JPS6363638B2 - - Google Patents
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- JPS6363638B2 JPS6363638B2 JP58236415A JP23641583A JPS6363638B2 JP S6363638 B2 JPS6363638 B2 JP S6363638B2 JP 58236415 A JP58236415 A JP 58236415A JP 23641583 A JP23641583 A JP 23641583A JP S6363638 B2 JPS6363638 B2 JP S6363638B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は金属銅及び塩素を製造する方法に関
するもので、詳しくは電子機器材料に使用するプ
リント配線基板の製造に際して生ずる塩化第二銅
含有廃液、或いは製鋼所における銅含有合金の酸
洗いで生ずる塩化第二銅含有廃液等の廃液を処理
して得た塩化第一銅含有溶液から金属銅及び塩素
を製造する方法に関するものである。 〔従来の技術〕 近年、プリント配線基板のエツチングに塩化第
二銅の水溶液を主成分とし、これに塩酸および過
酸化水素を添加したエツチング剤が多量に使用さ
れるようになり、これに伴いプリント配線基板の
エツチング後に排出される塩化第二銅の含有廃液
の処理が公害防止上の大きな問題となつてきてい
る。 また、製鋼所等で生産される銅含有ステンレス
鋼を塩酸で洗浄した後に生ずる廃液中には、塩化
第二銅が含まれており、この廃液の処理も問題と
なつている。 これらの廃液の処理方法として、無隔膜電解槽
或いは濾隔膜電解槽を使用した電解による銅の回
収方法が知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、この無隔膜法による電解又は濾
隔膜法による電解においては、電解液中に２価の
銅イオンが存在するため、銅の回収率が低く、か
つ溶液の酸性度によつては還元過程で塩化第一銅
が生じ、この塩化第一銅の溶解度が小さいため、
陰極上に塩化第一銅が析出してくるといつた問題
が生じ、工業的には採用し難いものである。 このように、多量に排出される塩化第二銅廃液
の処理には適切な方法が未だなく、その処理に苦
慮しているのが現状である。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明はかゝる現状に鑑み鋭意研究の結果、
プリント配線基板のエツチング後に排出される廃
液、或いは銅合金の酸洗いで生ずる廃液等の塩化
第二銅が、金属銅によつて容易に還元されて塩化
第一銅となることから、かゝる塩化第一銅溶液か
ら、高純度の金属銅と塩素を容易に、しかも著し
く安価に回収することに成功したものである。 すなわち、この発明は陽イオン交換膜によつて
陽極室と陰極室とに区画してなる電解槽の陽極室
に、塩酸又は金属塩化物の水溶液を供給し、陰極
室には、予め塩化第一銅を塩素イオンと反応せし
めて得た塩化第一銅の塩素化錯体溶液を供給する
か、又は／及び塩素イオンを少なくとも塩化第一
銅の塩素化錯体の生成に足る濃度として陰極室内
に存在せしめた状態で塩化第一銅を供給し、電解
により陽極より塩素ガスを発生させ、陰極に金属
銅を電析せしめることを特徴とする金属銅及び塩
素の製造法である。 以下、この発明に使用する電解槽及び電解方法
について、添付の図面を引用してより具体的に説
明する。 第１図はこの発明に使用する電解槽および付帯
設備ならびに経路を示すもので、１は単位電解槽
で構成された電解槽であつて、内部を陽イオン交
換膜４によつて陽極室２、陰極室３に区画してい
る。５は陽極５，６は陰極である。 ７は陰極室３に供給する塩化第一銅の塩素化錯
体溶液又は／及び塩化第一銅溶液の供給経路、８
は陰極室３の上部より塩酸又は金属塩化物を含む
陰極室液を抜出して導入経路１３を経て塩化第一
銅の塩素化錯体溶液調整用の生成槽１２に通ずる
陰極室液の抜出経路である。 生成槽１２は、塩化第一銅の塩素化錯体溶液又
は／及び塩化第一銅溶液を陰極室液として陰極室
