JPS6353682B2 - - Google Patents
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- JPS6353682B2 JPS6353682B2 JP58196452A JP19645283A JPS6353682B2 JP S6353682 B2 JPS6353682 B2 JP S6353682B2 JP 58196452 A JP58196452 A JP 58196452A JP 19645283 A JP19645283 A JP 19645283A JP S6353682 B2 JPS6353682 B2 JP S6353682B2
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- superconducting
- superconducting coil
- current
- current switch
- diode circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
- H01F6/006—Supplying energising or de-energising current; Flux pumps
- H01F6/008—Electric circuit arrangements for energising superconductive electromagnets
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
- H02H7/001—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for superconducting apparatus, e.g. coils, lines, machines
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明は超電導装置の保護装置、特に永久電
流運転中の超電導破壊から永久電流スイツチを保
護する装置に関するものである。
流運転中の超電導破壊から永久電流スイツチを保
護する装置に関するものである。
従来技術
従来この種の超電導装置として第１図に示すも
のがあつた。図において、１は超電導コイル、２
は永久電流スイツチ、３は保護装置に当る保護抵
抗、４は永久電流スイツチ超電導体、５はヒー
タ、６は熱絶縁物、７は励磁電源、８はヒータ電
源である。また、ISは励磁電源７の出力電流、
Icpilは超電導コイル１の励磁電流を示している。
超電導コイル１に対し永久電流スイツチ２と保護
抵抗３が並列接続されており、超電導コイル１は
励磁電源７により励磁されるようになつている。
また、永久電流スイツチ２は、永久電流スイツチ
超電導体４とこれを加熱するためのヒータ５およ
びこの両者を冷媒（通常、液体ヘリウムが用いら
れる）から断熱するための熱絶縁物６よりなつて
おり、ヒータ５はヒータ電源８により加熱される
ようになつている。超電導コイル１および永久電
流スイツチ２が全体として冷媒により冷却される
ようになつていることはいうまでもない。
のがあつた。図において、１は超電導コイル、２
は永久電流スイツチ、３は保護装置に当る保護抵
抗、４は永久電流スイツチ超電導体、５はヒー
タ、６は熱絶縁物、７は励磁電源、８はヒータ電
源である。また、ISは励磁電源７の出力電流、
Icpilは超電導コイル１の励磁電流を示している。
超電導コイル１に対し永久電流スイツチ２と保護
抵抗３が並列接続されており、超電導コイル１は
励磁電源７により励磁されるようになつている。
また、永久電流スイツチ２は、永久電流スイツチ
超電導体４とこれを加熱するためのヒータ５およ
びこの両者を冷媒（通常、液体ヘリウムが用いら
れる）から断熱するための熱絶縁物６よりなつて
おり、ヒータ５はヒータ電源８により加熱される
ようになつている。超電導コイル１および永久電
流スイツチ２が全体として冷媒により冷却される
ようになつていることはいうまでもない。
超電導コイル１を励磁する場合には、先ず、ヒ
ータ５により永久電流スイツチ超電導体４を加温
し超電導破壊を起こさせて常電導状態におく。こ
の状態における超電導装置の等価回路は第２図に
示すものとなる。図中γPは保護抵抗３の抵抗値、
RNは永久電流スイツチ超電導体４の常電導状態
における抵抗値、そしてＬは超電導コイル１の自
