JPS636948B2 - - Google Patents
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- JPS636948B2 JPS636948B2 JP55160780A JP16078080A JPS636948B2 JP S636948 B2 JPS636948 B2 JP S636948B2 JP 55160780 A JP55160780 A JP 55160780A JP 16078080 A JP16078080 A JP 16078080A JP S636948 B2 JPS636948 B2 JP S636948B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子、特に磁気バブ
ルメモリ素子の高集積化素子において、メモリ誤
動作の発生を防止した磁気バブルメモリ素子に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and particularly to a magnetic bubble memory device that prevents memory malfunctions in highly integrated magnetic bubble memory devices.
第１図は従来のメイジヤマイナ方式の磁気バブ
ルメモリ素子の一例を説明するための要部拡大平
面図である。同図において、１は磁気バブルメモ
リ素子を構成するチツプ、２は情報を保存する領
域となるマイナループ、３は読み出し情報を転送
するリードメイジヤライン、４は書き込み情報を
転送するライトメイジヤラインである。また、５
は磁気バブルを電気信号に変換する磁気バブル検
出器、６は磁気バブルを発生するヘアピン状の磁
気バブル発生器、７はマイナループ２の情報をリ
ードメイジヤライン３に複写または転移させるレ
プリケートゲート回路、８はライトメイジヤライ
ン４上の情報をマイナループ２へ転移させるトラ
ンスフアインゲート回路である。また、これらの
回路の外周を囲んでいる９は外周からの磁気バブ
ルの侵入を防止するガードレール、１０はボンデ
イングパツトである。 FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts for explaining an example of a conventional Meijer-Miner type magnetic bubble memory element. In the figure, 1 is a chip constituting a magnetic bubble memory element, 2 is a minor loop serving as an area for storing information, 3 is a read mager line for transferring read information, and 4 is a write mager line for transferring write information. Also, 5
8 is a magnetic bubble detector that converts magnetic bubbles into electrical signals; 6 is a hairpin-shaped magnetic bubble generator that generates magnetic bubbles; 7 is a replicate gate circuit that copies or transfers information from the minor loop 2 to the lead mager line 3; is a transfer gate circuit that transfers information on the light mager line 4 to the minor loop 2. Furthermore, the reference numeral 9 surrounding the outer periphery of these circuits is a guardrail for preventing magnetic bubbles from entering from the outer periphery, and the reference numeral 10 is a bonding pad.
また、第２図は第１図のマイナループ２の周辺
部分の−′断面図を示したものである。同図
において、１１は非磁性のＧ・Ｇ・Ｇ（ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネツト）らなる単結晶基板
であり、この単結晶基板１１上には、エピタキシ
ヤル成長させた磁性膜１２が形成されている。そ
して、この磁性膜１２の上面には二酸化シリコン
膜（SiO2）からなる第１の絶縁層１３を介して
前述した磁気バブル発生回路、転送回路等の配線
層としてAlなどの非磁性体からなる導体層１４
が被着形成されている。また、この導体層１４の
表面は、最上面の保護および電気的絶縁のために
二酸化シリコン（SiO2）からなる第２の絶縁層
１５が被着形成されており、この導体層１４は前
記回路と外部回路間にチツプ１に必要な入出力信
号が授受されている。さらに、この第２の絶縁層
１５上には、磁気バブルを転送させるためのNi
−Feなどの軟強磁性体からなる前記マイナルー
プ２としての磁気バブル転送パターン１６が被着
形成され、この転送パターン１６の表面は外部と
絶縁して保護させる二酸化シリコン（SiO2）か
らなる第３の絶縁層１７が被着形成されている。 Further, FIG. 2 shows a -' sectional view of the peripheral portion of the minor loop 2 in FIG. 1. In the figure, numeral 11 is a single crystal substrate made of non-magnetic G.G.G (gadolinium gallium garnet), and on this single crystal substrate 11, an epitaxially grown magnetic film 12 is formed. There is. Then, on the upper surface of this magnetic film 12 , a wiring layer made of a non-magnetic material such as Al is provided as a wiring layer for the above-mentioned magnetic bubble generation circuit, transfer circuit, etc. via a first insulating layer 13 made of a silicon dioxide film (SiO 2 ). Conductor layer 14
is formed by adhesion. Further, a second insulating layer 15 made of silicon dioxide (SiO 2 ) is deposited on the surface of this conductor layer 14 for protection and electrical insulation of the uppermost surface, and this conductor layer 14 is used for the circuitry. Input/output signals necessary for the chip 1 are exchanged between the chip 1 and the external circuit. Further, on this second insulating layer 15, Ni is provided for transferring magnetic bubbles.
