JPS6410066B2

JPS6410066B2 -

Info

Publication number: JPS6410066B2
Application number: JP56001786A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; Junichiro Kanbe; Tadaharu Fukuda
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-01-08
Filing date: 1981-01-08
Publication date: 1989-02-21
Also published as: JPS57115554A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
のような電磁波に感受性のある電子写真用光導電
部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を構成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、殊に最近開発
の進歩に著しい半導体レーザの発光波長特性にマ
ツチングした吸収スペクル特性を有すること、光
応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時に於いて人体に対して無公害である事、更に
は固体撮像装置に於いては、残像を所定時間内に
容易に処理することが出来る事等の特性が要求さ
れる。殊に、事務機としてオフイスで使用される
電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部
材の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は
重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光
導電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと
表記す）があり、例えば、独国公開第2746967号
公報、同第2855718号公報には電子写真用像形成
部材として、特開昭55−39404号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。

而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点更には経時的安定性の点に
於いて、更に改良される可き点が存し、広範囲に
於ける応用を含めた実用的な固体撮像装置や読取
装置、電子写真用像形成部材等には、生産性、量
産性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが実
情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、このような種の光導電部材は繰返
し長時間使用し続けると、繰返し使用による疲労
の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴースト現象
を発するようになる等の不都合な点が少なくなか
つた。

更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。

従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
ような所望の電気的、光学的及び光導電的特性が
得られるように工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適応性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原体を母体とし、水素原子(H)又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料（非晶質材料）、所謂水素化アモル
フアスシリコン、ハロゲン化アモルフアスシリコ
ン、或いはハロゲン含有水素化アモルフアスシリ
コン〔以後これ等の総称的表記としてａ−Si（Ｈ、
Ｘ）を使用する〕から構成され、光導電性を示す
非晶質層の層構成を特定化して作製された光導電
部材は実用的に充分使用し得るばかりでなく、従
来の光導電部材と較べてみても殆んどの点に於い
て凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部
材として光感度及び画質安定性に於いて著しく優
れた特性を有していることを見出した点に基づい
ている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起こさず、残留電位が
全く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部
材を提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、且つ光応答性の速い電子写真用光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用した場合、通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する電子写真用光導電部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用光導電部材
を提供することである。

本発明の電子写真用光導電部材は、光導電部材
用の支持体と、シリコン原子を母体とする非晶質
材料で構成され、光導電性を示す非晶質層とを有
する光導電部材に於いて、前記非晶質層は、少な
くともその一部に酸素原子を含有し、酸素原子の
分布が、層の厚み方向には連続的に変化している
層領域を有し、前記酸素原子は、前記支持体の設
けられてある側の方に多く分布している事を特徴
とする。

上述したような層構成を取るようにして設計さ
れた本発明の電子写真用光導電部材は、前記した
諸問題の総てを解決し得、極めてすぐれた電気
的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性を示
す。

本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
像形成部材としての使用にあつて、帯電処理の際
の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位の影
響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特性
が安定しており高感度で、高SN比を有するもの
であつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解
像度の高い、高品質の可視画像を得ることが出来
る。

以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材（以下、単に“光導電部材”と称する。）
に就いて詳細に説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、必要に応じて設
けられる障壁層１０２、該障壁層１０２に直接接
触した状態に設けられている非晶質層１０３とで
構成され、該非晶質層１０３は少なくともその一
部に酸素原子を含有する層領域を有し、該層領域
に於ける酸素原子の分布が前記支持体１０１の表
面に略々平行な面内では実質的に均一であり、層
の厚み方向には不均一であつて、且つ前記分布が
連続的に変化している領域を有し、前記層領域に
含有されている酸素原子が該層領域中央よりも支
持体１０１の設けてある表面側の方に多く分布し
ている。更に、好ましい実施態様例に於いては、
該層領域全体に於ける酸素原子の含有量Otが0.05
〜30atomic％であり、且つ該層領域の支持体１
０１の設けてある側の表面又は該表面近傍に、そ
の値が0.3〜60atomic％の範囲にある分布量のピ
ークがあるようにされている。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該誘電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
ように適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。而乍ら、このように場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、
10μ以上とされる。

障壁層１０２は、支持体１０１の側から非晶質
層１０３側方向へのフリーキヤリアの流入を効果
的に防止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波の照
射によつて非晶質層１０３中に生じ、支持体１０
１の側に向かつて移動するフオトキヤリアの非晶
質層１０３の側から支持体１０１の側への通過を
容易に許す機能を有するものである。

障壁層１０２は、上記したような機能を有する
ものであるが、支持体１０１上に非晶質層１０３
を直接設けることにより、支持体１０１と非晶質
層１０３との間に形成される界面に於いて、上記
のような障壁層１０２と同様な機能が充分発揮さ
れるのであれば、本発明に於いては、障壁層１０
２を強いて設ける必要はない。

又、非晶質層１０３の支持体１０１側の表面層
領域に酸素原子を充分量含有させてやることによ
つて、非晶質層１０３の一部の層領域に障壁層１
０２と同様の機能を荷わせることが出来、その際
の酸素原子の含有量としては、斯かる機能を発揮
する層領域に於いてシリコン原子に対して、通常
は39〜66atomic％、好適には42〜66atomic％、
最適には48〜66atomic％とされるのが望ましい
ものである。

障壁層１０２は、シリコンを母体とし、炭素原
子、窒素原子及び酸素原子の中から選択される原
子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原子又
はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを含
む非晶質材料＜これらを総称してａ−〔Si_x（Ｃ、
Ｎ、Ｏ〕_1-x〕_y（Ｈ、Ｘ）_1-yと表記する（但し、０
＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）＞又は、電気絶縁性の金
属酸化物或いは電気絶縁性の有機化合物で構成さ
れる。

本発明に於いて、ハロゲン原子（Ｘ）として好
適なのはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが
望ましいものである。

上記障壁層１０２を構成する非晶質材料として
本発明に於いて有効に使用されるものとして具体
的には、例えば炭素系の非晶質材料としてａ−Si_aC_1-a、ａ−（Si_bC_1-b）_cH_1-c、ａ−（Si_dC_1-d）_eX_1-e、ａ−（Si_fC_1-f）_g（Ｈ＋Ｘ）_1-g、窒素系の非晶質材料としてａ−Si_hN_1-h、ａ−（Si_iN_1-i）_jH_1-j、ａ−（Si_kN_1-k）_lX_1-l、ａ−（Si_nN_1-n）_o（Ｈ＋Ｘ）_1-o、酸素系の非晶質材料としてａ−Si_pO_1-p、ａ−（Si_pO_1-p）_qH_1-q、ａ−（Si_rO_1-r）_sX_1-s、ａ−（Si_tO_1-t）_u（Ｈ＋Ｘ）_1-u等、更には、上記
の非晶質材料に於いて、Ｃ、Ｎ、Ｏの中の少なく
とも２種の原子を構成原子として含む非晶質材料
を挙げることが出来る（但し、０＜ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、
ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ＜１）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る障壁層１０２に要求される特性及び該障壁層１
０２上に積重される非晶質層１０３との連続約作
成の容易さ等によつて適宜最適なものが選択され
る。殊に特性からすれば、炭素系、窒素系の非晶
質材料を選択するのがより好ましいものである。

