JPS637689B2 - - Google Patents
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- JPS637689B2 JPS637689B2 JP4027481A JP4027481A JPS637689B2 JP S637689 B2 JPS637689 B2 JP S637689B2 JP 4027481 A JP4027481 A JP 4027481A JP 4027481 A JP4027481 A JP 4027481A JP S637689 B2 JPS637689 B2 JP S637689B2
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- thyristor
- parallel
- main
- circuit
- thyristors
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M5/02—Conversion of AC power input into AC power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into DC
- H02M5/04—Conversion of AC power input into AC power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into DC by static converters
- H02M5/22—Conversion of AC power input into AC power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into DC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M5/25—Conversion of AC power input into AC power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into DC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M5/257—Conversion of AC power input into AC power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into DC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
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- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/096—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the power supply of the control circuit being connected in parallel to the main switching element
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/105—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in thyristor switches
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- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/723—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
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- H03K17/941—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated using an optical detector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、逆並列に接続した複数個の主サイリ
スタを光補助サイリスタを用いて点弧させる逆並
列サイリスタ点弧装置に関し、特に、高耐圧の光
補助サイリスタを要することなく、高価な光補助
サイリスタの使用個数を削減するとともに、その
光補助サイリスタにより主サイリスタの障害発生
をも監視し得るようにしたものである。
スタを光補助サイリスタを用いて点弧させる逆並
列サイリスタ点弧装置に関し、特に、高耐圧の光
補助サイリスタを要することなく、高価な光補助
サイリスタの使用個数を削減するとともに、その
光補助サイリスタにより主サイリスタの障害発生
をも監視し得るようにしたものである。
従来、この種逆並列サイリスタ点弧装置におい
ては、点弧に使用する光補助サイリスタが高価で
あるため、経済性の点から多数の主サイリスタを
１個の光補助サイリスタによつて点弧させること
が望まれていた。一方、複数個直列に接続した主
サイリスタを１個の光補助サイリスタによつて点
弧させるには、一般に、それら複数個の主サイリ
スタが直列に整流する電圧がその１個の光補助サ
イリスタに印加されるので、高耐圧の光補助サイ
リスタが必要となる。また、この種サイリスタ点
弧装置における主サイリスタの障害発生の監視に
は、直列に接続した複数個の主サイリスタ毎に障
害発生の監視を行なう場合もあるが、一般には、
個々の主サイリスタについて個別に障害発生を監
視し得るようにするとともに、装置を小型化、低
廉化することが望まれていた。
ては、点弧に使用する光補助サイリスタが高価で
あるため、経済性の点から多数の主サイリスタを
１個の光補助サイリスタによつて点弧させること
が望まれていた。一方、複数個直列に接続した主
サイリスタを１個の光補助サイリスタによつて点
弧させるには、一般に、それら複数個の主サイリ
スタが直列に整流する電圧がその１個の光補助サ
イリスタに印加されるので、高耐圧の光補助サイ
リスタが必要となる。また、この種サイリスタ点
弧装置における主サイリスタの障害発生の監視に
は、直列に接続した複数個の主サイリスタ毎に障
害発生の監視を行なう場合もあるが、一般には、
個々の主サイリスタについて個別に障害発生を監
視し得るようにするとともに、装置を小型化、低
廉化することが望まれていた。
かかる従来の逆並列サイリスタ点弧装置の回路
構成の例を第１図乃至第３図に示すと、まず、第
１図に示す点弧装置においては、多数のサイリス
タTH１〜THnによる直列逆並列接続のサイリス
タ整流回路における各主サイリスタに個別に光補
助サイリスタPTH１〜PTHnをそれぞれ組合わ
せて点弧回路を個々に構成してあり、点弧回路と
しては構成が単純で確実な点弧制御が可能ではあ
るが、主サイリスタと同数の光補助サイリスタを
必要とするので、極めて高価となつた。また、第
２図に示す点弧装置においては、逆並列に接続し
た２個の主サイリスタTH１，TH２およびTH
３，TH４をそれぞれ光補助サイリスタPTH１
およびPTH２により点弧させ、さらに、第３図
に示す点弧装置においては、直列逆並列に接続し
た４個の主サイリスタTH１〜TH４毎に１個の
光補助サイリスタPTH１により点弧させ、第１
図示の点弧装置と比べて、それぞれ1/2並びに1/4
の個数の光補助サイリスタによつて点弧可能であ
り、点弧装置の価格を低廉にすることができる反
面、必要な回路素子数が増大して構成がやや複雑
になり、また、特に、第３図示の点弧装置におい
ては、光補助サイリスタに２個の直列接続主サイ
リスタの整流する電圧が印加されるので、高耐圧
の光補助サイリスタを必要とするなど、上述した
とおりにそれぞれ種々の欠点があつた。
構成の例を第１図乃至第３図に示すと、まず、第
１図に示す点弧装置においては、多数のサイリス
タTH１〜THnによる直列逆並列接続のサイリス
タ整流回路における各主サイリスタに個別に光補
助サイリスタPTH１〜PTHnをそれぞれ組合わ
せて点弧回路を個々に構成してあり、点弧回路と
しては構成が単純で確実な点弧制御が可能ではあ
るが、主サイリスタと同数の光補助サイリスタを
必要とするので、極めて高価となつた。また、第
２図に示す点弧装置においては、逆並列に接続し
た２個の主サイリスタTH１，TH２およびTH
３，TH４をそれぞれ光補助サイリスタPTH１
およびPTH２により点弧させ、さらに、第３図
に示す点弧装置においては、直列逆並列に接続し
た４個の主サイリスタTH１〜TH４毎に１個の
光補助サイリスタPTH１により点弧させ、第１
図示の点弧装置と比べて、それぞれ1/2並びに1/4
の個数の光補助サイリスタによつて点弧可能であ
り、点弧装置の価格を低廉にすることができる反
