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JPS6351183B2 - - Google Patents
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JPS6351183B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6351183B2
JPS6351183B2 JP54034224A JP3422479A JPS6351183B2 JP S6351183 B2 JPS6351183 B2 JP S6351183B2 JP 54034224 A JP54034224 A JP 54034224A JP 3422479 A JP3422479 A JP 3422479A JP S6351183 B2 JPS6351183 B2 JP S6351183B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
group
resin composition
weight
aromatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54034224A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55127462A (en
Inventor
Kaoru Oomura
Taku Sasaki
Takeshi Watanabe
Takeo Kimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP3422479A priority Critical patent/JPS55127462A/en
Publication of JPS55127462A publication Critical patent/JPS55127462A/en
Publication of JPS6351183B2 publication Critical patent/JPS6351183B2/ja
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、優れた耐水性、電気特性、特に吸水
率および誘電損失の両者が共に小さい新規な耐熱
性樹脂組成物に関する。 近年、電子部品は高集積化、高信頼化が特に求
められている。これにともなつて、耐熱性、耐水
性および電気特性の優れた高分子電子材料の開発
が望まれているが、実現されていないのが現状で
ある。 これまで知られている合成樹脂のほとんどは、
250℃以上の温度ではその軟化点を越えるかまた
は分解点に接近するので、熱的に不安定である。
従つて、使用時に高温に曝される電子部品用の材
料としては耐熱性に優れたポリマーが用いられて
いる。然しながら、耐熱性に加えて多くの電気的
特性を満足するポリマー材料は知られていない。
ポリアミドイミドは、耐熱性のほか耐アルカリ
性、耐摩耗性などが優れており、高分子電子材料
として注目されてはいるが、吸水率、誘電損失が
若干大きいという性質をもつている。 本発明者らは、ポリアミドイミド材料の吸水率
および誘電損失を低下すべく研究した結果、ポリ
アミドイミドに特定量のフツ素含有重合体を配合
してなる組成物は、優れた耐熱性を有し、しかも
吸水率および誘電損失が共に小さいことを見い出
し、本発明を完成するに至つた。 ポリアミドイミドに特定量のフツ素含有ポリマ
ーを配合してなる組成物は、驚くべき事に、吸水
率および誘電損失が共にポリアミドイミド単独に
比較して極めて小さい。これは単なる混合物では
なく、ポリアミドイミドとフツ素含有重合体との
間に相互作用が存在するためと考えられ、このこ
とは、ポリアミドイミドとフツ素含有重合体との
配合比から計算した吸水率および誘電損失よりも
実際の組成物の吸水率および誘電損失が極めて小
さいことから明らかである。 本発明の目的は、耐熱性、耐水性、電気特性に
優れた重合体組成物を提供するにある。さらに、
他の目的は、所望の導電性、抵抗性または絶縁性
を有し、高精度且つ高信頼性を示す電子部品材料
として有用な樹脂組成物を提供するにある。 本発明は、その一面において、 下記一般式で表わされる繰り返し単位 または (上記一般式において、A1は脂肪族、芳香族
または脂環式の4価の残基を表わし、A5,A7
脂肪族、芳香族または脂環式の3価の残基を表わ
し、A2,A3,A4,A6,A8は脂肪族、芳香族また
は脂環式の2価の残基を表わし、m1,m4,m5
m6,m7,m8は正の整数を表わし、m2,m3は0
又は正の整数を表わす。) を少くとも50モル%以上含有するポリアミドイミ
ド40〜66重量%と、 ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化
ビニリデン、ポリフツ化ビニル、およびフツ化ビ
ニリデンから導かれる単位を10モル%以上含有す
る共重合体の中から選ばれたフツ素含有重合体1
〜60重量%を含んでなる耐熱性樹脂組成物を提供
する。 本発明は、他の一面において、上記のような耐
熱性樹脂組成物100重量部に対し、金属、金属酸
化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ケイ化物、
ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素炭
化物、ホウ素、ホウ素窒化物および炭素からなる
群から選ばれた少なくとも1種の粒状体5〜4000
重量部を配合してなる耐熱性樹脂組成物を提供す
る。 本発明に用いられるポリアミドイミドは、実質
的に上記に定義したようなアミド基とイミド基か
らなる繰返し単位を少くとも50モル%含有する重
合体であれば良いが、これらのポリアミドイミド
の中でも、上記一般式において、A1
The present invention relates to a novel heat-resistant resin composition that has excellent water resistance and electrical properties, particularly low water absorption and low dielectric loss. In recent years, electronic components are particularly required to be highly integrated and highly reliable. Along with this, there has been a desire to develop polymeric electronic materials with excellent heat resistance, water resistance, and electrical properties, but this has not yet been achieved. Most of the synthetic resins known so far are
At temperatures above 250°C, it exceeds its softening point or approaches its decomposition point, making it thermally unstable.
Therefore, polymers with excellent heat resistance are used as materials for electronic components that are exposed to high temperatures during use. However, no polymer material is known that satisfies many electrical properties in addition to heat resistance.
Polyamide-imide has excellent heat resistance, alkali resistance, abrasion resistance, etc., and is attracting attention as a polymeric electronic material, but it also has slightly high water absorption and dielectric loss. As a result of research aimed at lowering the water absorption rate and dielectric loss of polyamide-imide materials, the present inventors found that a composition made by blending a specific amount of fluorine-containing polymer with polyamide-imide has excellent heat resistance. Furthermore, they have discovered that both water absorption and dielectric loss are small, leading to the completion of the present invention. Surprisingly, a composition formed by blending a specific amount of fluorine-containing polymer with polyamide-imide has extremely low water absorption and dielectric loss compared to polyamide-imide alone. This is thought to be due to an interaction between the polyamide-imide and the fluorine-containing polymer, rather than a simple mixture, and this is due to the water absorption rate calculated from the blending ratio of the polyamide-imide and the fluorine-containing polymer. This is clear from the fact that the water absorption rate and dielectric loss of the actual composition are much smaller than the dielectric loss. An object of the present invention is to provide a polymer composition with excellent heat resistance, water resistance, and electrical properties. moreover,
Another object of the present invention is to provide a resin composition useful as an electronic component material that has desired conductivity, resistance, or insulation properties and exhibits high precision and reliability. In one aspect, the present invention has a repeating unit represented by the following general formula: or (In the above general formula, A 1 represents an aliphatic, aromatic or alicyclic tetravalent residue, and A 5 and A 7 represent an aliphatic, aromatic or alicyclic trivalent residue. , A 2 , A 3 , A 4 , A 6 , A 8 represent aliphatic, aromatic or alicyclic divalent residues, m 1 , m 4 , m 5 ,
m 6 , m 7 , m 8 represent positive integers, m 2 and m 3 are 0
Or represents a positive integer. ) 40 to 66% by weight of a polyamideimide containing at least 50% by mole of Fluorine-containing polymer 1 selected from the combination
A heat-resistant resin composition comprising ˜60% by weight is provided. In another aspect of the present invention, a metal, a metal oxide, a metal nitride, a metal carbide, a metal silicide,
At least one granule selected from the group consisting of silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, boron, boron nitride, and carbon 5 to 4000
Provided is a heat-resistant resin composition in which parts by weight are blended. The polyamide-imide used in the present invention may be a polymer containing at least 50 mol% of repeating units consisting of an amide group and an imide group as defined above, but among these polyamide-imides, In the above general formula, A 1 is

