JPS6359239B2 - - Google Patents
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- JPS6359239B2 JPS6359239B2 JP9886482A JP9886482A JPS6359239B2 JP S6359239 B2 JPS6359239 B2 JP S6359239B2 JP 9886482 A JP9886482 A JP 9886482A JP 9886482 A JP9886482 A JP 9886482A JP S6359239 B2 JPS6359239 B2 JP S6359239B2
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- Japan
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- radio wave
- impedance
- transmission line
- branch
- wave path
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は民生用高周波加熱装置、いわゆる一般
に電子レンジと呼ばれるものの電波シールに関す
るものである。
に電子レンジと呼ばれるものの電波シールに関す
るものである。
電子レンジは、被加熱物を高周波エネルギーに
よつて加熱、調理するものとして便利なものであ
る。一方電子レンジは、加熱室壁面と開閉自在の
ドア壁面の間隙(以下電波通路と呼ぶ。)から電
電が外部へ漏洩するので人体への安全性の見地か
ら許容範囲以下に抑え込まなければならず、上述
のような電波漏洩を防止するために、電波通路に
電波シールを施している。
よつて加熱、調理するものとして便利なものであ
る。一方電子レンジは、加熱室壁面と開閉自在の
ドア壁面の間隙(以下電波通路と呼ぶ。)から電
電が外部へ漏洩するので人体への安全性の見地か
ら許容範囲以下に抑え込まなければならず、上述
のような電波漏洩を防止するために、電波通路に
電波シールを施している。
一般によく知られている電波シール装置として
は、チヨークシールと呼ばれるものがある。チヨ
ークシールというのは、加熱室本体壁面とドア壁
面で形成される電波通路入口から電波共振溝まで
の寸法と電波共振溝の長さを共に使用している高
周波発生源の4分の1波長にとることにより、電
波通路入口が短絡されたことと等価になり理想的
な電波シール機能を有する。
は、チヨークシールと呼ばれるものがある。チヨ
ークシールというのは、加熱室本体壁面とドア壁
面で形成される電波通路入口から電波共振溝まで
の寸法と電波共振溝の長さを共に使用している高
周波発生源の4分の1波長にとることにより、電
波通路入口が短絡されたことと等価になり理想的
な電波シール機能を有する。
また、最近の電子レンジは加熱効率の向上を図
るため、スタラーフアンなどで電界を乱している
ので、チヨークシールだけでは複雑な電波伝搬方
向に対する電波シール機能を果さない。従つて電
波通路や電波共振溝に周期的構造をもつスリツト
を施し、電波伝搬方向に規制を加えた電波シール
装置もある。
るため、スタラーフアンなどで電界を乱している
ので、チヨークシールだけでは複雑な電波伝搬方
向に対する電波シール機能を果さない。従つて電
波通路や電波共振溝に周期的構造をもつスリツト
を施し、電波伝搬方向に規制を加えた電波シール
装置もある。
さらに電波共振溝に誘電体を装荷し、電波共振
溝の長さを縮少し、コンパクト化を図つた例も周
知のことである。
溝の長さを縮少し、コンパクト化を図つた例も周
知のことである。
以上において、従来のチヨークシールは電波通
路入口から電波共振溝までの寸法と電波共振溝の
長さ寸法を共に使用している高周波発生源の4分
の1波長にすることが必要条件であり、電子レン
ジの電波シール装置のコンパクト化には、おのず
と限界があつた。
路入口から電波共振溝までの寸法と電波共振溝の
長さ寸法を共に使用している高周波発生源の4分
の1波長にすることが必要条件であり、電子レン
ジの電波シール装置のコンパクト化には、おのず
と限界があつた。
本発明は、電波通路をT分岐終端した伝送線路
