JPS6359261B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、金属酸化物半導体（MOS）技術、
特にシリコンゲートMOSを用いた大規模集積回
路（LSL）に用いられることを意図している。本
発明は、一般にLSL回路中の他のデバイスに関連
したLPROMを作成するために製造後にレーザプ
ログラムできる読出し専用メモリー（ROM）に
関する。特に、コンプリメンタリーMOS
（CMOS）技術がLSI製造工程中にプログラミン
グできる形式でレーザプログラマブル読出し専用
メモリー（LPROM）を製造するために用いられ
た。 PROMは、周知のものであり、そして数多く
の変形が商業的になされてきた。あるものは特定
の用途に対し使用者によりフイールドに於てプロ
グラムできるものであり、又あるものは使用者の
要求に基づいて製造者によりプログラムされるも
のである。最も共通的には、使用者のプログラミ
ングは選定されたメモリーロケーシヨンでのメモ
リーアレイ中のヒユーズリンクを吹きとばすこと
により達成される。これは、高電流密度が容易に
達成されるバイポーラトランジスター回路に於て
最も有用である。しかしMOS技術に於てはこの
ヒユーズを吹きとばす技術は達成が難かしく、そ
の使用は接続された回路中に望しくない効果を生
じる。別の形式のPROMは、メモリー内容を決
めるために設計された所定のメタルマスク構造を
用いる。このように、メモリー機能はあらかじめ
決められ、製造工程に於て作られる。この方法
は、関連回路の特性に適合するようにメモリー内
容を修正することができない。 本発明の目的は、製造工程の一部としてメモリ
ーをプログラムするためレーザトリムされるLGI
形式のPROMを提供することである。 本発明の別の目的は、LSI回路中にPROMを組
み込み、この回路をトリムするようにPROMを
プログラムすることによりこの回路が仕様の特性
を生ずるようにデジタルトリミングできるように
することである。 本発明の別の目的は、LSI回路のCMOSに
LPROMを組み込み、そこでLPROMが回路特性
をトリムするように機能し、かつ回路中の誤差を
訂正するように製造中にデジタルプログラムされ
ることである。 本発明の別の目的はLSIウエハー製造に於ける
動作回路に結合されたLPROMを製造するために
レーザをメモリー中のリンクを切り離すために用
い、ここに於て、レーザトリミングがウエハー−
金型分類に於いて回路をデジタルトリムするよう
に応用されることである。 これらの及び他の目的は以下のように達成され
る。ROMはシリコンウエハー上にLSI形式で構
成される動作回路の構造中に組込まれている。こ
のROMはメモリートランジスターのアレイから
なり、その各々は直列に接続された切り離しでき
るリンクを有している。好適な実施例に於ては、
このリンクはICフイールド酸化物の頂部上に配
置されたウエハー製造後目でみることができるシ
クロム（Sichrome）ストリツプである。このリ
ンクは次に製造工程に於けるウエハー−金型分類
処理中にメモリーをプログラムするようにレーザ
切り離しされる。 メモリーアレイは、メモリー動作を制御するア
ドレスデコーダーに接続されている。出力デコー
ダーは、適当な出力構造を与えるメモリー素子に
応答する。好適な実施例に於ては、出力デコーダ
ーは１入力がヒステリシス特性を有している２入
力ゲートにより構成されている。 メモリーアレイ中のワード内容をシユミレート
するために用いられる外部シユミレーシヨン構造
がメモリーに接続される。メモリーをバイパス
し、外部から印加されたワードがメモリー内容シ
ユミレーシヨンのために用いられるように、出力
デコーダーを動作する手段が与えられる。これ
は、接続されたLSI回路中に所望の結果を達成す
るためにワードの挿入及びこのワード内容の調整
を可能にする。所望のワードは次にメモリーにそ
のワードを再生させるシクロムリンクを切り離す
ことによりメモリー中にレーザプログラムされ
る。 このようにこのLSI回路は、LSI回路が製造さ
れた後、オンチツプLPROMを用いてデジタルト
リムされる。訂正トリムワードは、ウエハー−金
型分類中に発見され、デバイス中にレーザプログ
ラムされ、その結果極めて複雑な高精度のLSI回
路が引き続く別のトリミングを必要とせずに製造
される。 第１図に於て、メモリーアレイ１０は、４×４
構造中に配置された16個のロケーシヨンを有する
ものとして示されている。この簡単な構成は以下
の説明のためにのみ示されている。任意の所望の
アレイサイズ及び形式が本発明を実現する際に使
用できる。示されたアレイは、４個の列を形成