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】または[expression] or

【式】 A2,A3,A4,A6,A8[Formula] A 2 , A 3 , A 4 , A 6 , A 8 are

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

または A5,A7 or A 5 , A 7 are

【式】 (ただし、式中のRは水素原子、ハロゲン原子
又は炭素数1〜4のアルキル基、Xは酸素原子、
硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボ
ニルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジ
メチルメチレン基などであり、同一分子中の複数
のRおよび複数のXはそれぞれたがいに同一であ
つても異なつていてもよい) で表わされる芳香族ポリアミドイミドが耐熱性の
点で好ましい。 さらに、下記繰り返し単位を50モル%以上含有
する有機極性溶媒に可溶な芳香族ポリアミドイミ
ドが、フツ素含有重合体との組成物の作成の容易
さおよび該組成物のいろいろな用途への適用性の
点で特に好ましい。 または 式中のArは、式
[Formula] (In the formula, R is a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is an oxygen atom,
A sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a methylene group, an ethylene group, a dimethylmethylene group, etc., and multiple R's and multiple X's in the same molecule may be the same or different. An aromatic polyamideimide represented by the following is preferable from the viewpoint of heat resistance. Furthermore, the aromatic polyamideimide, which is soluble in organic polar solvents and contains 50 mol% or more of the following repeating units, is easy to create compositions with fluorine-containing polymers and can be applied to various uses. It is particularly preferable in terms of properties. or Ar in the formula is

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】又は Ar′は、式[Formula] or Ar′ is the formula

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】又は Ar″は、式[Formula] or Ar″ is the expression