で周期的に配列し、またT分岐開孔部から電波通
路終端までの伝送線路部分の線路巾を変えること
によつて電波シール装置のコンパクト化と電波シ
ール性能の向上を目的とする高周波加熱装置の電
波シール装置を提供するものである。
で周期的に配列し、またT分岐開孔部から電波通
路終端までの伝送線路部分の線路巾を変えること
によつて電波シール装置のコンパクト化と電波シ
ール性能の向上を目的とする高周波加熱装置の電
波シール装置を提供するものである。
本発明は電波通路にT分岐を施すことによつて
T分岐回路の重要な特性の1つである。
T分岐回路の重要な特性の1つである。
「T分岐回路のもつ3ポートのうちの1つのポ
ートを適当な位置で短絡することにより他の2つ
のポート間には電力が伝送されない」ことに注目
し、かつT分岐した伝送線路を周期配列すること
によつて配列方向への電波伝搬を規制するもので
ある。
ートを適当な位置で短絡することにより他の2つ
のポート間には電力が伝送されない」ことに注目
し、かつT分岐した伝送線路を周期配列すること
によつて配列方向への電波伝搬を規制するもので
ある。
また電波漏洩防止機構のコンパクト化にあたつ
ては、従来のチヨーク方式でみられたような単に
電波通路入口から電波共振溝までの長さと電波共
振溝の長さを共に4分の1波長にすることにより
電波通路入口のインピーダンスを小さくする(理
想的には短絡状態)考え方ではなく、T分岐を有
する電波通路を、すべてインピーダンスに置置
し、電波漏洩量そのものを少くする電波通路系を
定量解析する方法を導入したことである。
ては、従来のチヨーク方式でみられたような単に
電波通路入口から電波共振溝までの長さと電波共
振溝の長さを共に4分の1波長にすることにより
電波通路入口のインピーダンスを小さくする(理
想的には短絡状態)考え方ではなく、T分岐を有
する電波通路を、すべてインピーダンスに置置
し、電波漏洩量そのものを少くする電波通路系を
定量解析する方法を導入したことである。
もう少しこの解析法を詳細に述べると、電波通
路を形成する伝送路終端にZLなるインピーダンス
を仮定する。電波通路終端にZL(損失インピーダ
ンスと呼ぶことにする)なるインピーダンスを導
入するのは、加熱室壁面とドアの間隙、すなわち
電波通路の間隙が必ず存在するわけであり、電波
通路を通つてきた電波は、伝送線路終端から外部
空間へ漏洩する場合、ZLなるインピーダンスでエ
ネルギーを消費するという考えである。ZLがある
有限な値をとる場合、電波通路を通つてきたエネ
ルギーが大きければZLで消費されるエネルギーは
多いので電波漏洩量が多く、エネルギーが小さけ
れば、逆に少くなる。従来のチヨーク方式では、
このような電波通路終端のZLなるインピーダンス
は、ZL=0と考えており、単に電波通路入口のイ
ンピーダンスを小さくするという定性的な考え方
であつた。
路を形成する伝送路終端にZLなるインピーダンス
を仮定する。電波通路終端にZL(損失インピーダ
ンスと呼ぶことにする)なるインピーダンスを導
入するのは、加熱室壁面とドアの間隙、すなわち
電波通路の間隙が必ず存在するわけであり、電波
通路を通つてきた電波は、伝送線路終端から外部
空間へ漏洩する場合、ZLなるインピーダンスでエ
ネルギーを消費するという考えである。ZLがある
有限な値をとる場合、電波通路を通つてきたエネ
ルギーが大きければZLで消費されるエネルギーは
多いので電波漏洩量が多く、エネルギーが小さけ
れば、逆に少くなる。従来のチヨーク方式では、
このような電波通路終端のZLなるインピーダンス
は、ZL=0と考えており、単に電波通路入口のイ
ンピーダンスを小さくするという定性的な考え方
であつた。
そこで、電波通路を通つた電波がZLで消費され
るエネルギーを少なくする(電波漏洩量を少くす
る)には、前述のような、T分岐回路の特性の1
つである2つのポート間に電力伝送できない状態
構成にし(すなわちT分岐部を4分の1波長近く
に選ぶ)、電波通路入口からT分岐開孔部までは
4分の1波長より小さい方がよいというチヨーク
方式には見られない結果を見い出し実験的にも確
認した。
るエネルギーを少なくする(電波漏洩量を少くす
る)には、前述のような、T分岐回路の特性の1
つである2つのポート間に電力伝送できない状態
構成にし(すなわちT分岐部を4分の1波長近く