３に供給する供給経路７に結合され、その末端は
陰極室３に通じている。 ９は前記抜出経路８の途中で分岐して陽極室２
の底部に通じる陰極室液の供給経路、１０は陽極
室２において発生した塩素ガスの排出部、１１は
陽極室より排出する未反応物を含む淡塩水の排
出、１４は塩化第一銅溶液の生成槽１２への導入
部、１５は塩酸又は１価、２価イオンの金属塩化
物水溶液を生成槽１２に導入する塩素イオン供給
部である。 塩化第一銅は、例えばプリント配線基板のエツ
チングで得た塩化第二銅を含む廃液を金属銅で処
理することによつて得られるものである。 この塩化第一銅は、電解槽１に付帯する導入部
１４から塩化第一銅の塩素化錯体の生成槽１２に
供給される。 この生成槽１２において、導入経路１３を経て
供給される陰極液中の塩酸、又は１価、２価イオ
ンの金属塩化物水溶液又は／及び供給部１５によ
り別途新規に供給される塩酸、又は１価、２価イ
オンの金属塩化物水溶液と合流し、塩化第一銅の
塩素化錯体溶液として供給経路７より陰極室３に
導入供給される。 前記陰極室３から抜出経路８を経て取出された
塩酸又は金属塩化物水溶液を含む脱銅後の陰極室
液は、該抜出経路８より分岐した供給経路９から
陽極室２に導入供給される。 なお、図中１６は濃度調整用の水の供給部であ
る。 この電解槽１による電解操作は、連続操作とす
ることができる。 具体的には、電解槽１の各部に供給する液およ
び電解槽１から排出する液、ガスを連続して送入
および排出して実施する。 陰極室３に供給される塩化第一銅の塩素化錯体
溶液は、0.01mol/l〜2.2mol/lの濃度であれば充
分であるが、特に限定されるものではない。 陰極室３における１価の銅イオンの濃度が低い
時には、電解液抵抗を減ずるため、電解質として
塩酸又は金属塩化物等の１種又は２種以上を添加
してもよい。 この場合の水素イオン濃度（PH）は、４以下で
あることが望ましい。 陽イオン交換膜４を通して陽極室２から陰極室
３に移行される陽イオンは、配位水と共に通電電
流によりその移行量が決まつてくる。 一方、陽極室２に供給する塩酸又は金属塩化物
水溶液の濃度は、0.5mol/l〜５mol/lの範囲が好
ましい。 これら供給原料は、陰極室３における脱銅後の
塩酸又は金属塩化物を含む陰極室内液であるが、
その一部を新液として別個に、又は合流させて供
給してもよい。 陽極室２への供給用、陰極室３への供給用、及
び電極槽１の外部において塩化第一銅の塩素化錯
体生成用として供給される塩酸および金属塩化物
の内の陽イオン種としては、H+、Li+、Na+、
K+、Mg2+、、Ca2+、Sr2+、Ba2+で、具体的には
HCl、NaCl、KCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、
BaCl2等を挙げることができる。 陽極室２から排出される希薄な酸又は塩水は、
0.5mol/l以上あればよく、経済的には分解率を大
きくする方が好ましい。 電解槽１の通電電流密度は１A/dm2〜30A/dm2
の範囲が好ましいが、電解槽容量、電解時間、銅
の析出形態等を考慮するならば５A/dm2〜20A/d
m2が特に望ましい。 また、電解反応に供される陽イオン交換膜４に
ついては、カルボン酸膜、スルフオン酸膜等の通
常の陽イオン交換膜が使用できるが、電解浴の水
素イオン濃度が高いので、強酸型の例えばスルフ
オン酸基を有する陽イオン交換膜が望ましい。 弱酸型の陽イオン交換膜を用いると、膜の抵抗
が大きくなり、槽電圧が高くなる傾向なのであま
り好ましくない。 また、電解浴自体が酸性のため、多価陽イオン
の混在があつても交換膜の損傷は小さいが、多価
陽イオンとして銅より貴なる析出電位をもつ金属
イオンは純銅を得る目的ではあまり好ましいもの
ではない。 陽極には、グラフアイト、マグネタイト、過酸
化ナマリ、あるいはチタン上に白金族金属を塗工
した寸法安定性の不溶性金属陽極などが使用され
る。 陰極は、銅の析出電位が水素発生より貴の電位
で電析するため、酸性溶液中においても常温での
電解が可能となるので、例えばニツケル、銅、チ
タン、チタン合金を使用しても腐蝕は問題とはな
