2の交流電
流を通じて１分30秒間エツチングを行い、静電容
量を測定した。その結果は下表の通りであつた。
【表】
上表から明らかなように、合金Ｌ〜Ｐでは、合
金Ａ〜Ｋに比べて静電容量が大きくなつている。 発明の効果 この発明の電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔は、ケイ素を0.5％を越えかつ1.0％以下お
よびマンガンを0.2〜2.0％含有しているので、微
細なAl―Si―Mn化合物がアルミニウム・マトリ
ツクス中に多数分散した組織を得ることができ
る。そして、Al―Si―Mn化合物は、電位的に貴
であつてアルミニウム・マトリツクスと大きな電
極電位差を有するので、エツチングのさいにアル
ミニウム・マトリツクスが優先的に腐蝕され、箔
の表面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され
てその表面積が増大し、その結果静電容量が著し
く増大する。しかも、腐食減量も過度にならな
い。また、不純物としての鉄を0.5％以下含有す
るので、製箔工程中スラブの鋳造時に粗大なAl
―Si―Mn―Fe化合物が晶出するのを防止するこ
とができ、上述したようなケイ素およびマンガン
を添加することにより得られる効果を阻害するこ
とはない。
金Ａ〜Ｋに比べて静電容量が大きくなつている。 発明の効果 この発明の電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔は、ケイ素を0.5％を越えかつ1.0％以下お
よびマンガンを0.2〜2.0％含有しているので、微
細なAl―Si―Mn化合物がアルミニウム・マトリ
ツクス中に多数分散した組織を得ることができ
る。そして、Al―Si―Mn化合物は、電位的に貴
であつてアルミニウム・マトリツクスと大きな電
極電位差を有するので、エツチングのさいにアル
ミニウム・マトリツクスが優先的に腐蝕され、箔
の表面に微細な凹部が均一かつ高密度に形成され
てその表面積が増大し、その結果静電容量が著し
く増大する。しかも、腐食減量も過度にならな
い。また、不純物としての鉄を0.5％以下含有す
るので、製箔工程中スラブの鋳造時に粗大なAl
―Si―Mn―Fe化合物が晶出するのを防止するこ
とができ、上述したようなケイ素およびマンガン
を添加することにより得られる効果を阻害するこ
とはない。
Claims (1)
- １ ケイ素を0.5％を越えかつ1.0％以下、マンガ
ンを0.2〜2.0％、および不純物としての鉄を0.5％
以下含有し、残部アルミニウムおよび不可避不純
物からなる電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17136679A JPS5694724A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Aluminum alloy foil for electrolytic condenser cathode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17136679A JPS5694724A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Aluminum alloy foil for electrolytic condenser cathode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694724A JPS5694724A (en) | 1981-07-31 |
| JPS6350849B2 true JPS6350849B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15921839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17136679A Granted JPS5694724A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Aluminum alloy foil for electrolytic condenser cathode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5694724A (ja) |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17136679A patent/JPS5694724A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694724A (en) | 1981-07-31 |
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