面、必要な回路素子数が増大して構成がやや複雑
になり、また、特に、第３図示の点弧装置におい
ては、光補助サイリスタに２個の直列接続主サイ
リスタの整流する電圧が印加されるので、高耐圧
の光補助サイリスタを必要とするなど、上述した
とおりにそれぞれ種々の欠点があつた。
また、この種サイリスタ整流回路において主サ
イリスタの故障監視を行なうようにした従来の回
路構成を第４図に示すと、逆並列接続した２個の
主サイリスタ毎に抵抗と発光ダイオードとの直列
接続回路を並列に接続し、発光ダイオードの出力
光を介して主サイリスタの故障発生を監視するよ
うになつており、発光ダイオードの出力光の監視
に高価なライトガイドを２個の主サイリスタ毎に
必要として、構成が複雑となつて高価になるばか
りでなく、発光ダイオードには、ライトガイドを
含めた監視信号伝送系の特性を考慮して比較的大
きい電流を流す必要があり、発光ダイオードの特
性劣化あるいは寿命短縮が問題となつた。
イリスタの故障監視を行なうようにした従来の回
路構成を第４図に示すと、逆並列接続した２個の
主サイリスタ毎に抵抗と発光ダイオードとの直列
接続回路を並列に接続し、発光ダイオードの出力
光を介して主サイリスタの故障発生を監視するよ
うになつており、発光ダイオードの出力光の監視
に高価なライトガイドを２個の主サイリスタ毎に
必要として、構成が複雑となつて高価になるばか
りでなく、発光ダイオードには、ライトガイドを
含めた監視信号伝送系の特性を考慮して比較的大
きい電流を流す必要があり、発光ダイオードの特
性劣化あるいは寿命短縮が問題となつた。
なお、第４図示の回路構成例は、点弧回路を省
略して後述するように自己点弧を行なうようにし
た場合について示してある。
略して後述するように自己点弧を行なうようにし
た場合について示してある。
本発明の目的は、上述した従来の種々の欠点を
除去し、２直列逆並列に接続した計４個の主サイ
リスタ毎に１個の光補助サイリスタを組合わせて
点弧させるようにしても、高耐圧の光補助サイリ
スタを用いる必要がなく、主サイリスタ１個分の
電圧しか印加されないようにした安価に製造し得
る逆並列サイリスタ点弧装置を提供することにあ
る。
除去し、２直列逆並列に接続した計４個の主サイ
リスタ毎に１個の光補助サイリスタを組合わせて
点弧させるようにしても、高耐圧の光補助サイリ
スタを用いる必要がなく、主サイリスタ１個分の
電圧しか印加されないようにした安価に製造し得
る逆並列サイリスタ点弧装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、上述した計４個の主サイ
リスタにおける故障発生を簡単かつ安価な構成の
監視回路によつて監視し得るようにした逆並列サ
イリスタ点弧装置を提供することにある。
リスタにおける故障発生を簡単かつ安価な構成の
監視回路によつて監視し得るようにした逆並列サ
イリスタ点弧装置を提供することにある。
すなわち、本発明逆並列サイリスタ点弧装置
は、同一極性にして互いに直列に接続した２個の
サイリスタの２組を互いに逆極性にして並列に接
続した直並列接続サイリスタ整流回路毎に、互い
に逆極性にして直列に接続した２個のダイオード
の中間接続点に一端を接続した光補助サイリスタ
を、前記２個のダイオードを介して結合させるこ
とにより、前記２組のサイリスタを前記光補助サ
イリスタの制御によつて交互に点弧させるように
したことを特徴とするものである。
は、同一極性にして互いに直列に接続した２個の
サイリスタの２組を互いに逆極性にして並列に接
続した直並列接続サイリスタ整流回路毎に、互い
に逆極性にして直列に接続した２個のダイオード
の中間接続点に一端を接続した光補助サイリスタ
を、前記２個のダイオードを介して結合させるこ
とにより、前記２組のサイリスタを前記光補助サ
イリスタの制御によつて交互に点弧させるように
したことを特徴とするものである。
以下に図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
本発明逆並列サイリスタ点弧装置の構成例を第
５図に示す。図示の構成においては、それぞれ同
一極性に直列接続した主サイリスタTH１，TH
３およびTH２，TH４を互いに逆極性に並列接
続し、それら主サイリスタ直列接続の中間接続点
に共通に一端を接続した光補助サイリスタPTH
１の他端を互いに逆極性に直列接続した２個のダ
イオードＤ１およびＤ２の中間接続点に接続し、
さらに、それらのダイオードＤ１およびＤ２をパ
ルストランスPT１およびPT２の一次側にそれぞ
