JPS6357964B2 - - Google Patents
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- JPS6357964B2 JPS6357964B2 JP57178403A JP17840382A JPS6357964B2 JP S6357964 B2 JPS6357964 B2 JP S6357964B2 JP 57178403 A JP57178403 A JP 57178403A JP 17840382 A JP17840382 A JP 17840382A JP S6357964 B2 JPS6357964 B2 JP S6357964B2
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
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- H03B2201/03—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency
- H03B2201/033—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency the parameter being the amount of feedback
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スーパーバンド、ハイパーバンドを
1バンドで受信するテレビジヨンチユーナの発振
回路に関する。
1バンドで受信するテレビジヨンチユーナの発振
回路に関する。
最近、CATV放送の普及はめざましく、
CATVをも受信できるテレビジヨンチユーナの
要求が高まつている。受信チヤネルもスーパーバ
ンド、ハイパーバンドを受信できるものが望まれ
ている。
CATVをも受信できるテレビジヨンチユーナの
要求が高まつている。受信チヤネルもスーパーバ
ンド、ハイパーバンドを受信できるものが望まれ
ている。
第1図により、スーパーバンド、ハイパーバン
ドを1バンドで受信するチユーナの局部発振回路
の問題点につき説明する。第1図はチユーナで一
般的に用いられるクラツプ発振回路である。1は
発振用トランジスタ、2はトランジスタ1を駆動
する電源電圧供給端子である。3,4はトランジ
スタ1のベース電圧を決める抵抗であり、5はエ
ミツタ抵抗である。6はコレクタを接地する大容
量コンデンサ、7はエミツタコンデンサ、8はエ
ミツタ・ベース帰還コンデンサ、また、9はトラ
ンジスタとタンク回路の結合コンデンサである。
そして、10はタンク回路の同調ダイオード、1
1は発振周波数変化範囲補正用のコンデンサ、1
2は同調コイルである。端子13には同調電圧が
印加され、抵抗14を介して同調ダイオード10
に加わり、周調容量を変えて発振周波数を変化さ
せる。発振電力は0.5〜1PFの小容量の結合コン
デンサ15を通り端子16より出力する。第1図
に示した発振回路において、結合コンデンサ9を
大きく選んだ場合には、同調電圧が0V〜30Vに
わたり発振するが、コンデンサ7,8、あるいは
トランジスタ1の入力容量などの影響が大きくな
り、260〜480MHzにわたるスーパー、ハイパーバ
ンドの発振周波数変化を得ることが困難となる。
そこで、同調ダイオードとしては、端子13に加
える同調電圧の2〜25Vに対して25〜3PFの容量
変化を持つものを使用し、結合コンデンサ9の容
量値を小さく選ぶ。この様にすることにより、コ
ンデンサ9、同調ダイオード10、コンデンサ1
1およびコイル12から成るタンク回路の負荷Q
が、特に同調電圧が低く、同調ダイオードの容量
の大きくなる発振周波数範囲の低減において増大
し、発振回路の損失が大きくなつて、発振条件を
満たさなくなるという欠点がある。
ドを1バンドで受信するチユーナの局部発振回路
の問題点につき説明する。第1図はチユーナで一
般的に用いられるクラツプ発振回路である。1は
発振用トランジスタ、2はトランジスタ1を駆動
する電源電圧供給端子である。3,4はトランジ
スタ1のベース電圧を決める抵抗であり、5はエ
ミツタ抵抗である。6はコレクタを接地する大容
量コンデンサ、7はエミツタコンデンサ、8はエ
ミツタ・ベース帰還コンデンサ、また、9はトラ
ンジスタとタンク回路の結合コンデンサである。
そして、10はタンク回路の同調ダイオード、1
1は発振周波数変化範囲補正用のコンデンサ、1
2は同調コイルである。端子13には同調電圧が
印加され、抵抗14を介して同調ダイオード10
に加わり、周調容量を変えて発振周波数を変化さ
せる。発振電力は0.5〜1PFの小容量の結合コン
デンサ15を通り端子16より出力する。第1図
に示した発振回路において、結合コンデンサ9を
大きく選んだ場合には、同調電圧が0V〜30Vに
わたり発振するが、コンデンサ7,8、あるいは
トランジスタ1の入力容量などの影響が大きくな
り、260〜480MHzにわたるスーパー、ハイパーバ
ンドの発振周波数変化を得ることが困難となる。
そこで、同調ダイオードとしては、端子13に加
える同調電圧の2〜25Vに対して25〜3PFの容量
変化を持つものを使用し、結合コンデンサ9の容
量値を小さく選ぶ。この様にすることにより、コ
ンデンサ9、同調ダイオード10、コンデンサ1
1およびコイル12から成るタンク回路の負荷Q
が、特に同調電圧が低く、同調ダイオードの容量
の大きくなる発振周波数範囲の低減において増大
