JPS6351499B2 - - Google Patents
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- JPS6351499B2 JPS6351499B2 JP4334581A JP4334581A JPS6351499B2 JP S6351499 B2 JPS6351499 B2 JP S6351499B2 JP 4334581 A JP4334581 A JP 4334581A JP 4334581 A JP4334581 A JP 4334581A JP S6351499 B2 JPS6351499 B2 JP S6351499B2
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザフラツシユ法による固体の熱
定数を測定する熱定数測定装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a thermal constant measuring device for measuring the thermal constant of a solid by a laser flash method.
レーザフラツシユ法によれば、円盤状の試料片
を前面からレーザフラツシユで瞬間的に照射加熱
し、裏面の温度変化を熱電対や、赤外線温度検出
器により検出し、その温度変化を測定して、その
試料の熱拡散率(α)、比熱(Cp)、を求めるこ
とができる。第1図は瞬間照射後のある物質の温
度変化ΔTを示したグラフである。熱拡散率αは
ΔTが図に示す最大値ΔTmの1/2に達するまでの
瞬間t(1/2)を知ることにより次式により与えら
れる。 According to the laser flash method, a disk-shaped specimen is instantaneously irradiated and heated from the front side with a laser flash, and the temperature change on the back side is detected by a thermocouple or an infrared temperature detector, and the temperature change is measured. Then, the thermal diffusivity (α) and specific heat (Cp) of the sample can be determined. FIG. 1 is a graph showing the temperature change ΔT of a certain substance after instantaneous irradiation. The thermal diffusivity α is given by the following equation by knowing the instant t(1/2) until ΔT reaches 1/2 of the maximum value ΔTm shown in the figure.
α=1.37L2/π2・t(1/2) ……(1)
ただし、
L;試料の厚さ
また比熱(Cp)は前記グラフまたは測定値か
ら演算して求められるΔTm0を用いて次式で与え
られる。 α=1.37L 2 /π 2・t(1/2) ...(1) However, L: Thickness of the sample Also, specific heat (Cp) is calculated using ΔTm 0 calculated from the above graph or measured value. It is given by the following formula.
Cp=ΔQ/M・ΔTmo ……(2)
ただし、
M:試料の質量
ΔQ;試料が照射されて受取つた熱エネルギー
前述したように(α)はΔTmに対するまでの
温度変化を知ることによりt(1/2)を求められれ
ば、(1)式より得られる。 Cp = ΔQ/M・ΔTmo ...(2) where, M: Mass of the sample ΔQ; Thermal energy received by the irradiation of the sample As mentioned above, (α) can be calculated by knowing the temperature change with respect to ΔTm. 1/2) can be obtained from equation (1).
(Cp)を求めるのに必要なΔTmoは実測でき
ないので、tm以後の試料温度の変化から推定す
る方法が用いられている。 Since ΔTmo, which is necessary to determine (Cp), cannot be measured, a method is used that estimates it from the change in sample temperature after tm.
前述した熱定数を同一の装置でデイジタル処理
技術を用いて実現しようとすると次のような問題
が生じる。 Attempting to achieve the above-mentioned thermal constant using digital processing technology in the same device causes the following problems.
tmまでの時間はきわめて短時間であるが、試
料によつて変わる。その間は短かい時間間隔で温
度変化をサンプリングして記憶しなければならな
い。ΔTmoを求めるためにtm以後の相当長い時
間の温度変化をデータとして求める必要がある。
これ等のデータを同一サンプリング間隔で求める
と、大容量メモリが必要となり装置の実現が困難
となる。 The time to tm is extremely short, but it varies depending on the sample. During that time, temperature changes must be sampled and stored at short time intervals. In order to obtain ΔTmo, it is necessary to obtain data on temperature changes over a considerable period of time after tm.
If such data are obtained at the same sampling interval, a large capacity memory will be required, making it difficult to implement the apparatus.
本発明の主たる目的は、サンプリング間隔を測
定の目的に応じて変えることにより、両方の定数
を同一の装置で同時に測定できる熱定数測定装置
を提供することにある。 The main object of the present invention is to provide a thermal constant measuring device that can measure both constants simultaneously with the same device by changing the sampling interval depending on the purpose of measurement.