に選ぶ)、電波通路入口からT分岐開孔部までは
4分の1波長より小さい方がよいというチヨーク
方式には見られない結果を見い出し実験的にも確
認した。
さらにT分岐開孔部から電波通路終端までの寸
法においてもこの定量解析法を用いると、この部
分の伝送線路の線路巾を変えることによつて、こ
の部分においても4分の1波長より小さい方が電
波漏洩量が少くなることも理論的にかつ実験的に
も確認した。
法においてもこの定量解析法を用いると、この部
分の伝送線路の線路巾を変えることによつて、こ
の部分においても4分の1波長より小さい方が電
波漏洩量が少くなることも理論的にかつ実験的に
も確認した。
この結果に基づいて、電波シール性能がすぐれ
コンパクトな高周波加熱装置の電波シール装置を
可能にした。
コンパクトな高周波加熱装置の電波シール装置を
可能にした。
以下図面を用いて説明する。
第1図は、従来の電子レンジのチヨークシール
を示している。加熱室本体壁面1とドア6で形成
される電波通路2、入口3から外部へ電波が伝搬
するがチヨークシールの場合、電波通路の入口か
ら電波共振溝入口4までと電波共振溝5の長さを
共に4分の1波長とすることで理想的な電波シー
ルを構成する。
を示している。加熱室本体壁面1とドア6で形成
される電波通路2、入口3から外部へ電波が伝搬
するがチヨークシールの場合、電波通路の入口か
ら電波共振溝入口4までと電波共振溝5の長さを
共に4分の1波長とすることで理想的な電波シー
ルを構成する。
第2図は本発明一実施例を示す電波通路の電波
シール機構断面形状である。電波通路7の入口8
からT分岐開孔部9までと、T分岐開孔部から伝
送線路終端11までは共に4分の1波長よりも小
さい。T分岐部10は4分の1波長近くに選び、
12は誘電体である。
シール機構断面形状である。電波通路7の入口8
からT分岐開孔部9までと、T分岐開孔部から伝
送線路終端11までは共に4分の1波長よりも小
さい。T分岐部10は4分の1波長近くに選び、
12は誘電体である。
第3図は、第2図の紙面に垂直方向に周期配列
しT分岐開孔部から伝送線終端までをテーパ状に
した伝送路13を示したものである。
しT分岐開孔部から伝送線終端までをテーパ状に
した伝送路13を示したものである。
第4図は第2図の電波通路7を等価的なインピ
ーダンスで置換した図である。電波通路入口8か
ら加熱室側を見たインピーダンスZ〓14、電波通
路終端における損失インピーダンスをZL15、伝
送線路の特性インピーダンスZO16としている。
ーダンスで置換した図である。電波通路入口8か
ら加熱室側を見たインピーダンスZ〓14、電波通
路終端における損失インピーダンスをZL15、伝
送線路の特性インピーダンスZO16としている。
第5図は、本発明一実施例によるところのT分
岐開口部から伝送線終端までの長さと、その伝送
線路の特性インピーダンスZOと損失インピーダン
スZLとの関係を示したグラフである。
岐開口部から伝送線終端までの長さと、その伝送
線路の特性インピーダンスZOと損失インピーダン
スZLとの関係を示したグラフである。
第6図は、第4図の電波通路入口からT分岐部
をまとめてZ117と置き換え、第7図は、第6図
においてZ1が無限大としたときの等価回路であ
り、l3はT分岐開孔部9から伝送線路終端11ま
での長さである。
をまとめてZ117と置き換え、第7図は、第6図
においてZ1が無限大としたときの等価回路であ
り、l3はT分岐開孔部9から伝送線路終端11ま
での長さである。
上記構成において電波通路7を通つて外部へ漏
洩しようとす電波はT分岐部10が4分の1波長
近くに選んでいるので8−11の間では伝搬しに
くく、周期配列方向にも電波は伝搬を規制してい
る。電波漏洩量の定量解析には、電波通路入口8
から加熱室側を見たインピーダンスZ〓14、損失
インピーダンスZLを含めた電波通路の系のインピ
ーダンスZを抵抗分(Real分)とリアクタンス
分(Imagenal分)とに分けZ=R+ilとし、電波
漏洩量PLが、 PL∝R×Z〓/(R2+I2+R×Z〓) ………(1) に比例する考えを見い出した。
洩しようとす電波はT分岐部10が4分の1波長
近くに選んでいるので8−11の間では伝搬しに
くく、周期配列方向にも電波は伝搬を規制してい