し、その各行はデコーダラインに接続されてい
る。１１ないし１４に示された４つのラインは、
デコーダ１５によるアレイアドレスする。４ビツ
トライン１８ないし２１は、ライン１８がMSB
を示し、ライン２１がLSBを示すものとしてメ
モリーに接続されている。 このメモリーは16個のｐチヤンネルトランジス
タを含み、各トランジスターは＋Vccに接続され
たソースを有している。接続されたドレイン電極
とそれが示すワードラインとの間に接続された抵
抗として示される分離可能リンクを有している。
各ワードラインは、接地されて示されているノー
ド２６に接続された２２−２５の１つである抵抗
を有している。通常は、デコーダラインは、高
（ほぼ＋Vcc）にあり、これにより接続されたト
ランジスターをオフにしている。トランジスター
がオフであると、ワードライン抵抗は接続された
ワードラインを低にする。実際問題としては、ワ
ードライン抵抗２２−２５は、トランジスターと
直列の分離可能リンク中の抵抗値のほぼ10倍の値
に作られている。次に端子１６及び１７のアドレ
スにより決められたようにアドレスラインが低に
なつた時、これらに接続されたトランジスターは
オンになる。オンになつた時ｐチヤンネルトラン
ジスターが低値のプルアツプ抵抗として作用し、
そのドレイン電極はほぼ＋Vccで動作される。も
し分離可能リンクがもとのままであるとこれは接
続されたワードライン抵抗と共に分圧器として働
き、ワードラインが＋Vccのほぼ90％に上昇され
る。これは論理「１」を示す。 分離可能リンクが実際に切り離されると、以下
に更に詳細に説明される手段により及びＸ指示に
示されるように、メモリーは以下の表に示される
ようにプログラムされる。

【表】 この２ビツトアドレスは、１つの選択されたト
ランジスターの列をオンにするように１つのアド
レスラインを低にする。出力すなわち記憶した４
ビツトワードは、アレイ中の分離された（すなわ
ちプログラムされた）リンクの任意の関数であ
る。プログラムする前に、すべての４ビツト記憶
ワードは1111である。 第２図及び第３図は、それぞれメモリーアレイ
中の一対のビツトロケーシヨンの構成の好ましい
形式の断面及びトポグラフイーを示す。これらの
図は、ICチツプの部分を表わし、大きさを示す
ものではない。寸法は構造の詳細を示すために拡
大されている。テバイス及び構造は、通常の構成
のものであることがわかる。 基板ウエハー３０は典型的には幾分ドープされ
たｎ型シリコンである。このウエハーは、典型的
にはほぼ１ミクロンの厚さまで成長されたフイー
ルド酸化物３１によりほとんどの表面が被覆され
ている。３２で示されるｐチヤンネルトランジス
ターは、それぞれドレイン及びソース電極として
機能するｐ＋領域３３及び３４を拡散することに
より製造される。第２図からわかるように薄い
（すなわちゲート）酸化物の領域がソースとドレ
インとの間に存在し、ゲートメタル３５によりカ
バーされている。第３図に示されるようにゲート
メタル３５は多数のトランジスターを特定のメモ
リーアドレスラインに接続する導電線である。こ
のトランジスターはＮ＋拡散ガードリング３６に
より囲まれている。これらのトランジスターは、
対３２及び３２′で構成され単一の即ち共通ソー
ス拡散３４及び別々のドレイン拡散３３及び３
３′を有している。メタルライン３８は、メモリ
ー＋Vccラインであり、４４でトランジスターの
ソース拡散３４にオーミツク接触している。 メタル３９は、分離できる導電リンクを示す。
これは、好ましくは、シリコンに約30％クロムを
加えた合金であるシクロム（sichrome）の薄層
から構成される。この材料は、90Aと600Aとの
間の厚さとの考えられる厚さまで合金として一緒
に蒸着される。この合金は、平方当り約1.5キロ
オームのフイルム抵抗値を正確に発生するために
蒸着され、シリコン酸化物に極めて良く付着し、
その上に蒸着されたガラス層４３により容易に不
活性化される。このフイルムはかなりうすいの
で、このフイルムはフオトリソグラフ的に正確に
輪郭を描くことができ、かなり正確に適当な高抵
抗を作る。このような抵抗フイルムは、従来の上
ずみメタルフイルムのよりオーミツクに接触され
る。第２図及び第３図に示されるように、メタル
フイルム４０はオーミツク接点４１を介してドレ
イン電極３３をリンク３９に接続しこのリンク３
９の多端は、ワードラインメタル４２に接続され
ている。 シクロムをリンク３９用のメタルとして選んだ
理由の１つは、レーザトリミングにより取り去る
ことが容易だからである。この特徴は、トーマ
ス・ピー・レツドフエルン（Thomas P.