前記目的を達成するための、本発明による第1
の構成は、同一のメモリを当初高いサンプリング
周波数で、次いで低い周波数で記憶させることに
より試料温度変化(ΔT)の必要なデータを同一
のメモリで合理的に記憶し、これらと別に得られ
たレーザエネルギーΔQのデータとから、各種熱
定数を得ようとしたものである。 A first aspect of the present invention to achieve the above object.
The configuration of the is to rationally store the necessary data of the sample temperature change (ΔT) in the same memory by first storing it at a high sampling frequency and then at a low frequency, and then using the laser data obtained separately from these data. This is an attempt to obtain various thermal constants from the energy ΔQ data.
第2の構成は、各別に用意したメモリのサンプ
リング周波数を変えて、一方はt(1/2)を得るデ
ータ、他方はΔTmoを得るデータを得て前記同
様別に得られたΔQのデータとから同様に熱定数
を得るように構成したものである。 The second configuration is to change the sampling frequency of the separately prepared memories, one to obtain data to obtain t(1/2), and the other to obtain data to obtain ΔTmo, and use the data for ΔQ obtained separately in the same way as above. Similarly, it is configured to obtain a thermal constant.
第3の構成は、各別に用意したメモリの一方を
ΔQのデータと、ΔTmoを得るデータを得て、他
方はt(1/2)のデータを得るようにスイツチ制御
とサンプリング周波数の制御を行ない、熱定数お
よび、レーザ光パルス幅の補正を可能にしたもの
である。 The third configuration is to control the switch and sampling frequency so that one of the separately prepared memories obtains data for ΔQ and data for obtaining ΔTmo, and the other obtains data for t(1/2). , the thermal constant and the laser beam pulse width can be corrected.
以下図面等を参照して、本発明による熱定数測
定装置をさらに詳しく説明する。 The thermal constant measuring device according to the present invention will be explained in more detail below with reference to the drawings and the like.
第2図は本発明による装置の第1の構成の実施
例を示すブロツク図、第3図はサンプリングの状
態を略図的に示したグラフである。 FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the first configuration of the apparatus according to the invention, and FIG. 3 is a graph schematically showing the sampling state.
レーザ光源1を形成するルビーレーザ発振器の
出力は分割器を介して試料室3内の試料4を1m
s位の光パルスで照射する。 The output of the ruby laser oscillator forming the laser light source 1 is transmitted to the sample 4 in the sample chamber 3 by 1 m via a divider.
Irradiate with a light pulse of s position.
この光パルスの一部は、ハーフミラー等の分割
器2により一部分割され、光センサ8に供給され
る。 A portion of this optical pulse is divided by a splitter 2 such as a half mirror and supplied to the optical sensor 8.
試料室3は温度調節器6により定時一定温度に
保たれている。試料4の裏面にはプラチナ白金ロ
ジウムの熱電対5が接触させられている。またこ
の裏面の温度はインジユウムアンチモンの赤外線
検出器7により無接触で測定される。これらの検
出器5,7は一方の更正のために、あるいは選択
的に用いられる。それぞれの出力は前置増幅器
9,10によつて増幅され、スイツチ20を介し
て増幅器18に選択的に接続される。前記分割器
2で分割された一部のレーザ光は、シリコンダイ
オード検出器よりなる光センサ8により光電変換
される。この光センサ8の出力は増幅器11によ
り増幅されて、積分器13および立上り検出器1
2に接続される。積分器13は前述した(2)式に示
すΔQを求めるための回路である。 The sample chamber 3 is maintained at a constant temperature at fixed times by a temperature controller 6. A platinum-platinum-rhodium thermocouple 5 is brought into contact with the back surface of the sample 4. Further, the temperature of this back surface is measured without contact by an indium antimony infrared detector 7. These detectors 5, 7 are used for one-sided correction or selectively. The respective outputs are amplified by preamplifiers 9 and 10 and selectively connected to amplifier 18 via switch 20. A portion of the laser light split by the splitter 2 is photoelectrically converted by an optical sensor 8 made of a silicon diode detector. The output of this optical sensor 8 is amplified by an amplifier 11, and an integrator 13 and a rise detector 1
Connected to 2. The integrator 13 is a circuit for determining ΔQ shown in the above-mentioned equation (2).
