Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS639746B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS639746B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS639746B2
JPS639746B2 JP56096079A JP9607981A JPS639746B2 JP S639746 B2 JPS639746 B2 JP S639746B2 JP 56096079 A JP56096079 A JP 56096079A JP 9607981 A JP9607981 A JP 9607981A JP S639746 B2 JPS639746 B2 JP S639746B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
weight
copper
alloy
ultrafine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56096079A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5730206A (en
Inventor
Bishotsufu Aruburetsuhito
Arudeingaa Furitsutsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Publication of JPS5730206A publication Critical patent/JPS5730206A/ja
Publication of JPS639746B2 publication Critical patent/JPS639746B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/923—Physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体構成要素接触用の直径約0.01
〜約0.06mmのアルミニウム含有極細導線に関す
る。
外部接続線を造るために、半導体構成要素は
金、アルミニウムまたはアルミニウム合金例えば
AlSi1（Al99重量％・Si1重量％）、AlCu4（Al96重
量％・Cu4重量％）、またはAlMg1（Al99重量
％・Mg1重量％）のような極細導線と接触され
る。
半導体と前記極細導線との接続（結合）は超音
波溶接または熱圧接または前記２種の溶接法の併
用、すなわち熱超音波溶接により行われる。
いわゆる楔−楔法（wedge−wedge−
verfahren）による超音波溶接に対して既知のア
ルミニウム極細導線またはアルミニウム合金極細
導線が比較的適していないのは半導体自体の結合
場所と前記導線との間の区域に亀裂が発生すると
いう疲労特性のためである。
釘頭接触法による熱圧接法または熱超音波溶接
法の場合にも、既知のアルミニウム極細導線また
はアルミニウム合金極細導線は金極細導線とは異
つていわゆるループ形成によつて結合箇所に隣接
した区域で折断する傾向があるから条件付きでし
か使用されない。
この発明の課題は高疲労強度をもち、且つ釘頭
接触法による溶接に対しても適した特性を示すと
ころの半導体構成要素の接続に適した、貴金属を
含まない、極細導線を提供するにある。
この課題はこの発明により、芯線が銅または少
くとも60重量％の銅を含む銅合金で、外皮がアル
ミニウムまたは少くとも95重量％のアルミニウム
を含むアルミニウム合金からなる極細導線によつ
て解決される。
この発明による極細導線の他の有利な特徴は下
記の記載により明らかである。
芯線の銅合金は例えば真鍮、青銅または洋銀で
あることができるが、これらは少くとも60重量％
の銅を含むものである。銅94重量％で亜鉛６重量
％の合金が特に良好であることが判明した。
外皮として特に適するアルミニウム合金はアル
ミニウム99重量％−ケイ素１重量％、アルミニウ
ム96重量％−銅４重量％およびアルミニウム99重
量％−マグネシウム１重量％からなるアルミニウ
ム合金である。
好適な極細導線は銅芯線−アルミニウム外皮、
銅芯線−99重量％アルミニウム・１重量％ケイ素
合金外皮、銅芯線−96重量％アルミニウム・４重
量％銅合金外皮、銅芯線−99重量％アルミニウ