Redfern）により1978年２月15日に出願され、本
発明の譲受人に譲渡された出願番号第877915号の
「集積化コンデンサー用トリム構造」（“TRIM
STRUCTVRE FOR INTEGRATED
CAPACITORS”）中に開示されている。この出
願はシクロムの構造及びそのレーザトリマビリテ
イー及び薄膜代替物を開示している。代替物は、
モリブデン、タングステン、タンタル、ニツケル
クロム合金、ニオブ及びタンタルニトライドを含
んでいる。 第３図に示されるようにリンクの１つ３９′は
レーザ４５により切り離される。およそ1.06ミク
ロンの波長で動作するネオジム（neodymium）
をドープしたYAGレーザを用いることが好まし
い。この形式のメモリープログラミングに於ては
「０」はリンク３９′の両端を切断することにより
入力される。たとえばトランジスター３２′がオ
ンになつてもワードライン４２′を論理「１」に
引き上げるいかなる電流も流れない。リンク３９
及び３９′はフイールド酸化物上に位置しており
レーザ４５が比較的低電力で動作されるのでこの
リンクは下層のシリコンから損傷なしに切り離す
ことができる。シクロムリンクがライン３８或い
は４２のようなアルミニウム導体を切り離すのに
必要とされる電力のおよそ10％で好ましいレーザ
を用いて切り離すことができることがわかつた。
この必要な電力はきわめて低いので、レーザビー
ムは接続を劣化させずに下層のシリコンpn接続
を走査することができる。従つて、リンク３９及
び３９′はデバイス・フリー基板部分上に配置さ
れて示されているが、フイールド酸化物の任意の
部分上に配置させることができる。 第４図は、第１図に関連して説明されたような
メモリーアレイ１０に接続させる別の回路を示し
ている。アドレスデコーダ１５及びその動作は、
従来通りであり第１図に関連して開示されたよう
に動作する。ワードライン１８−２１はそれぞれ
一群のNANDゲート５０−５３の一入力端子に
接続される。NANDゲート５０−５３の第二の
入力端子が高にある時ゲートは単なる論理インバ
ータとして動作することがわかる。インバータ５
４−５７はワード出力端子５８−６１がメモリー
アレイ１０の内容を繰返すようにする。これは、
通常のメモリー読出し状態である。 メモリーアレイ１０のプログラミングに先立つ
て、すべてのワードライン１８−２１はメモリー
がアドレスされた時通常は高であることがわかつ
ている。これは、NANDゲート５０−５３の
各々の低次入力状態がワード出力５８−６１に繰
返されることを意味している。これはまたメモリ
ー出力がそのプログラミングに先立つてシユミレ
ートされることを意味している。即ち、ワードは
接続されたシステム上の効果を決めるために、マ
ニユアルにメモリー出力に加えられる。もし所望
であれば、ワードは所望の効果を達成するように
取扱われる。このワードは次にメモリーアレイ１
０の適切な部分を適切にプログラミングする（レ
ーザー切り離しする）ことにより複製される。 メモリーシユミレーターは、次のように動作す
る。メモリーアレイ１０に於ける任意のリンク切
り離しに先立つて、ライン１８−２１はすべて
Vcc近くで動作し、NANDゲート５０−５３の
高次入力は高である。プローブ６５で示されるよ
うなテストプローブがパツド７１に適用され図示
の関連したオフチツプスイツチ６５′を介して接
地されている時、トランジスター７６−７９はそ
のソースが接地され、これにより動作可能にな
る。NANDゲート５０−５３の低次入力の各々
はグループ６７−７０中のプルアツプトランジス
ターに接続される。これら入力の各々は、又、グ
ループ７６−７９の別のｎチヤンネルトランジス
ターのドレイン端子に接続されるのでパツド７１
が接地された時各トランジスターは、図示されな
い外部のプローブ手段により決められるようにグ
ループ７２−７５の関連したパツドの論理状態に
応答する。外部印加論理はそのためにNANDゲ
ート５０−５３を動作する。このように、パツド
７１が接地されている限り、もしパツド７２が論
理「０」の低にあるならばトランジスター７６は
オフにあり、ゲート５３の低次端子は高にある。
もしパツド７２が論理「１」の高にあるならば、
トランジスター７６はオンにあり、NANDゲー
ト５３の低次入力は低にある。出力６１のビツト
状態は、所望のようにされる。出力５８−６０は
同様にパツド７３−７５に加えられた信号により
強制される。このパツドに加えられた電位は従つ