己インダクタンスの値を示している。また、ISは
励磁電源７の出力電流、Icpilは超電導コイル１の
励磁電流を示している。このような状態で励磁電
流７よりの出力電流ISを一定速度で増加させてゆ
くと、励磁電源７の出力電流ISと超電導コイル１
の励磁電流Icpilは第３図に示すように変化する。
第３図中IOPは超電導コイル１の運転電流を示す。
このとき、励磁電流Icpilの過渡現象を決定する時
定数τは、超電導コイル１の自己インダクタンス
Ｌ、保護抵抗γP、永久電流スイツチ超電導体４の
常電導抵抗RNより τ＝Ｌ／γP・RN／γP＋RN ……(1) として求められ、また、超電導コイル１の励磁が
定常状態になつたときの出力電流ISと励磁電流
Icpilの差は、 IS―Icpil ＝Ｌ・dIcpil／dt／γP＋Ｌ・dIcpil／dt／RN……(
2) で与えられ、このとき、右辺第１項は保護抵抗３
に分流している電流、第２項は永久電流スイツチ
超電導体４に分流している電流をそれぞれ表わし
ている。出力電流ISが運転電流IOPに達したら、電
流増加を止め、時定数τよりも十分に長い時間お
いてから、永久電流スイツチ２の加温用のヒータ
５の電流を遮断する。永久電流スイツチ超電導体
４は冷媒により冷却されてやがて超電導状態に至
る。この状態では、超電導コイル１に運転電流
IOPが流れており、超電導コイル１の両端が超電
導状態の永久電流スイツチ超電導体４に短絡され
ている状態となつている。従つてここで励磁電源
７の出力電流を減少させれば、超電導コイル１は
運転電流IOPで永久電流運転されることになる。
また、この過程を逆にたどれば、超電導コイル１
は消磁されることになる。
ータ５により永久電流スイツチ超電導体４を加温
し超電導破壊を起こさせて常電導状態におく。こ
の状態における超電導装置の等価回路は第２図に
示すものとなる。図中γPは保護抵抗３の抵抗値、
RNは永久電流スイツチ超電導体４の常電導状態
における抵抗値、そしてＬは超電導コイル１の自
己インダクタンスの値を示している。また、ISは
励磁電源７の出力電流、Icpilは超電導コイル１の
励磁電流を示している。このような状態で励磁電
流７よりの出力電流ISを一定速度で増加させてゆ
くと、励磁電源７の出力電流ISと超電導コイル１
の励磁電流Icpilは第３図に示すように変化する。
第３図中IOPは超電導コイル１の運転電流を示す。
このとき、励磁電流Icpilの過渡現象を決定する時
定数τは、超電導コイル１の自己インダクタンス
Ｌ、保護抵抗γP、永久電流スイツチ超電導体４の
常電導抵抗RNより τ＝Ｌ／γP・RN／γP＋RN ……(1) として求められ、また、超電導コイル１の励磁が
定常状態になつたときの出力電流ISと励磁電流
Icpilの差は、 IS―Icpil ＝Ｌ・dIcpil／dt／γP＋Ｌ・dIcpil／dt／RN……(
2) で与えられ、このとき、右辺第１項は保護抵抗３
に分流している電流、第２項は永久電流スイツチ
超電導体４に分流している電流をそれぞれ表わし
ている。出力電流ISが運転電流IOPに達したら、電
流増加を止め、時定数τよりも十分に長い時間お
いてから、永久電流スイツチ２の加温用のヒータ
５の電流を遮断する。永久電流スイツチ超電導体
４は冷媒により冷却されてやがて超電導状態に至
る。この状態では、超電導コイル１に運転電流
IOPが流れており、超電導コイル１の両端が超電
導状態の永久電流スイツチ超電導体４に短絡され
ている状態となつている。従つてここで励磁電源
７の出力電流を減少させれば、超電導コイル１は
運転電流IOPで永久電流運転されることになる。
また、この過程を逆にたどれば、超電導コイル１
は消磁されることになる。
ところで、上記の超電導装置においては、超電
導体４は熱絶縁物６によつて冷媒から熱的に絶縁
状態になつているので冷却されにくい状態にあ
り、また、常電導抵抗値RNを大にするために通
常超電導体４にクラツドされている低抵抗の安定
化銅が超電導体４からはとりのぞかれていること
などから、超電導体４は超電導的に不安定である
ので、超電導破壊に対して保護されていなければ
ならない。そこで上記超電導装置においては、保
護装置である保護抵抗３がその保護作用をするよ
うになつている。そして、超電導体４の超電導破
壊時の許容通電電流をiOとすると、保護抵抗値γP
は、 γP≦iO／IOP―iO・RN ……(3) で決定されるが、通常、IOP≫iOなので、 γP≪RN ……(4) であればよい。この関係を(1)式に適用すると、超