障壁層１０２を上記の非晶質材料で構成する場
合の層形成法としてはグロー放電法、スパッター
リング法、イオンインプランテーシヨン法、イオ
ンプレーテイング法、エレクトロンビーム法等に
よつて成される。

グロー放電法によつて障壁層１０２を形成する
には、前記非晶質材料形成用の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、
支持体１０１の設置してある真空堆積用の堆積室
に導入し、導入させたガスをグロー放電を生起さ
せることでガスプラズマ化して前記支持体１０１
上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。

本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる障壁層１０２を形成する為の原料ガスとして
有効に使用されるのは、SiとＨとを構成原子とす
るSiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のシラン
（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構
成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄）、
プロピレン（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテ
ン−２（C₄H₆）、イソブチレン（C₄H₈）、ペンテ
ン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン
（C₃H₄）、ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。

SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH₃）₄、Si（C₂H₅）₄等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これらの原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H₂も有効なのと
して使用される。

障壁層１０２をハロゲン原子を含む炭素系の非
晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガスの中
でハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、例え
ばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化
合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素
等を挙げる事が出来る。

具体的にはハロゲン単体としては、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水
素としては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間
化合物としては、BrF、ClF、ClF₃、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₃、IF₅、ICl、IBr、ハロゲン化
硅素としては、SiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiCl₃Br、
SiCl₂Br₂、SiClBr₃、SiCl₃I、SiBr₄、ハロゲン置
換水素化硅素としては、SiH₂F₃、SiH₂Cl₂、
SiHCl₃、SiH₃Cl、SiH₃Br、SiH₂Br₂、SiHBr₃
等々を挙げることが出来る。

これ等の他に、CCl₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、
CH₃Cl、CH₃Br、CH₃I、C₂H₅Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF₄、SF₆等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH₃）₄、Si（C₂H₅）₄等のケイ化
アルキルやSiCl（CH₃）₃、SiCl₂（Cl₃）₂、、
SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。

これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
び必要に応じてハロゲン原子及び水素原子とが含
有されるように、障壁層形成の際に所望に従つて
選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の障壁層
が形成され得るSi（CH₃）₄とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl₃、SiCl₄、SiH₂Cl₂、
或いはSiH₃Cl等を所定の混合比のガス状態で障
壁層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生
起させることによつてａ−（Si_fC_1-f）_g（Ｘ＋Ｈ）_1-
_ｇから成る障壁層を形成することが出来る。

窒素系の非晶質材料で障壁層１０２を構成する
のにグロー放電法を採用する場合には、先に挙げ
た障壁層形成用の物質の中から所望に応じたもの
を選択し、それに加えて次の窒素原子導入用の原
料ガスを使用すれば良い。即ち、障壁層１０２形
成用の窒素原子導入用の原料ガスに成り得るもの
として有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原
子とする域いはＮとＨとを構成原子とする例えば
窒素（N₂）、アンモニア（NH₃）、ヒドラジン
（H₂NNH₂）、アジ化水素（HN₃）、アジ化アンモ
ニウム（NH₄N₃）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙
げることが出来る。この他に、窒素原子の導入に
加えて、ハロゲン原子の導入も行えるという点か
ら、三弗化窒素（F₃N）、四弗化窒素（F₄N₂）等
のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。

酸素系の非晶質材料で障壁層１０２を構成する
のにグロー放電法によつて層形成を行う場合に於
ける、障壁層１０２形成用の原料ガスとなる出発
物質としては、前記した障壁層形成用の出発物質
の中から所望に従つて選択されるものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。そのような酸素
原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素
原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。

例えばSiを、構成原子とする原料ガスを使用す
る場合は、Siを構成原子とする原料ガスと、Ｏを
構成原子とする原料ガスと、必要に応じてＨ又は
及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｏ及びＨを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｏ
及びＨの３つの構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＯを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。

具体的には、例えば酸素（O₂）、オゾン（O₃）、
一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO₂）、一酸化
窒素（NO）、二酸化窒素（NO₂）、一二酸化窒素
（N₂O）、三二酸化窒素（N₂O₃）、四二酸化窒素
（N₂O₄）、五二酸化窒素（N₂O₅）、三酸化窒素
（NO₃）、SiとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（H₃SiOSiH₃）、トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。

上記したように、グロー放電法によつて障壁層
１０２を形成する場合には、障壁層形成用の出発
物質を上記した物質の中より種々選択して使用す
ることにより、所望特性を有する所望構成材料で
構成された障壁層１０２を形成することが出来
る。障壁層１０２をグロー放電法で形成する場合
の出発物質の組合せで良好なものとして具体的に
は、例えばSi（CH₃）₄、SiCl₂（CH₃）₂等の単独ガス
又はSiH₄−N₂O系、SiH₄−O₂（−Ar）系、SiH₄
−NO₂系、SiH₄−O₂−N₂系、SiCl₄−CO₂−H₂
系、SiCl₄−NO−H₂系、SiH₄−NH₃系、SiCl₄−
NH₄系、SiH₄−N₂系、SiH₄−NH₃−NO系、Si
（CH₃）₄−SiH₄系、SiCl₂（CH₃）₂−SiH₄系等の混
合ガスを挙げることが出来る。

スパツターリング法によつて炭素系の非晶質材
料で構成される障壁層１０２を形成するには、単
結晶又は多結晶のSiウエーハー又はＣウエーハー
又はSiとＣが混合されて含有されているウエーハ
ーをターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。

例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するのであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。

又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて成される。

炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツターリング法の場合
も有効なガスとして使用され得る。

スパツターリング法によつて窒素系の非晶質材
料で構成される障壁層１０２を形成するには、単
結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi₃N₄ウエー
ハー又はSiとSi₃N₄が混合されて含有されている
ウエーハーをターゲツトとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによつ
て行えば良い。

例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH₂とN₂、又はNH₃を、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウ
エーハーをスパツターリングすれば良い。

又、別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi₃N₄の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用のガスとしての稀釈ガス雰囲気中で又は少な
くともＨ原子及び／又はＸ原子を含有するガス雰
囲気中でスパツターリングすることによつて成さ
れる。

Ｎ原子導入用の原料ガスと成り得るものとして
は、先述したグロー放電の例で示した障壁層形成
用の出発物質の中のＮ原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。