【式】【formula】

【式】【formula】

【式】又は Arは、式[Formula] or Ar is the formula

【式】【formula】

【式】又は (ただし、式中のRおよびXは前に定義したと
おりである)で表わされる二価の残基である。 ポリアミドイミドは上述のような繰返し単位の
みからなる重合体であつてもよいし、また、上述
のような繰返し単位を分子中に50モル%以上含有
し、残りの50モル%以下がエステル結合、エーテ
ル結合、スルホニル結合、カルボニル結合などを
ベースとする繰返し単位であるような重合体であ
つてもよい。 上記ポリアミドイミドの環元粘度は、0.1〜2.0
特に0.3〜1.5であることが好ましい。ここで還元
粘度は、重合体濃度0.5重量%のジメチルアセト
アミド溶液について30℃で測定した値を指す。還
元粘度が0.1未満の場合は実用特性が得難く、還
元粘度が2.0を越える場合は作業性が低下する。 本発明に用いられるフツ素含有重合体は、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化ビニリ
デン、ポリフツ化ビニル、およびフツ化ビニリデ
ンから導かれる単位を10モル%以上含有する共重
合体の中から選ばれる。フツ化ビニリデンから導
かれる単位を10モル%以上含有する共重合体とし
ては、フツ化ビニリデン10モル%以上と他のフツ
素含有モノエチレン系不飽和単量体(例えば、テ
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチ
レン、ペンタフルオロプロピレン、ヘキサフルオ
ロプロピレン、フツ化ビニル)および/または他
のモノエチレン系不飽和単量体(例えば、エチレ
ン、プロピレン、フツ素を含まない他のビニル単
量体やビニリデン単量体)90モル%以下とから導
かれる共重合体が用いられる。 好ましいフツ素含有重合体は、ポリフツ化ビニ
リデンおよびフツ化ビニリデンから導かれる単位
を10モル%含有する共重合体(例えば、フツ化ビ
ニリデンとペンタフルオロプロピレンまたはヘキ
サフルオロプロピレンとの共重合体)である。 上記のフツ素含有重合体の好ましい分子量は、
103〜107、特に104〜106である。 ポリアミドイミドと、フツ素含有重合体の配合
割合は、前者40〜99重量%に対し後者1〜60重量
%、好ましくは前者60〜95重量%に対し後者5〜
40重量%、特に前者70〜90重量%に対し後者10〜
30重量%である。フツ素含有重合体の配合量が1
重量%未満の場合は、ほとんど配合効果が表われ
ず、60重量%を越える場合は、耐熱性が悪くな
る。 なお、ポリアミドイミドとフツ素含有重合体と
からなる組成物に、その耐熱性および所望の電気
的特性を損わない限度内において、他の重合体、
例えばポリアミド、ポリエステル、ポリエーテ
ル、ポリイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂を
配合してもよい。 ポリアミドイミドとフツ素含有重合体とを含む
上記樹脂組成物に、金属、金属酸化物、金属窒化
物、金属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ素
酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ素、
ホウ素窒化物および炭素の中から選ばれた少なく
とも一種の粒状体を配合する事により、導電性、
抵抗性、絶縁性、誘電性などの電気特性を自由に
付与する事が可能である。 一般に、金属は電導性或いは抵抗性(すなわ
ち、制限された導電性)付与、金属酸化物は抵抗
性、絶縁性或いは誘電性付与、金属窒化物は抵抗
性付与、金属炭化物は抵抗性付与、金属ケイ化物
は抵抗性付与、ケイ素は抵抗性付与、ケイ素酸化
物は絶縁性或いは誘電性付与、ケイ素窒化物は絶
縁性或いは誘電性付与、ケイ素炭化物は絶縁性或
いは誘電性付与、ホウ素は抵抗性付与、ホウ素窒
化物は絶縁性或いは誘電性付与、また炭素は抵抗
性付与の目的で、それぞれ配合することができ
る。 本発明に使用される金属、金属酸化物、金属窒
化物、金属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ
素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ
素、ホウ素窒化物、炭素は、一般に微粒子であれ
ばよく、その形状は、球状、角形状、針状、フレ
ーク状等なんでもよい。その粒径としては、通常
20Åないし500μの範囲で選ばれる。具体例とし
ては、Au,Ag,Pd,Ru,Pt,Rh,Ir,Tl,
Mo,Zn,Mn,Mg,Cd,Cr,Nb,Ge,Zr,
Cu,Ni,Al,Sn,Pb,Bi,In,Fe,Co,Ti,
W,Ta,Hf,Zr,Y,Ba,Be,Si,C,B、
およびこれらの合金またはこれらの酸化物、窒化
物、炭化物、ケイ化物でもよく、さらにこれらの
混合物であつてもよい。 これらのなかで、導電性付与粒状体としては、
Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Ni,Al,Sn,Mo,
Mn,Co,W、これらの合金及びこれらの混合物
が好ましく、Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Ni,Al,
Sn、これらの合金およびこれらの混合物から選
ばれることがさらに好ましい。 抵抗性付与粒状体としては、SnO2―Ta2O5
MoO3―B,ZnO,CdO―ZnO,Ag―PdO,Ag
―PdO―Pd,NiO2―Ag,C―B―Ag,Ag―
PdO―Sb2O3,C―B,Cu2O―CuO,In2O3
In2O3―Sb2O3,Tl2O3,SnO2,SnO2―Sb2O3
IrO2,RhO,RuO2,TaN,TiN,TiN―Ti,
TaN―Ta,WC,WC―W,C,CoSi,ZrSi,
TaSi,MnSi,MoSi,NiSi,TiSi,Si,Bおよ
びこれらの混合物から選ばれるのが好ましい。 絶縁性または誘電性付与粒状体としては、
SiO,SiO2,Si3N4,SiC,Ta2O3,Al2O3
TiO2,HfO2,ZrO2,Y2O3,BaTiO3,BN,
BeO,CoO,PbO,B2O3,Bi2O3,BaOおよびこ
れらの混合物が好ましく、SiO,SiO2,Si3N4
SiC,Ta2O3,Al2O3,TiO2,BaTiO3,BN,
BeO,CoO,PbO,B2O3,Bi2O3,BaOおよびこ
れらの混合物から選ばれることがさらに好まし
い。 これらの粒状体の配合量は、前述のポリアミド
イミド/フツ素含有重合体を含む樹脂組成物100
重量部当り、5〜4000重量部、好ましくは100〜
2000重量部の範囲で選ばれる。配合量が5重量部
未満では、ほとんど配合効果が認められず、逆
に、4000重量部を越えるとフイルム形成が困難に
なる。 本発明の組成物を製造する方法としては、ポリ
アミドイミドが溶媒に溶解する場合は、ポリアミ
ドイミドの状態で溶媒に溶解し、ポリアミドイミ
ドが溶媒に溶解しない場合は、ポリアミド酸の状
態で溶媒に溶解し、フツ素含有重合体を上記ポリ
アミドイミド溶液又はポリアミド酸溶液に直接溶
解させるか又は分散させるか、或いはフツ素含有
重合体を他の溶媒に溶解して上記ポリアミドイミ
ド溶液又はポリアミド酸溶液に配合するかして、
その後溶媒を除去すればよい。ポリアミド酸の状
態で溶解した場合は、引続きポリアミドイミドへ
の転化が必要となり、またフツ素含有重合体はポ
リアミドイミドと同一の溶媒に溶解するのが好ま
しい。 ポリアミドイミドとフツ素含有重合体との相互
作用を形成させるためには、ポリアミドイミドま
たはポリアミド酸とフツ素含有重合体を配合した
後、100℃位に加熱するのが好ましく、溶媒を除
去する場合も、100℃位に加熱して除去するのが
好ましい。ポリアミドイミドが溶融する場合は、
溶融配合してポリアミドイミドとフツ素含有重合
体との組成物を得ることもでき、また、フツ素含
有重合体の存在下で、ポリアミドイミド又はポリ
アミド酸を重合させて、ポリアミド酸の場合はそ
の後ポリアミドイミドに転化させて、ポリアミド
イミドとフツ素含有重合体との組成物を得ること
も可能である。 ポリアミドイミド又はポリアミド酸を溶解する
溶媒としては、N,N―ジメチルホルムアミド、
N,N―ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、N―メチル―2―ピロリドン、ヘキサメ
チルホスホルアミド、フエノールなどがあり、フ
ツ素含有重合体を溶解する溶媒としては、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、
ジエチルカーボネート、γ―ブチロラクトン、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、N,N―ジメチ
ルホルムアミド、N,N―ジメチルアセトアミ
ド、N―メチル―2―ピロリドン、ヘキサメチル