れ接続し、それらのパルストランスPT１および
PT２の２次側をそれぞれ主サイリスタTH１，
TH３およびTH２，TH４の制御グリツドに接
続してある。各主サイリスタには、サージ吸収お
よび電圧分担均等化のために、抵抗とコンデンサ
との直列回路から成るいわゆるスナバ回路が並列
接続されているが、図示は省略してある。かかる
回路構成において、主サイリスタTH１，TH３
が順電圧、主サイリスタTH２，TH４が逆電圧
の場合には、ダイオードＤ１がオン状態、ダイオ
ードＤ２がオフ状態となるために、光補助サイリ
スタPTH１には主サイリスタTH３もしくはTH
４の電圧しか印加されず、さらに、その状態にお
いて光補助サイリスタPTH１に光信号が印加さ
れるとその光補助サイリスタPTH１がオン状態
となり、主サイリスタTH３，TH４に並列接続
されている図示されていないスナバ回路のコンデ
ンサの電荷が光補助サイリスタPTH１、ダイオ
ードＤ１およびパルストランスPT１の１次巻線
を通して放電し、これによりパルストランスPT
１を介して主サイリスタTH１およびTH３にゲ
ートパルスを印加することになる。
５図に示す。図示の構成においては、それぞれ同
一極性に直列接続した主サイリスタTH１，TH
３およびTH２，TH４を互いに逆極性に並列接
続し、それら主サイリスタ直列接続の中間接続点
に共通に一端を接続した光補助サイリスタPTH
１の他端を互いに逆極性に直列接続した２個のダ
イオードＤ１およびＤ２の中間接続点に接続し、
さらに、それらのダイオードＤ１およびＤ２をパ
ルストランスPT１およびPT２の一次側にそれぞ
れ接続し、それらのパルストランスPT１および
PT２の２次側をそれぞれ主サイリスタTH１，
TH３およびTH２，TH４の制御グリツドに接
続してある。各主サイリスタには、サージ吸収お
よび電圧分担均等化のために、抵抗とコンデンサ
との直列回路から成るいわゆるスナバ回路が並列
接続されているが、図示は省略してある。かかる
回路構成において、主サイリスタTH１，TH３
が順電圧、主サイリスタTH２，TH４が逆電圧
の場合には、ダイオードＤ１がオン状態、ダイオ
ードＤ２がオフ状態となるために、光補助サイリ
スタPTH１には主サイリスタTH３もしくはTH
４の電圧しか印加されず、さらに、その状態にお
いて光補助サイリスタPTH１に光信号が印加さ
れるとその光補助サイリスタPTH１がオン状態
となり、主サイリスタTH３，TH４に並列接続
されている図示されていないスナバ回路のコンデ
ンサの電荷が光補助サイリスタPTH１、ダイオ
ードＤ１およびパルストランスPT１の１次巻線
を通して放電し、これによりパルストランスPT
１を介して主サイリスタTH１およびTH３にゲ
ートパルスを印加することになる。
また、上述とは反対に、主サイリスタTH２，
TH４が順電圧、主サイリスタTH１，TH３が
逆電圧の場合には、ダイオードＤ１がオフ状態、
ダイオードＤ２がオン状態になるために、光補助
サイリスタPTH１には主サイリスタTH２もし
くはTH１の電圧しか印加されず、さらに、この
状態において光補助サイリスタPTH１が光信号
を印加されてオン状態になると、パルストランス
PT２を介して主サイリスタTH２およびTH４に
ゲートパルスを印加することになる。
TH４が順電圧、主サイリスタTH１，TH３が
逆電圧の場合には、ダイオードＤ１がオフ状態、
ダイオードＤ２がオン状態になるために、光補助
サイリスタPTH１には主サイリスタTH２もし
くはTH１の電圧しか印加されず、さらに、この
状態において光補助サイリスタPTH１が光信号
を印加されてオン状態になると、パルストランス
PT２を介して主サイリスタTH２およびTH４に
ゲートパルスを印加することになる。
したがつて、光補助サイリスタPTH１には、
如何なる場合にも主サイリスタ１素子分の電圧し
か印加されず、主サイリスタTH１〜TH４のう
ち、順電圧となる主サイリスタに対して自動的に
振り分けてゲートパルスを供給し、それらの主サ
イリスタTH１，TH３もしくはTH２，TH４を
交互に点弧させることになる。
如何なる場合にも主サイリスタ１素子分の電圧し
か印加されず、主サイリスタTH１〜TH４のう
ち、順電圧となる主サイリスタに対して自動的に
振り分けてゲートパルスを供給し、それらの主サ
イリスタTH１，TH３もしくはTH２，TH４を
交互に点弧させることになる。
つぎに、本発明逆並列サイリスタ点弧装置の他
の構成例を第６図に示す。図示の構成例において
は、上述の構成例と同様に２直列逆並列接続にし