検出器12によりレーザの発光が検出される
と、設定器35であらかじめ設定された時間だ
け、高周波サンプリングの出力を送出し、その時
間経過後低周波サンプリングの出力を送出する。 When the detector 12 detects laser emission, the output of high frequency sampling is sent out for a time preset by the setting device 35, and after the elapse of that time, the output of low frequency sampling is sent out.
前記設定期間は第1図に示したtnをわずかに越
えるようあらかじめ設定した期間であり、試料4
の形状材質等を配慮して大旨0.05〜5sの間に設定
する。 The set period is a period preset to slightly exceed t n shown in Figure 1, and sample 4
Generally set between 0.05 and 5s, taking into consideration the shape and material of the.
前記増幅器18の出力に接続されているメモリ
15は、前記あらかじめ設定されたサンプリング
間隔でサンプリングし、A/D変換されたサンプ
リングデータを記憶する。前記期間を経過する
と、25msでサンプリングし、同様にA/D変換
したデータを記憶する。演算回路16は、前記当
初のサンプリング間隔でサンプリングしたデータ
に基づいて、前記t(1/2)を算出し入力されたL
から式(1)に示したアルゴリズムで熱拡散率(α)
を算出する。また25msのサンプリングデータに
より外挿によりΔTmoを算出し、積分器13か
らのΔQに関するデータ、入力されたMから式(2)
に示すアルゴリズムで比熱(Cp)を算出する。
この演算結果は、出力手段17、ブラウンカンデ
イスプレー、またはプリンタなどで表示または出
力される。 A memory 15 connected to the output of the amplifier 18 stores sampled data which is sampled at the preset sampling interval and A/D converted. After the above period has elapsed, data is sampled at 25 ms and similarly A/D converted and stored. The arithmetic circuit 16 calculates the t(1/2) based on the data sampled at the initial sampling interval, and calculates the input L.
Thermal diffusivity (α) is calculated using the algorithm shown in equation (1).
Calculate. In addition, ΔTmo is calculated by extrapolation using the 25 ms sampling data, and from the data regarding ΔQ from the integrator 13 and the input M, formula (2) is used.
Calculate specific heat (Cp) using the algorithm shown below.
This calculation result is displayed or outputted by the output means 17, a Braun Kandy display, a printer, or the like.
第3図はサンプリングの状態を示すグラフであ
る。サンプリングの比率は表現上小さくしてあ
る。 FIG. 3 is a graph showing the sampling state. The sampling ratio is kept small for presentation purposes.
第4図は、本発明による装置の第2の構成実施
例を示すブロツク図である。第1の実施例に関連
して説明した部分と共通する部分には同一の符号
を付してあり、レーザ光源1、分割器2、試料室
3、光センサ8、温度センサ5,7、積分器1
3、等々の構成は共通である。 FIG. 4 is a block diagram showing a second embodiment of the apparatus according to the invention. The same parts as those described in connection with the first embodiment are given the same reference numerals, and include a laser light source 1, a splitter 2, a sample chamber 3, an optical sensor 8, temperature sensors 5 and 7, and an integrator. Vessel 1
3, etc. are common.
この実施例では、前記温度センサの出力を高い
周波数(25msのパルス間隔)でサンプリングし
て記憶する第1のメモリ21と、低い周波数(25
msのパルス間隔)でサンプリングして記憶する
第2のメモリ22とが設けられている。 In this embodiment, the first memory 21 samples and stores the output of the temperature sensor at a high frequency (25 ms pulse interval), and the first memory 21 samples and stores the output of the temperature sensor at a low frequency (25 ms pulse interval).
A second memory 22 for sampling and storing data at a pulse interval of ms is provided.
