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JPS6351276B2 - - Google Patents
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JPS6351276B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6351276B2
JPS6351276B2 JP55070271A JP7027180A JPS6351276B2 JP S6351276 B2 JPS6351276 B2 JP S6351276B2 JP 55070271 A JP55070271 A JP 55070271A JP 7027180 A JP7027180 A JP 7027180A JP S6351276 B2 JPS6351276 B2 JP S6351276B2
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JP
Japan
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input
circuit section
data
terminals
logic
Prior art date
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Application number
JP55070271A
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Japanese (ja)
Other versions
JPS56167344A (en
Inventor
Masaaki Yano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路チツプに関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to integrated circuit chips.

従来の集積回路チツプは、メモリ−アレイ回路
部が論理回路部により囲まれた構成を有してお
り、前記チツプの入出力端子から前記メモリ−ア
レイ回路部を直接アクセスすることができない。
Conventional integrated circuit chips have a structure in which a memory array circuit section is surrounded by a logic circuit section, and the memory array circuit section cannot be directly accessed from input/output terminals of the chip.

このような従来の集積回路チツプにおいては、
前記メモリ−アレイ回路部に適性な検査データお
よびアドレスを入力することが困難であり、メモ
リ−アレイ回路部の十分な検査を行なうことがで
きないという欠点がある。すなわち、前記メモリ
−アレイ回路部を前記論理回路部が取り囲んでい
るため、前記メモリ−アレイ回路部に任意のデー
タおよびアドレスを供給することができず、有効
な検査データの発生が極めて困難となる。
In such conventional integrated circuit chips,
It is difficult to input proper test data and addresses to the memory array circuit, and the memory array circuit cannot be sufficiently tested. That is, since the logic circuit section surrounds the memory array circuit section, arbitrary data and addresses cannot be supplied to the memory array circuit section, making it extremely difficult to generate valid test data. .

このような問題は、集積回路チツプの集積度向
上とともに増々顕著になつている。この問題を解
決する手段として、前記論理回路部をバイパスす
る構成が考えられているが、このような構成にお
いては、通常の前記論理回路部の他に、バイパス
したデータと前記論理回路部の出力とを切り換え
るための論理回路が必要となり、集積回路チツプ
のレイアウト設計上および性能上問題が生じると
いう欠点がある。
These problems are becoming more and more prominent as the degree of integration of integrated circuit chips increases. As a means to solve this problem, a configuration has been considered in which the logic circuit section is bypassed. In such a configuration, in addition to the normal logic circuit section, bypassed data and the output of the logic circuit section are This requires a logic circuit for switching between the two, which poses problems in terms of layout design and performance of the integrated circuit chip.

本発明の目的は上述の欠点を除去しメモリ−ア
レイ回路部の直接的検査が可能な集積回路チツプ
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned drawbacks and to provide an integrated circuit chip that allows direct testing of memory-array circuitry.

本発明の集積回路チツプは、論理回路部に供給
される電圧だけを変化させることができるよう電
源パターンを形成し、前記電圧を変化させること
により前記論理回路部の機能を変化させ前記メモ
リ−アレイ回路部を直接検査できるように構成さ
れている。
In the integrated circuit chip of the present invention, a power supply pattern is formed so that only the voltage supplied to the logic circuit section can be changed, and the function of the logic circuit section is changed by changing the voltage, and the function of the logic circuit section is changed. It is constructed so that the circuit section can be directly inspected.

次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
ある。集積回路チツプ11は、メモリ−アレイ回
路部12および論理回路部13を有している。メ
モリ−アレイ回路部12は、書込みデータ線14
およびアドレス線15ならびに読出しデータ線1
6を介して論理回路部13と接続されており、集
積回路チツプ11の入力端子17や出力端子18
には直接的には接続されていない。このため、集
積回路チツプ11の入力端子17および出力端子
18を使用してメモリアレイ回路部12を直接的
にアクセスすることができない。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. Integrated circuit chip 11 has a memory-array circuit section 12 and a logic circuit section 13. The memory array circuit section 12 has a write data line 14.
and address line 15 and read data line 1
6, and is connected to the logic circuit section 13 through the input terminal 17 and output terminal 18 of the integrated circuit chip 11.
is not directly connected to. Therefore, the memory array circuit section 12 cannot be directly accessed using the input terminal 17 and output terminal 18 of the integrated circuit chip 11.