た主サイリスタTH１，TH３およびTH２，TH
４の各中間接続点に、共通に接続したパルストラ
ンスPT１の一次コイルを介して一端を接続した
光補助サイリスタPTH１の他点を、互いに逆極
性にして直列に接続したダイオードＤ１およびＤ
２の中間接続点に接続し、それらのダイオードＤ
１，Ｄ２の他端を交流電圧源にそれぞれ接続する
とともに、パルストランスPT１の二次コイルを
各主サイリスタTH１〜TH４の制御グリツドに
それぞれ接続したものである。かかる回路構成に
おいても、上述の構成例におけると同様に、光補
助サイリスタPTH１には主サイリスタ１素子分
の電圧しか印加されず、しかも、主サイリスタ
TH１〜TH４の電圧極性には関係なく、単一の
パルストランスPT１によつて個別にゲートパル
スを印加し得るように回路構成を簡単化してあ
る。
の構成例を第６図に示す。図示の構成例において
は、上述の構成例と同様に２直列逆並列接続にし
た主サイリスタTH１，TH３およびTH２，TH
４の各中間接続点に、共通に接続したパルストラ
ンスPT１の一次コイルを介して一端を接続した
光補助サイリスタPTH１の他点を、互いに逆極
性にして直列に接続したダイオードＤ１およびＤ
２の中間接続点に接続し、それらのダイオードＤ
１，Ｄ２の他端を交流電圧源にそれぞれ接続する
とともに、パルストランスPT１の二次コイルを
各主サイリスタTH１〜TH４の制御グリツドに
それぞれ接続したものである。かかる回路構成に
おいても、上述の構成例におけると同様に、光補
助サイリスタPTH１には主サイリスタ１素子分
の電圧しか印加されず、しかも、主サイリスタ
TH１〜TH４の電圧極性には関係なく、単一の
パルストランスPT１によつて個別にゲートパル
スを印加し得るように回路構成を簡単化してあ
る。
つぎに、第５図示の回路構成におけるとほぼ同
様に構成した２直列逆並列接続の主サイリスタ
TH１〜TH４における故障発生を、単一の点弧
用光補助サイリスタPTH１の電流を監視するこ
とにより監視し得ることにした場合における本発
明逆並列サイリスタ点弧装置の構成例を第７図に
示す。図示の構成例においては、点弧用光補助サ
イリスタPTH１の電流を、抵抗RD１およびRD
２によつて分流し、抵抗RD２に流れる一部の電
流を発光ダイオードLED１に流して発光させ、
その出力発光をライトガイド等を介して監視する
ようにしてある。なお、発光ダイオードの電流発
光特性によつては、光補助サイリスタPTH１の
電流を分流せずに直接に発光ダイオードLED１
に流すようにすることもできる。かかる回路構成
においては、主サイリスタTH１〜TH４に対し
て、図に示すように、自己点弧回路ST１〜ST４
をそれぞれ個別に接続して点弧させるようにし、
サイリスタ電圧が素子耐圧以下の一定の保護レベ
ルに達したことをそれらの自己点弧回路ST１〜
ST４によりそれぞれ検出して、それぞれの主サ
イリスタTH１〜TH４にゲートパルスを印加し
て点弧させることにより、過電圧から保護するよ
うにしてある。
様に構成した２直列逆並列接続の主サイリスタ
TH１〜TH４における故障発生を、単一の点弧
用光補助サイリスタPTH１の電流を監視するこ
とにより監視し得ることにした場合における本発
明逆並列サイリスタ点弧装置の構成例を第７図に
示す。図示の構成例においては、点弧用光補助サ
イリスタPTH１の電流を、抵抗RD１およびRD
２によつて分流し、抵抗RD２に流れる一部の電
流を発光ダイオードLED１に流して発光させ、
その出力発光をライトガイド等を介して監視する
ようにしてある。なお、発光ダイオードの電流発
光特性によつては、光補助サイリスタPTH１の
電流を分流せずに直接に発光ダイオードLED１
に流すようにすることもできる。かかる回路構成
においては、主サイリスタTH１〜TH４に対し
て、図に示すように、自己点弧回路ST１〜ST４
をそれぞれ個別に接続して点弧させるようにし、
サイリスタ電圧が素子耐圧以下の一定の保護レベ
ルに達したことをそれらの自己点弧回路ST１〜
ST４によりそれぞれ検出して、それぞれの主サ
イリスタTH１〜TH４にゲートパルスを印加し
て点弧させることにより、過電圧から保護するよ
うにしてある。
つぎに、第７図に示したサイリスタ故障監視可
能の本発明逆並列サイリスタ点弧回路を交流電力
装置に適用した場合の例を第８図に示し、その各
部動作波形を第９図に示す。第９図に示す各部動
作波形において、波形Ａは主サイリスタTH１，
TH２の電圧、波形Ｂは主サイリスタTH３，