らない。 この発明において、陰極室３に供給する塩化第
一銅の塩素化錯体溶液に代えて、原料塩化第一銅
の溶液を導入部１４から生成槽１２、供給経路７
を経て陰極室３に供給しているが、直接塩化第一
銅のスラリーを陰極室３に供給してもよい。 但し、直接供給の場合、供給した塩化第一銅溶
液が少なくとも陰極室３内において、塩化第一銅
の塩素化錯体を形成するに足る濃度の塩素イオン
を存在させることが必要である。 かゝる塩素イオンは、塩化第一銅溶液の陰極室
３への供給に平行して直接陰極室３に加えるか、
あるいは供給部１５から塩酸等の塩素イオン含有
液を生成槽１２に加えて塩化第一銅スラリーに添
加するなど、陰極室３への供給に先立つて、該塩
化第一銅のスラリー中に加えることによつて達成
される。 また、生成槽１２において、予め調整した塩化
第一銅の塩素化錯体溶液を、供給経路７から陰極
室３に供給する手段と、前記した塩化第一銅溶液
を陰極室３に直接供給する手段はこれを併用して
実施してもよい。 〔作 用〕 図示した電解槽１における陽極５、陰極６への
通電によつて、陰極室３の塩化第一銅の塩素化錯
体水溶液は還元されて、金属銅として陰極６の表
面に電析される。 一方、陽極室２内では塩酸又は金属塩化物水溶
液は、解離して陽イオン（水素イオン、又は該当
する金属塩化物の金属イオン）として存在し、こ
れが陽イオン交換膜４を通して配位水と共に陰極
室３内に移行し、陰極室３内において塩素イオン
により塩酸又は金属塩化物を生成する。 かくして脱銅により生成した塩酸又は金属塩化
物を含み、かつ塩化第一銅の塩素化錯体溶液中に
含まれる遊離塩酸等を含有する陰極室液は、抜出
経路８から、その一部が供給経路９を通じて陽極
室２に供給され、陽極室２への供給原料として再
使用に供され、残りの陰極室液は導入経路１３を
経て塩化第一銅の塩素化錯体調整用として生成槽
１２に供給される。 陽極室２においては、発生する塩素イオンが塩
素ガスとして排出部１０から系外に排出される。 生成槽１２においては、導入部１４から供給さ
れる新規な塩化第一銅溶液が、導入経路１３より
の陰極室液中の塩酸、又は金属塩化物又は／及び
供給部１５から別途新規に導入される塩酸、又は
１価、２価イオンの金属塩化物水溶液と混合して
反応して、塩化第一銅の塩素化錯体溶液として供
給経路７から陰極室３に供給される。 〔実 施 例〕 以下に実施例を掲げてこの発明の方法をさらに
具体的に説明する。 実施例 １ 第１図に示す電解槽構造および付属配管系路に
より次の通り連続運転による電解を行つた。 プリント配線基板のエツチングによつて得られ
た塩化第二銅を含む廃液を、予め金属銅によつて
処理して得た塩化第一銅含有液を原料塩化第一銅
溶液として使用した。 この原料塩化第一銅溶液を、新液として導入部
１４から生成槽１２に送入し、これを塩酸と反応
させて塩化第一銅の塩素化錯体溶液となし、得た
塩化第一銅の塩素化錯体溶液を供給経路７を通し
て電解槽１の陰極室３の底部から供給した。 生成槽１２で使用した前記の塩酸は、導入経路
１３からの塩酸と、供給部１５における新規補給
分である。 陽極室２には、抜出経路８から供給経路９を経
て得られる塩酸を含む陰極室液を供給しつゝ、陰
極室３において金属銅を電析し、排出部１０から
塩素ガスを取出し、排出部１１からは未反応の塩
酸を含む液を排出した。 この場合の各部の送入、排出の諸元、及び運転
条件その他、ならびに運転結果は第１表の通りで
あつた。
するもので、詳しくは電子機器材料に使用するプ
リント配線基板の製造に際して生ずる塩化第二銅
含有廃液、或いは製鋼所における銅含有合金の酸
洗いで生ずる塩化第二銅含有廃液等の廃液を処理
して得た塩化第一銅含有溶液から金属銅及び塩素
を製造する方法に関するものである。 〔従来の技術〕 近年、プリント配線基板のエツチングに塩化第
二銅の水溶液を主成分とし、これに塩酸および過
酸化水素を添加したエツチング剤が多量に使用さ
れるようになり、これに伴いプリント配線基板の
エツチング後に排出される塩化第二銅の含有廃液
の処理が公害防止上の大きな問題となつてきてい
る。 また、製鋼所等で生産される銅含有ステンレス