- A magnetic bubble transfer pattern 16 as the minor loop 2 made of a soft ferromagnetic material such as Fe is deposited, and the surface of this transfer pattern 16 is covered with a third layer made of silicon dioxide (SiO 2 ) which is insulated from the outside and protected. An insulating layer 17 is deposited.
しかしながら、上記構成による磁気バブルメモ
リ素子において、磁気バブルメモリ素子の記憶密
度が高くなると、磁気バブル径が小さくなると同
時に磁気バブル転送回路間の距離も短かくなつて
くる。したがつて、わずかな磁性欠陥やパターン
欠陥により、磁気バブル転送回路間の相互干渉が
強くなり、磁気バブルメモリの動作特性を低下さ
せていた。特に情報記憶領域であるマイナループ
２では第２図で示したように磁気バブル転送パタ
ーン１６相互間の距離ｌが短かくなるので、この
領域に磁性膜１２や磁気バブル転送パターン１６
の残部等が存在すると、マイナループ２を転送し
ている磁気バブルが前記欠陥部にトラツプされて
ストリツプドメインとなり、隣接するマイナルー
プ２に流れ込んだり、マイナループ２を転送して
いる磁気バブルを消滅させたりすることによつ
て、メモリ誤動作を頻繁に発生させていた。 However, in the magnetic bubble memory element having the above configuration, as the storage density of the magnetic bubble memory element increases, the diameter of the magnetic bubble becomes smaller and at the same time the distance between the magnetic bubble transfer circuits becomes shorter. Therefore, a slight magnetic defect or pattern defect increases the mutual interference between the magnetic bubble transfer circuits, deteriorating the operating characteristics of the magnetic bubble memory. In particular, in the minor loop 2 which is the information storage area, the distance l between the magnetic bubble transfer patterns 16 is short as shown in FIG.
If there is a remaining part of the minor loop 2, the magnetic bubble transferring the minor loop 2 is trapped in the defective part and becomes a strip domain, which flows into the adjacent minor loop 2 or eliminates the magnetic bubble transferring the minor loop 2. This caused frequent memory malfunctions.
したがつて本発明は、マイナループ相互間に介
在される磁性膜の磁気バブル消滅磁界を他の領域
の磁気バブル消滅磁界よりも小さく構成すること
によつて、マイナループ相互間の干渉を防止した
磁気バブルメモリ素子を提供することを目的とし
ている。 Therefore, the present invention provides magnetic bubbles that prevent interference between minor loops by configuring the magnetic bubble extinguishing magnetic field of the magnetic film interposed between the minor loops to be smaller than the magnetic bubble extinguishing magnetic field of other regions. The purpose is to provide memory devices.
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below using the drawings.
第３図、第４図は本発明による磁気バブルメモ
リ素子の一例を説明するための前記第１図、第２
図に相当する要部拡大平面図、その−′断面
図であり、第１図、第２図と同記号は同一要素と
なるのでその説明は省略する。これらの図におい
て、第３図に示したようにマイナループ２相互間
に斜線を施した領域２ａに配設されている磁性膜
１２ａ（第４図参照）がその磁気バブル消滅磁界
を他の領域の磁気バブル消滅磁界に比べて小さく
なるように構成されている。 3 and 4 are the above-mentioned FIGS. 1 and 2 for explaining an example of the magnetic bubble memory device according to the present invention.
FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part corresponding to the figure, and a sectional view taken along the line -', and since the same symbols as in FIGS. 1 and 2 represent the same elements, their explanations will be omitted. In these figures, as shown in FIG. 3, the magnetic film 12a (see FIG. 4) disposed in the shaded area 2a between the minor loops 2 transfers the magnetic bubble extinguishing magnetic field to other areas. The magnetic bubble extinguishing magnetic field is configured to be smaller than that of the magnetic bubble extinguishing magnetic field.