TH４の電圧、波形Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆは、それぞ
れ、主サイリスタTH１，TH３，TH２および
TH４に印加するゲートパルス、波形Ｇは発光ダ
イオードLED１に流れる監視用電流の各波形を
示したものである。また、波形Ｃ〜Ｆの各ゲート
パルスに付記した数字のうち、１，２はそれぞれ
パルストランスPT１，PT２から印加するゲート
パルスであることを示し、３は自己点弧回路ST
１が動作して印加したゲートパルスであることを
示している。なお、図示の動作波形は、主サイリ
スタTH３もしくはTH４に短絡破壊が生じた場
合の例を示したものであり、主サイリスタTH３
もしくはTH４の電圧が零であるために、主サイ
リスタTH１が順電圧となる期間にその主サイリ
スタTH１を点弧させようとしても、パルストラ
ンスPT１を介してゲートパルスを印加すること
ができない。したがつて、主サイリスタTH１
は、他の直列主サイリスタTH３が点弧するため
に印加電圧が跳ね上ることになるが、自己点弧回
路ST１が作動して過電圧印加を免がれて保護さ
れる。その際、光補助サイリスタPTH１には電
流が流れず、したがつて、発光ダイオードLED
１にも電流が流れない。すなわち、主サイリスタ
TH３もしくはTH４に障害が発生していると、
主サイリスタTH１，TH３が順電圧となる期間
に光補助サイリスタPTH１に点弧用光信号が印
加された直後に発光ダイオードLED１からの監
視用光信号が得られないことになり、したがつ
て、主サイリスタTH３もしくはTH４の故障を
検出し得ることになる。
能の本発明逆並列サイリスタ点弧回路を交流電力
装置に適用した場合の例を第８図に示し、その各
部動作波形を第９図に示す。第９図に示す各部動
作波形において、波形Ａは主サイリスタTH１，
TH２の電圧、波形Ｂは主サイリスタTH３，
TH４の電圧、波形Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆは、それぞ
れ、主サイリスタTH１，TH３，TH２および
TH４に印加するゲートパルス、波形Ｇは発光ダ
イオードLED１に流れる監視用電流の各波形を
示したものである。また、波形Ｃ〜Ｆの各ゲート
パルスに付記した数字のうち、１，２はそれぞれ
パルストランスPT１，PT２から印加するゲート
パルスであることを示し、３は自己点弧回路ST
１が動作して印加したゲートパルスであることを
示している。なお、図示の動作波形は、主サイリ
スタTH３もしくはTH４に短絡破壊が生じた場
合の例を示したものであり、主サイリスタTH３
もしくはTH４の電圧が零であるために、主サイ
リスタTH１が順電圧となる期間にその主サイリ
スタTH１を点弧させようとしても、パルストラ
ンスPT１を介してゲートパルスを印加すること
ができない。したがつて、主サイリスタTH１
は、他の直列主サイリスタTH３が点弧するため
に印加電圧が跳ね上ることになるが、自己点弧回
路ST１が作動して過電圧印加を免がれて保護さ
れる。その際、光補助サイリスタPTH１には電
流が流れず、したがつて、発光ダイオードLED
１にも電流が流れない。すなわち、主サイリスタ
TH３もしくはTH４に障害が発生していると、
主サイリスタTH１，TH３が順電圧となる期間
に光補助サイリスタPTH１に点弧用光信号が印
加された直後に発光ダイオードLED１からの監
視用光信号が得られないことになり、したがつ
て、主サイリスタTH３もしくはTH４の故障を
検出し得ることになる。
また、同様にして、主サイリスタTH１もしく
はTH２に障害が発生すると、主サイリスタTH
１，TH３が逆電圧となる期間に発光ダイオード
LED１からの監視用光信号が得られず、したが
つて、主サイリスタTH１もしくはTH２の故障
を検出し得ることになる。
はTH２に障害が発生すると、主サイリスタTH
１，TH３が逆電圧となる期間に発光ダイオード
LED１からの監視用光信号が得られず、したが
つて、主サイリスタTH１もしくはTH２の故障
を検出し得ることになる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、逆並列サイリスタ整流回路に設けた光補助サ
イリスタ点弧回路に介挿したダイオードＤ１，Ｄ
２により、主サイリスタTH１，TH２もしくは
TH３，TH４の１素子分の電圧しか点弧用光補
助サイリスタには印加されないのであるから、高
耐圧の光補助サイリスタを必要とせず、点弧回路
の使用部品数を削減してその構成を簡単化、低廉
化することができ、また、装置の信頼性を向上さ