し、発振回路の損失が大きくなつて、発振条件を
満たさなくなるという欠点がある。
本発明の目的は、スーパー、ハイパーバンドに
おいても良好な発振特性が得られるクラツプ発振
回路を提供することにある。
おいても良好な発振特性が得られるクラツプ発振
回路を提供することにある。
クラツプ発振回路のトランジスタのエミツタと
同調ダイオードの低電位点をコンデンサで接続
し、同調ダイオードの容量値が大きい発振周波数
帯の低域でエミツタにおける帰還電圧を高めて発
振を可能にする。
同調ダイオードの低電位点をコンデンサで接続
し、同調ダイオードの容量値が大きい発振周波数
帯の低域でエミツタにおける帰還電圧を高めて発
振を可能にする。
以下、本発明の実施例を第2図により説明す
る。第2図において第1図と同一の機能のものは
同一番号を付す。第1図と異なるのはトランジス
タ1のエミツタとダイオード10およびコンデン
サ11の接続点との間にコンデンサ17を設けた
ことである。
る。第2図において第1図と同一の機能のものは
同一番号を付す。第1図と異なるのはトランジス
タ1のエミツタとダイオード10およびコンデン
サ11の接続点との間にコンデンサ17を設けた
ことである。
コンデンサ17はコンデンサ8および9による
トランジスタ1のベースからエミツタへの帰還で
エミツタに現われる発振電圧の補正、つまり帰還
量の補正を行なうものである。発振周波数範囲に
おける高域では同調ダイオードの容量が3PF、コ
ンデンサ11の容量が56PF程度なので、同調ダ
イオード10とコンデンサ11の接続点の発振電
圧は十分に低く、したがつて、この電圧をコンデ
ンサ17を介してトランジスタ1のエミツタに供
給しても何ら影響がない。
トランジスタ1のベースからエミツタへの帰還で
エミツタに現われる発振電圧の補正、つまり帰還
量の補正を行なうものである。発振周波数範囲に
おける高域では同調ダイオードの容量が3PF、コ
ンデンサ11の容量が56PF程度なので、同調ダ
イオード10とコンデンサ11の接続点の発振電
圧は十分に低く、したがつて、この電圧をコンデ
ンサ17を介してトランジスタ1のエミツタに供
給しても何ら影響がない。
ところが、低域周波数帯では同調ダイオード1
0の容量値が25PF程度になるためにコンデンサ
11と同調ダイオード10の接続点に現われる発
振電圧はコンデンサ17を介してトランジスタ1
のエミツタに供給され、コンデンサ9を小さく選
び、同調ダイオード10の容量値を大きくしたこ
とによるタンク回路の負荷Qの増大に伴なうエミ
ツタにおける発振電圧の低下を補ぎない、発振を
可能にする。
0の容量値が25PF程度になるためにコンデンサ
11と同調ダイオード10の接続点に現われる発
振電圧はコンデンサ17を介してトランジスタ1
のエミツタに供給され、コンデンサ9を小さく選
び、同調ダイオード10の容量値を大きくしたこ
とによるタンク回路の負荷Qの増大に伴なうエミ
ツタにおける発振電圧の低下を補ぎない、発振を
可能にする。
第3図に端子16において測定した発振電力の
対同調電圧特性を示す。横軸は同調電圧、縦軸は
発振電力である。同図において、破線は第1図で
の特性、実線は第2図における本発明による発振
回路の特性である。ここでは結合コンデンサ9と
して4PF、コンデンサ17として18PF、コンデ
ンサ7,8,11としてそれぞれ6PF、9PF、
56PFを用いた。第1図の回路では同調電圧が
10V以下で発振が停止しているが、第2図の本発
明の発振回路ではスーパー、ハイパーバンドの同
調電圧2V〜25Vにわたりほぼ良好な発振電力が
得られている。
対同調電圧特性を示す。横軸は同調電圧、縦軸は
発振電力である。同図において、破線は第1図で
の特性、実線は第2図における本発明による発振
回路の特性である。ここでは結合コンデンサ9と
して4PF、コンデンサ17として18PF、コンデ
ンサ7,8,11としてそれぞれ6PF、9PF、
56PFを用いた。第1図の回路では同調電圧が
10V以下で発振が停止しているが、第2図の本発
明の発振回路ではスーパー、ハイパーバンドの同
調電圧2V〜25Vにわたりほぼ良好な発振電力が
得られている。
本発明によれば、発振用トランジスタのエミツ
タと同調ダイオードおよびその直列接続コンデン
サの接続点をコンデンサを介して接続することに
より、広い発振周波数範囲を必要とする発振回路
の発振条件を最適にして良好な発振特性が得られ
る。
タと同調ダイオードおよびその直列接続コンデン
サの接続点をコンデンサを介して接続することに
より、広い発振周波数範囲を必要とする発振回路
の発振条件を最適にして良好な発振特性が得られ
る。
第1図は、従来の発振回路の回路図、第2図は
本発明による発振回路の回路図、第3図は、第1
図および第2図の発振回路の発振特性を示す特性
図である。 1……トランジスタ、10……同調ダイオー
ド、17……本発明によるコンデンサ、9……結
合コンデンサ。
本発明による発振回路の回路図、第3図は、第1
図および第2図の発振回路の発振特性を示す特性
図である。 1……トランジスタ、10……同調ダイオー
ド、17……本発明によるコンデンサ、9……結
合コンデンサ。
Claims (1)
- 1 トランジスタのコレクタが第1のコンデンサ
で高周波的に接地され、エミツタが第2のコンデ
ンサを介して接地され、エミツタ・ベース間が第
3のコンデンサで接続され、さらに、ベースは第
4のコンデンサを介してコイルで接地され、第4
のコンデンサと該コイルの接続点と接地間に同調
ダイオードと第5のコンデンサの直列接続回路が