る。電波漏洩量の定量解析には、電波通路入口8
から加熱室側を見たインピーダンスZ〓14、損失
インピーダンスZLを含めた電波通路の系のインピ
ーダンスZを抵抗分(Real分)とリアクタンス
分(Imagenal分)とに分けZ=R+ilとし、電波
漏洩量PLが、 PL∝R×Z〓/(R2+I2+R×Z〓) ………(1) に比例する考えを見い出した。
この電波通路系のインピーダンスの計算は、次
のような理論式により算出される。
のような理論式により算出される。
今、基準面を電波通路入口8に置き、そこから
T分岐開口部9までを見た時のインピーダンス
(Z′1とする)は、T分岐開口部9のトータルイン
ピーダンスをZTとすれば、 Z′1=Z0ZT+jZ0tanβl1/Z0+jZTtanβ1(1−1
) ここでZ0は、伝送線路の特性インピーダンス、
βは、位相定数、l1は、電波通路入口8からT分
岐開口部までの寸法である。
T分岐開口部9までを見た時のインピーダンス
(Z′1とする)は、T分岐開口部9のトータルイン
ピーダンスをZTとすれば、 Z′1=Z0ZT+jZ0tanβl1/Z0+jZTtanβ1(1−1
) ここでZ0は、伝送線路の特性インピーダンス、
βは、位相定数、l1は、電波通路入口8からT分
岐開口部までの寸法である。
(産報出版・電子科学シリーズ21、マイクロ波回
路基礎知織P.15) また、T分岐開口部9のインピーダンス記述に
関しては、第4図のZaからZdに関しては、同参考
文献P.166より次のような関係式がある Za=jBa Zb=−jBb Zc=−jBc Zd=jBd (1−2) 次にT分岐部12のインピーダンスZ′2は、そ
の長さをl2とすると、終端が短絡されているの
で、 Z′2=jZ0tanβl2=jZ″2 (1−3) となり、T分岐開口部9のZb、Zc、Zdと合成する
と、 Z2=jZ′2(Bd−Bc)−1/Bb{Z″2(B
d−Bc)−1}+Bc(Z″2Bd−1)=jW1(1−4)
また、T分岐開口部9から電波通路終端部20
までのインピーダンスZ3は、損失インピーダンス
をZLとすると、 Z3=Z0ZL+jZ0tanβl3/Z0+jZLtanβl3=W2+jW3(1
−5) となり、T分岐部9Zaとの合成インピーダンス
は、(1−5)式とより、 Z3=1/jBa(W2+jW3)/1/jBa+W2+jW3=W4+jW
5(1−6) さらに、(1−4)、(1−6)、T分岐部9の残
りのZaとの合成インピーダンスZTは、 ZT=(Z2+Z3)・1/jBa/1/jBa+Z2+Z3=
W6+jW7(1−7) この(1−7)式を(1−1)式に代入する
と、 Z′1=Z0W6+jW7)+jZ0tanβl1/Z0+j(W6+jW7)ta
nβl1 =R+jI (1−8) というインピーダンス関係式が得られる。
路基礎知織P.15) また、T分岐開口部9のインピーダンス記述に
関しては、第4図のZaからZdに関しては、同参考
文献P.166より次のような関係式がある Za=jBa Zb=−jBb Zc=−jBc Zd=jBd (1−2) 次にT分岐部12のインピーダンスZ′2は、そ
の長さをl2とすると、終端が短絡されているの
で、 Z′2=jZ0tanβl2=jZ″2 (1−3) となり、T分岐開口部9のZb、Zc、Zdと合成する
と、 Z2=jZ′2(Bd−Bc)−1/Bb{Z″2(B
d−Bc)−1}+Bc(Z″2Bd−1)=jW1(1−4)
また、T分岐開口部9から電波通路終端部20
までのインピーダンスZ3は、損失インピーダンス
をZLとすると、 Z3=Z0ZL+jZ0tanβl3/Z0+jZLtanβl3=W2+jW3(1
−5) となり、T分岐部9Zaとの合成インピーダンス
は、(1−5)式とより、 Z3=1/jBa(W2+jW3)/1/jBa+W2+jW3=W4+jW
5(1−6) さらに、(1−4)、(1−6)、T分岐部9の残
りのZaとの合成インピーダンスZTは、 ZT=(Z2+Z3)・1/jBa/1/jBa+Z2+Z3=
W6+jW7(1−7) この(1−7)式を(1−1)式に代入する
と、 Z′1=Z0W6+jW7)+jZ0tanβl1/Z0+j(W6+jW7)ta
nβl1 =R+jI (1−8) というインピーダンス関係式が得られる。