電導コイル１の励磁電流Icpilの時定数は、 τＬ／γP ……(5) となり、超電導体４の常電導抵抗RNで決まる時
定数（Ｌ／RN）より十分に長くなる。また(2)式
より、励磁中に超電導体４に分流する電流に比べ
て保護抵抗３に分流する電流が十分大となり励磁
電源７の出力電流ISと超電導コイル１の励磁電流
Icpilの間の差が大となる。このような状況は消磁
中でも同様である。
導体４は熱絶縁物６によつて冷媒から熱的に絶縁
状態になつているので冷却されにくい状態にあ
り、また、常電導抵抗値RNを大にするために通
常超電導体４にクラツドされている低抵抗の安定
化銅が超電導体４からはとりのぞかれていること
などから、超電導体４は超電導的に不安定である
ので、超電導破壊に対して保護されていなければ
ならない。そこで上記超電導装置においては、保
護装置である保護抵抗３がその保護作用をするよ
うになつている。そして、超電導体４の超電導破
壊時の許容通電電流をiOとすると、保護抵抗値γP
は、 γP≦iO／IOP―iO・RN ……(3) で決定されるが、通常、IOP≫iOなので、 γP≪RN ……(4) であればよい。この関係を(1)式に適用すると、超
電導コイル１の励磁電流Icpilの時定数は、 τＬ／γP ……(5) となり、超電導体４の常電導抵抗RNで決まる時
定数（Ｌ／RN）より十分に長くなる。また(2)式
より、励磁中に超電導体４に分流する電流に比べ
て保護抵抗３に分流する電流が十分大となり励磁
電源７の出力電流ISと超電導コイル１の励磁電流
Icpilの間の差が大となる。このような状況は消磁
中でも同様である。
以上の説明から容易に理解されるように、従来
方式による超電導装置の永久電流スイツチの保護
装置においては、超電導コイルの励磁電流の過渡
現象の時定数が長くなり、超電導コイルの励磁に
要する時間が増加すること、また、励磁電源の出
力電流と超電導コイルの励磁電流の間の差が大と
なり、超電導コイル電流の制御がやりにく々なる
ことなどの問題があつた。
方式による超電導装置の永久電流スイツチの保護
装置においては、超電導コイルの励磁電流の過渡
現象の時定数が長くなり、超電導コイルの励磁に
要する時間が増加すること、また、励磁電源の出
力電流と超電導コイルの励磁電流の間の差が大と
なり、超電導コイル電流の制御がやりにく々なる
ことなどの問題があつた。
発明の概要
この発明は、上記した従来方式による保護装置
の問題点を解決する新規な方式による保護装置を
提供するものである。すなわち、この発明によれ
ば、永久電流スイツチに従来の保護抵抗に代えて
ダイオード回路を並列接続し、このダイオード回
路を極低温領域に設置することにより、永久電流
スイツチの超電導破壊による損傷を防止すると共
に、超電導コイルの励磁電流の過渡現象の時定数
を短かくできるので超電導コイルの励磁に要する
時間を減少せしめることができ、更に、励磁電源
の出力電流と超電導コイルの励磁電流間の差も小
さくできるので制御の容易さも確保できるもので
ある。
の問題点を解決する新規な方式による保護装置を
提供するものである。すなわち、この発明によれ
ば、永久電流スイツチに従来の保護抵抗に代えて
ダイオード回路を並列接続し、このダイオード回
路を極低温領域に設置することにより、永久電流
スイツチの超電導破壊による損傷を防止すると共
に、超電導コイルの励磁電流の過渡現象の時定数
を短かくできるので超電導コイルの励磁に要する
時間を減少せしめることができ、更に、励磁電源
の出力電流と超電導コイルの励磁電流間の差も小
さくできるので制御の容易さも確保できるもので
ある。
発明の実施例
以下、この発明を実施例により詳述する。第４
図は、この発明による保護装置を用いた超電導装
置の回路図であり、これは、第１図に示した従来
装置の保護抵抗３に代えてダイオード回路９を永
久電流スイツチ２に並列接続したものである。そ
の他の部分は第１図と同じである。このダイオー
ド回路９は図示のように２個のダイオードＤが逆
並列対をなしており、また超電導コイル１、永久
電流スイツチ２と共に極低温域に設置されてい
る。
図は、この発明による保護装置を用いた超電導装
置の回路図であり、これは、第１図に示した従来
装置の保護抵抗３に代えてダイオード回路９を永
久電流スイツチ２に並列接続したものである。そ
の他の部分は第１図と同じである。このダイオー
ド回路９は図示のように２個のダイオードＤが逆
並列対をなしており、また超電導コイル１、永久
