JPS63870B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は電子計算装置又はその端末機の記憶装
置として用いられる磁気バブルメモリ装置に関
し、特にそのバブル磁区検出器に関するものであ
る。

(2) 技術の背景 磁気バブルメモリ装置は不揮発性であり大容量
高密度の記憶が可能、低消費電力、小型軽量であ
る等種々の特徴をもつているため大容量メモリと
して将来が期待されている。この磁気バブルメモ
リ装置は、磁気バブルが磁界により磁性薄膜内を
自由に動かすことができることを利用したもので
あつて、第１図に示す如く、磁気バブルメモリチ
ツプ１、バブルを駆動するための回転磁界発生用
コイル２，２′、バブルを安定に保持するための
バイアス磁界発生用磁石３，３′等により構成さ
れている。

そしてメモリチツプ１は、例えばガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネツト基板の上に液相エピタ
キシヤル成長法により磁性ガーネツトの薄膜を形
成し、その上にパーマロイ薄膜によるパターンを
行列させてバブル転送路を形成しておき、バブル
発生器により情報に従つてバブルを発生し、バブ
ル転送路に転送して、バブルのあるところを
“１”、ないところを“０”として情報を記録する
ようになつている。また情報を読み出すようにな
つている。

(3) 従来技術と問題点 第２図及び第３図は従来のバブル磁区検出器の
構成を説明するための図であり、第２図は模式
図、第３図は具体例を示す。なお第３図ａはバブ
ル磁区検出器の左端部を示し、ｂは右端部を示し
ている。第２図及び第３図において、４はシエブ
ロン又は非対称シエブロンパターンを並列に多数
配置したストレツチヤ部、矢印５はバブルの進行
方向、６はバブル磁区検出部、７，７′はそのリ
ード線、８，８′はその端子、９，９′はガードレ
ール、矢印１０，１０′はガードレールにおける
バブルの進行方向をそれぞれ示している。

このバブル磁区検出器の作用を説明すると、転
送されてきたバブルはストレツチヤ部４でバブル
の進行方向に対し直角方向に大きく引伸ばされ、
それがシエブロン又は非対称シエブロン等の一部
を接続し電流路を形成した検出部６を通過する際
に磁気低抗変化として読み出される。この種のバ
ブル磁区検出器はパーマロイ等を用いた転送パタ
ーンと同時に作ることができるため製作上有利で
あり、一般的に用いられているが、検出電流を供
給するリード線７，７′もパーマロイ等の磁性膜
で形成されるため周囲の浮遊バブルをトラツプし
たバブルが検出部に侵入して誤動作を生ずるのを
防ぐため浮遊バブルを左右に掃き出す方向のガー
ドレールパターン９，９′を検出部６の左右に配
置し余分なバブルの侵入を防止している。しかし
このようにしてもパターン幅が太目に形成された
り、高温作動時などでは浮遊バブルの侵入を防止
できず、一度バブルがガードレールの内側に侵入
してしまえばその不要バブルは比較的容易に検出
部に到達し誤動作を起すという欠点があつた。

(4) 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、リード線を介
して侵入した浮遊バブルが検出部に到達する前に
効果的に排除できるようなガードレールを設けた
バブル磁区検出器を提供することを目的とするも
のである。

(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、シエブロン
パターン又は非対称シエブロンパターン等のバブ
ル磁区転送パターンの複数個をバブルの進行方向
と直角の方向に一定の周期で配列し、それらを電
気的に接続し、その磁気抵抗効果を利用してバブ
ル磁区の検出を行なうバブル磁区検出部と、該検
出部に検出電流を供給するため前記転送パターン
と同じ材質で形成したリード線とを具備したバブ
ル磁区検出器において、シエブロン又は非対称シ
エブロンパターン等のバブル磁区転送パターンを
バブル磁区の進行方向と直角の方向に一定の周期
で複数個配置したバブル磁区転送段をバブルの進
行方向に複数段配置してバブル磁区転送ブロツク
を構成し、該ブロツクを前記バブル磁区検出部の
両側に配置し、かつ前記バブル磁区転送ブロツク
を構成する複数のバブル磁区転送段のうちのいず
れかを前記リード線が貫いていることを特徴とす
るバブル磁区検出器を提供することによつて達成
される。

(6) 発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。

第４図及び第５図は本発明によるバブル磁区検
出器を説明するための図であり、第４図はその構
成を示す模式図、第５図は実施例を示す図であ
る。なお第５図ａはバブル磁区検出器の左端部を
示し、ｂは右端部を示している。