そこで加熱室内のインピーダンスZ〓と加熱室外
のインピーダンスZ′1、マグネトロンからの電波
放射量をPINとすれば、Z〓とZ′1のリアル分の並列
回路が、電波漏洩量PLの計算値と実測値とが一
致する結果となつた。すなわち、 PL=1/R/R2+I2+I/Z〓PIN PL=R×Z〓/R2+I2+R・Z〓)PIN (1−9) となる。この計算値と実測値の結果を第5図に示
す。
のインピーダンスZ′1、マグネトロンからの電波
放射量をPINとすれば、Z〓とZ′1のリアル分の並列
回路が、電波漏洩量PLの計算値と実測値とが一
致する結果となつた。すなわち、 PL=1/R/R2+I2+I/Z〓PIN PL=R×Z〓/R2+I2+R・Z〓)PIN (1−9) となる。この計算値と実測値の結果を第5図に示
す。
これにより、電波通路入口8からT分岐開口部
までは、1/4波長より短い方が電波シール性能が
よいことがわかる。
までは、1/4波長より短い方が電波シール性能が
よいことがわかる。
さらに第6図においてT分岐開孔部9から伝送
線路終端11までの長さl3と伝送線路終端におけ
る損失インピーダンスZL15と電波通路系の特性
インピーダンスZO16に電波漏洩量の定量解析法
を適要させると以下に示すような結果を得る。
線路終端11までの長さl3と伝送線路終端におけ
る損失インピーダンスZL15と電波通路系の特性
インピーダンスZO16に電波漏洩量の定量解析法
を適要させると以下に示すような結果を得る。
第6図において、伝送線路終端部の損失インピ
ーダンスZL15を距離l3(T分岐開孔部から伝送
線路の終端まで)離れて見た場合のインピーダン
スZ3は、伝送線路の特性インピーダンスをZO16
にすれば、前記(1−5)を変形し、 Z3=ZO/ZO 2+(ZLtanβl3)2 {ZOZL(1 +tan2βl3) +j(ZO 2−ZL 2)tanβl3} ………(2) 今、第6図におけるZ117が無限大(すなわち
T分岐部10を4分の1波長近くにする)状態に
した場合、第7図に示す如く回路的オープンであ
り、回路にわずかの定電流Iが流れた場合、損失
インピーダンスZL15を含むZ3のインピーダンス
が大きい方が電波漏洩量が多くなることは PL=|Z3||I|2 ………(3) の式より容易に想像できる。
ーダンスZL15を距離l3(T分岐開孔部から伝送
線路の終端まで)離れて見た場合のインピーダン
スZ3は、伝送線路の特性インピーダンスをZO16
にすれば、前記(1−5)を変形し、 Z3=ZO/ZO 2+(ZLtanβl3)2 {ZOZL(1 +tan2βl3) +j(ZO 2−ZL 2)tanβl3} ………(2) 今、第6図におけるZ117が無限大(すなわち
T分岐部10を4分の1波長近くにする)状態に
した場合、第7図に示す如く回路的オープンであ
り、回路にわずかの定電流Iが流れた場合、損失
インピーダンスZL15を含むZ3のインピーダンス
が大きい方が電波漏洩量が多くなることは PL=|Z3||I|2 ………(3) の式より容易に想像できる。
そこでZ3なるインピーダンスの大小を決定する
のは、(2)式において、伝送線路の特性インピーダ
ンスZO16と損失インピーダンスZL15とのパラ
メータの大小関係によつて電波漏洩量がl3の長さ
を短くするほど増えたり、又は減じられるという
のである。
のは、(2)式において、伝送線路の特性インピーダ
ンスZO16と損失インピーダンスZL15とのパラ
メータの大小関係によつて電波漏洩量がl3の長さ
を短くするほど増えたり、又は減じられるという
のである。
わかりやすい例として(2)式においてl3=0、l3
=30.5mmを代入した場合、 l3=O→Z3=ZL ………(4) l3=30.5mm→Z3 1=ZO 2/ZL ………(5) したがつてl3が短いほど電波漏洩量が少くなる
条件は(Z3<Z3 1) Z3−Z3 1=ZL−(ZO 2/ZL 2)=1/ZL(ZL +ZO)(ZL−ZO)<O より ZL<ZO ………(6) なる条件が必要である。すなわち、伝送線の特性
インピーダンスZOが伝送線終端の損失インピーダ
ンスZLより大きければ、l3の寸法(T分岐開孔部
より伝送線路終端までの距離)はl3=1/4波長を
ピークに短くするほど電波漏洩量が、少くできる
のである。