ホスホルアミド、ジメチルスルホキシド、1,
1,3―トリフルオロペンタクロロプロパン、
2,5―ジクロロベンゾトリフルオライド、O―
クロロベンゾトリフルオライドなどがある。 粒状体含有組成物を製造する場合は、上記ポリ
アミドイミドとフツ素含有重合体との組成物を製
造する際に、粒状体をいつしよに配合し、均一に
分散することにより、上記ポリアミドイミドとフ
ツ素含有重合体との組成物を製造する方法と同様
に調製することができる。 本発明の組成物は、優れた耐熱性、耐水性、電
気特性を有しており、回路配線用の導体、抵抗
体、絶縁体、誘電体、保護材、接着剤、ボンデイ
ング用導電性接着剤、コンデンサー用誘電体、集
積回路、能動素子、受動素子、変換素子などのエ
レクトリカルエレメントのエンカプシユレーシヨ
ン剤として好適である。本発明組成物の使用によ
つて、高精度、高信頼性の導体回路基板、抵抗回
路基板、絶縁基板、回路用基板、多層回路基板、
ハイグリツド回路基板、実装回路基板、コンデン
サーおよびその他の集積回路、能動素子、受動素
子、変換素子などのエレクトリカルエレメントを
得ることができる。 本発明組成物はペースト形態での利用も可能で
ある。従来のペーストのベース重合体は耐熱性、
耐湿性が不充分であり、そのために得られるもの
の抵抗値の安定性が良くなかつた。本発明のポリ
アミドイミドとフツ素含有重合体からなる組成物
は、耐熱性および耐湿性が優れており、上記組成
物を用いたペーストから得られるものの抵抗値の
安定性は非常に良好である。本発明の組成物は、
上記以外にも広汎な応用用途を有するものであ
る。 次に、本発明をより具体的に説明するために、
実施例を述べるが、本発明はこれら実施例に限定
されるものではない。 実施例 1〜10 表1に示したポリアミドイミドまたはポリアミ
ド酸、フツ素含有重合体および溶媒を用いて、テ
フロンシート上で100℃で4時間、次いで250℃で
2時間熱処理して、200μ厚のフイルムを作成し
た。得られたフイルムの吸水率をJIS―K6911―
1962に準じて、20℃で24時間浸漬して測定し、ま
た、1MHzの誘電損失をASTM―D150―70に準
じて、銀電極を蒸着して形成し、20℃、60%RH
中でブリツジ法を用いて測定し、熱分解開始温度
を熱天秤を用いて昇温速度10℃/minの条件で測
定した。結果を表1に示したが、優れた耐熱性、
耐水性および電気特性を有していた。 比較例1および2 ポリアミドイミドおよびフツ素含有重合体をそ
れぞれ別個に用いて実施例1と同様に処理した。
結果は表1のとおりであつた。
[Formula] or (wherein R and X are as defined above). Polyamideimide may be a polymer consisting only of the above-mentioned repeating units, or it may contain 50 mol% or more of the above-mentioned repeating units in the molecule, with the remaining 50 mol% or less consisting of ester bonds, It may be a polymer having repeating units based on ether bonds, sulfonyl bonds, carbonyl bonds, etc. The ring base viscosity of the above polyamideimide is 0.1 to 2.0.
In particular, it is preferably 0.3 to 1.5. Here, the reduced viscosity refers to a value measured at 30°C for a dimethylacetamide solution with a polymer concentration of 0.5% by weight. When the reduced viscosity is less than 0.1, it is difficult to obtain practical properties, and when the reduced viscosity exceeds 2.0, workability decreases. The fluorine-containing polymer used in the present invention is selected from polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, and copolymers containing 10 mol% or more of units derived from vinylidene fluoride. Copolymers containing 10 mol% or more of units derived from vinylidene fluoride include 10 mol% or more of vinylidene fluoride and other fluorine-containing monoethylenically unsaturated monomers (e.g., tetrafluoroethylene, chlorotrifluoride). fluoroethylene, pentafluoropropylene, hexafluoropropylene, vinyl fluoride) and/or other monoethylenically unsaturated monomers (e.g. ethylene, propylene, other fluorine-free vinyl monomers and vinylidene monomers) A copolymer derived from 90 mol% or less of Preferred fluorine-containing polymers are polyvinylidene fluoride and copolymers containing 10 mol% of units derived from vinylidene fluoride (e.g., copolymers of vinylidene fluoride and pentafluoropropylene or hexafluoropropylene). . The preferred molecular weight of the above fluorine-containing polymer is:
10 3 to 10 7 , especially 10 4 to 10 6 . The blending ratio of polyamide-imide and fluorine-containing polymer is 40-99% by weight of the former and 1-60% by weight of the latter, preferably 5-95% by weight of the former and 5-95% by weight of the latter.
40% by weight, especially the former 70-90% by weight and the latter 10-90% by weight
It is 30% by weight. The amount of fluorine-containing polymer is 1
When the amount is less than 60% by weight, almost no effect is obtained, and when it exceeds 60% by weight, the heat resistance deteriorates. It should be noted that other polymers, such as
For example, polyamide, polyester, polyether, polyimide, polysulfone, and epoxy resin may be blended. The resin composition containing polyamide-imide and a fluorine-containing polymer may contain metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal silicide, silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, boron,
By blending at least one type of granular material selected from boron nitride and carbon, conductivity and