スパツターリング法によつて酸素系の非晶質材
料で構成される障壁層１０２を形成するには、単
結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSiO₂ウエー
ハー又はSiとSiO₂が混合されて含有されている
ウエーハー或いはSiO₂ウエーハーをターゲツト
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて行えば良い。

例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。

又、別には、SiとSiO₂とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO₂の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
Ｈ原子又は／及びＸ原子を構成要素として含有す
るガス雰囲気中でスパツターリングすることによ
つて成される。酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電の例で示した原料ガスの
中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパツターリ
ングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、障壁層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。

本発明に於ける障壁層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられるように注意深く形
成される。

即ち、SiとＣ、Ｎ、Ｏの中の少なくとも１つ及
び必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする
物質はその作成条件によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態を取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を、各々示すので、本発明に於いては非光導電
性の非晶質材料が形成されるように、その作成条
件の選択が厳密に成される。

本発明の障壁層１０２を構成する非晶質材料は
障壁層１０２の機能が、支持体１０１側から非晶
質層１０３側へのフリーキヤリアの注入を阻止
し、且つ非晶質層１０３中で発生したフオトキヤ
リアが移動して支持体１０１側に通過するのを容
易に許すことを果たすものであることから、電気
絶縁性的挙動を示すものとして形成される。

又、非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが障壁層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとして障
壁層１０２が形成される。

上記のような特性を有する前記の非晶質材料か
ら成る障壁層１０２が形成される為の層作成条件
の中の重要な要素として、層作成時の支持体温度
を挙げることが出来る。

即ち、支持体１０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る障壁層１０２を形成する際、層形成中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右
する重要な因子であつて、本発明に於いては、目
的とする特性を有する前記非晶質材料が所望通り
に作成され得るように層形成時の支持体温度が厳
密に制御される。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
障壁層１０２を形成する際の支持体温度として
は、障壁層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、障壁層１０２の形成が実行される
が、通常の場合、100℃〜300℃、好適には、150
℃〜250℃とされるのが望ましいものである。障
壁層１０２の形成には、同一系内で障壁層１０２
から非晶質層１０３、更には必要に応じて非晶質
層１０３上に形成される第３の層まで連続的に形
成することが出来る。各層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて
比較的容易である事等の為に、グロー放電法やス
パツターリング法の採用が有利であるが、これ等
の層形成法で障壁層１０２を形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ー、ガス圧が、作成される障壁層１０２の特性を
左右する重要な因子として挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
特性を有する障壁層１０２が生産性よく効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常１
〜300W、好適には２〜150Wである、又、堆積室
内のガス圧は通常３×10^-3〜5Torr、好適には８
×10^-3〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける障壁層１０２に含
有される炭素原子、窒素原子、酸素原子及び水素
原子、ハロゲン原子の量は、障壁層１０２の作成
条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる障壁層が形成される重要な因子であ
る。

障壁層１０２をａ−Si_aC_1-aで構成する場合に
炭素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常
は60〜90atomic％、好適には65〜80atomic％、
好適には７〜75atomic％、ａの表示では0.1〜
0.4、好適には0.2〜0.35、最適には0.25〜0.3とさ
れ、ａ−（Si_bC_1-b）_cH_1-cで構成する場合には、炭
素原子の含有量は、通常30〜90atomic％、好適
には40〜90atomic％、最適には50〜80atomic％、
水素原子の含有量としては、通常１〜40atomic
％、好適には２〜35atomic％、最適には５〜
30atomic％、ｂ、ｃの表示で示せば、ｂが通常
は0.1〜0.5、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜
0.3、ｃが通常は0.60〜0.99、好適には0.65〜0.98、
最適には0.7〜0.95とされ、ａ−（Si_dC_1-d）_eX_1-e又
ａ−（Si_fC_1-f）_g（Ｈ＋Ｘ）_1-gで構成する場合には、
炭素原子の含有量は通常は40〜90atomic％、好
適には50〜90atomic％、最適には60〜80atomic
％、ハロゲン原子又はハロゲン原子と水素原子と
を併せた含有量は通常は１〜20atomic％、好適
には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic％
とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有さ
れる場合の水素原子の含有量は、通常は
19atomic％以下、好適には13atomic％以下とさ
れ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は
0.1〜0.47、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜
0.3、ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、好適には0.82〜
0.99、最適には0.85〜0.98とされる。

障壁層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する
場合、先ずａ−Si_hN_1-hの場合には、窒素原子の
含有量はシリコン原子に対して通常は43〜
60atomic％、好適には43〜50atomic％、ｈの表
示では通常は0.40〜0.57、好適には0.5〜0.57とさ
れる。

ａ−（Si_iN_1-i）_jH_1-jで構成する場合には、窒素
原子含有量としては、通常は25〜55atomic％、
好適には35〜55atomic％、水素原子の含有量と
しては、通常２〜35atomic％、好適には５〜
30atomic％とされ、ｉ、ｊで表示すれば、ｉと
しては通常0.43〜0.6、好適には0.43〜0.5、ｊと
しては通常0.65〜0.98、好適に0.7〜0.95とされ、
ａ−（Si_kN_1-k）_lH_1-l又はａ−（Si_nN_1-n）ｎ（Ｈ＋
Ｘ）_1-oで構成する場合には窒素原子の含有量は、
通常30〜60atomic％、好適には40〜60atomic％、
ハロゲン原子又は、ハロゲン原子と水素原子とを
併せた含有量は、通常１〜20atomic％、好適に
は２〜15atomic％とされ、ハロゲン原子と水素
原子の両者が含有される場合の水素原子の含有量
は通常は19atomic％以下、好適には13atomic％
以下とされ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎの表示ではklが通常
は0.43〜0.60、好適には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通
常は0.8〜0.99、好適には0.85〜0.98とされる。

障壁層１０２を酸素系の非晶質材料で構成する
場合には、先ず、ａ−Si_pO_1-pでは、酸素原子の
含有量は、シリコン原子に対して60〜67atomic
％、好適には63〜67atomic％とされ、Ｏの表示
では、通常0.33〜0.40、好適には0.33〜0.37とさ
れる。

ａ−（Si_pO_1-p）_qH_1-qの場合には、酸素原子の含
有量は通常39〜66atomic％、好適には42〜
64atomic％、水素原子の含有量としては、通常
は２〜35atomic％、好適には５〜30atomic％、
ｐ、ｑの表示では、ｐとして通常0.33〜0.40、好
適には0.33〜0.37、ｑとして通常0.65〜0.98、好
適には0.70〜0.95である。

ａ−（Si_rO_1-r）_sX_1-s、又はａ−（Si_tO_1-t）_u（Ｈ
＋Ｘ）_1-uで構成する場合には、酸素原子の含有量
は、通常48〜66atomic％、好適には51〜
66atomic％、ハロゲン原子又はハロゲン原子と
水素原子とを併せた含有量は、通常は１〜
20atomic％、好適には２〜15atomic％とされ、
ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合
には、水素原子の含有量は通常19atomic％以下、
好適には13atomic％以下とされ、ｒ、ｓ、ｔ、
ｕの表示では、ｒ、ｓは通常は0.33〜0.40、好適
には0.33〜0.37、ｔ、ｕとしては通常0.80〜0.99、
好適には0.85〜0.98とされる。