てメモリーアレイ１０に内蔵されている任意のワ
ードビツト状態をマニユアルにシユミレートする
ことができる。挿入されたこのワードはデコーダ
１５により選択された列に対するメモリー内容を
シユミレートする。プローブ６５がパツド７１か
ら取り除かれた時トランジスター６６はトランジ
スター７６−７９のすべてのソースを＋Vcc近辺
にし、これによりそれらトランジスターを使用不
可能にする。 このメモリーがIC中の他の回路に関連して用
いられるべきところは、マニユアルプログラミン
グがメモリーワードの効果をあらかじめ確認する
ことができる。代表的システムに於ては、メモリ
ーがプログラムされる前に訂正デジタルワードが
パツド７１を接地することによりまずメモリーを
バイパスして決定される。マニユアルワードが所
望の効果が達成されるまでパツド７２−７５上の
信号を処理することにより選択される。アレイ１
０のメモリーロケーシヨンは次にレーザ切り離し
によりプログラムされ、所定のワードをマニユア
ルに書き込む。このようにアレイ１０の各列がひ
とたび処理されると、全アレイがプログラムされ
る。これは回路製造後になされるのでデジタルト
リムのパーマネント特性が達成される。 第４図において、NANDゲート５０−５３の
各々が高次入力端子に接続されたヒステリシス符
号を有していることがわかる。これは、メモリー
アレイ１０に接続された端子である。NANDゲ
ート５０−５３の低次端子が高にある時、これら
はヒステリシスを有する論理インバータとして機
能する。得られた転送特性は、ゲート回路が前述
のようにメモリーアレイ１０の動作により発生さ
れた論理レベルまで確実にリアクトする。ライン
１８−２１の論理「０」が接地電位に近くそのた
め論理「１」が＋Vccの90％にまで近いことが示
されている。この90％は製造プロセスにより変化
するので正確ではない。即ち、ライン１８−２１
はすべてやや異なつた論理「１」値を発生する。
Vccレベルの90％以下で高次トリツプポイントを
うまく作ることにより、この回路は論理「１」レ
ベルに容易に応答する。ゲートに対するヒステリ
シスの別のものはノイズを極めて減少し、そのた
め信頼性を極めて増加する。論理０状態が接地に
あるので、ノイズは問題ではない。 第５図は従来のCMOS NANDゲートを示す。
ｎチヤンネルトランジスター８５及び８６に接続
されたシリーズは、ロードデバイスとして機能す
る１対の並列接続されたｐチヤンネルトランジス
ター８７及び８８に接続される。入力８９或いは
９０のどちらかが低即ち論理「０」であるなら
ば、トランジスター８５及び８６にはいかなる導
通もない。入力状態は、少なくともトランジスタ
ー８７あるいは８８の１つがオンであることを保
証し、これにより出力端子９１を高くにする。両
入力端子８９及び９０が論理「１」の高であれ
ば、トランジスター８７及び８８の両方がオフに
あり、トランジスター８５及び８６の両方がオン
にあり出力端子９１を低にする。論理スイツチン
グは主にデバイス比率（device rationing）によ
り決められるトランジシヨンレベルの周辺で生ず
る。 第６図においては、１入力にヒステリシスを有
するNANDゲートが示されている。直列接続さ
れたｎチヤンネルトランジスター９１及び９２及
びｐチヤンネルロードトランジスター９３は通常
のものである。入力９８は通常のNANDゲート
入力として動作する。しかし、入力９７について
は、３つの相互に接続されたｐチヤンネルトラン
ジスター９４−９６は入力９７により動作される
ロードデバイスとして使用する。トランジスター
９４及び９５は入力９７に接続されたそのゲート
に直列に接続されている。トランジスター９６は
トランジスター９４及び９５の接触点から接地へ
接続され、そのゲートは出力端子９９に接続され
る。 以下の説明に対しては、入力９８が高にあり、
次に入力９７がインバータとしてゲートを動作す
るものとする。従つてトランジスター９１はオン
にありトランジスター９３はオフにある。 入力９７が低、トランジスター９２がオフ、そ
してトランジスター９４及び９５がオンにあるも
のとする。出力端子９９は高に、トランジスター
９６はオフになる。入力が上昇するにつれて、ト
ランジスター９２はオンになり、ロードトランジ
スター９４及び９５と共にインバータを形成す
る。このインバータは典型的にはVcc／２近辺の
トランジシヨンレベルで動作する。この上昇入力
はトランジスター９２における導通を増加し、ト