せることができる。さらに、主サイリスタの障害
発生に対する監視についても、主サイリスタに個
別の監視手段を設ける必要がなくなり、２直列逆
並列接続の４個の主サイリスタ共通の１個の光補
助サイリスタの電流を監視することのみで所要の
障害発生監視を行なうことができ、しかも、光補
助サイリスタに流れる電流は幅の狭いパルス電流
であるので、その電流監視用の発光ダイオードに
流れる電流もパルス電流となり、発光ダイオード
の責務が軽減されるとともに、障害発生監視手段
の信頼性を向上させ、長寿命化することができ
る。
ば、逆並列サイリスタ整流回路に設けた光補助サ
イリスタ点弧回路に介挿したダイオードＤ１，Ｄ
２により、主サイリスタTH１，TH２もしくは
TH３，TH４の１素子分の電圧しか点弧用光補
助サイリスタには印加されないのであるから、高
耐圧の光補助サイリスタを必要とせず、点弧回路
の使用部品数を削減してその構成を簡単化、低廉
化することができ、また、装置の信頼性を向上さ
せることができる。さらに、主サイリスタの障害
発生に対する監視についても、主サイリスタに個
別の監視手段を設ける必要がなくなり、２直列逆
並列接続の４個の主サイリスタ共通の１個の光補
助サイリスタの電流を監視することのみで所要の
障害発生監視を行なうことができ、しかも、光補
助サイリスタに流れる電流は幅の狭いパルス電流
であるので、その電流監視用の発光ダイオードに
流れる電流もパルス電流となり、発光ダイオード
の責務が軽減されるとともに、障害発生監視手段
の信頼性を向上させ、長寿命化することができ
る。
なお、以上の説明においては、サイリスタ直列
回路の並列接続数を２としたが、２以上の直並列
サイリスタを逆並列メツシユ接続にして構成され
るサイリスタ整流回路の各サイリスタスイツチ素
子全般に本発明点弧装置を適用することができ
る。
回路の並列接続数を２としたが、２以上の直並列
サイリスタを逆並列メツシユ接続にして構成され
るサイリスタ整流回路の各サイリスタスイツチ素
子全般に本発明点弧装置を適用することができ
る。
また、結果的に逆並列接続となるような装置、
例えば、非循環電流方式の可逆レオナード装置や
非循環電流方式のサイクロコンバータ等において
も、サイリスタの直列数が２以上である装置であ
れば、前述したと同様に本発明を適用することが
できる。
例えば、非循環電流方式の可逆レオナード装置や
非循環電流方式のサイクロコンバータ等において
も、サイリスタの直列数が２以上である装置であ
れば、前述したと同様に本発明を適用することが
できる。
第１図乃至第３図は従来のサイリスタ点弧装置
の構成例をそれぞれ示す回路図、第４図は同じく
その他の構成例を示す回路図、第５図および第６
図は本発明逆並列サイリスタ点弧装置の構成例を
それぞれ示す回路図、第７図は同じくその他の構
成例を示す回路図、第８図は第７図示の本発明装
置を適用した交流電力装置の構成例を示す回路
図、第９図は同じくその各部動作波形を示す波形
図である。 TH１〜THn…主サイリスタ、PTH１〜
PTHn…光補助サイリスタ、Ｒ１〜Rn，RG１〜
RG５，RD１，RD２，RS１〜RSｎ／２…抵抗、Ｄ １〜Ｄ１０…ダイオード、PT１，PT２…パルス
トランス、ST１〜STn…自己点弧回路。
の構成例をそれぞれ示す回路図、第４図は同じく
その他の構成例を示す回路図、第５図および第６
図は本発明逆並列サイリスタ点弧装置の構成例を
それぞれ示す回路図、第７図は同じくその他の構
成例を示す回路図、第８図は第７図示の本発明装
置を適用した交流電力装置の構成例を示す回路
図、第９図は同じくその各部動作波形を示す波形
図である。 TH１〜THn…主サイリスタ、PTH１〜
PTHn…光補助サイリスタ、Ｒ１〜Rn，RG１〜
RG５，RD１，RD２，RS１〜RSｎ／２…抵抗、Ｄ １〜Ｄ１０…ダイオード、PT１，PT２…パルス
トランス、ST１〜STn…自己点弧回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一極性にして互いに直列に接続した２個の
サイリスタの２組を互いに逆極性にして並列に接
続し、且つ前記各組の２個のサイリスタの中間接
続点同士を互いに接続し、各サイリスタにサージ
吸収および電圧分担回路を並列接続した直並列接
続サイリスタ整流回路と、 該整流回路における前記中間接続点に一端を接
続した光補助サイリスタと、 ２個のダイオードを互いに逆極性にして直列に
接続し、該中間接続点に前記光補助サイリスタの
他端を接続し、両端を前記整流回路の両端に接続