It is possible to freely impart electrical properties such as resistance, insulation, and dielectricity. In general, metals impart electrical conductivity or resistance (i.e., limited electrical conductivity); metal oxides impart resistance, insulation, or dielectric properties; metal nitrides impart resistance; metal carbides impart resistance; metals Silicide imparts resistance, silicon imparts resistance, silicon oxide imparts insulation or dielectricity, silicon nitride imparts insulation or dielectricity, silicon carbide imparts insulation or dielectricity, boron imparts resistance. , boron nitride can be blended for the purpose of imparting insulation or dielectric properties, and carbon can be blended for the purpose of imparting resistance. The metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal silicide, silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, boron, boron nitride, and carbon used in the present invention are generally fine particles. The shape may be any shape such as spherical, angular, needle-like, flake-like, etc. The particle size is usually
Selected in the range of 20 Å to 500 μ. Specific examples include Au, Ag, Pd, Ru, Pt, Rh, Ir, Tl,
Mo, Zn, Mn, Mg, Cd, Cr, Nb, Ge, Zr,
Cu, Ni, Al, Sn, Pb, Bi, In, Fe, Co, Ti,
W, Ta, Hf, Zr, Y, Ba, Be, Si, C, B,
It may also be an alloy thereof, or an oxide, nitride, carbide, or silicide thereof, or a mixture thereof. Among these, conductivity-imparting granules include:
Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, Al, Sn, Mo,
Mn, Co, W, alloys thereof and mixtures thereof are preferred; Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, Al,
More preferably, it is selected from Sn, alloys thereof and mixtures thereof. The resistance-imparting granules include SnO 2 --Ta 2 O 5 ,
MoO 3 -B, ZnO, CdO-ZnO, Ag-PdO, Ag
―PdO―Pd, NiO 2 ―Ag, C―B―Ag, Ag―
PdO―Sb 2 O 3 , C―B, Cu 2 O―CuO, In 2 O 3 ,
In 2 O 3 ―Sb 2 O 3 , Tl 2 O 3 , SnO 2 , SnO 2 ―Sb 2 O 3 ,
IrO 2 , RhO, RuO 2 , TaN, TiN, TiN-Ti,
TaN-Ta, WC, WC-W, C, CoSi, ZrSi,
Preferably, it is selected from TaSi, MnSi, MoSi, NiSi, TiSi, Si, B and mixtures thereof. As the insulating or dielectric property imparting granules,
SiO, SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC, Ta 2 O 3 , Al 2 O 3 ,
TiO 2 , HfO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , BaTiO 3 , BN,
BeO, CoO, PbO, B 2 O 3 , Bi 2 O 3 , BaO and mixtures thereof are preferred, and SiO, SiO 2 , Si 3 N 4 ,
SiC, Ta 2 O 3 , Al 2 O 3 , TiO 2 , BaTiO 3 , BN,
More preferably it is selected from BeO, CoO, PbO, B 2 O 3 , Bi 2 O 3 , BaO and mixtures thereof. The blending amount of these granules is as follows:
5 to 4000 parts by weight, preferably 100 to 4000 parts by weight
Selected in the range of 2000 parts by weight. If the amount is less than 5 parts by weight, almost no effect will be observed, and if it exceeds 4,000 parts by weight, it will be difficult to form a film. As a method for producing the composition of the present invention, when polyamide-imide is soluble in a solvent, it is dissolved in the solvent in the form of polyamide-imide, and when polyamide-imide is not dissolved in the solvent, it is dissolved in the solvent in the form of polyamide-imide. Then, the fluorine-containing polymer is directly dissolved or dispersed in the polyamide-imide solution or polyamide acid solution, or the fluorine-containing polymer is dissolved in another solvent and blended into the polyamide-imide solution or polyamide acid solution. Then,
The solvent may then be removed. When dissolved in the form of polyamide acid, it is necessary to subsequently convert it to polyamideimide, and it is preferable that the fluorine-containing polymer is dissolved in the same solvent as the polyamideimide. In order to form an interaction between the polyamide-imide and the fluorine-containing polymer, it is preferable to heat the mixture to about 100°C after blending the polyamide-imide or polyamide acid with the fluorine-containing polymer, and when removing the solvent. It is also preferable to remove it by heating it to about 100°C. When polyamide-imide melts,