ランジスター９４及び９５の導通を減少する。お
だやかに開始するこのトランジシヨンのある点で
トランジスター９５の両端の電圧効果がトランジ
スター９６のスレシホールド電圧を超える。トラ
ンジスター９６は導通を始め、トランジスター９
５のソースを低次にし、これによりそのターンオ
フを速くする。次にこれはトランジスター９６の
導通を増し、トランジスター９５を急速にオフに
し、トランジスター９６をオンにするという再生
動作を発生する。この出力が急速に接地にまで低
下し、入力端子９７がVccになるまでそこにとど
まる。このトランジシヨンは従来のCMOSイン
バータトランジシヨンの入力電圧に近くで或いは
やや大きい電圧で生ずることがわかる。 入力端子９７が高かつ出力端子９９が低でスタ
ートするとトランジスター９２がオンになりトラ
ンジスター９４及び９５がオフになることがわか
る。トランジスター９６のゲートが低になるの
で、これはオンであるがトランジスター９４がオ
フなので導通しない。端子９７の入力が低められ
ているので第一の動作はゲートがVccより低いス
レシホールドまで低下した時にトランジスター９
４をオンにすることである。この点でトランジス
ター９４及び９６は導通し、トランジスター９５
のソースをVccに向けて引き始める。トランジス
ター９６はトランジスター９５の両端の電位を１
スレシホールドまでクランプしようとし、そのソ
ースをゲート電位より低く保ち、出力が接地にと
どまるようにトランジスター９５をオフに保持す
る。入力が更に、低下するにつれてトランジスタ
ー９４をソースをVccに向けて引き、そしてデバ
イス比率により決定されるある点に於て、トラン
ジスター９５がオンになるようにする。しかしト
ランジスター９５がオンとなる前にこのトランジ
スター９５のゲートは、そのソースより１スレシ
ホールド低く引かれなければならない。これは入
力電位がVcc／２に近い前述のトランシジヨンレ
ベルより低に十分低下するまで生じない。一度ト
ランジスター９５がオンになると、これは端子９
９を上に引きトランジスタ９６の導通を減少す
る。次にこれはトランジスター９５のソース電圧
の増加を生じ、これによりトランジスター９５の
オンが更に急激になされる。このように再生動作
が生じ、回路は出力端子９９がVccになる状態に
まで、極めて迅速に復帰し、そして端子９７の入
力が接地になるようにそこにとどまる。 このようにこの回路は実質的に矩形のヒステリ
シスループを有している。このループはVcc／２
に極めて近い上側トリツプポイント及び接地電位
より十分上にある下側値にある下側トリツプポイ
ントを有している。これらトリツプポイントの正
確なロケーシヨンはトランジスターサイズにより
設定される。 第６図の回路はCMOS技術に於ける従来の状
態を用いて構成されている。種々のデバイスが以
下の表に示されるように比率されている。分数は
単位milのデバイス幅／長さの大きさを示す。

【表】 これらの値は第１図のアレイを動作している第
４図のNANDゲート５０−５３に対して必要と
される特性を与えた。５ボルトVcc電源を用いる
と高次トリツプポイントは、典型的には、およそ
３ボルトそして低次トリツプポイントはおよそ２
ボルトである。この特性はLPROMアレイより与
えられる０とおよそ4.5ボルトとの間の論理レベ
ルを用いて良好なノイズ現象を与える。

【図面の簡単な説明】

第１図は４×４メモリーアレイを示す回路図で
ある。第２図はメモリー素子の構成を示す断面図
である。第３図は素子の隣接対の好適な配列のト
ポグラフイーを示す図である。第４図はアドレス
及び出力デコーダ、メモリー内容をバイパスしシ
ミユレートする手段を備えるメモリーシステムを
示す回路ブロツク図である。第５図はCMOSデ
バイスを用いた従来の２入力NANDゲートの回
路図である。第６図は１入力がヒステリシス特性
を有する２入力NANDゲートの回路図である。 １０……メモリーアレイ、１５……デコーダ
ー、３０……基板ウエハー、３１……フイールド
酸化物、３２，３２′……ｐチヤンネルトランジ
スタ、３３，３３′……ドレイン電極、３４，３
４′……ソース電極、３５……ゲートメタル、３
６……ガードリング、３８……メタルライン、３
９，３９′……リンク、４０，４０′……メタルフ
イルム、４１，４１′，４４……オーミツク接点、
４２，４２′……ワードラインメタル、４５……
レーザ、６５……テストプローブ、７２〜７５…