本発明に於いて、障壁層１０２を構成する電気
絶縁性の金属酸化物としては、TiO₂、Ce₂O₃、
ZrO₂、HfO₂、GeO₂、CaO、BeO、P₂O₅、
Y₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃、MgO、MgO・Al₂O₃、
SiO₂・MgO等が好ましいものとして挙げること
が出来る。これ等は２種以上を併用して障壁層を
形成しても良いものである。

電気絶縁性の金属酸化物で構成される障壁層１
０２の形成は、真空蒸着法、CVD（chemical
vapour deposition）法、グロー放電分解法、ス
パツタリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。これ等の製造法は、製
造条件、設備資本下の負荷程度、製造規模、作製
させる光導電部材に所望される特性等の要因によ
つて適宜選択されて採用される。

例えば、スパツタリング法によつて障壁層１０
２を形成するには、障壁層形成用の出発物質のウ
エーハーをターゲツトとして、He、Ne、Ar等
のスパツター用のガス雰囲気中でスパツタリング
することによつて行えば良い。

エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層
形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエレク
トロンビームを照射して蒸着すればよいが、支持
体１０１側から非晶質層１０３中へのキヤリアの
流入を阻止し、且つ非晶質層１０３中で発生した
フオトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過
するのを容易に許すこととを果たすものであるこ
とから、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成
される。

障壁層１０２の層厚の数値範囲は、その要求さ
れる特性を効果的に得る為の重要な因子の１つで
ある。

障壁層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの非晶質層１０３側方向
へ、又は非晶質層１０３側から支持体１０１側方
向へのフリーキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果たし得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚
いと、非晶質層１０３中に於いて生ずるフオトキ
ヤリアの支持体１０１の側への通過する確率を極
めて小さくなり、従つて、いずれの場合にも、本
発明の目的を効果的に達成され得なくなる。

上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の障壁層１０２の層厚としては、通常の場
合、30〜1000Å、好適には、50〜600Åである。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、障壁層１０２上に設けられる非晶質層１０
３は下記に示す半導体特性を有するａ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成され、その層厚方向に後述するような
分布状態を以つて酸素原子がドーピングされてい
る。

ｐ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとアクセプターと
の両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が
高いもの。

p^-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型
不純物をライトリードープしたもの。

ｎ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。

n^-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Nd）が低い、所謂インドー
プのものか又はｎ型不純物をライトリードープ
したもの。

ｉ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……NaNdＯのも
の又は、NaNdのもの。

本発明において、非晶質層１００中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。

本発明の電子写真用光導電部材１００に於いて
は、その好適な例では、非晶質層１０３中には、
その分布が支持体１０１の表面に略々平行な面内
では、実質的に均一であり、層の厚み方向には不
均一であつて、前記層領域に含有されている酸素
原子が該層領域中央よりも支持体１０１の設けて
ある表面側の方に多く分布し、その値が0.3〜
67atomic％の範囲にある分量のピークを支持体
１０１の設けてある側の表面又は該表面近傍に有
する層領域が形成されている。

第２図乃至第８図には、非晶質層１０３中に含
有される酸素原子の非晶質層１０３の層厚方向の
分布状態の典型例が示される。

第２図乃至第８図に於いて縦軸は、非晶質層１
０３の層厚ｔを示しt₀は支持体１０１又は障壁層
１０２等の他のものと非晶質層１０３との界面位
置（下部表面位置）をt_sは、自由表面１０４側の
非晶質層１０３の界面位置（上部表面位置）（第
１図に於いては自由表面１０４の位置）を各々表
し、t_pからt_sに向かうに従つて層厚ｔの厚くなる
ことを示し、横軸は、非晶質層１０３の層厚方向
の任意位置に於ける酸素原子の分布量Ｃを示し、
矢印方向に分布量の多いことが示される。

第２図に示す例に於いては、非晶質層１０３中
に含有される酸素原子の該層１０３中での分布状
態は、下部表面位置t₀より位置t₁に至るまで分布
量C₁で一定であり、位置t₁より上部表面t_sに至る
までに、分布量C₂より一次関数的に分布量が減
少し、上部表面位置t_sに至つて、実質的に酸素原
子の含有量が０になつている。

本発明に於いて、上記のように非晶質層１０３
のある層厚位置に於いて、酸素原子の含有量が実
質的に０であるということは、その部分の層領域
に於いては、酸素原子の量が検出限界以下である
ことを示し、実際には、酸素原子が検出限界量以
下で含まれている場合も含むものである。

現在のところ、我々の技術レベルに於いては、
酸素原子の量の検出限界は、シリコン原子に対し
て200atomic ppmである。

従つて、酸素原子の含有量が実質的に０である
ということは、酸素原子が200atomic ppm未満
含まれている場合も含むものである。

第２図の例に於いては、層厚位置t₀とt₁との間
に於ける酸素原子の分布量Ｃを極端に多くするこ
とによつて、非晶質層１０３の下部表面層領域に
障壁層の機能を充分持たせることが出来る。

第３図に示す例に於いては、下部表面位置t₀よ
り位置t₁に至るまでは分布量C₁で一定であり、位
置t₁より上部表面位置t_sに至るに従つて、ゆるや
かなカーブを描いて徐々に減少する分布状態を取
つている。

第４図に示す例に於いては、t₀からt₁までは、
分布量C₁で一定であり、t₁よりt₂に至るに従つ
て、分布量が一次関数的に減少し、t₂とt_sとの間
では、分布量C₂で一定となつている。

上部表面層領域（図のt₂とt_sとの間の部分）に
於ける分布量C₂を障壁機能が発揮される程度に
充分量酸素原子を含有させてやれば、非晶質層の
上部表面層領域に障壁層の機能を持たせることが
充分出来る。

第４図に示す例の場合、非晶質層の両表面側に
於いて、酸素原子の分布量Ｃが内部に較べて極端
に多くしてあり、非晶質層の両側表面層領域に於
いて、障壁層の機能が充分果たせるようになつて
いる。

第５図に示す例に於いては、t₀よりt₂に至るま
では、第３図に示したのと類似の分布状態を取つ
ているが、t₂とt_sとの間に於いて、分布量が急激
に増大し、C₂なる値を有するように全体の分布
状態が選択されている。

第６図の例は、t₀よりt₃までは、第３図に示し
た例の分布状態と類似の分布状態を取つている
が、t₃とt₂との間に於いて酸素原子の含有量が、
実質的に０の層領域が形成されていて、t₂とt_sと
の間では、多量の酸素原子が含有されて、分布量
C₂を得るようにされている。