It is also possible to obtain a composition of polyamide-imide and a fluorine-containing polymer by melt compounding, or by polymerizing polyamide-imide or polyamide acid in the presence of a fluorine-containing polymer, and then in the case of polyamide acid. It is also possible to obtain a composition of polyamide-imide and a fluorine-containing polymer by converting it into polyamide-imide. As a solvent for dissolving polyamideimide or polyamide acid, N,N-dimethylformamide,
N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphoramide, phenol, etc., and solvents for dissolving fluorine-containing polymers include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate,
Diethyl carbonate, γ-butyrolactone, tetrahydrofuran, dioxane, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphoramide, dimethylsulfoxide, 1,
1,3-trifluoropentachloropropane,
2,5-dichlorobenzotrifluoride, O-
Examples include chlorobenzotrifluoride. When producing a composition containing granules, when producing a composition of the above-mentioned polyamide-imide and a fluorine-containing polymer, the granules are blended at all times and uniformly dispersed. and a fluorine-containing polymer. The composition of the present invention has excellent heat resistance, water resistance, and electrical properties, and is used as a conductor for circuit wiring, a resistor, an insulator, a dielectric, a protective material, an adhesive, and a conductive adhesive for bonding. It is suitable as an encapsulation agent for electrical elements such as dielectrics for capacitors, integrated circuits, active devices, passive devices, and conversion devices. By using the composition of the present invention, highly accurate and highly reliable conductor circuit boards, resistance circuit boards, insulating boards, circuit boards, multilayer circuit boards,
Electrical elements such as high-grid circuit boards, mounted circuit boards, capacitors and other integrated circuits, active devices, passive devices, conversion devices, etc. can be obtained. The composition of the present invention can also be used in the form of a paste. The base polymer of conventional pastes is heat resistant,
The moisture resistance was insufficient, and therefore the stability of the resistance value of the product obtained was poor. The composition comprising polyamide-imide and a fluorine-containing polymer of the present invention has excellent heat resistance and moisture resistance, and the stability of the resistance value of the paste obtained from the above composition is very good. The composition of the present invention comprises:
It has a wide range of applications other than those mentioned above. Next, in order to explain the present invention more specifically,
Although examples will be described, the present invention is not limited to these examples. Examples 1 to 10 Polyamideimide or polyamic acid, a fluorine-containing polymer, and a solvent shown in Table 1 were heat-treated on a Teflon sheet at 100°C for 4 hours and then at 250°C for 2 hours to form a 200μ thick sheet. created a film. The water absorption rate of the obtained film was determined according to JIS-K6911-
The dielectric loss at 1MHz was measured by immersion at 20℃ for 24 hours in accordance with the 1962 standard, and the dielectric loss at 1MHz was measured by depositing silver electrodes in accordance with ASTM-D150-70.
The thermal decomposition initiation temperature was measured using a thermobalance at a heating rate of 10°C/min. The results are shown in Table 1, showing excellent heat resistance,
It had water resistance and electrical properties. Comparative Examples 1 and 2 The same procedure as in Example 1 was carried out using polyamide-imide and fluorine-containing polymer, respectively.
The results were as shown in Table 1.