…パツド。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数のトランジスターを含み各トランジスタ
   ーが１対の被制御導通電極及び制御電極とその周
   囲のフイールド酸化物とを有するモノリシツク集
   積回路中に組込むのに適したレーザプログラマブ
   ル読出し専用メモリーにおいて、 前記トランジスターの１つとそれに直列に接続
   され、レーザによつて分離可能なリンク手段とか
   らそれぞれ構成されている、行列構成に配列され
   た複数のメモリーロケーシヨンと、 前記構成の各行に結合され前記行の各トランジ
   スターに結合されたワードライン手段と、 各ワードライン手段に接続され前記ワードライ
   ンを第１の論理状態にするよう電気的に作用する
   手段と、 前記構成の各列に結合されたアドレスライン手
   段とからなり、 該アドレスライン手段は前記列中の前記トラン
   ジスターの各々の制御電極に結合されており、前
   記アドレスラインが前記トランジスターをオンに
   するように電気的に動作された時、前記ワードラ
   イン手段が第２の論理状態となるように前記分離
   可能リンク手段を介してトランジスターが動作す
   るよう構成された事を特徴とするレーザプログラ
   マブル読出し専用メモリー。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のメモリーにおい
   て、前記分離可能リンク手段が、各ワードライン
   手段に接続された前記手段の電気抵抗より小さい
   電気抵抗を有するように構成されていることを特
   徴とするレーザプログラマブル読出し専用メモリ
   ー。 ３ 特許請求の範囲第２項記載のメモリーにおい
   て、前記分離可能リンク手段が前記集積回路の前
   記フイールド酸化物上に配置された導電性メタル
   フイルムから成り、これにより前記フイルムがレ
   ーザビームで走査されることにより切り離される
   ことを特徴とするレーザプログラマブル読出し専
   用メモリー。 ４ 特許請求の範囲第３項記載のメモリーにおい
   て、前記メタルフイルムがシクロム、モリブデ
   ン、タングステン、タンタル、ニツケルクロム合
   金、ニオブ、及びタンタルニトライドから成るグ
   ループから選択された材料から成ることを特徴と
   するレーザプログラマブル読出し専用メモリー。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のメモリーにおい
   て、前記メタルフイルムがシクロから成り、前記
   レーザが１ミクロン近辺の波長で動作することを
   特徴とするレーザプログラマブル読出し専用メモ
   リー。 ６ 特許請求の範囲第２項記載のメモリーにおい
   て、更に、前記メモリーの内容をシユミレートす
   る手段を備え、該シユミレートする手段が、 前記ワードライン手段に接続された出力手段
   と、 該出力手段に接続されデジタルワードをその中
   に入力する手段と、 外部で所定のデジタルワードを発生し、これを
   前記入力する手段へ加える手段とから成り、これ
   により前記所定のデジタルワードが前記メモリー
   中の内容をシユミレートすることを特徴とするレ
   ーザプログラマブル読出し専用メモリー。 ７ 特許請求の範囲第６項記載のメモリーにおい
   て、前記出力手段が、デユアル入力ゲート手段か
   ら成り、該デユアル入力ゲート手段にはデユアル
   入力ゲートが前記ワードライン手段の各々に対し
   存在し、前記ゲート手段の各々の第１の入力が各
   ワードライン手段に接続され前記ゲート手段の
   各々の第２の入力が前記入力する手段に接続され
   ていることを特徴とするレーザプログラマブル読
   出し専用メモリー。 ８ 特許請求の範囲第７項記載のメモリーにおい
   て、前記第１の入力が、上側トリツプ点が前記第
   ２の論理状態レベルより下に位置され下側トリツ
   プ点が前記第１の論理状態レベルより上に位置さ
   れるようなヒステリシス特性を有することを特徴
   とするレーザプログラマブル読出し専用メモリ
   ー。 ９ 特許請求の範囲第８項記載のメモリーにおい
   て、前記デユアル入力ゲート手段がインバータゲ
   ートに接続された出力端子を有するNANDゲー
   トから成ることを特徴とするレーザプログラマブ
   ル読出し専用メモリー。