電流スイツチ２と共に極低温域に設置されてい
る。
これらダイオードの働きを理解しやすくするた
めに、まずダイオードの特性につき説明すると、
ダイオードの常温における電流電圧特性は第５図
に示すとおりである。ターンオンする順方向電圧
であるターンオン電圧Vt1は通常1V以下である。
超電導コイル１の励磁電圧（又は消磁電圧）Ve
は1V以上になる場合が多い。従つて、第４図の
ように接続したダイオード回路９を常温で使用す
ると、励磁電圧Veによりターンオンしてしまい
超電導コイル１の励磁ができなくなる。ところ
が、ダイオードを極低温に冷却すると、その電流
電圧特性が第６図に示すように変化する。すなわ
ち、極低温におけるダイオードのターンオン電圧
Vt2は数Ｖにもなる。例えば、100A用のダイオー
ドではターンオン電圧Vt2が約4Vを示した。そし
てダイオードの順方向電圧がVt2を越えると、ダ
イオード電流が流れ始め、電流増加につれて順方
向電圧降下は小さくなることを示している。この
ようなダイオードを逆並列対にしたときの電流電
圧特性は第７図の如くなる。これらの特性から明
らかなように、超電導コイル１の励磁電圧Veよ
りダイオード回路９のターンオフ電圧Vt（この場
合はVt＝Vt2を大きくすれば、すなわち Vt＞Ve ……(6) の条件を満足するようにしておけば、超電導コイ
ル１の励磁電流ISの方向に無関係にダイオード回
路９の電気抵抗はほヾ無限大である。従つて、超
電導コイル１の励磁電流ISの過渡現象の時定数τ
は超電導コイル１のインダクタンスＬと永久電流
スイツチ２の超電導体４常電導抵抗RNのみで決
定されることになり τ＝Ｌ／RN ……(7) となる。この値は、従来方式の保護装置における
時定数（式(4)，(5)参照）に比べて十分に小さくな
つている。
めに、まずダイオードの特性につき説明すると、
ダイオードの常温における電流電圧特性は第５図
に示すとおりである。ターンオンする順方向電圧
であるターンオン電圧Vt1は通常1V以下である。
超電導コイル１の励磁電圧（又は消磁電圧）Ve
は1V以上になる場合が多い。従つて、第４図の
ように接続したダイオード回路９を常温で使用す
ると、励磁電圧Veによりターンオンしてしまい
超電導コイル１の励磁ができなくなる。ところ
が、ダイオードを極低温に冷却すると、その電流
電圧特性が第６図に示すように変化する。すなわ
ち、極低温におけるダイオードのターンオン電圧
Vt2は数Ｖにもなる。例えば、100A用のダイオー
ドではターンオン電圧Vt2が約4Vを示した。そし
てダイオードの順方向電圧がVt2を越えると、ダ
イオード電流が流れ始め、電流増加につれて順方
向電圧降下は小さくなることを示している。この
ようなダイオードを逆並列対にしたときの電流電
圧特性は第７図の如くなる。これらの特性から明
らかなように、超電導コイル１の励磁電圧Veよ
りダイオード回路９のターンオフ電圧Vt（この場
合はVt＝Vt2を大きくすれば、すなわち Vt＞Ve ……(6) の条件を満足するようにしておけば、超電導コイ
ル１の励磁電流ISの方向に無関係にダイオード回
路９の電気抵抗はほヾ無限大である。従つて、超
電導コイル１の励磁電流ISの過渡現象の時定数τ
は超電導コイル１のインダクタンスＬと永久電流
スイツチ２の超電導体４常電導抵抗RNのみで決
定されることになり τ＝Ｌ／RN ……(7) となる。この値は、従来方式の保護装置における
時定数（式(4)，(5)参照）に比べて十分に小さくな
つている。
ダイオード回路９のターンオン電圧Vtは数Ｖ
であるので超電導コイル１の励磁には一般に十分
であるが、励磁電圧Veを更に高くすることが望
まれる場合には、ダイオードＤを複数個直列接続
したダイオード群を逆並列接続してダイオード回
路９を構成し、等価的にターンオン電圧を高めて
やればよい。
であるので超電導コイル１の励磁には一般に十分
であるが、励磁電圧Veを更に高くすることが望
まれる場合には、ダイオードＤを複数個直列接続
したダイオード群を逆並列接続してダイオード回
路９を構成し、等価的にターンオン電圧を高めて
やればよい。
また、超電導コイル１の励磁が定常状態になつ
た時の励磁電源７の出力電流ISと超電導コイル１
の励磁電流Icpilの差は、(2)式でγPを無限大にすれ
ば求められ、 IS―Icpil＝Ｌ・dIcpil／dt／RN ……(8) となる。この値は保護抵抗を使用した従来方式に
よる保護装置における電流差に比べて十分に小さ
いので（式(2)，(4)参照）、超電導コイル電流の制