=30.5mmを代入した場合、 l3=O→Z3=ZL ………(4) l3=30.5mm→Z3 1=ZO 2/ZL ………(5) したがつてl3が短いほど電波漏洩量が少くなる
条件は(Z3<Z3 1) Z3−Z3 1=ZL−(ZO 2/ZL 2)=1/ZL(ZL +ZO)(ZL−ZO)<O より ZL<ZO ………(6) なる条件が必要である。すなわち、伝送線の特性
インピーダンスZOが伝送線終端の損失インピーダ
ンスZLより大きければ、l3の寸法(T分岐開孔部
より伝送線路終端までの距離)はl3=1/4波長を
ピークに短くするほど電波漏洩量が、少くできる
のである。
一方、ZL>ZOの場合は、逆の現象が起きる。つ
まり上述の場合とは異なり、l3=30.5mm付近で電
波漏洩量が最小になり、l3=0、または2分の1
波長の時、ピーク値をもつようになる。またl3部
をスリツトにしないとl3の長さが大きくなると順
調に減少することが実測された。
まり上述の場合とは異なり、l3=30.5mm付近で電
波漏洩量が最小になり、l3=0、または2分の1
波長の時、ピーク値をもつようになる。またl3部
をスリツトにしないとl3の長さが大きくなると順
調に減少することが実測された。
第5図に示すようにZL>ZOの場合の理論曲線と
実測値がほぼ一致する結果を得たが電波漏洩量が
少ないl3=30mm付近(4分の1波長)では、電波
シール効果はあつてもコンパクト化には全く貢献
していない。
実測値がほぼ一致する結果を得たが電波漏洩量が
少ないl3=30mm付近(4分の1波長)では、電波
シール効果はあつてもコンパクト化には全く貢献
していない。
そこで、電波シール効果がありコンパクト化も
達成するために(6)式なる条件を作り出そうとする
ものである。
達成するために(6)式なる条件を作り出そうとする
ものである。
さて、伝送線の特性インピーダンスZOの定義式
は、 ZO=120π×(b×a) ………(7) で示される。ここでb18は、電波通路7の間
隙、a19は伝送線路輻である。6の条件を作り
出すためには7式の特性インピーダンスZOを大き
くすればよいのであるから、電波通路の間隙を大
きくするか、伝送線路輻を狭くすればよく、本発
明ではl3部分20にテーパを施した。l3=10mmに
してテーパを施すと施す前より電波漏洩量が約5
分の1以下になつた。第5図においてA→A′点
になつた。このことは、すなわち(6)式なる条件を
理論的かつ実験的に再現し、電波シール効果もあ
りコンパクト化も実現可能となつたわけである。
は、 ZO=120π×(b×a) ………(7) で示される。ここでb18は、電波通路7の間
隙、a19は伝送線路輻である。6の条件を作り
出すためには7式の特性インピーダンスZOを大き
くすればよいのであるから、電波通路の間隙を大
きくするか、伝送線路輻を狭くすればよく、本発
明ではl3部分20にテーパを施した。l3=10mmに
してテーパを施すと施す前より電波漏洩量が約5
分の1以下になつた。第5図においてA→A′点
になつた。このことは、すなわち(6)式なる条件を
理論的かつ実験的に再現し、電波シール効果もあ
りコンパクト化も実現可能となつたわけである。
なおこれは本発明一実施例に限定されるもので
はなく他の実施例として第8図に示すようなl3の
形状などさまざま考えられる。
はなく他の実施例として第8図に示すようなl3の
形状などさまざま考えられる。
以上本発明は、加熱室壁面とドアとで形成され
る電波通路を一部T分岐終端した伝送線路で周期
的に配列し、T分岐開口部から伝送線路終端まで
の伝送線路の線路巾を変えることによつてコンパ
クトな電波シール装置が実現でき(1)〜(4)に示す効
果が得られる。
る電波通路を一部T分岐終端した伝送線路で周期
的に配列し、T分岐開口部から伝送線路終端まで
の伝送線路の線路巾を変えることによつてコンパ
クトな電波シール装置が実現でき(1)〜(4)に示す効
果が得られる。
(1) コンパクトな電波シール装置が実現でき、高
周波加熱装置本体の省スペース化可能となる。
周波加熱装置本体の省スペース化可能となる。
(2) 伝送線路のインピーダンスZOと電送線路終端
部の損失インピーダンスZLの大小関係で電波漏
洩量が定量解析でき、伝送線路の形状で電波シ
ール性能が向上する設計が可能である。