メモリ−アレイ回路部12への直接的アクセス
を可能にするため、本実施例では、外部端子19
から電源パターン19′を介して論理回路部13
に与えられる電圧を変化させることにより、メモ
リーアレイ回路部12の入力とチツプの入力端子
17との間およびメモリ−アレイ回路部12の出
力とチツプの出力端子18との間に破線20で示
すような電気的径路を自動的に形成することがで
きる。なお、このとき、メモリ−アレイ回路部1
2に与えられる電圧が変化しないよう電源パター
ンが形成されている。
In order to enable direct access to the memory array circuit section 12, in this embodiment, the external terminal 19 is
from the logic circuit section 13 via the power supply pattern 19'.
By changing the voltage applied to the chip, a voltage is created between the input of the memory array circuit 12 and the input terminal 17 of the chip, and between the output of the memory array circuit 12 and the output terminal 18 of the chip, as shown by the dashed line 20. electrical paths can be automatically created. Note that at this time, the memory array circuit section 1
A power supply pattern is formed so that the voltage applied to 2 does not change.

論理回路部13を電流切換形回路で構成した例
を第2図に示す。図において、参照数字21はメ
モリ−アレイ回路部であり、書込みデータが4ビ
ツト、読出しデータが4ビツトおよびアドレスが
2ビツトの4×4のメモリ−アレイ回路の例を示
している。
FIG. 2 shows an example in which the logic circuit section 13 is constructed of a current switching type circuit. In the figure, reference numeral 21 is a memory array circuit section, and shows an example of a 4.times.4 memory array circuit in which write data is 4 bits, read data is 4 bits, and address is 2 bits.

第2図で使用されているNAND回路22およ
びAND回路23は、第3図aに示すように、ト
ランジスタ31,32,35および37、抵抗3
4および定電流源36から構成されている(第3
図aには3入力の場合を示している)。負値論理
すなわち電圧の低レベル(例えば−0.5V)を論
理“1”、電圧の高レベル(例えばGNDレベル)
を論理“0”に対応させるとすると、第3図aに
示す回路は、3つの入力をそれぞれA,Bおよび
Cとし、その出力をZおよびとしたとき、Z=
A・B・C、=・・で表わされる動作を
する。トランジスタ37のベースには第1の基準
電位VR1(例えば−0.25V)、トランジスタ32
のベースには第2の基準電位VR2(例えば−
1.1V)がそれぞれ供給されているが、メモリ−
アレイ回路部の検査時において、トランジスタ3
1のベースに供給されている高電圧(入力Bまた
はCが論理0のとき供給される)よりも高い電圧
(例えば、−0.75V)をトランジスタ32のベース
に供給すると、トランジスタ32が常時オン状態
となり、出力はZ=A、=で表わされる動作
のみを行なう。
As shown in FIG. 3a, the NAND circuit 22 and AND circuit 23 used in FIG.
4 and a constant current source 36 (third
Figure a shows the case of 3 inputs). Negative value logic, low voltage level (e.g. -0.5V) is logic "1", high voltage level (e.g. GND level)
Assuming that corresponds to logic "0", the circuit shown in FIG.
It performs the actions represented by A, B, C, =... The base of the transistor 37 has a first reference potential VR1 (for example, -0.25V), and the base of the transistor 32
A second reference potential VR2 (for example -
1.1V), but the memory
When inspecting the array circuit section, transistor 3
Supplying a voltage (e.g., -0.75V) to the base of transistor 32 that is higher than the high voltage (supplied when input B or C is a logic 0) supplied to the base of transistor 32 causes transistor 32 to be in a normally on state. Therefore, the output performs only the operation represented by Z=A,=.