ム・１重量％マグネシウム合金外皮、94重量％
銅・６重量％亜鉛合金芯線−アルミニウム外皮お
よび94重量％銅・６重量％亜鉛−99重量％アルミ
ニウム・１重量％ケイ素合金外皮からなる極細導
線である。
この発明による極細導線は図における曲線のよ
うに高疲労強度を示す。
疲労強度の尺度として図では銅芯線−AlSi1
（99重量％アルミニウム・１重量％ケイ素合金）
外皮極細導線（直径50μｍ）の種々の曲げ角度で
の破断繰返し数を既知のAlSi1極細導線または
AlCu4（96重量％アルミニウム・４重量％銅合金）
極細導線（それぞれ直径50μｍ）の破断繰返し数
と比較して示した。Cu芯線−AlSi1外皮極細導線
はAlCu4極細導線に比して約10倍高く、また
AlSi1極細導線に比して約100倍高い破断サイク
ル数を示す。
この発明による極細導線の高疲労強度により結
合場所と導線との間の区域における亀裂の危険を
著しく低下される。
これらの極細導線は約25μｍの直径であること
が有利であり、芯線は約10〜15μｍの直径をもつ
のが有利である。
この発明による極細導線は楔−楔法による超音
波溶接によつても、ならびに釘頭接触法による溶
接法によつても半導体構成要素と接続できる。
この発明による極細導線の特別の利用領域は釘
頭接触法によりアルミニウム層を備えたケイ素半
導体との接続である。この理由はアルミニウムで
金属化されたケイ素はアルミニウム極細導線また
はアルミニウム合金極細導線とは限られた場所だ
けこの方法により自動溶接により接続できるのに
すぎないし、金極細導線とは自動接続が可能であ
るにしても熱圧接溶接の場合にはもろい金−アル
ミニウム中間金属化合物（AuAl2）が生成する。
【図面の簡単な説明】
図は極細導線の曲げ角度に対する破断繰返し数
を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 芯線が銅または少くとも60重量％の銅を含有
    する銅合金で、外皮がアルミニウムまたは少くと
    も95重量％のアルミニウムを含有するアルミニウ
    ム合金であることを特徴とする、半導体部品接触
    用の直径0.01mm〜0.06mmのアルミニウム含有極細
    導線。 ２ 芯線が銅94重量％と亜鉛６重量％との合金か
    らなる特許請求の範囲第１項記載の極細導線。 ３ 外皮がアルミニウム99重量％とケイ素１重量
    ％との合金からなる特許請求の範囲第１項記載の
    極細導線。 ４ 外皮がアルミニウム96重量％と銅４重量％と
    の合金からなる特許請求の範囲第１項記載の極細
    導線。 ５ 外皮がアルミニウム99重量％とマグネシウム
    １重量％との合金からなる特許請求の範囲第１項
    記載の極細導線。 ６ 芯線が銅からなり、外皮がアルミニウムから
    なる特許請求の範囲第１項記載の極細導線。 ７ 芯線が銅で、外皮がアルミニウム99重量％と
    ケイ素１重量％との合金であるか、またはアルミ
    ニウム96重量％と銅４重量％との合金であるか、
    またはアルミニウム99重量％とマグネシウム１重
    量％との合金である特許請求の範囲第１項記載の
    極細導線。 ８ 芯線が銅94重量％と亜鉛６重量％との合金
    で、外皮がアルミニウムであるか、またはアルミ
    ニウム99重量％とケイ素１重量％との合金である
    特許請求の範囲第１項記載の極細導線。 ９ 半導体構成要素がアルミニウム層を備えたケ
    イ素半導体である特許請求の範囲第１項または第
    ８項のいずれかに記載の極細導線。
JP9607981A 1980-06-24 1981-06-23 Contact extra fine conductor for semiconductor constituent element Granted JPS5730206A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3023528A DE3023528C2 (de) 1980-06-24 1980-06-24 Aluminium enthaltender Feinstdraht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5730206A JPS5730206A (en) 1982-02-18
JPS639746B2 true JPS639746B2 (ja) 1988-03-01