部の損失インピーダンスZLの大小関係で電波漏
洩量が定量解析でき、伝送線路の形状で電波シ
ール性能が向上する設計が可能である。
(3) 電波シール部のコンパクト化に伴い従来より
材料が少くてすむ。
材料が少くてすむ。
(4) ドアの軽量化が図れる。
第1図は従来のチヨークシール機構図、第2図
は本発明一実施例を示すT分岐部断面図、第3図
は伝送線路の形状図、第4図は電波通路のインピ
ーダンス等価回路図、第5図は本発明一実施例の
結果のグラフ、第6図、第7図は本発明を定量説
明するための等価回路図、第8図は本発明におけ
る他の実施例である。 1……加熱室、6……ドア、2,7……電波通
路、3,8……電波通路入口、10……T分岐
部、11……伝送線路終端、12……誘電体、1
3……伝送線路、20……伝送線テーパ部分
(l3)。
は本発明一実施例を示すT分岐部断面図、第3図
は伝送線路の形状図、第4図は電波通路のインピ
ーダンス等価回路図、第5図は本発明一実施例の
結果のグラフ、第6図、第7図は本発明を定量説
明するための等価回路図、第8図は本発明におけ
る他の実施例である。 1……加熱室、6……ドア、2,7……電波通
路、3,8……電波通路入口、10……T分岐
部、11……伝送線路終端、12……誘電体、1
3……伝送線路、20……伝送線テーパ部分
(l3)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 加熱室に被加熱物を出し入れする開閉自在の
ドアを有し、前記加熱室壁面と前記ドアとで形成
される電波通路を一部、T分岐で終端した伝送線
路で周期的に配列し、かつ前記T分岐の開孔部か
ら前記電波通路終端までの前記伝送線路の線路巾
の寸法、形状を変形し、前記電波通路の入口から
前記T分岐の開孔部までの寸法と、前記T分岐の
開口部から前記電波通路の終端までの寸法をそれ
ぞれ4分の1波長より小さい構成とした電波シー
ル装置。 2 前記T分岐の部分に誘電体を装荷した特許請
求の範囲第1項記載の電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098864A JPS58216389A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電波シ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098864A JPS58216389A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216389A JPS58216389A (ja) | 1983-12-16 |
| JPS6359239B2 true JPS6359239B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14231066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098864A Granted JPS58216389A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0522898U (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-26 | エヌ・オー・ケー・メグラステイツク株式会社 | ギヤダンパ |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098864A patent/JPS58216389A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0522898U (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-26 | エヌ・オー・ケー・メグラステイツク株式会社 | ギヤダンパ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58216389A (ja) | 1983-12-16 |
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