次に上記構成による磁気バブルメモリ素子を、
第５図に示すバイアス磁界HBに対する磁気バブ
ル径ｄの関係を用いて説明する。同図において、
特性は上記磁気バブルメモリ素子の磁気バブル
動作特性を示したものである。すなわち、磁気バ
ブル径ｄは、バイアス磁界HBが大きくなると、
小さくなりバイアス磁界HBがさらに十分に大き
くなると磁気バブルが消滅する。また、バイアス
磁界HBが十分に小さくなるとストリツプドメイ
ンとなる。そして、磁気バブルメモリ素子の磁気
メモリ動作は、同図にHBLで示した適切なバイア
ス磁界範囲（HB＝190〜220ｅ）内で行なわれ
る。なお、上記特性上のH0は磁気バブルが消
滅するバイアス磁界（HB≒240ｅ）を、H2は
磁気バブルがストリツプドメインとなるバイアス
磁界（HB≒180ｅ）をそれぞれ示したものであ
る。したがつて本発明は、第４図に示した転送パ
ターン１６相互間領域に介在される磁性膜１２ａ
部がその磁気バブル消滅磁界H0′を第５図の特性
で示したように磁気バブルメモリ動作磁界HBL
の下限値、例えばHB＝180ｅ以下となるように
設定すれば良い。すなわち磁性膜１２ａ部が特性
で示したような磁気バブル動作特性を有するよ
うにその磁性膜１２ａ部の磁性特性を変化させれ
ば良い。 Next, the magnetic bubble memory element with the above configuration is
This will be explained using the relationship between the magnetic bubble diameter d and the bias magnetic field H B shown in FIG. In the same figure,
The characteristics indicate the magnetic bubble operation characteristics of the magnetic bubble memory element. That is, as the bias magnetic field H B increases, the magnetic bubble diameter d becomes
When the bias magnetic field H B becomes sufficiently large, the magnetic bubble disappears. Furthermore, when the bias magnetic field H B becomes sufficiently small, a strip domain is formed. The magnetic memory operation of the magnetic bubble memory element is performed within an appropriate bias magnetic field range (H B =190-220e) indicated by H BL in the figure. In addition, H 0 in the above characteristics indicates the bias magnetic field (H B ≒ 240e) where the magnetic bubble disappears, and H 2 indicates the bias magnetic field (H B ≒ 180e) where the magnetic bubble becomes a strip domain. be. Therefore, the present invention provides a magnetic film 12a interposed between the transfer patterns 16 shown in FIG.
As shown in the characteristics of Fig. 5, the magnetic bubble extinguishing magnetic field H 0 '
The lower limit value of H B , for example, may be set to be less than 180e. In other words, the magnetic properties of the magnetic film 12a may be changed so that the magnetic film 12a has the magnetic bubble operating characteristics as shown in the characteristics.
このような構成によれば、マイナループ２（第
３図参照）を形成する転送パターン１６相互間領
域２ａに磁気バブルが存在できなくなるので、前
述した欠陥に基づくマイナループ２相互間の干渉
を防止することができる。 According to such a configuration, since magnetic bubbles cannot exist in the region 2a between the transfer patterns 16 forming the minor loop 2 (see FIG. 3), it is possible to prevent interference between the minor loops 2 due to the aforementioned defects. Can be done.
以下、具体例を用いて磁性特性の異なる磁性膜
１２ａの形成手段を説明する。 Hereinafter, means for forming the magnetic films 12a having different magnetic properties will be explained using a specific example.
具体例 １
第６図に示したように基板１１上に形成された
磁性膜１２の表面に、イオンインプラテイシヨン
技術により、イオンビームＢを均一に照射して磁
性膜１２のハードバブル抑制効果を向上させた
後、この磁性膜１２の前記マイナループ２（第３
照参照）を形成する転送パターン１６（第４図参
照）相互間領域に相当する部分にイオンビームＢ
をさらに強力に照射してその部分のみに磁性特性
を変化させて磁性膜１２ａを形成する。この場
合、イオンビームＢの照射量を適度に選択するこ
とにより、この磁性膜１２ａ部の磁気バブル消滅
バイアス磁界H0′を選択的に制御することができ
る。Specific Example 1 As shown in FIG. 6, the surface of the magnetic film 12 formed on the substrate 11 is uniformly irradiated with an ion beam B using ion implantation technology to improve the hard bubble suppressing effect of the magnetic film 12. After improving the magnetic film 12, the minor loop 2 (third
The ion beam B is applied to the area corresponding to the transfer pattern 16 (see Fig. 4) forming the transfer pattern 16 (see Fig. 4).
The magnetic film 12a is formed by irradiating the magnetic layer more strongly to change the magnetic properties only in that portion. In this case, by appropriately selecting the irradiation dose of the ion beam B, the magnetic bubble extinguishing bias magnetic field H 0 ' of the magnetic film 12a can be selectively controlled.
具体例 ２
第７図に示したように磁性膜１２のマイナルー
プを形成する転送パターン１６（第４図参照）相
互間領域に相当する部分のみにイオンビームＢを
照射して磁性特性を変化させて磁性膜１２ａを形
成する。Concrete Example 2 As shown in FIG. 7, the ion beam B is irradiated only on the portion corresponding to the area between the transfer patterns 16 (see FIG. 4) forming a minor loop of the magnetic film 12 to change the magnetic properties. A magnetic film 12a is formed.
具体例 ３
第８図に示したように磁性膜１２のマイナルー
プを形成する転送パターン１６（第４図参照）相
互間領域に相当する部分のみをエツチング技術に
より、厚さを薄く形成することによつて、磁性特
性を変化させた磁性膜１２ａを形成する。Concrete Example 3 As shown in FIG. 8, the transfer pattern 16 forming the minor loop of the magnetic film 12 (see FIG. 4) is formed by thinning only the portion corresponding to the area between them using etching technology. Then, a magnetic film 12a with changed magnetic properties is formed.