レーザ1が起動されると試料4の表面が照射さ
れるとともに、分割された一部の光は積分器13
より前述したΔQの積分が開始される。 When the laser 1 is activated, the surface of the sample 4 is irradiated, and a portion of the divided light is sent to the integrator 13.
The above-mentioned integration of ΔQ is then started.
一方、立上り検出器12により立上りが検出さ
れると制御回路25が前記第1および第2のメモ
リを起動する。なお設定器27はサンプリング間
隔やレーザ発射前の予備記憶量の設定などに用い
られる。この実施例において、立上り検出器1
2、制御回路25、設定器27は起動回路を形成
しており、レーザ光の立上りを検出してから各メ
モリを動作させる。第1のメモリ21は起動時点
から前記設定のサンプリング間隔でメモリ容量の
許すかぎりサンプリングを続け記憶する。この容
量は、少なくとも第1図に示したtmの時点まで
のデータを記憶できるだけの大きさである。 On the other hand, when a rising edge is detected by the rising edge detector 12, the control circuit 25 activates the first and second memories. Note that the setting device 27 is used to set the sampling interval, the amount of preliminary memory before laser emission, and the like. In this embodiment, the rising edge detector 1
2. The control circuit 25 and the setting device 27 form a starting circuit, which operates each memory after detecting the rise of the laser beam. The first memory 21 continues sampling and stores data at the set sampling interval from the time of startup as long as the memory capacity allows. This capacity is large enough to store at least data up to the time tm shown in FIG.
第2のメモリ22は、低い周波数でサンプリン
グを行なう。第5図Aに第1のメモリ21のサン
プリングの状態を同図Bに第2のメモリ22のサ
ンプリングの状態を略図的に示してある。 The second memory 22 performs sampling at a lower frequency. FIG. 5A schematically shows the sampling state of the first memory 21, and FIG. 5B schematically shows the sampling state of the second memory 22.
このようにして記憶されたデータは、演算回路
29により、第1のメモリ21の内容から熱拡散
定数(α)を、第2のメモリ22と積分器13の
出力から比熱(Cp)を演算する。この演算結果
は、前述したように出力装置17により出力され
る。 The data stored in this manner is used by the arithmetic circuit 29 to calculate the thermal diffusion constant (α) from the contents of the first memory 21 and the specific heat (Cp) from the outputs of the second memory 22 and the integrator 13. . This calculation result is outputted by the output device 17 as described above.
第6図は、第3の構成の実施例を示すブロツク
図である。この実施例においても先に第2図およ
び第4図で説明した部分と共通する部分には同一
の符号を付してある。 FIG. 6 is a block diagram showing an embodiment of the third configuration. In this embodiment as well, the same reference numerals are given to the parts common to those previously explained in FIGS. 2 and 4.
この実施例では第2図、第4図に示した積分器
を用いることなく、第1のメモリ23の若い番地
の領域にレーザ出力のサンプリングデータを取り
込むように構成してある。そのため第1のメモリ
23には、当初光センサ8からの出力を取り込
み、ついで温度センサ5または7からの出力を取
り込むための切換スイツチ39を設け、このスイ
ツチ動作を制御回路26により制御させるように
構成してある。設定器28は、サンプリング周波
数の指定、前記切換時期などを入力する設定器で
ある。 This embodiment does not use the integrator shown in FIGS. 2 and 4, but is configured so that the sampling data of the laser output is taken into an area of a small address in the first memory 23. Therefore, the first memory 23 is provided with a changeover switch 39 for initially taking in the output from the optical sensor 8 and then taking in the output from the temperature sensor 5 or 7, and the operation of this switch is controlled by the control circuit 26. It is configured. The setting device 28 is a setting device for inputting the designation of the sampling frequency, the switching timing, and the like.
第7図Aに前記第1のメモリ23、同図Bに前
記第2のメモリ24に記憶されるデータのサンプ
リング位置を略図示してある。理解を容易にする
ために同図Aにおいて最初に現われるレーザパル
スの幅を大きめにし、高低サンプリング周波数の
比を圧縮して示してある。 FIG. 7A schematically shows sampling positions of data stored in the first memory 23, and FIG. 7B shows sampling positions of data stored in the second memory 24. In order to facilitate understanding, the width of the laser pulse that first appears in FIG.