接続されてなるクラツプ発振回路において、上記
直列接続回路の同調ダイオードは、第4のコンデ
ンサと該コイルの接続点に接続され、第5のコン
デンサは接地され、該トランジスタのエミツタ
と、該同調ダイオードと第5のコンデンサの接続
点の間に固定容量の第6のコンデンサが接続され
ていることを特徴とする発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178403A JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
| CA000438879A CA1215145A (en) | 1982-10-13 | 1983-10-12 | Tv tuner oscillator with feedback for more low frequency power |
| US06/541,440 US4564822A (en) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | TV Tuner oscillator with feedback for more low frequency power |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178403A JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970026A JPS5970026A (ja) | 1984-04-20 |
| JPS6357964B2 true JPS6357964B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=16047885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178403A Granted JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4564822A (ja) |
| JP (1) | JPS5970026A (ja) |
| CA (1) | CA1215145A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625183A (en) * | 1985-06-21 | 1986-11-25 | Capetronic (Bsr) Ltd. | Low-cost VCO using lumped elements in microwave band |
| US4743866A (en) * | 1986-11-26 | 1988-05-10 | Rca Corporation | Wide range oscillator |
| US6489853B1 (en) | 2002-03-19 | 2002-12-03 | Z-Communications, Inc. | Low phase noise oscillator |
| JP6038493B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-12-07 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 同調回路 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3103637A (en) * | 1958-11-19 | 1963-09-10 | Rca Corp | Wide band electric tuning utilizing diodes |
| GB1121439A (en) * | 1965-08-03 | 1968-07-24 | Int Standard Electric Corp | Electronic tunable oscillator circuit |
| FR2080065A5 (ja) * | 1970-02-23 | 1971-11-12 | Philips Nv | |
| JPS4955209A (ja) * | 1972-09-29 | 1974-05-29 | ||
| JPS5528677A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-29 | Nec Corp | Frequency conversion circuit |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57178403A patent/JPS5970026A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-12 CA CA000438879A patent/CA1215145A/en not_active Expired
- 1983-10-13 US US06/541,440 patent/US4564822A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1215145A (en) | 1986-12-09 |
| JPS5970026A (ja) | 1984-04-20 |
| US4564822A (en) | 1986-01-14 |
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