第４図及び第５図において、１１はストレツチ
ヤ部、矢印１２はバブルの進行方向、１３はバブ
ル磁区検出部、１４，１４′はそのリード線、１
５，１５′はその端子、１６，１６′はガードレー
ル、矢印１７，１７′はガードレールにおけるバ
ブルの進行方向、１８，１８′はバブル磁区転送
ブロツク、矢印１９，１９′はバブル磁区転送ブ
ロツクにおけるバブルの進行方向をそれぞれ示し
ている。

本実施例は第５図に示す如く、ストレツチヤ部
１１はシエブロン又は非対称シエブロンパターン
が並列に多数配置され、バブル磁区検出部１３は
シエブロン又は非対称シエブロンパターン等のバ
ブル磁区転送パターンの多数個がバブルの進行方
向１２と直角の方向に一定の周期で配列され、且
つそれらは電気的に接続され電流路を形成し、そ
の両端にバブル磁区転送パターンと同材質のリー
ド線１４，１４′が接続されている。ガードレー
ル１６，１６′は不要なバブルを矢印１７，１
７′方向に掃き出すように多数のシエブロンパタ
ーンが配列されている。以上は第２図及び第３図
に示した従来例と同様である。本発明の特徴は第
４図及び第５図に示す如くバブル磁区転送ブロツ
ク１８，１８′（第５図では鎖線で囲い示す。）を
設けたことである。このバブル磁区転送ブロツク
１８，１８′はシエブロン又は非対称シエブロン
パターンの複数個をバブルの進行方向１２と直角
の方向に一定の周期で配列してバブル磁区転送段
を形成し、このバブル磁区転送段をバブルの進行
方向１２に複数段配置したものである。そしてこ
のバブル磁区転送ブロツク１８，１８′はバブル
磁区検出部１３の両端に配置され、それを構成す
る複数のバブル磁区転送段のうちのいづれかをリ
ード線１４，１４′が貫いている。

このように構成された本実施例は、不要なバブ
ル磁区がリード線１４，１４′を伝つて侵入して
来たとしても、バブル磁区転送ブロツク１８，１
８′は矢印１９，１９′の如くバブルの進行方向１
２と同方向に掃き出すことができる。これにより
バブル磁区検出部１３への不要バブルの侵入を効
果的に防止することができる。

第６図は本発明によるバブル磁区検出器の他の
実施例を示す図である。同図において第５図と同
一部分は同一符号を付して示した。本実施例が前
実施例と異なるところは、左右に出していたリー
ド線１４，１４′を途中で曲げて上方に出るよう
に変形したものであり、その効果は前実施例と同
様である。

(7) 発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明のバブル
磁区検出器はそのリード線を覆つてバブル磁区転
送ブロツクを設けることによりバブル磁区検出部
への不要バブルの侵入を防止したものであり、磁
気バブルメモリ装置に用いてその信頼性を向上し
得るといつた効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリ装置を説明するため
の図、第２図及び第３図は従来のバブル磁区検出
器を説明するための図、第４図及び第５図は本発
明によるバブル磁区検出器を説明するための図、
第６図は他の実施例を説明するための図である。 図面において、１１はストレツチヤ部、１３は
バブル磁区検出部、１４，１４′はリード線、１
５，１５′は端子、１６，１６′はガードレール、
１８，１８′はバブル磁区転送ブロツクをそれぞ
れ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ シエブロンパターン又は非対称シエブロンパ
   ターン等のバブル磁区転送パターンの複数個をバ
   ブルの進行方向と直角の方向に一定の周期で配列
   し、それらを電気的に接続し、その磁気抵抗効果
   を利用してバブル磁区の検出を行なうバブル磁区
   検出部と、該検出部に検出電流を供給するため前
   記転送パターンと同じ材質で形成したリード線と
   を具備したバブル磁区検出器において、シエブロ
   ン又は非対称シエブロンパターン等のバブル磁区
   転送パターンをバブル磁区の進行方向と直角の方
   向に一定の周期で複数個配置したバブル磁区転送
   段をバブルの進行方向に複数段配置してバブル磁
   区転送ブロツクを構成し、該ブロツクを前記バブ
   ル磁区検出部の両側に配置し、かつ前記バブル磁
   区転送ブロツクを構成する複数のバブル磁区転送
   段のうちのいずれかを前記リード線が貫いている
   ことを特徴とするバブル磁区検出器。