JPS6398657U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6398657U JPS6398657U JP19337386U JP19337386U JPS6398657U JP S6398657 U JPS6398657 U JP S6398657U JP 19337386 U JP19337386 U JP 19337386U JP 19337386 U JP19337386 U JP 19337386U JP S6398657 U JPS6398657 U JP S6398657U
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- JP
- Japan
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- insulating film
- semiconductor substrate
- semiconductor
- single crystal
- semiconductor layer
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案装置の１実施例の部分断面図、
第２図ないし第５図はこの実施例の装置を製造す
る中間品の該当部分の断面図である。 １……半導体基板、２……絶縁膜、３……半導
体層、４……デバイス部、５……素子分離部、９
，１０……貫通孔、１１……電極部。
第２図ないし第５図はこの実施例の装置を製造す
る中間品の該当部分の断面図である。 １……半導体基板、２……絶縁膜、３……半導
体層、４……デバイス部、５……素子分離部、９
，１０……貫通孔、１１……電極部。
Claims (1)
- 表面が実質的に平坦に形成されている半導体基
板と、該半導体基板上に形成されている単結晶絶
縁体よりなる絶縁膜と、該絶縁膜上に該絶縁膜の
結晶方位を継承して形成されている単結晶シリコ
ンよりなる半導体層とを備え、前記半導体基板に
は複数のデバイス部と該デバイス部を分離する素
子分離部とを有し、前記半導体層には前記デバイ
ス部に前記絶縁膜の貫通孔を介して接続される電
極部を有してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19337386U JPS6398657U (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19337386U JPS6398657U (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398657U true JPS6398657U (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=31149336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19337386U Pending JPS6398657U (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398657U (ja) |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP19337386U patent/JPS6398657U/ja active Pending