第７図に示される例に於いては、t₀とt₁の間で
は、分布量C₁で一定であり、t₁とt₂との間では、
t₁側より分布量C₃から分布量C₄まで一次関数的に
減少し、t₂とt_sの間では再び分布量が増大して一
定値C₂を取るような例が示されている。

第８図に示す例に於いては、t₀とt₁との間に於
いては、一定の分布量C₁を取り、又t₂とt_sとの間
でも一定の分布量C₂を取つた分布状態を成しt₂と
t₁との間は、t₁側から層中央に至るに従つて、
徐々に減少し、該層中央よりt₂に至るまでに徐々
に増大し、t₂に於いて分布量C₄を取るような分布
状態を形成している。

本発明に於いては、第２図乃至第８図で説明し
たような非晶質層の支持体側の表面又は該表面近
傍に、非晶質層の中央部より階段に多い分布量を
取るピークを有する層領域を有するものであり、
更に、必要に応じては、非晶質層の支持体とは反
対側の表面領域にも、層中央部よりも極端に含有
量が多い層領域が形成される。

本発明に於いては、非晶質層の下部表面又は該
表面近傍には、障壁層の機能を充分発揮させ得る
ような層領域が形成されているのが望ましい。

この場合、該層領域が有する分布量のピークの
値は、前記したように通常は0.3〜67atomic％と
され、好適には0.5〜67atomic％、最適には1.0〜
67atomic％の範囲とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いて、非晶質層１０３
中に含有される酸素原子は、前記したように、非
晶質層１０３の層厚方向にその含有量の分布が不
均一であり、且つ下部層領域の近傍より非晶質層
中央部に至るに従つて、その分布量が減少してい
るような分布状態を取り得るように非晶質層中に
含有され得るものであるが、形成される非晶質層
１０３全体に於いて含有される酸素原子の含有量
も本発明の所期の目的を達成するのに重要な因子
の１つである。

本発明に於いて、非晶質層１０３中に含有され
る酸素原子の全量の値は、通常は、前記した0.05
〜30atomic％の範囲の値を取り得るものであり、
更には、好適に0.05〜20atomic％、最適には0.05
〜10atomic％の範囲から選択されるのが望まし
い。

本発明に於いて、主としてａ−Si（Ｈ、Ｘ）で
構成される非晶質層１０３を形成するには例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて、非晶質層を形成するには、Siを生成し得
るSi生成原料ガスと共に、水素原子導入用の又
は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
てある所定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ、Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。

酸素原子を形成される層中に導入するには、層
の成長に併せて、酸素原子導入用の原料ガスを層
の形成時に前記堆積室内に導入してやれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで形成された
ターゲツトをスパツタリングする際、水素原子又
は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパツタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。この際に
於ける非晶質層中への酸素原子の導入法として
は、層の成長に併せて、察素原子導入用の原料ガ
スを層形成時に前記堆積室中に導入してやるか、
又は、層形成時に、予め堆積室中に設けた、酸素
原子導入用のターゲツトをスパツタリングしてや
ることが挙げられる。

本発明に於いて非晶質層を形成する際に使用さ
れるSi生成原料ガスとしては、SiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₆、Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業の際の扱い易
さ、Si生成効率の良さ等の点でSiH₄・Si₂H₆が好
ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて非晶質層を形成する際に使用さ
れるハロゲン原子導入用原料ガスとして有効なの
は、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、
ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲンを含む硅素化合物も有効なものとして本発
明に於いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体としては、体的的には例
えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハロゲン化
硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。

このようなハロゲンを含む硅素化合物を採用し
てグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電
部材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所
定の支持体上にａ−Si：Ｘから成る非晶質層を形
成する事が出来る。

グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層を製造する場合、基本的には、Si生成用の
原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr、H₂、
He等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして非晶質層を形成する堆積室内に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所定の支持体
上に非晶質層を形成し得るものであるが、水素原
子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子
を含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成
しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテ
イング法に依つてａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る非晶
質層を形成するには、例えばスパツタリング法の
場合にはSiから成るターゲツトを使用して、これ
を所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリング
し、イオンプレーテイング法の場合には、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着
ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、前記したシラン
類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良
い。

形成される非晶質層中に層厚方向に所望の分布
状態を以つて含有される酸素原子は、グロー放電
法、イオンプレーテイング法或いは反応スパツタ
リング法によつて非晶質層を形成する場合には、
酸素原子導入用の原料ガスを層の形成時に層の成
長に併せて所望の流量に従つて層形成用の堆積室
中に導入してやれば良い。

又、スパツタリング法によつて非晶質層を形成
する場合には、上記の他、酸素原子導入用のター
ゲツトを前記堆積室内に設けて置き、層の成長に
併せて前記ターゲツトをスパツタリングしてやれ
ば良い。

本発明に於いて、酸素原子導入用の原料ガスと
して有効に使用されるものとしては、酸素
（O₂）、オゾン（O₃）、SiとＯとOHとを構成原子
とする。例えばジシロキサン（H₃SiOSiH₃）、ト
リシロキサン（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シ
ロキサン等を挙げることが出来る。

又、酸素原子導入用のターゲツトを形成し得る
材料として、本発明に於いて有効に使用されるの
は、SiO₂、SiO等である。

本発明に於いては、非晶質層を形成する際に使
用されるハロゲン導入用の原料ガスとして上記さ
れたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化水素、SiH₂F₂、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、
SiH₂Br₂、SiHBr₃等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な非
晶質層形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素のガスをSiを生成
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、所定の特性を有し、主としてａ−Si
（Ｈ、Ｘ）から成る非晶質層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてB₂H₆、
PH₃、PF₃等のガスを導入してやることも出来
る。

本発明に於いて、形成される光導電部材の非晶
質層中に含有されるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40atomic％、好適には５
×30atomic％とされるのが望ましい。

層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。

非晶質層をｎ型傾向又はｐ型傾向或いはｉ型と
するには、グロー放電法や反応スパツタリング法
等による層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ型不純
物、或いは両不純物を形成される層中にその量を
制御し乍らドーピングしてやる事によつて成され
る。

非晶質層中にドーピングされる不純物として
は、非晶質層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周
期律表第族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、
In、Tl等が好適なのとして挙げられる。

ｎ型傾向にする場合には、周期律表第族Ａの
元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。

本発明に於いて、所望の伝導型を有する為に、
非晶質層中に導入される不純物の量としては、周
期律表第族Ａの不純物の場合には３×
10^-2atomic％以下の量範囲でドーピングしてや
れば良く、周期律表第族Ａの不純物の場合には
５×10^-3atomic％以下の量範囲でドーピングし
てやれば良い。

非晶質層１０３の層厚は、非晶質層１０３中で
発生されるフオトキヤリアが効率良く輸送される
ように所望に従つて適宜決められ、通常は３〜
100μ、好適には５〜50μとされる。

