JPS6366394B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、平行平板電極型のドライエツチング
装置に関する。

半導体デバイスの製造工程におけるエツチング
処理には、いわゆる湿式のエツチング装置に代え
て、排液処理の問題が無く、かつ微細なパターン
のエツチングも可能な各種のドライエツチング装
置が提供されている。その一つのタイプとして、
平板状の上部電極と下部電極とが互いに平行に配
設される、いわゆる平行平板電極型と呼ばれるド
ライエツチング装置が用いられている。しかしな
がら、このタイプの装置には、エツチングガスの
注入方法あるいは排気方法によつてウエハ内での
エツチング速度のばらつきが大きくなるという欠
点がある。すなわち、エツチングガスを上部対向
電極から注入し、チヤンバ内の下部から排気する
方法であつても、ウエハ内でのガスの供給が不均
一であるため、エツチヤントの偏りが生じ、エツ
チング速度のばらつきが大きかつたり、反応生成
物等のデポジシヨンが起つたりして、良好なエツ
チングを行うことが難しい。

本発明は、このような欠点に鑑み、ウエハ内で
のエツチング速度のばらつきが小さく、かつ高速
でエツチングできるドライエツチング装置を提供
することを目的とする。

本発明は、上部電極にエツチングガス注入口と
排気口とを複数個設けて、上部電極を通してエツ
チングガス注入と排気とを同時にしかもウエハに
対して均一に行うことができるようにしたもので
ある。

以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

第１図は、本発明による平行平板電極型ドライ
エツチング装置の一実施例を縦断面図で示す。

真空チヤンバ１内の下部側にウエハ４を載置す
る平板状の下部電極３が設けられている。下部電
極３に対向させてその上方には上部電極２が設け
られている。７は下部電極３に接続した高周波電
源である。

上部電極２は、ダクト状にして内部を仕切板２
１により２分し、一方をエツチングガス注入系８
に、他方を排気系９にそれぞれ連通させている。
また、下部電極３と対向している上部電極２の下
面全面に、細長いエツチングガス注入口５と排気
口６とを交互に設けている。そして、排気口６は
すべて排気系９に連通させており、注入口５は上
部電極２の内壁に設けたダクト２２により排気系
９の空間から仕切り、しかもすべて注入系８に連
通するよう構成している。

以上のような構成により、エツチングガス注入
と排気とを同時かつ均一に行い、ウエハ４上での
ガスの流れを最小限におさえることができるの
で、ウエハ４には常に新しいエツチヤントが供給
され、きわめて均一性の良い速度のエツチングを
行うことができる。本実施例では、ウエハ４のエ
ツチング速度は15％以下となり、エツチング速度
も大きくなる。

なお、実施例では、カソードカツプリング方式
のリアクテイブイオンエツチング装置について説
明したが、アノードカツプリング方式のプラズマ
エツチング装置にも適用できることは言うまでも
ない。また、電極間隔を５〜20mm程度に小さくす
ることで、１mm／min（例えば、Al、Poly−Si）
以上のエツチング速度を得ることも可能である。
更に、上部電極２の形状についても実施例の形状
に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による平行平板電極型ドライエ
ツチング装置の縦断面図。 図中、１は真空チヤンバ、２は上部電極、３は
下部電極、４はウエハ、５はエツチングガス注入
口、６は排気口、７は高周波電源、８はエツチン
グガス注入系、９は排気系。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 被エツチング基板を載置する平板状の下部電
   極と、該下部電極に平行に対向する平板状の上部
   電極とを内蔵する平行平板電極型のドライエツチ
   ング装置において、前記上部電極にエツチングガ
   ス注入口と、排気口とを複数個設け、各注入口は
   エツチングガス注入系路へ、各排気口は排気系路
   へそれぞれ連通するよう構成したことを特徴とす
   るドライエツチング装置。