鋼を塩酸で洗浄した後に生ずる廃液中には、塩化
第二銅が含まれており、この廃液の処理も問題と
なつている。 これらの廃液の処理方法として、無隔膜電解槽
或いは濾隔膜電解槽を使用した電解による銅の回
収方法が知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、この無隔膜法による電解又は濾
隔膜法による電解においては、電解液中に２価の
銅イオンが存在するため、銅の回収率が低く、か
つ溶液の酸性度によつては還元過程で塩化第一銅
が生じ、この塩化第一銅の溶解度が小さいため、
陰極上に塩化第一銅が析出してくるといつた問題
が生じ、工業的には採用し難いものである。 このように、多量に排出される塩化第二銅廃液
の処理には適切な方法が未だなく、その処理に苦
慮しているのが現状である。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明はかゝる現状に鑑み鋭意研究の結果、
プリント配線基板のエツチング後に排出される廃
液、或いは銅合金の酸洗いで生ずる廃液等の塩化
第二銅が、金属銅によつて容易に還元されて塩化
第一銅となることから、かゝる塩化第一銅溶液か
ら、高純度の金属銅と塩素を容易に、しかも著し
く安価に回収することに成功したものである。 すなわち、この発明は陽イオン交換膜によつて
陽極室と陰極室とに区画してなる電解槽の陽極室
に、塩酸又は金属塩化物の水溶液を供給し、陰極
室には、予め塩化第一銅を塩素イオンと反応せし
めて得た塩化第一銅の塩素化錯体溶液を供給する
か、又は／及び塩素イオンを少なくとも塩化第一
銅の塩素化錯体の生成に足る濃度として陰極室内
に存在せしめた状態で塩化第一銅を供給し、電解
により陽極より塩素ガスを発生させ、陰極に金属
銅を電析せしめることを特徴とする金属銅及び塩
素の製造法である。 以下、この発明に使用する電解槽及び電解方法
について、添付の図面を引用してより具体的に説
明する。 第１図はこの発明に使用する電解槽および付帯
設備ならびに経路を示すもので、１は単位電解槽
で構成された電解槽であつて、内部を陽イオン交
換膜４によつて陽極室２、陰極室３に区画してい
る。５は陽極５，６は陰極である。 ７は陰極室３に供給する塩化第一銅の塩素化錯
体溶液又は／及び塩化第一銅溶液の供給経路、８
は陰極室３の上部より塩酸又は金属塩化物を含む
陰極室液を抜出して導入経路１３を経て塩化第一
銅の塩素化錯体溶液調整用の生成槽１２に通ずる
陰極室液の抜出経路である。 生成槽１２は、塩化第一銅の塩素化錯体溶液又
は／及び塩化第一銅溶液を陰極室液として陰極室
３に供給する供給経路７に結合され、その末端は
陰極室３に通じている。 ９は前記抜出経路８の途中で分岐して陽極室２
の底部に通じる陰極室液の供給経路、１０は陽極
室２において発生した塩素ガスの排出部、１１は
陽極室より排出する未反応物を含む淡塩水の排
出、１４は塩化第一銅溶液の生成槽１２への導入
部、１５は塩酸又は１価、２価イオンの金属塩化
物水溶液を生成槽１２に導入する塩素イオン供給
部である。 塩化第一銅は、例えばプリント配線基板のエツ
チングで得た塩化第二銅を含む廃液を金属銅で処
理することによつて得られるものである。 この塩化第一銅は、電解槽１に付帯する導入部
１４から塩化第一銅の塩素化錯体の生成槽１２に
供給される。 この生成槽１２において、導入経路１３を経て
供給される陰極液中の塩酸、又は１価、２価イオ
ンの金属塩化物水溶液又は／及び供給部１５によ
り別途新規に供給される塩酸、又は１価、２価イ
オンの金属塩化物水溶液と合流し、塩化第一銅の
塩素化錯体溶液として供給経路７より陰極室３に
導入供給される。 前記陰極室３から抜出経路８を経て取出された
塩酸又は金属塩化物水溶液を含む脱銅後の陰極室
液は、該抜出経路８より分岐した供給経路９から
陽極室２に導入供給される。 なお、図中１６は濃度調整用の水の供給部であ
る。 この電解槽１による電解操作は、連続操作とす
ることができる。 具体的には、電解槽１の各部に供給する液およ
び電解槽１から排出する液、ガスを連続して送入
および排出して実施する。 陰極室３に供給される塩化第一銅の塩素化錯体