実施例１完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第９図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。

表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）９０９をグロー放電堆積室９０１内
の所定位置にある固定部材９０３に堅固に固定し
た。基板９０９は、固定部材９０３内の加熱ヒー
ター９０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。
温度は熱電対（アルメル−クロメル）によつて基
板裏面を直接測定されるようになされた。

次いで系内の全バルブが閉じられていることを
確認してからメインバルブ９１０を全開して、室
９０１内が排気され、約５×10^-6Torrの真空度
にした。その後ヒーター９０８の入力電圧を上昇
させ、モリブデン基板温度を検地しながら入力電
圧を変化させ、250℃の一定値になるまで安定さ
せた。

その後補助バルブ９４１、次いで流出バルブ９
２６，９２７，９２９及び流入バルブ９２１，９
２２，９２４を全開しマスフローコントローラー
９１６，９１７，９１９内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ９４１、バルブ９２６，９２
７，９２９，９２１，９２２，９２４を閉じた
後、H₂で10vol％に稀釈されたSiH₄ガス（純度
99.999％、以後SiH₄(10)／H₂と略す。）のボンベ９
１１のバルブ９３１、O₂ガス（純度99.999％）の
ボンベ９１４のバルブ９３４を開け出口圧ゲージ
９３６，９３９の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バ
ルブ９２１，９２４を徐々に開けマスフローコン
トローラー９１６，９１９内へSiH₄(10)／H₂ガス、
O₂ガスを各々流入させた。引続いて、流出バル
ブ９２６，９２９を徐々に開け、次いで補助バル
ブ９４１を徐々に開けた。このときSiH₄(10)／H₂
ガス流量とO₂ガス流量比が10：１になるように
マスフローコントローラー９１６，９１９を調整
した。次にピラニーゲージ９４２の読みを注視し
ながら補助バルブ９４１の開口を調整し、室９０
１内が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ９４
１を開けた。

室９０１の内圧が安定してからメインバルブ９
１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ９４１の指示
が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入が
安定し内圧が安定するのを確認し、続いてシヤツ
ター（電極を兼ねる。）９０５を閉にして高周波
電源９４３のスイツチをON状態にし電極９０
３，９０５間に13.56MHzの高周波電力を投入し、
室９０１内にグロー放電を発生させ、3Wの入力
電力とした。

上記条件を10分間保つてモリブデン基板上に下
部障壁層を600Åの厚さに形成した後、高周波電
源９４３をoff状態とし、グロー放電を中止させ
た状態で流出バルブ９２９を閉じ、次にHeで
0.1vol％に稀釈されたO₂ガス（純度99.999％、以
下O₂（0.1）／Heと略す。）ボンベ９１２のバルブ
９３２を通じて１Kg／cm²のガス圧（出口圧ゲージ
９３７の読み）で、流入バルブ９２２、流出バル
ブ９２７を徐々に開いてマスフローコントローラ
ー９１７にO₂（0.1）／Heガスを流し、マスフロ
ーコンローラー９１６，９１７の調整によつて
O₂（0.1）／HeガスとSiH₄(10)／H₂ガス流量比が
１：１になるように調整した。引き続き再び高周
波電源９４３をON状態にしてグロー放電を再開
させた。そのときの入力電力を10Wにした。

上記条件で下部障壁層上に光導電層を堆積し始
めると同時に３時間に亘つてマスフローコントロ
ーラー９１７の流量設定値を連続的に減少させ３
時間後のSiH₄(10)／H₂ガス流量とO₂（0.1）／Heガ
ス流量比が10：0.3になるように調整した。この
ようにして３時間層形成を行つた後、加熱ヒータ
ー９０８をoff状態にし、高周波電源９４３もoff
状態とし、基板温度が100℃になるのを待つてか
ら流出バルブ９２６，９２７及び流入バルブ９２
１，９２２，９２４を閉じ、メインバルブ９１０
を全開にして、室９０１内を10^-5Torr以下にし
た後、メインバルブ９１０を閉じ、室９０１内を
リークバルブ９０６によつて大気圧として基板を
取り出した。この場合、形成された層の全厚は約
9μであつた。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ放電を
行い、直ちに光像も照射した。光像は、タングス
テンランプ光源を用い、1.0lux・secの光量を透
過型のテストチヤートを通して照射させた。

その後直ちに、電荷性の現像剤（トナーとキ
ヤリヤーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を5.0KVのコロナ帯電
で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、諧調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続い
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室９０１内を５×10^-6Torrの真空となし、基板
温度は250℃に保たれた後、実施例１と同様の操
作によつて補助バルブ９４１、次いで流出バルブ
９２６，９２７、及び流入バルブ９２１，９２２
を全開し、マスフローコントローラー９１６，９
１７内も十分脱気真空状態にされた。補助バルブ
９４１、バルブ９２６，９２７，９２１，９２２
を閉じた後、SiH₄(10)／H₂ガスのボンベ９１１の
バルブ９３１、O₂（0.1）／Heガスのボンベ９１
２のバルブ９３２を開け、出口圧ゲージ９３６，
９３７の圧を、１Kg／cm²に調整し、流入バルブ９
２１，９２２を徐々に開けてマスフローコントロ
ーラー９１６，９１７内へSiH₄(10)／H₂ガス、O₂
（0.1）／Heを各々流入させた。引き続いて、流
出バルブ９２６，９２７を徐々に開け、次いで補
助バルブ９４１を徐々に開けた。このときSiH₄
(10)／H₂ガス流量とO₂（0.1）／Heガス流量比が
１：10になるように流入バルブ９２１，９２２を
調整した。

次にピラニーゲージ９４２の読みを注視しなが
ら補助バルブ９４１の開口を調整し、室９０１内
が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ９４１を
開けた。室９０１内圧が安定してから、メインバ
ルブ９１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ９４１
の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し、続いて
シヤツター（電極を兼ねる。）９０５を閉にして
高周波電源９４３のスイツチをON状態にし、電
極９０３，９０５間に13.56MHzの高周波電力を
投入し、室９０１内にグロー放電を発生させ、
10Wの入力電力とした。上記条件で基板上に光導
電層を堆積し始めると同時に５時間に亘つてマス
フローコントローラー９１７の流量設定値を連続
的に減少し、５時間後のSiH₄(10)／H₂ガス流量と
O₂（0.1）／Heガス流量比が10：0.3になるように
調整した。

こうして光導電層を形成した後、加熱ヒーター
９０８をoff状態にし、高周波電源９４３もoff状
態とし、基板温度が100℃になるのを待つてから
流出バルブ９２６，９２７及び流入バルブ９２
１，９２２を閉じ、メインバルブ９１０を全開に
して、室９０１内を10^-5Torr以下にした後、メ
インバルブ９１０を閉じ、室９０１内をリークバ
ルブ９０６によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約15μであ
つた。この像形成部材に就て、実施例１と同様の
条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画像が得られた。