以上説明したように本発明によれば、マイナル
ープ相互間に介在される磁性膜を他の領域の磁気
バブル消滅磁界よりも小さく構成したことによつ
て、磁気バブル動作特性がマイナループ相互間に
発生する欠陥に対して強くなり、高密度、大容量
の磁気バブルメモリ素子の生産歩留りを大幅に向
上できる。また、動作試験において、全マイナル
ープの同時テストを行なつても異常ループを単独
に検出できるので試験時間を大幅に短縮すること
ができる。さらには、磁気バブルメモリの誤動作
がなくなるので、磁気バブルメモリ動作の信頼性
を大幅に向上させることができるなどの極めて優
れた効果が得られる。 As explained above, according to the present invention, by configuring the magnetic film interposed between the minor loops to be smaller than the magnetic bubble extinguishing magnetic field in other regions, the magnetic bubble operating characteristics are generated between the minor loops. It is resistant to defects and can greatly improve the production yield of high-density, large-capacity magnetic bubble memory devices. Further, in the operation test, even if all the minor loops are tested simultaneously, abnormal loops can be detected individually, so the test time can be significantly shortened. Furthermore, since malfunctions of the magnetic bubble memory are eliminated, extremely excellent effects such as greatly improving the reliability of the magnetic bubble memory operation can be obtained.
第１図、第２図は従来の磁気バブルメモリ素子
の一例を説明するための要部拡大平面図、その
−′断面図、第３図、第４図は本発明による磁
気バブルメモリ素子の一例を説明するための要部
拡大平面図、その−′断面図、第５図は本発
明による磁気バブルメモリ素子を説明するための
磁気バブルメモリ動作特性を示す図、第６図、第
７図、第８図は本発明による磁気バブルメモリ素
子に係わる磁性膜の形成手段を説明するための要
部断面図である。
１……チツプ、２……マイナループ、２ａ……
マイナループ相互間の領域、１１……基板、１２
……磁性膜、１２ａ……磁性特性の異なる磁性
膜、１３……第１の絶縁層、１４……導体層、１
５……第２の絶縁層、１６……磁気バブル転送パ
ターン、１７……第３の絶縁層。
1 and 2 are enlarged plan views of essential parts for explaining an example of a conventional magnetic bubble memory element, and its -' sectional views, and FIGS. 3 and 4 are examples of a magnetic bubble memory element according to the present invention. FIG. 5 is a diagram showing magnetic bubble memory operating characteristics to explain the magnetic bubble memory element according to the present invention; FIGS. 6 and 7; FIG. FIG. 8 is a sectional view of a main part for explaining a means for forming a magnetic film related to a magnetic bubble memory element according to the present invention. 1...chip, 2...minal loop, 2a...
Area between minor loops, 11...Substrate, 12
...Magnetic film, 12a...Magnetic film with different magnetic properties, 13...First insulating layer, 14...Conductor layer, 1
5... Second insulating layer, 16... Magnetic bubble transfer pattern, 17... Third insulating layer.
Claims (1)
マイナループと、該複数のマイナループの間に位
置する非転送領域とを有し、該非転送領域におけ
る磁性膜の磁気バブル消滅磁界を、上記複数のマ
イナループにおける磁性膜の磁気バブル消滅磁界
よりも小さくしたことを特徴とする磁気バブルメ
モリ素子。1. It has a plurality of independent minor loops that store and transfer magnetic bubbles, and a non-transfer region located between the plurality of minor loops, and the magnetic bubble extinction magnetic field of the magnetic film in the non-transfer region is applied to the magnetic bubble extinguishing field of the magnetic film in the plurality of minor loops. A magnetic bubble memory element characterized in that the magnetic field is smaller than the magnetic bubble extinguishing field of a magnetic film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078080A JPS5786186A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078080A JPS5786186A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Magnetic bubble memory element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5786186A JPS5786186A (en) | 1982-05-29 |
| JPS636948B2 true JPS636948B2 (en) | 1988-02-13 |
Family
ID=15722282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16078080A Granted JPS5786186A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5786186A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2630427B2 (en) * | 1988-05-20 | 1997-07-16 | 株式会社荏原製作所 | Ceramic bayonet heat exchanger |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976099A (en) * | 1972-11-27 | 1974-07-23 | ||
| JPS5538601A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-18 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble element |
| JPS55108990A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Nec Corp | Production of magnetic bubble material |
| JPS55142481A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-07 | Nec Corp | Manufacture of magnetic bubble material |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16078080A patent/JPS5786186A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5786186A (en) | 1982-05-29 |
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