第7図に示すようにレーザ光の立上りが、第6
図に示す立上り検出器12によつて検出されると
制御回路26は第1および第2のメモリ23,2
4を同時に高いサンプリング周波数で起動する。 As shown in Fig. 7, the rise of the laser beam is at the sixth
When detected by the rising edge detector 12 shown in the figure, the control circuit 26 controls the first and second memories 23, 2.
4 at the same time with a high sampling frequency.
なお、切換スイツチ39は当初増幅器11側す
なわち光センサ8の出力を受ける側に接続されて
いるので、レーザ光のデータがサンプリングされ
て記憶される。第2のメモリ24は試料の温度変
化を同様に高速でサンプリングして記憶する。切
換スイツチ39はレーザ光が消滅した時点以後
(Tc)第6図の位置に切換えられ、以後低いサン
プリング周波数に切換えられて温度変化データを
記憶する。 Note that since the changeover switch 39 is initially connected to the amplifier 11 side, that is, to the side receiving the output of the optical sensor 8, the laser beam data is sampled and stored. The second memory 24 similarly samples and stores the temperature change of the sample at high speed. The changeover switch 39 is switched to the position shown in FIG. 6 after the laser beam disappears (Tc), and thereafter switched to a lower sampling frequency to store temperature change data.
このようにして記憶が行なわれると、第1のメ
モリ23にはΔQに関するデータと、ΔTmoを算
出するのに必要なデータが記憶され、第2のメモ
リにはt(1/2)を算出するのに必要なデータが記
憶される。演算回路30はこれらに基づいて前述
したように(α)と(Cp)を演算し、出力装置
17はこの演算結果を出力する。 When storage is performed in this way, the first memory 23 stores data regarding ΔQ and the data necessary to calculate ΔTmo, and the second memory stores data related to ΔQ and data necessary to calculate ΔTmo. The necessary data is stored. Based on these, the arithmetic circuit 30 calculates (α) and (Cp) as described above, and the output device 17 outputs the result of this calculation.
一般的にいつてレーザフラツシユ法はレーザパ
ルスの持続時間τがt(1/2)に比較して充分に小
である場合に前記式(1)が成立するのであるが、τ
が無視できなくなると若干の補正を行なう必要が
あり、そのような場合についての補正について提
案が行なわれている。この第3の実施例の場合は
レーザパルス波形のデータを記憶しているから
(α)の演算のさいに、その補正を行なうことが
できる。 Generally speaking, in the laser flash method, the above formula (1) holds when the duration τ of the laser pulse is sufficiently small compared to t(1/2).
When this cannot be ignored, it is necessary to make some corrections, and proposals have been made for corrections in such cases. In the case of this third embodiment, since the data of the laser pulse waveform is stored, it can be corrected when calculating (α).
以上詳しく説明したように、本発明によればサ
ンプリング周波数を変えてデータを得るように構
成してあるので、メモリの有効利用が可能となり
巨大なメモリを用いなくても熱定数の測定が可能
になつた。かつ、一回のレーザ発射で、熱拡散率
と比熱の両方のデータを得ることが可能となつ
た。 As explained in detail above, according to the present invention, since data is obtained by changing the sampling frequency, memory can be used effectively and thermal constants can be measured without using a huge memory. Summer. Moreover, it has become possible to obtain data on both thermal diffusivity and specific heat with a single laser emission.
第1の構成では、同一のメモリでt(1/2)、お
よびΔTmoのデータを得ることができる。第2
の構成ではそれぞれのデータが格別に記憶される
ので処理が容易である。 In the first configuration, data on t(1/2) and ΔTmo can be obtained using the same memory. Second
With this configuration, each data is stored separately, so processing is easy.
またtmの推定が困難な試料の測定に便利であ
る。 It is also convenient for measuring samples whose tm is difficult to estimate.
第3の構成では、レーザパルス波形に関するデ
ータが得られるので積分器が不要になる。 In the third configuration, data regarding the laser pulse waveform is obtained, thereby eliminating the need for an integrator.