実施例３実施例１と同様の操作、条件でモリブデン基板
上に下部障壁層、光導電層を形成した後、高周波
電源９４３をoff状態とし、グロー放電を中止さ
せた状態で流出バルブ９２７を閉じ、次に再び流
出バルブ９２９を開き、マスフローコントローラ
ー９１９，１９６の調整によつてO₂ガス流量が
SiH₄／H₂ガス流量の1/10になるようにし安定化
させた。引き続き再び高周波電源９４３をON状
態にして、グロー放電を再開させた。そのときの
入力電力も以前と同様3Wにした。

こうしてグロー放電を更に15分間持続させて上
部障壁層を900Åの厚さに形成した後、加熱ヒー
ター９０８をoff状態にし、高周波電源９４３も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ９２６，９２９及び流入バルブ９
２１，９２２，９２４を閉じ、メインバルブ９１
０を全開にして、室９０１内を10^-5Torr以下に
した後、メインバルブ９１０を閉じ、室９０１内
をリークバルブ９０６によつて大気圧として基板
をとり出した。この場合形成された層の全厚は約
9μであつた。この像形成部材に就て実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画像が得られた。

実施例４実施例２と同様の操作、条件でモリブデン基板
上に光導電層を形成した後、高周波電源９４３を
off状態としグロー放電を中止させた状態で流出
バルブ９２７を閉じ、次に再び流出バルブ９２２
を開き、マスフローコントローラー９１９，９１
６の調整によつてO₂ガス流量がSiH₄(10)／H₂ガス
流量の1/10になるようにし安定化させた。引き続
き再び高周波電源９４３をON状態にしてグロー
放電を再開させた。そのときの入力電力も以前と
同様3Wにした。

こうしてグロー放電を更に10分間持続させて上
部障壁層を900Åの厚さに形成した後、加熱ヒー
ター９０８をoff状態にし、高周波電源９４３も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ９２６，９２９及び流入バルブ９
２１，９２２，９２４を閉じ、メインバルブ９１
０を全開にして、室９０１内を10^-5Torr以下に
した後、メインバルブ９１０を閉じ、室９０１内
をリークバルブ９０６によつて大気圧として基板
にとり出した。この場合、形成された層の全厚は
約15μであつた。この像形成部材に就て実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところ極めて鮮明な画像が得られた。

実施例５実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続い
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室９０１内を５×10^-6Torrの真空となし、基板
温度は250℃に保たれた後実施例１と同様の操作
によつて補助バルブ９４１、次いで流出バルブ９
２６，９２７、及び流入バルブ９２１，９２２を
全開し、マスフローコントローラー９１６，９１
７内も十分脱気真空状態にされた。補助バルブ９
４１、バルブ９２６，９２７，９２１，９２２を
閉じた後、SiH₄(10)／H₂ガスボンベ９１１のバル
ブ９３１、O₂（0.1）／Heガスボンベ９１２のバ
ルブ９３２を開け、出口圧ゲージ９３６，９３７
の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ９２１，９
２２を徐々に開けてマスフローコントローラー９
１６，９１７内へ、SiH₄(10)／H₂ガス、O₂
（0.1）／Heを各々流入させた。引き続いて、流
出バルブ９２６，９２７を徐々に開け、次いで補
助バルブ９４１を徐々に開けた。このときSiH₄
(10)／H₂ガス流量とO₂（0.1）／Heガス流量比が
１：10になるように流入バルブ９２１，９２２を
調整した。

次にピラニーゲージ９４２の読みを注視しなが
ら補助バルブ９４１の開口を調整し、室９０１内
が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ９４１を
開けた。室９０１内圧が安定してから、メインバ
ルブ９１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ９４１
の指示が0.3Torrになるまで開口を絞つた。ガス
流入が安定し内圧が安定するのを確認し、続いて
シヤツター（電極を兼ねる。）９０５を閉にして
高周波電源９４３のスイツチをON状態にし、電
極９０３，９０５間に13.56MHzの高周波電力を
投入し、室９０１内にグロー放電を発生させ、
10Wの入力電力とした。上記条件で基板上に光導
電層を堆積し始めると同時に2.5時間に亘つてマ
スフローコントローラー９１７の流量設定値を連
続的に減少させて2.5時間後のSiH₄(10)／H₂ガス流
量とO₂（0.1）／Heガス流量比が10：0.3になるよ
うに調整した。その後、30分間同一条件を保つた
後、以前とは逆にマスフローコントローラー９１
７の流量設定値を連続的に増加し、2.5時間後の
SiH₄(10)／H₂ガス流量とO₂（0.1）／Heガス流量比
が１：10になるように調整した。

こうして光導電層を形成した後、加熱ヒーター
９０８をoff状態にし、高周波電源９４３もoff状
態とし、基板温度が100℃になるのを待つてから
流出バルブ９２６，９２７及び流入バルブ９２
１，９２２を閉じ、メインバルブ９１０を全開に
して、室９０１内を10^-5Torr以下にした後、メ
インバルブ９１０を閉じ、室９０１内をリークバ
ルブ９０６によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約17μであ
つた。この像形成部材に就て、実施例１と同様の
条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画像が得られた。

実施例６実施例１と同様の操作、条件でモリブデン基板
上に下部障壁層を形成した後、高周波電源９４３
をoff状態としグロー放電を中止させた状態で流
出バルブ９２９を閉じた後、O₂（0.1）／Heガス
のボンベ９１２のバルブ９３２、H₂で50volppm
に稀釈されたB₂H₆ガス（純度99.999％、以下
B₂H₆（50）／H₂と略す。）のボンベ９１３のバル
ブ９３３を開け、出口圧ゲージ９３７，９３８の
圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ９２２，９２
３を徐々に開けてマスフローコントローラー９１
７，９１８内へO₂（0.1）／Heガス、B₂H₆
（50）／H₂ガスを流入させた。引き続いて流出バ
ルブ９２７，９２８を徐々に開け、SiH₄(10)／H₂
ガス流量とO₂（0.1）／Heガス流量の比が１：10、
SiH₄(10)／H₂ガス流量とB₂H₆（50）／H₂ガス流量
比が１：５になるようにマスフローコントローラ
ー９１６，９１７，９１８を調整した。次にピラ
ニーゲージ９４２の読みを注視しながら補助バル
ブ９４１の開口を再調整し、室９０１内の内圧が
１×10^-2Torrになるように設定した。更に室９
０１の内圧が安定してから、メインバルブ９１０
も再調整しピラニーゲージ９４２の指示が
0.1Torrになるように設定した。

ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し再
び高周波電源９４３のスイツチをON状態にして
13.56MHzの高周波電力を投入し室９０１内にグ
ロー放電を再開させ、10Wの入力電力とした。