溶液は、0.01mol/l〜2.2mol/lの濃度であれば充
分であるが、特に限定されるものではない。 陰極室３における１価の銅イオンの濃度が低い
時には、電解液抵抗を減ずるため、電解質として
塩酸又は金属塩化物等の１種又は２種以上を添加
してもよい。 この場合の水素イオン濃度（PH）は、４以下で
あることが望ましい。 陽イオン交換膜４を通して陽極室２から陰極室
３に移行される陽イオンは、配位水と共に通電電
流によりその移行量が決まつてくる。 一方、陽極室２に供給する塩酸又は金属塩化物
水溶液の濃度は、0.5mol/l〜５mol/lの範囲が好
ましい。 これら供給原料は、陰極室３における脱銅後の
塩酸又は金属塩化物を含む陰極室内液であるが、
その一部を新液として別個に、又は合流させて供
給してもよい。 陽極室２への供給用、陰極室３への供給用、及
び電極槽１の外部において塩化第一銅の塩素化錯
体生成用として供給される塩酸および金属塩化物
の内の陽イオン種としては、H+、Li+、Na+、
K+、Mg2+、、Ca2+、Sr2+、Ba2+で、具体的には
HCl、NaCl、KCl、MgCl2、CaCl2、SrCl2、
BaCl2等を挙げることができる。 陽極室２から排出される希薄な酸又は塩水は、
0.5mol/l以上あればよく、経済的には分解率を大
きくする方が好ましい。 電解槽１の通電電流密度は１A/dm2〜30A/dm2
の範囲が好ましいが、電解槽容量、電解時間、銅
の析出形態等を考慮するならば５A/dm2〜20A/d
m2が特に望ましい。 また、電解反応に供される陽イオン交換膜４に
ついては、カルボン酸膜、スルフオン酸膜等の通
常の陽イオン交換膜が使用できるが、電解浴の水
素イオン濃度が高いので、強酸型の例えばスルフ
オン酸基を有する陽イオン交換膜が望ましい。 弱酸型の陽イオン交換膜を用いると、膜の抵抗
が大きくなり、槽電圧が高くなる傾向なのであま
り好ましくない。 また、電解浴自体が酸性のため、多価陽イオン
の混在があつても交換膜の損傷は小さいが、多価
陽イオンとして銅より貴なる析出電位をもつ金属
イオンは純銅を得る目的ではあまり好ましいもの
ではない。 陽極には、グラフアイト、マグネタイト、過酸
化ナマリ、あるいはチタン上に白金族金属を塗工
した寸法安定性の不溶性金属陽極などが使用され
る。 陰極は、銅の析出電位が水素発生より貴の電位
で電析するため、酸性溶液中においても常温での
電解が可能となるので、例えばニツケル、銅、チ
タン、チタン合金を使用しても腐蝕は問題とはな
らない。 この発明において、陰極室３に供給する塩化第
一銅の塩素化錯体溶液に代えて、原料塩化第一銅
の溶液を導入部１４から生成槽１２、供給経路７
を経て陰極室３に供給しているが、直接塩化第一
銅のスラリーを陰極室３に供給してもよい。 但し、直接供給の場合、供給した塩化第一銅溶
液が少なくとも陰極室３内において、塩化第一銅
の塩素化錯体を形成するに足る濃度の塩素イオン
を存在させることが必要である。 かゝる塩素イオンは、塩化第一銅溶液の陰極室
３への供給に平行して直接陰極室３に加えるか、
あるいは供給部１５から塩酸等の塩素イオン含有
液を生成槽１２に加えて塩化第一銅スラリーに添
加するなど、陰極室３への供給に先立つて、該塩
化第一銅のスラリー中に加えることによつて達成
される。 また、生成槽１２において、予め調整した塩化
第一銅の塩素化錯体溶液を、供給経路７から陰極
室３に供給する手段と、前記した塩化第一銅溶液
を陰極室３に直接供給する手段はこれを併用して
実施してもよい。 〔作 用〕 図示した電解槽１における陽極５、陰極６への
通電によつて、陰極室３の塩化第一銅の塩素化錯
体水溶液は還元されて、金属銅として陰極６の表
面に電析される。 一方、陽極室２内では塩酸又は金属塩化物水溶
液は、解離して陽イオン（水素イオン、又は該当
する金属塩化物の金属イオン）として存在し、こ
れが陽イオン交換膜４を通して配位水と共に陰極
室３内に移行し、陰極室３内において塩素イオン
により塩酸又は金属塩化物を生成する。 かくして脱銅により生成した塩酸又は金属塩化
物を含み、かつ塩化第一銅の塩素化錯体溶液中に
含まれる遊離塩酸等を含有する陰極室液は、抜出