御は容易となる。
た時の励磁電源７の出力電流ISと超電導コイル１
の励磁電流Icpilの差は、(2)式でγPを無限大にすれ
ば求められ、 IS―Icpil＝Ｌ・dIcpil／dt／RN ……(8) となる。この値は保護抵抗を使用した従来方式に
よる保護装置における電流差に比べて十分に小さ
いので（式(2)，(4)参照）、超電導コイル電流の制
御は容易となる。
また、保護機能についてみると、永久電流スイ
ツチ２に超電導破壊が生じた場合でも Vt＜IOP・RN ……(9) の条件が満足されるように、ダイオード回路９の
ターンオン電圧Vtを選んでやれば永久電流スイ
ツチ２の損傷は防止される。すなわち、永久電流
スイツチ２に超電導破壊が生ずるとその電圧
IOP・RNがダイオード回路９のターンオン電圧Vt
を超え、ダイオード回路９がターンオンされるの
で永久電流スイツチ２を流れている電流はダイオ
ード回路９にバイパスされることになり、永久電
流スイツチ２の損傷は防止される。このとき、超
電導コイル電流の減衰時間が十分長いような場合
でも VtiO・RN ……(10) の条件を満たすようにしておけば、永久電流スイ
ツチ２の損傷は生じない。
ツチ２に超電導破壊が生じた場合でも Vt＜IOP・RN ……(9) の条件が満足されるように、ダイオード回路９の
ターンオン電圧Vtを選んでやれば永久電流スイ
ツチ２の損傷は防止される。すなわち、永久電流
スイツチ２に超電導破壊が生ずるとその電圧
IOP・RNがダイオード回路９のターンオン電圧Vt
を超え、ダイオード回路９がターンオンされるの
で永久電流スイツチ２を流れている電流はダイオ
ード回路９にバイパスされることになり、永久電
流スイツチ２の損傷は防止される。このとき、超
電導コイル電流の減衰時間が十分長いような場合
でも VtiO・RN ……(10) の条件を満たすようにしておけば、永久電流スイ
ツチ２の損傷は生じない。
なお、上記実施例では、ダイオード回路９はダ
イオードＤを逆並列に接続したものを用いている
が、超電導コイル１の電流方向が常に一方向に決
められている場合には、ダイオード回路９は逆並
列対のダイオードを用いる必要がないことは勿論
で、その場合には、１つのダイオードを超電導コ
イル電流に対して順方向接続すれば、つまり超電
導コイル１の励磁時の陽極端子側にそのダイオー
ドのカソード側を、陰極端子側にアノード側を接
続すればよい。
イオードＤを逆並列に接続したものを用いている
が、超電導コイル１の電流方向が常に一方向に決
められている場合には、ダイオード回路９は逆並
列対のダイオードを用いる必要がないことは勿論
で、その場合には、１つのダイオードを超電導コ
イル電流に対して順方向接続すれば、つまり超電
導コイル１の励磁時の陽極端子側にそのダイオー
ドのカソード側を、陰極端子側にアノード側を接
続すればよい。
発明の効果
以上、詳述したように、この発明によれば永久
電流スイツチにダイオード回路を並列接続し、ダ
イオード回路のターンオン電圧を超電導コイルの
励磁電圧よりも高く選定しているので、超電導コ
イル電流の過渡現象の時定数を短かくでき、また
超電導コイルの励磁に要する時間を減少せしめる
ことができるのであり、更に、励磁電源の出力電
流と超電導コイルの励磁電流の間の差を小さくで
きるので、超電導コイル電流の制御の容易性を確
保できるものであり、保護機能については、ダイ
オード回路のターンオン電圧Vtを永久電流スイ
ツチ超電導体の常電導抵抗RNと常電導許容通電
電流iOの積よりも小さく選定しているので、永久
電流スイツチをその超電導破壊による損傷から保
護できるものである。
電流スイツチにダイオード回路を並列接続し、ダ
イオード回路のターンオン電圧を超電導コイルの
励磁電圧よりも高く選定しているので、超電導コ
イル電流の過渡現象の時定数を短かくでき、また
超電導コイルの励磁に要する時間を減少せしめる
ことができるのであり、更に、励磁電源の出力電
流と超電導コイルの励磁電流の間の差を小さくで
きるので、超電導コイル電流の制御の容易性を確
保できるものであり、保護機能については、ダイ
オード回路のターンオン電圧Vtを永久電流スイ
ツチ超電導体の常電導抵抗RNと常電導許容通電
電流iOの積よりも小さく選定しているので、永久
電流スイツチをその超電導破壊による損傷から保
護できるものである。
第１図は、従来方式による超電導装置の回路
図、第２図は、第１図に示した回路の常電導状態
における等価回路図、第３図は、第１図に示す超