第2図の排他論理和回路24は、第3図bに示
すように、トランジスタ33,35および38、
抵抗34および定電流源36から構成されてい
る。2つの入力信号AおよびBと、出力Zおよび
Zとの間には、Z=ABおよび==な
る関係がある。メモリ−アレイ回路部の検査時に
おいて、トランジスタ33のベースに与えられる
第2の基準電位VR2を第3図aの場合と同様に
高電位にすると、トランジスタ33が常時オン状
態となる。この結果、出力Zおよびはそれぞれ
Z=Aおよび=Aとなり、出力は入力Aの状態
によつてのみ決定される。
The exclusive OR circuit 24 of FIG. 2 includes transistors 33, 35 and 38, as shown in FIG. 3b.
It is composed of a resistor 34 and a constant current source 36. The relationship Z=AB and == exists between the two input signals A and B and the outputs Z and Z. When inspecting the memory array circuit section, if the second reference potential VR2 applied to the base of the transistor 33 is set to a high potential as in the case of FIG. 3a, the transistor 33 is always on. This results in outputs Z and Z=A and =A, respectively, with the output being determined only by the state of input A.

同様に、第2図のデータ選択回路25は、第3
図cに示すように、トランジスタ35,39およ
び40、抵抗34および定電流源36から構成さ
れている。入力A,BおよびSと出力Zおよび
との間には、Z=SA+Bおよび=+
なる関係がある。メモリ−アレイ回路部の検査時
においては、トランジスタ39のベースに与えら
れる第2の基準電位VR2を高電位にすることに
より、出力ZおよびはそれぞれZ=Aおよび
=となり、単純な動作を行なうようになる。
Similarly, the data selection circuit 25 in FIG.
As shown in FIG. c, it is composed of transistors 35, 39 and 40, a resistor 34, and a constant current source 36. Between inputs A, B and S and outputs Z and Z=SA+B and =+
There is a relationship. When inspecting the memory array circuit section, by setting the second reference potential VR2 applied to the base of the transistor 39 to a high potential, the outputs Z and Z become Z=A and =, respectively, so that simple operation can be performed. become.

したがつて、第3図a、第3図bおよび第3図
cに示す素子から成る第2図の論理回路部は、メ
モリ−アレイ回路部の検査時には、各素子が複数
の入力のうちの一つの入力状態を出力に伝播する
ような単純な素子に変化する。(なお、第2図に
おいては、各素子に供給されている第一の基準電
位および第二の基準電位等の電源供給線は図示し
ていない) この機能により、第2図に示す論理回路部に
は、破線で示すような単純な電気的径路が形成さ
れる。この結果、入力端子26,27および28
からメモリ−アレイ回路部21にそれぞれ書込み
データ、アドレスおよび書き込みタイミングを供
給することにより、出力端子29を介してメモリ
−アレイ回路部21の出力データを観測すること
ができる。したがつて、これらの入出力端子から
メモリ−アレイ回路部を直接検査できるようにな
る。
Therefore, the logic circuit section of FIG. 2 consisting of the elements shown in FIG. 3a, FIG. 3b, and FIG. It turns into a simple element that propagates a single input state to its output. (In addition, in FIG. 2, power supply lines such as the first reference potential and the second reference potential that are supplied to each element are not shown.) With this function, the logic circuit section shown in FIG. A simple electrical path is formed as shown by the dashed line. As a result, input terminals 26, 27 and 28
By supplying write data, an address, and a write timing to the memory array circuit section 21 from the memory array circuit section 21, the output data of the memory array circuit section 21 can be observed via the output terminal 29. Therefore, the memory array circuit section can be directly tested from these input/output terminals.