経路８から、その一部が供給経路９を通じて陽極
室２に供給され、陽極室２への供給原料として再
使用に供され、残りの陰極室液は導入経路１３を
経て塩化第一銅の塩素化錯体調整用として生成槽
１２に供給される。 陽極室２においては、発生する塩素イオンが塩
素ガスとして排出部１０から系外に排出される。 生成槽１２においては、導入部１４から供給さ
れる新規な塩化第一銅溶液が、導入経路１３より
の陰極室液中の塩酸、又は金属塩化物又は／及び
供給部１５から別途新規に導入される塩酸、又は
１価、２価イオンの金属塩化物水溶液と混合して
反応して、塩化第一銅の塩素化錯体溶液として供
給経路７から陰極室３に供給される。 〔実 施 例〕 以下に実施例を掲げてこの発明の方法をさらに
具体的に説明する。 実施例 １ 第１図に示す電解槽構造および付属配管系路に
より次の通り連続運転による電解を行つた。 プリント配線基板のエツチングによつて得られ
た塩化第二銅を含む廃液を、予め金属銅によつて
処理して得た塩化第一銅含有液を原料塩化第一銅
溶液として使用した。 この原料塩化第一銅溶液を、新液として導入部
１４から生成槽１２に送入し、これを塩酸と反応
させて塩化第一銅の塩素化錯体溶液となし、得た
塩化第一銅の塩素化錯体溶液を供給経路７を通し
て電解槽１の陰極室３の底部から供給した。 生成槽１２で使用した前記の塩酸は、導入経路
１３からの塩酸と、供給部１５における新規補給
分である。 陽極室２には、抜出経路８から供給経路９を経
て得られる塩酸を含む陰極室液を供給しつゝ、陰
極室３において金属銅を電析し、排出部１０から
塩素ガスを取出し、排出部１１からは未反応の塩
酸を含む液を排出した。 この場合の各部の送入、排出の諸元、及び運転
条件その他、ならびに運転結果は第１表の通りで
あつた。
【表】
【表】
実施例 ２
実施例１において塩化第一銅の塩素化錯体の生
成槽１２における供給部１５からの塩酸の新規補
給を行わず陰極室３からの塩化ナトリウムを含む
脱銅された陰極室液を抜出経路８及び導入経路１
３を経て供給し、生成槽１２で経路１４からの塩
化第一銅溶液と合流せしめると共に、供給経路９
から塩化ナトリウムを含む陰極室液を陽極室２に
供給し、別途陰極室３に塩化ナトリウム溶液を送
入して電解せしめた。 この場合の各部の送入、排出の諸元、及び電解
運転条件その他、ならびに運転結果は第２表の通
りであつた。
成槽１２における供給部１５からの塩酸の新規補
給を行わず陰極室３からの塩化ナトリウムを含む
脱銅された陰極室液を抜出経路８及び導入経路１
３を経て供給し、生成槽１２で経路１４からの塩
化第一銅溶液と合流せしめると共に、供給経路９
から塩化ナトリウムを含む陰極室液を陽極室２に
供給し、別途陰極室３に塩化ナトリウム溶液を送
入して電解せしめた。 この場合の各部の送入、排出の諸元、及び電解
運転条件その他、ならびに運転結果は第２表の通
りであつた。
【表】
この発明は、陽イオン交換膜によつて陰陽両極
室を形成した電解槽の陽極室に、塩酸又は金属塩
化物の水溶液を供給し、陰極室に予め塩化第一銅
を塩素イオンと反応せしめて得た塩化第一銅の塩
素化錯体溶液を供給するか、又は／及び塩素イオ
ンを少なくとも塩化第一銅の塩素化錯体の生成に
足る濃度として該陰極室内に存在せしめた状態で
塩化第一銅を供給して電解し、もつて陽極から塩
素ガスを、陰極に金属銅を得んとするもので、
かゝる電解処理によつて高純度の金属銅と、塩素
を高い効率で容易に取得することができるもので
ある。 また、その際、前記陽極室に供給する塩酸又は
金属塩化物の水溶液として、金属銅の電析によつ
て脱銅された陰極室液の一部を使用して電解を行
うことにより、新液の供給を極力節約しつゝ高純
度の金属銅および塩素をより高能率で回収するこ
とができるものである。 この発明の方法に使用する塩化第一銅溶液は、
プリント配線基板のエツチングで得られる廃液、
或いは製鋼所の銅含有合金の酸洗いで得られる廃
液等の塩化第二銅含有液を還元処理して頗る簡単
に得られるものである。 かゝる第一銅溶液を原料として電解することに
より、塩化第二銅含有廃液をそのまゝ電解処理す