電導装置における励磁電源の出力電流および超電
導コイルの励磁電流の変化を示す図、第４図は、
この発明による超電導装置の回路図、第５図は、
この発明による保護装置に用いるダイオードの常
温における電流電圧特性を示す図、第６図は、こ
の発明による保護装置に用いるダイオードの極低
温における電流電圧特性を示す図、そして、第７
図は、第４図に示した逆並列対のダイオードの極
低温における電流電圧特性を示す図である。 １……超電導コイル、２……永久電流スイツ
チ、４……永久電流スイツチ超電導体、５……ヒ
ータ、６……熱絶縁物、７……励磁電源、８……
ヒータ電源、９……ダイオード回路、Ｄ……ダイ
オード。なお、各図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
図、第２図は、第１図に示した回路の常電導状態
における等価回路図、第３図は、第１図に示す超
電導装置における励磁電源の出力電流および超電
導コイルの励磁電流の変化を示す図、第４図は、
この発明による超電導装置の回路図、第５図は、
この発明による保護装置に用いるダイオードの常
温における電流電圧特性を示す図、第６図は、こ
の発明による保護装置に用いるダイオードの極低
温における電流電圧特性を示す図、そして、第７
図は、第４図に示した逆並列対のダイオードの極
低温における電流電圧特性を示す図である。 １……超電導コイル、２……永久電流スイツ
チ、４……永久電流スイツチ超電導体、５……ヒ
ータ、６……熱絶縁物、７……励磁電源、８……
ヒータ電源、９……ダイオード回路、Ｄ……ダイ
オード。なお、各図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 超電導コイルに永久電流スイツチが並列接続
された超電導装置において、前記超電導コイルお
よび永久電流スイツチにダイオード回路を並列接
続すると共にこのダイオード回路を前記超電導コ
イルおよび永久電流スイツチと共に極低温域に設
置し、前記ダイオード回路のターンオン電圧Vt
と前記超電導コイルの励磁電圧もしくは消磁電圧
Ve、並びに前記永久電流スイツチの永久電流ス
イツチ超電導体の発生電圧IOP・RNおよびiO・RN
の間に Vt＞Ve Vt＜IOP・RN VtiO・RN 但し、RN：永久電流スイツチの永久電流スイ
ツチ超電導体の常電導抵抗、 IOP：超電導コイルの運転電流、 iO：永久電流スイツチの永久電流スイツチ超電
導体の超電導破壊時の許容通電電流、 の関係が同時に満足されるようにしたことを特徴
とする超電導装置の保護装置。 ２ ダイオード回路が超電導コイル電流に対して
順方向接続された１つのダイオードからなる特許
請求の範囲第１項記載の超電導装置の保護装置。 ３ ダイオード回路が逆並列接続された１対のダ
イオードからなる特許請求の範囲第１項記載の超
電導装置の保護装置。 ４ ダイオード回路が超電導コイル電流に対して
それぞれ順方向に直列に接続された所望の数のダ
イオードからなる特許請求の範囲第１項記載の超
電導装置の保護装置。 ５ ダイオード回路が所望の数の逆並列接続され
た１対のダイオードからなる逆並列対を有し、前
記所望の数の逆並列対が直列に接続されてなる特
許請求の範囲第１項記載の超電導装置の保護装
置。 ６ ダイオード回路が所望の数のダイオードが同
一方向に直列接続されている２組のダイオード群
を有し、前記ダイオード群が互に逆並列接続され
てなる特許請求の範囲第１項記載の超電導装置の
保護装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196452A JPS6086808A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 超電導装置の保護装置 |
| GB08513695A GB2158309B (en) | 1983-10-19 | 1984-10-18 | Apparatus for protecting superconductive device |
| PCT/JP1984/000491 WO1985001829A1 (fr) | 1983-10-19 | 1984-10-18 | Appareil de protection pour un dispositif supraconducteur |
| DE3490474A DE3490474C2 (ja) | 1983-10-19 | 1984-10-18 | |