したダイオード回路と、 前記光補助サイリスタの電流路または前記ダイ
オード回路の各ダイオードの電流路に介装した、
前記２組のサイリスタを点弧するための点弧回路
とを具えたことを特徴とする逆並列サイリスタ点
弧装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の逆並列サイリス
タ点弧装置において、前記光補助サイリスタの電
流路には、当該光補助サイリスタに流れる電流を
監視して前記直並列接続サイリスタ整流回路の障
害の発生を監視する手段が設けられていることを
特徴とする逆並列サイリスタ点弧装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027481A JPS57155838A (en) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Anti-parallel thyristor triggering device |
| DE19823210484 DE3210484C2 (de) | 1981-03-23 | 1982-03-22 | Zündschaltung für antiparallel geschaltete Thyristoren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027481A JPS57155838A (en) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Anti-parallel thyristor triggering device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57155838A JPS57155838A (en) | 1982-09-27 |
| JPS637689B2 true JPS637689B2 (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=12576046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4027481A Granted JPS57155838A (en) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Anti-parallel thyristor triggering device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57155838A (ja) |
| DE (1) | DE3210484C2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3426769A1 (de) * | 1984-07-17 | 1986-01-23 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur ueberwachung eines thyristors |
| DE3627017A1 (de) * | 1986-08-09 | 1988-02-18 | Licentia Gmbh | Hochspannungs-halbleiterschuetz |
| DE3731393A1 (de) * | 1987-09-18 | 1989-04-06 | Bosch Gmbh Robert | Hochspannungsschalter |
| DE19844823C1 (de) * | 1998-09-30 | 1999-10-28 | Siemens Ag | Thyristorschaltung |
-
1981
- 1981-03-23 JP JP4027481A patent/JPS57155838A/ja active Granted
-
1982
- 1982-03-22 DE DE19823210484 patent/DE3210484C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57155838A (en) | 1982-09-27 |
| DE3210484A1 (de) | 1982-09-30 |
| DE3210484C2 (de) | 1983-12-01 |
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