る場合に比べて約半分の電力でほゞ同量の金属銅
を製造し得るのみならず、陽極からの酸素の発生
や陰極における銅の溶解が生ずることがなく、有
用性の高い塩素を生産することができるもので、
塩化第二銅含有廃液の還元処理費用を考慮しても
充分な利益回収が可能な経済的方法といえる。
室を形成した電解槽の陽極室に、塩酸又は金属塩
化物の水溶液を供給し、陰極室に予め塩化第一銅
を塩素イオンと反応せしめて得た塩化第一銅の塩
素化錯体溶液を供給するか、又は／及び塩素イオ
ンを少なくとも塩化第一銅の塩素化錯体の生成に
足る濃度として該陰極室内に存在せしめた状態で
塩化第一銅を供給して電解し、もつて陽極から塩
素ガスを、陰極に金属銅を得んとするもので、
かゝる電解処理によつて高純度の金属銅と、塩素
を高い効率で容易に取得することができるもので
ある。 また、その際、前記陽極室に供給する塩酸又は
金属塩化物の水溶液として、金属銅の電析によつ
て脱銅された陰極室液の一部を使用して電解を行
うことにより、新液の供給を極力節約しつゝ高純
度の金属銅および塩素をより高能率で回収するこ
とができるものである。 この発明の方法に使用する塩化第一銅溶液は、
プリント配線基板のエツチングで得られる廃液、
或いは製鋼所の銅含有合金の酸洗いで得られる廃
液等の塩化第二銅含有液を還元処理して頗る簡単
に得られるものである。 かゝる第一銅溶液を原料として電解することに
より、塩化第二銅含有廃液をそのまゝ電解処理す
る場合に比べて約半分の電力でほゞ同量の金属銅
を製造し得るのみならず、陽極からの酸素の発生
や陰極における銅の溶解が生ずることがなく、有
用性の高い塩素を生産することができるもので、
塩化第二銅含有廃液の還元処理費用を考慮しても
充分な利益回収が可能な経済的方法といえる。
第１図はこの発明の方法に使用する電解槽およ
びその付帯設備の一例を示す構造図である。 １…電解槽、２…陽極室、３…陰極室、４…陽
イオン交換膜、５…陽極、６…陰極、７…塩化第
一銅溶液又は／及び塩化第一銅の塩素化錯体溶液
の陰極室への供給経路、８…脱銅された陰極室液
の抜出経路、９…脱銅された陰極室液の陽極室供
給経路、１０…塩素ガス排出部、１１…未反応物
を含む淡塩水の排出部、１２…生成槽、１３…陰
極室液の導入経路、１４…塩化第一銅溶液の導入
部、１５…塩素イオン供給部。
びその付帯設備の一例を示す構造図である。 １…電解槽、２…陽極室、３…陰極室、４…陽
イオン交換膜、５…陽極、６…陰極、７…塩化第
一銅溶液又は／及び塩化第一銅の塩素化錯体溶液
の陰極室への供給経路、８…脱銅された陰極室液
の抜出経路、９…脱銅された陰極室液の陽極室供
給経路、１０…塩素ガス排出部、１１…未反応物
を含む淡塩水の排出部、１２…生成槽、１３…陰
極室液の導入経路、１４…塩化第一銅溶液の導入
部、１５…塩素イオン供給部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 陽イオン交換膜によつて陽極室と陰極室とに
区画してなる電解槽の陽極室に、塩酸又は金属塩
化物の水溶液を供給し、陰極室には、予め塩化第
一銅を塩素イオンと反応せしめて得た塩化第一銅
の塩素化錯体溶液を供給するか、又は／及び塩素
イオンを少なくとも塩化第一銅の塩素化錯体の生
成に足る濃度として陰極室内に存在せしめた状態
で塩化第一銅を供給し、電解により陽極より塩素
ガスを発生させ、陰極に金属銅を電析せしめるこ
とを特徴とする金属銅及び塩素の製造法。 ２ 前記陽極室に供給する塩酸又は金属塩化物の
水溶液は、電析によつて脱銅された陰極室液を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の金属銅及び塩素の製造法。 ３ 前記塩化第一銅の塩素化錯体溶液は、脱銅さ
れた陰極室液を抜出して陽極室に供給した残りの
陰極室液中の塩素イオンを、別途供給する塩化第
一銅と反応せしめたものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の金属銅及び塩素の製
造法。 ４ 前記陰極室に供給する塩化第一銅の塩素化錯
体溶液又は／及び塩素イオンを少なくとも塩化第