さらに、パルス波形に関連する補正が可能にな
る。 Furthermore, corrections related to pulse waveforms become possible.
第1図はフラツシユ法熱定数測定の原理を説明
するためのグラフ、第2図、第4図および第6図
はそれぞれ本発明による熱定数測定装置の第1、
第2および第3の実施例を示すブロツク図、第3
図、第5図および第7図はそれぞれ第1、第2お
よび第3の実施例装置のサンプリングタイミング
を説明するためのグラフである。
1……レーザ、2……分割器、3……試料室、
4……試料、5……熱電対、6……温度調節器、
7……赤外線温度検出器、8……レーザ光検出器
(光センサ)、9,10……前置増幅器、11……
増幅器、12……立上り検出器、13……積分
器、14……制御回路、15……メモリ、16…
…演算回路、17……出力装置、18,19……
主増幅器、20……スイツチ、21,22,2
3,24……メモリ、25,26……制御回路、
27,28……設定器、29,30,31……演
算器、39……切換スイツチ。
FIG. 1 is a graph for explaining the principle of flash method thermal constant measurement, and FIG. 2, FIG. 4, and FIG.
Block diagram showing the second and third embodiments, No. 3
5 and 7 are graphs for explaining the sampling timing of the first, second and third embodiment devices, respectively. 1... Laser, 2... Divider, 3... Sample chamber,
4... Sample, 5... Thermocouple, 6... Temperature controller,
7... Infrared temperature detector, 8... Laser light detector (optical sensor), 9, 10... Preamplifier, 11...
Amplifier, 12... Rise detector, 13... Integrator, 14... Control circuit, 15... Memory, 16...
... Arithmetic circuit, 17... Output device, 18, 19...
Main amplifier, 20...Switch, 21, 22, 2
3, 24... memory, 25, 26... control circuit,
27, 28... Setting device, 29, 30, 31... Arithmetic unit, 39... Changeover switch.
Claims (1)
り出す分割器と、前記分割器を通過した光で一面
が照射される試料と、前記試料の他面の温度を電
気量に変換する温度センサと、前記分割器から取
り出された光の一部を光電変換する光センサと、
前記光センサ出力発生時点から前記他面の温度が
最大温度を超えるようにあらかじめ設定された一
定期間高い周波数のサンプリング期間を指定し、
続いて低い周波数のサンプリング期間を指定する
信号を発生する期間指定器と、前記期間指定器に
より指定された周波数で前記温度センサ出力をサ
ンプリングし記憶するメモリと、前記光センサ出
力を積分する積分器と、前記メモリの内容、また
はその内容と積分器出力から熱定数を演算する演
算回路と、前記演算回路の演算結果を出力する出
力装置とから構成した熱定数測定装置。 2 レーザ光源と、前記光源からの光の一部を取
り出す分割器と、前記分割器を通過した光で一面
が照射される試料と、前記試料の他面の温度を電
気量に変換する温度センサと、前記分割器から取
り出された光の一部を光電変換する光センサと、
前記光センサ出力を積分する積分器と、前記温度
センサ出力を高い周波数でサンプリングして記憶
する第1のメモリと、前記温度センサ出力を低い
周波数でサンプリングして記憶する第2のメモリ
と、前記光センサ出力により第1および第2のメ
モリを起動する起動回路と、前記第1のメモリの
内容から熱拡散率、前記第2のメモリの内容と積
分器の出力から比熱を演算する演算回路と、前記
演算回路の演算結果を出力する出力装置と、から
構成した熱定数測定装置。 3 レーザ光源と、前記光源からの光の一部を取
り出す分割器と、前記分割器を通過した光で一面
が照射される試料と、前記試料の他面の温度を電
気量に変換する温度センサと、前記分割器から取
り出された光の一部を光電変換する光センサと、
前記光センサ出力を受けて立上りを検出する立上
り検出器と、当初前記光センサ出力をついで温度
センサ出力を切換接続する切換スイツチと、前記
スイツチを介してサンプリング入力が接続される
第1のメモリと、前記光センサ出力に接続されて
いる第2のメモリと、前記立上り検出器の出力に
より前記各メモリを起動し高い周波数でサンプリ
ングさせ記憶させレーザ光源の出力が消滅したの
ちに前記スイツチを切替え、第1のメモリを低い
周波数でサンプリング記憶させる制御回路と、前
記第1のメモリの内容から比熱を第2のメモリの
内容から熱拡散率を演算する演算回路と、前記演
算回路の演算結果を出力する装置と、から構成し
た熱定数測定装置。[Scope of Claims] 1. A laser light source, a splitter that takes out a part of the light from the light source, a sample whose one side is irradiated with the light that has passed through the splitter, and an electrical system that measures the temperature of the other side of the sample. a temperature sensor that converts the light into a quantity, and a light sensor that photoelectrically converts a portion of the light extracted from the splitter;
specifying a high frequency sampling period for a certain period of time set in advance so that the temperature of the other surface exceeds the maximum temperature from the time when the optical sensor output is generated;
Subsequently, a period designator generates a signal specifying a low frequency sampling period, a memory that samples and stores the temperature sensor output at the frequency designated by the period designator, and an integrator that integrates the optical sensor output. A thermal constant measuring device comprising: a calculation circuit that calculates a thermal constant from the contents of the memory or the contents and an integrator output; and an output device that outputs the calculation result of the calculation circuit. 2. A laser light source, a splitter that takes out a portion of the light from the light source, a sample whose one side is irradiated with the light that has passed through the splitter, and a temperature sensor that converts the temperature of the other side of the sample into an electrical quantity. and an optical sensor that photoelectrically converts a portion of the light extracted from the splitter;