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】 実施例 11〜23 実施例1〜10と同一のポリアミドイミドまたは
ポリアミド酸、フツ素含有重合体および溶媒をそ
れぞれ実施例1〜10と同一量用いて、表2に示し
た粒状体を加えてボールミルで均一に分散した
後、実施例1〜10と同様に処理して粒状体含有フ
イルム(膜厚200μ)を得た。吸水率を実施例1
〜10と同様に測定した結果を表2に示したが、優
れた耐水性を有していた。 また、粒状体を加えて得たペースト状物を、セ
ラミツク基板上に幅1mm、長さ2cmのラインを20
本スクリーン印刷(約50μ厚)した後、100℃で
1時間、次いで250℃で1時間熱処理した。得ら
れたラインの1本の抵抗値を表2に示したが、所
望の導電性、抵抗性、絶縁性と優れた電気特性の
付与が可能なことが判る。
[Table] Examples 11 to 23 The granules shown in Table 2 were prepared using the same amounts of polyamideimide or polyamic acid, fluorine-containing polymer, and solvent as in Examples 1 to 10, respectively. In addition, the mixture was uniformly dispersed using a ball mill, and then treated in the same manner as in Examples 1 to 10 to obtain a granule-containing film (thickness: 200 μm). Example 1 of water absorption rate
Table 2 shows the results of measurements made in the same manner as in samples 1 to 10, and it was found that the samples had excellent water resistance. In addition, 20 lines of 1 mm width and 2 cm length were drawn on the ceramic substrate using the paste obtained by adding the granules.
After main screen printing (approximately 50μ thick), heat treatment was performed at 100°C for 1 hour and then at 250°C for 1 hour. The resistance value of one of the obtained lines is shown in Table 2, and it can be seen that it is possible to provide desired conductivity, resistance, insulation, and excellent electrical properties.