| DE19843490474 DE3490474T (de) | 1983-10-19 | 1984-10-18 | Schutzeinrichtung für eine supraleitende Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196452A JPS6086808A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 超電導装置の保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086808A JPS6086808A (ja) | 1985-05-16 |
| JPS6353682B2 true JPS6353682B2 (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=16358043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196452A Granted JPS6086808A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 超電導装置の保護装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086808A (ja) |
| DE (2) | DE3490474T (ja) |
| GB (1) | GB2158309B (ja) |
| WO (1) | WO1985001829A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2636477A1 (fr) * | 1988-09-12 | 1990-03-16 | Alsthom Gec | Limiteur de courant cryogenique |
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| US8384504B2 (en) * | 2006-01-06 | 2013-02-26 | Quantum Design International, Inc. | Superconducting quick switch |
| KR101649291B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2016-08-18 | 고려대학교 산학협력단 | 부분 절연 권선을 이용한 초전도 코일 및 초전도 코일의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6117264Y2 (ja) * | 1977-07-13 | 1986-05-27 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58196452A patent/JPS6086808A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-18 DE DE19843490474 patent/DE3490474T/de active Pending
- 1984-10-18 DE DE3490474A patent/DE3490474C2/de not_active Expired
- 1984-10-18 GB GB08513695A patent/GB2158309B/en not_active Expired
- 1984-10-18 WO PCT/JP1984/000491 patent/WO1985001829A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8513695D0 (en) | 1985-07-03 |
| GB2158309B (en) | 1987-02-11 |
| JPS6086808A (ja) | 1985-05-16 |
| WO1985001829A1 (fr) | 1985-04-25 |
| DE3490474C2 (ja) | 1989-10-05 |
| GB2158309A (en) | 1985-11-06 |
| DE3490474T (de) | 1985-11-28 |
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