an integrator that integrates the optical sensor output; a first memory that samples and stores the temperature sensor output at a high frequency; a second memory that samples and stores the temperature sensor output at a low frequency; a startup circuit that activates the first and second memories based on the optical sensor output; and an arithmetic circuit that calculates the thermal diffusivity from the contents of the first memory and the specific heat from the contents of the second memory and the output of the integrator. , and an output device that outputs the calculation results of the calculation circuit. 3. A laser light source, a splitter that extracts a portion of the light from the light source, a sample whose one side is irradiated with the light that has passed through the splitter, and a temperature sensor that converts the temperature of the other side of the sample into an electrical quantity. and an optical sensor that photoelectrically converts a portion of the light extracted from the splitter;
a rise detector that detects a rise upon receiving the optical sensor output; a changeover switch that initially switches and connects the optical sensor output and then the temperature sensor output; and a first memory to which a sampling input is connected via the switch. , a second memory connected to the optical sensor output and the respective memories are activated by the output of the rise detector, sampled at a high frequency and stored, and after the output of the laser light source disappears, the switch is switched; a control circuit that samples and stores a first memory at a low frequency; an arithmetic circuit that calculates a specific heat from the contents of the first memory and a thermal diffusivity from the contents of a second memory; and outputs the arithmetic results of the arithmetic circuit. A device for measuring thermal constants.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334581A JPS57157146A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Measuring device for heat constant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334581A JPS57157146A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Measuring device for heat constant |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57157146A JPS57157146A (en) | 1982-09-28 |
| JPS6351499B2 true JPS6351499B2 (en) | 1988-10-14 |
Family
ID=12661247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4334581A Granted JPS57157146A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Measuring device for heat constant |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57157146A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241457A (en) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Kawasaki Steel Corp | Instrument for measuring thermal property of thin film-like material |
| JP2864097B2 (en) * | 1994-09-03 | 1999-03-03 | 株式会社超高温材料研究所 | Method and apparatus for analyzing thermal diffusivity, biot number and specific heat data in laser flash method |
| JP5160816B2 (en) * | 2007-06-19 | 2013-03-13 | アルバック理工株式会社 | Infrared detector temperature calibration method and specific heat capacity measurement method |
| CN102226775B (en) * | 2011-03-16 | 2013-05-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | Method and apparatus for measuring material thermal conductivity based on optical-modulated thermo-emission spectroscopy |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP4334581A patent/JPS57157146A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57157146A (en) | 1982-09-28 |
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