一銅の塩素化錯体の生成に足る濃度として陰極室
内に存在せしめた状態で供給する塩化第一銅にお
ける当該塩化第一銅は、プリント配線基板のエツ
チングで生じた廃液中の塩化第二銅を還元して得
たものであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の金属銅及び塩素の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236415A JPS60128279A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属銅及び塩素の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236415A JPS60128279A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属銅及び塩素の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128279A JPS60128279A (ja) | 1985-07-09 |
| JPS6363638B2 true JPS6363638B2 (ja) | 1988-12-08 |
Family
ID=17000413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236415A Granted JPS60128279A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属銅及び塩素の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128279A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3913725B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-05-09 | 日鉱金属株式会社 | 高純度電気銅及びその製造方法 |
| KR20140068871A (ko) * | 2011-07-08 | 2014-06-09 | 인스티튜트 오브 케미컬 테크놀로지 (딤드 유니버시티) | 씨유 씨엘 열화학 사이클을 사용하는 수소의 생산에 사용되는 전기화학 전지 |
| CN103930598A (zh) | 2011-07-08 | 2014-07-16 | 化工学院 | 在铜-氯循环中操作参数对电化学电池性能的影响 |
| CN103422154A (zh) * | 2012-05-24 | 2013-12-04 | 叶福祥 | 电路板酸性废蚀刻液氯化亚铜(Cu+,CuCL)离子隔膜电积再生 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829977A (ja) * | 1971-08-20 | 1973-04-20 | ||
| JPS5440520A (en) * | 1977-09-07 | 1979-03-30 | Hitachi Ltd | Magnet ring driving mechanism |
| JPS5518558A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Kagaku Gijutsu Shinkoukai | Recovering method for copper from ferric chloride etching waste solution containing copper |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58236415A patent/JPS60128279A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60128279A (ja) | 1985-07-09 |
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