以上、本発明には、論理回路部に供給される電
圧だけを変化させることができるよう電源パター
ンを形成することにより、メモリ−アレイ回路部
を直接的に検査できるという効果がある。
As described above, the present invention has the advantage that the memory array circuit section can be directly tested by forming a power supply pattern so that only the voltage supplied to the logic circuit section can be changed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図はそれぞれ本発明の一実施
例を示すブロツク図および回路図ならびに第3図
a、第3図bおよび第3図cは実施例を説明する
ための図である。 図において、11……集積回路チツプ、12,
21……メモリ−アレイ回路部、13……論理回
路部、14……データ入力線、15……アドレス
入力線、16……データ出力線、17,26,2
7,28……入力端子、18,29……出力端
子、19……電圧入力端子、22……NAND回
路、23……AND回路、24……排他論理和回
路、25……データ選択回路、31,32,3
3,35,37,38,39,40……トランジ
スタ、34……抵抗、36……定電流源、VR1
……第1の基準電位、VR2……第2の基準電
位、A,B,C,S……入力、Z,……出力。
1 and 2 are block diagrams and circuit diagrams respectively showing one embodiment of the present invention, and FIGS. 3a, 3b and 3c are diagrams for explaining the embodiment. In the figure, 11... integrated circuit chip, 12,
21... Memory array circuit section, 13... Logic circuit section, 14... Data input line, 15... Address input line, 16... Data output line, 17, 26, 2
7, 28... Input terminal, 18, 29... Output terminal, 19... Voltage input terminal, 22... NAND circuit, 23... AND circuit, 24... Exclusive OR circuit, 25... Data selection circuit, 31, 32, 3
3, 35, 37, 38, 39, 40...transistor, 34...resistor, 36...constant current source, VR1
...First reference potential, VR2...Second reference potential, A, B, C, S...Input, Z,...Output.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数のアドレス入力端子、データ入力端子お
よびデータ出力端子を有するメモリ回路部と、 複数の外部端子と、 それぞれ複数の入力端子を有し第1の電源電圧
供給時には該複数の入力端子に与えられる全ての
入力信号に基づく所定の論理演算結果を出力する
とともに第2の電源電圧供給時には該複数の入力
端子のうちの所定の一つに与えられる入力信号を
直接またはその論理レベルを反転して出力する複
数の論理素子が組合せ接続され、前記複数の外部
端子、アドレス入力端子、データ入力端子および
データ出力端子と所定の前記論理素子が接続され
た論理回路部とを含み、 検査時に前記論理回路部に前記第2の電源電圧
を供給することにより前記外部端子からのアドレ
ス信号および入力データ信号を前記アドレス入力
端子および前記データ入力端子に直接伝達すると
ともに前記データ出力端子からの出力データ信号
を前記外部端子に直接伝達する信号経路を前記論
理回路部内の前記論理素子により形成することを
特徴とする集積回路チツプ。
[Scope of Claims] 1. A memory circuit section having a plurality of address input terminals, a data input terminal, and a data output terminal; a plurality of external terminals; each having a plurality of input terminals; It outputs a predetermined logic operation result based on all the input signals given to the input terminals of the input terminal, and when the second power supply voltage is supplied, the input signal given to a predetermined one of the plurality of input terminals is directly or logically outputted. A logic circuit section in which a plurality of logic elements that output inverted levels are connected in combination, and a logic circuit section to which a predetermined logic element is connected to the plurality of external terminals, address input terminals, data input terminals, and data output terminals; By supplying the second power supply voltage to the logic circuit section during inspection, the address signal and input data signal from the external terminal are directly transmitted to the address input terminal and the data input terminal, and the input data signal is directly transmitted from the data output terminal. An integrated circuit chip characterized in that a signal path for directly transmitting an output data signal to the external terminal is formed by the logic element in the logic circuit section.
JP7027180A 1980-05-27 1980-05-27 Integrated circuit chip Granted JPS56167344A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7704005A (en) * 1977-04-13 1977-06-30 Philips Nv INTEGRATED CIRCUIT.
JPS5415650A (en) * 1977-06-21 1979-02-05 Handotai Kenkyu Shinkokai Semiconductor ic

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