【表】【table】

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 下記一般式で表わされる繰り返し単位 または (上記一般式において、A1は脂肪族、芳香族
または脂環式の4価の残基を表わし、A5,A7
脂肪族、芳香族または脂環式の3価の残基を表わ
し、A2,A3,A4,A6,A8は脂肪族、芳香族また
は脂環式の2価の残基を表わし、m1,m4,m5
m6,m7,m8は正の整数を表わし、m2,m3は0
又は正の整数を表わす。)を50モル%以上含有す
るポリアミドイミド40〜99重量%と、 ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化
ビニリデン、ポリフツ化ビニル、およびフツ化ビ
ニリデンから導かれる単位を10モル%以上含有す
る共重合体の中から選ばれたフツ素含有重合体1
〜60重量%を含んでなる耐熱性樹脂組成物。 2 一般式において、A1が【式】 【式】 【式】【式】 【式】または【式】 A2,A3,A4,A6,A8が【式】 【式】【式】 【式】【式】 【式】 【式】 【式】 【式】 【式】 【式】 または A5,A7が【式】 (ただし、式中のRは水素原子、ハロゲン原子
又は炭素数1〜4のアルキル基、Xは酸素原子、
硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボ
ニルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジ
メチルメチレン基などであり、同一分子中の複数
のRおよび複数のXはそれぞれたがいに同一であ
つても異なつていてもよい) である特許請求の範囲第1項記載の樹脂組成物。 3 ポリアミドイミドが下記一般式で表わされる
繰返し単位を50モル%以上含有する有機極性溶媒
可溶性の芳香族ポリアミドイミドである特許請求
の範囲第1項または第2項に記載の樹脂組成物。 または 〔上記各一般式において、 Arは【式】【式】 【式】 【式】または Ar′は【式】 【式】 【式】 【式】または Ar″は【式】 【式】 【式】または Arは【式】 【式】または (ただし、式中のRは水素原子、ハロゲン原子
又は炭素数1〜4のアルキル基、Xは酸素原子、
硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボ
ニルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジ
メチルメチレン基であり、同一分子中の複数のR
および複数のXはそれぞれたがいに同一であつて
も異なつていてもよい) で表わされる二価の残基である。〕 4 下記一般式で表わされる繰り返し単位 (上記一般式において、A1は脂肪族、芳香族
または脂環式の4価の残基を表わし、A5,A7
脂肪族、芳香族または脂環式の3価の残基を表わ
し、A2,A3,A4,A6,A8は脂肪族、芳香族また
は脂環式の2価の残基を表わし、m1,m4,m5
m6,m7,m8は正の整数を表わし、m2,m3は0
又は正の整数を表わす。) を少くとも50モル%以上含有するポリアミドイミ
ド40〜99重量%と、 ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化
ビニリデン、ポリフツ化ビニル、およびフツ化ビ
ニリデンから導かれる単位を10モル%以上含有す
る共重合体の中から選ばれたフツ素含有重合体1
〜60重量%を含んでなる樹脂組成物100重量部に
対し、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化
物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ素酸化物、ケイ
素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ素、ホウ素窒化物
および炭素からなる群から選ばれた少なくとも1
種の粒状体5〜4000重量部を配合してなる耐熱性
樹脂組成物。 5 粒状体がAu,Ag,Pd,Pt,Cu,Ni,Alお
よびSnならびにこれらの合金からなる群から選
ばれた少くとも1種である特許請求の範囲第4項
記載の樹脂組成物。 6 粒状体が、SnO2―Ta2O5(SnO2とTa2O5との
混合物を意味する。以下同様。)MoO3―B,
ZnO,CdO―ZnO,Ag―PdO,Ag―PdO―Pd,
NiO2―Ag,C―B―Ag,Ag―PdO―Sb2O3
C―B,Cu2O―CuO,In2O3,In2O3―Sb2O3
Tl2O3,SnO2,SnO2―Sb2O3,RuO2,TaN,
TiN,TiN―Ti,TaN―Ta,WC,WC―W,
C,CoSi,ZrSi,TaSi,MnSi,MoSi,NiSi,
TiSi,BおよびSiからなる群から選ばれた少な
くとも一種である特許請求の範囲第4項に記載の
樹脂組成物。 7 粒状体が、CoO,PbO,B2O3,Bi2O3
BaO,SiO,SiO2,Si3N4,SiC,Ta2O3
Al2O3,TiO2,BaTiO3,BNおよびBeOからな
る群から選ばれた少なくとも一種である特許請求
の範囲第4項記載の樹脂組成物。
[Claims] 1. Repeating unit represented by the following general formula or (In the above general formula, A 1 represents an aliphatic, aromatic or alicyclic tetravalent residue, and A 5 and A 7 represent an aliphatic, aromatic or alicyclic trivalent residue. , A 2 , A 3 , A 4 , A 6 , A 8 represent aliphatic, aromatic or alicyclic divalent residues, m 1 , m 4 , m 5 ,
m 6 , m 7 , m 8 represent positive integers, m 2 and m 3 are 0
Or represents a positive integer. ) and a copolymer containing 40 to 99% by weight of polyamideimide containing 50% or more of Fluorine-containing polymer 1 selected from among
A heat-resistant resin composition comprising ~60% by weight. 2 In the general formula, A 1 is [formula] [formula] [formula] [formula] [formula] or [formula] A 2 , A 3 , A 4 , A 6 , A 8 is [formula] [formula] [formula] ] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] or A 5 , A 7 are [formula] (wherein R is a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is an oxygen atom,
A sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, a carbonyloxy group, a methylene group, an ethylene group, a dimethylmethylene group, etc., and multiple R's and multiple X's in the same molecule may be the same or different. The resin composition according to claim 1, which is 3. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the polyamide-imide is an organic polar solvent-soluble aromatic polyamide-imide containing 50 mol% or more of repeating units represented by the following general formula. or [In each of the above general formulas, Ar is [Formula] [Formula] [Formula] [Formula] or Ar′ is [formula] [formula] [formula] [formula] or Ar″ is [formula] [formula] [formula] or Ar is [formula] [formula] or (However, R in the formula is a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is an oxygen atom,
A sulfur atom, sulfonyl group, carbonyl group, carbonyloxy group, methylene group, ethylene group or dimethylmethylene group, and multiple R in the same molecule
and the plurality of Xs may be the same or different. ] 4 Repeating unit represented by the following general formula (In the above general formula, A 1 represents an aliphatic, aromatic or alicyclic tetravalent residue, and A 5 and A 7 represent an aliphatic, aromatic or alicyclic trivalent residue. , A 2 , A 3 , A 4 , A 6 , A 8 represent aliphatic, aromatic or alicyclic divalent residues, m 1 , m 4 , m 5 ,
m 6 , m 7 , m 8 represent positive integers, m 2 and m 3 are 0
Or represents a positive integer. ) 40 to 99% by weight of polyamideimide containing at least 50% by mole of Fluorine-containing polymer 1 selected from the combination
Metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal silicide, silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide, boron, boron per 100 parts by weight of the resin composition comprising ~60% by weight. At least one selected from the group consisting of nitride and carbon
A heat-resistant resin composition containing 5 to 4,000 parts by weight of granular seeds. 5. The resin composition according to claim 4, wherein the granules are at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, Al, Sn, and alloys thereof. 6 The granules are SnO 2 - Ta 2 O 5 (means a mixture of SnO 2 and Ta 2 O 5. The same applies hereinafter) MoO 3 - B,
ZnO, CdO―ZnO, Ag―PdO, Ag―PdO―Pd,
NiO 2 -Ag, C-B-Ag, Ag-PdO-Sb 2 O 3 ,
C-B, Cu2O -CuO, In2O3 , In2O3 - Sb2O3 ,
Tl 2 O 3 , SnO 2 , SnO 2 -Sb 2 O 3 , RuO 2 , TaN,
TiN, TiN-Ti, TaN-Ta, WC, WC-W,
C, CoSi, ZrSi, TaSi, MnSi, MoSi, NiSi,
The resin composition according to claim 4, which is at least one member selected from the group consisting of TiSi, B, and Si. 7 The granules are CoO, PbO, B 2 O 3 , Bi 2 O 3 ,
BaO, SiO, SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC, Ta 2 O 3 ,
The resin composition according to claim 4, which is at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , TiO 2 , BaTiO 3 , BN and BeO.
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