Family

ID=6105299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9607981A Granted JPS5730206A (en) 1980-06-24 1981-06-23 Contact extra fine conductor for semiconductor constituent element

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4355082A (ja)
JP (1) JPS5730206A (ja)
CH (1) CH651957A5 (ja)
DE (1) DE3023528C2 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
DE3104960A1 (de) 1981-02-12 1982-08-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau "feinstdraht"
DE3153395C2 (en) * 1981-02-12 1987-11-19 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
JPS59169165A (ja) * 1983-03-16 1984-09-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59208770A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Hitachi Ltd ボ−ルボンデイング用アルミ合金極細線
US4534105A (en) * 1983-08-10 1985-08-13 Rca Corporation Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device
US4845543A (en) * 1983-09-28 1989-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
FR2555813B1 (fr) * 1983-09-28 1986-06-20 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
IT1183375B (it) * 1984-02-24 1987-10-22 Hitachi Ltd Dispositivo a semiconduttori comprendente una pallina, fili conduttori e porzioni conduttrici esterneche sono collegate alla pallina mediante tali fili conduttori
JPS61191914A (ja) * 1985-02-20 1986-08-26 Omron Tateisi Electronics Co 傾斜センサ
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
JPS62265729A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6383256A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 Futaba Corp アルミニウム蒸着膜付銅部材
DE3704200A1 (de) * 1987-02-11 1988-08-25 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer kontaktflaeche bei hybriden dickschicht-schaltkreisen
US4922366A (en) * 1988-05-12 1990-05-01 Transnational Energy Systems, Inc., Dba Tesco Meltable conductor to be used in series with voltage suppressors
US4987779A (en) * 1989-02-28 1991-01-29 United Technologies Corporation Pulse-driven accelerometer arrangement
US5139883A (en) * 1989-05-09 1992-08-18 Grigory Raykhtsaum Intermetallic time-temperature integration fuse
DE4232745C2 (de) * 1992-09-30 2002-07-18 Univ Dresden Tech Bonddraht zum Ultraschallbonden
US6840777B2 (en) * 2000-11-30 2005-01-11 Intel Corporation Solderless electronics packaging
DE102006023167B3 (de) * 2006-05-17 2007-12-13 Infineon Technologies Ag Bonddraht, Herstellungsverfahren für einen Bonddraht und Wedge-Wedge-Drahtbondverfahren
DE102006041355B4 (de) * 2006-09-01 2011-07-21 W.C. Heraeus GmbH, 63450 Aluminium-Bonddrähte mit eingebetteten Kupferfasern
DE102013200308A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Bonddraht und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung
EP2808873A1 (de) * 2013-05-28 2014-12-03 Nexans Elektrisch leitfähiger Draht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016107287A1 (de) 2016-04-20 2017-11-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Leistungshalbleitereinrichtung
IT201700067156A1 (it) * 2017-06-16 2018-12-16 Antonio Sambusseti Rivestimento conduttivo
DE102018206482B4 (de) 2018-04-26 2024-01-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Verbundwerkstoffclip aus Verbundmaterial

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3306716A (en) * 1963-02-14 1967-02-28 Nat Standard Co Aluminum clad electric conductor wire
US3716469A (en) * 1970-12-17 1973-02-13 Cogar Corp Fabrication method for making an aluminum alloy having a high resistance to electromigration
US3967013A (en) * 1973-10-23 1976-06-29 Eaton Corporation Method of making a composite article for rapid heating
US4004892A (en) * 1973-12-10 1976-01-25 Clad Metals Inc Cookware fabricated from composites of copper,aluminum and stainless steel
JPS51142988A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor devices
DE2649773A1 (de) * 1976-10-29 1978-05-11 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
DE3011661C2 (de) * 1980-03-26 1982-08-26 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit Kontaktierungsdrähten

Also Published As

Publication number Publication date
US4355082A (en) 1982-10-19
DE3023528A1 (de) 1982-01-21
DE3023528C2 (de) 1984-11-29
JPS5730206A (en) 1982-02-18
CH651957A5 (de) 1985-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS639746B2 (ja)
US4907734A (en) Method of bonding gold or gold alloy wire to lead tin solder
US4674671A (en) Thermosonic palladium lead wire bonding
JP2006520103A (ja) 被覆ワイヤーで形成された、フリップチップ用被覆金属のスタッドバンプ
JPH0237095B2 (ja)
JPS6238414B2 (ja)
KR101004866B1 (ko) 개선된 접합 특성 및 부식 특성을 갖는 구리 본딩 와이어또는 구리 초미세 와이어
WO2021065036A1 (ja) ワイヤ接合構造とそれに用いられるボンディングワイヤ及び半導体装置
JP2010245390A (ja) ボンディングワイヤ
JP2004014884A (ja) ボンディングワイヤー
JPH08236565A (ja) メッキしたボンディングワイヤ及びそれを用いて形成した相互接続
US20050098605A1 (en) Apparatus and method for low pressure wirebond
EP1367644A1 (en) Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof
JP2737953B2 (ja) 金バンプ用金合金細線
JPH01110741A (ja) 複合ボンディングワイヤ
JPS6117896B2 (ja)
JP3657087B2 (ja) ウエッジボンディング用金合金線
JP2766933B2 (ja) 電子装置
JP3690902B2 (ja) ウエッジボンディング用金合金線
JP3329286B2 (ja) 半導体装置のボンディング用金合金細線
JPH0572750B2 (ja)
JP3356082B2 (ja) 半導体装置のボンディング用金合金細線
JPS62130254A (ja) ボンデイングワイヤ用アルミニウム合金
JP3907534B2 (ja) ボンディング用金合金線
JP2003031609A (ja) 半導体素子接続用Ａｕボンディングワイヤ