上記条件で光導電層を、堆積し始めると同時に
５時間に亘つてマスフローコントローラー９１７
の流量設定値を、連続的に減少させ５時間後の
SiH₄(10)／H₂ガス流量とO₂（0.1）／Heガス流量比
が10：0.3になるように調整した。このようにし
て５時間層形成を行つた後、加熱ヒーター９０８
をoff状態にし、高周波電源９４３もoff状態と
し、基板温度が100℃になるのを待つてから流出
バルブ９２６，９２７，９２８及び流入バルブ９
２１，９２２，９２３，９２４を閉じ、メインバ
ルブ９１０を全開にして、室９０１内を
10^-5Torr以下にした後、メインバルブ９１０を
閉じ、室９０１内をリークバルブ９０６によつて
大気圧として基板を取り出した。この場合、形成
された層の全厚は約15μであつた。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像は、タングス
テンランプ光源を用い、1.0lux・secの光量を透
過型のテストチヤートを通して照射させた。

その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリヤーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.5KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で6.0KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い直ちに
1.0lux・secの光量で画像露光を行い、その後直
ちに荷電性の現像剤を部材表面にガスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。

この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく両極性像形成部材の特性を具備している
ことが判つた。

実施例７ SiH₄(10)／H₂ガスボンベ９１１を、SiF₄ガス
（純度99.999％）ボンベに、O₂（0.1）／H₂ガスボ
ンベ９１２を、酸素を0.2vol％含むアルゴン（以
後O₂（0.2）／Arガスと略す。純度99.999％）のガ
スのボンベに代え、又光導電層の堆積初期時の
SiF₄ガス流量とO₂（0.2）／Arガス流量比を１：
18に設定して、層形成を開始し、光導電層の堆積
終了時のSiF₄ガス流量とO₂（0.2）／Arガス流量
比が１：0.6になるようにO₂（0.2）／Arガス流量
を連続的に減小させ、更にグロー放電の入力電力
を100Wにした以外は、実施例２と同様の操作条
件にてモリブデン基板上に光導電層を形成した。
この場合、形成された層の厚さは、約18μであつ
た。この像形成部材に就て、実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画像が得られた。

実施例８第９図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つて電子写真用像形成部材を作成した。

表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン（基板）を堆積室９０１内の所定位置にある固
定部材９０３に堅固に固定した。ターゲツト９０
４は多結晶高純度シリコン（99.999％）上に高純
度グラフアイト（99.999％）を設置したものであ
る。基板９０９は、固定部材９０３内の加熱ヒー
ター９０８によつて±0.5℃の精度で加熱される。
温度は、熱電対（アルメル−クロメル）によつて
基板裏面を直接測定されるようになされた。次い
で系内の全バルブが閉じられていることを確認し
てからメインバルブ１０を全開して一旦５×
10^-6Torr程度まで真空にされ（この時、系の全
バルブは閉じられている。）、補助バルブ９４１及
び流出バルブ９２６，９２７，９２９，９３０が
開かれマスフローコントローラー９１６，９１
７，９１９，９２０内が十分に脱気された後、流
出バルブ９２６，９２７，９２９，９３０と補助
バルブ９４１が閉じられた。アルゴン（純度
99.999％）ガスボンベ９１５のバルブ９３５を開
け、出口圧力計９４０の読みが１Kg／cm²になるよ
うに調整された後、流入バルブ９２５が開けら
れ、続いて流出バルブ９３０が徐々に開けられ、
アルゴンガスを室９０１内に流入させた。ピラニ
ーゲージ９１１の指示が５×10^-4Torrになるま
で、流出バルブ９３０が徐々に開けられ、この状
態で流量が安定してから、メインバルブ９１０が
徐々に閉じられ、室内圧が１×10^-2Torrになる
まで開口が絞られた。シヤツター９０５を開とし
て、マスフローコントローラー９２０が安定する
のを確認してから、高周波電源９４３をON状態
にし、ターゲツト９０４および固定部材９０３間
に13.56MHz、100Wの交流電力が入力された。こ
の条件で安定した放電を続けるようにマツチング
を取り、層を形成した。このようにして１分間放
電を続けて100Å厚の下部障壁層を形成した。そ
の後高周波電源９４３をoff状態にし、放電を一
旦中止させた。引き続いて流出バルブ９３０を閉
じ、メインバルブ９１０を全開して室９０１内の
ガスを抜き、５×10^-6Torrまで真空にした。そ
の後ヒーター９０８の入力電圧を上昇させ、基板
温度を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃
の一定値になるまで安定させた。

その後は、実施例２と同様の操作、条件にて光
導電層を形成した。このようにして得られた像形
成部材を実施例１と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得
られた。

実施例９実施例７の酸素を0.2vol％含むアルゴンガスボ
ンベ９１２を、酸素0.2vol％含むヘリウムガスボ
ンベに代えた以外、実施例７と同様の操作、条件
にてモリブデン基板上に光導電層を形成した。こ
の場合形成された層の厚さは約15μであつた。こ
の像形成部材に就て実施例１と同様の条件及び手
順で転写紙上に画像を形成したところ極めて鮮明
な画像が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光導電部材の好適
な実施態様例の層構造を説明する為の模式的構成
図、第２図乃至第８図は各々本発明の電子写真用
光導電部材の非晶質層中に含有される酸素原子の
分布状態を説明する為の模式的説明図、第９図は
本発明の電子写真用光導電部材を作成する為の装
置の一例を示す模式的説明図である。１００……電子写真用光導電部材、１０１……
支持体、１０２……障壁層、１０３……非晶質
層。

Claims

【特許請求の範囲】１支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子及びハロゲン原子の少なくとも一方を含む非晶
質材料で構成され、前記水素原子及び前記ハロゲ
ン原子のいずれか一方又は両者の含有量が１〜
40atomic％であり光導電性を示す非晶質層とを
有する電子写真用光導電部材であつて、前記非晶
質層は、少なくともその一部に酸素原子を含有
し、酸素原子の分布濃度が層の厚み方向には連続
的に変化している領域を有し、前記酸素原子は前
記支持体の設けられてある側の方に多く分布して
いることを特徴とする電子写真用光導電部材。２前記支持体と前記非晶質層との間に下部障壁
層を更に有する特許請求の範囲第１項に記載の電
子写真用光導電部材。３前記支持体と前記非晶質層との間に、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子、窒素原子及び酸素
原子の中から選択される原子の少なくとも一種を
含む非晶質材料で構成されている下部層が更に設
けてある特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用光導電部材。４前記下部層が水素原子又はハロゲン原子のい
ずれか一方を少なくとも含む特許請求の範囲第３
項に記載の電子写真用光導電部材。５前記支持体と前記非晶質層との間に、電気絶
縁性の金属酸化物で構成されている下部層が更に
設けてある特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真用光導電部材。６前記支持体と前記非晶質層との間に、障壁層
が設けてある特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真用光導電部材。７前記層領域全体に於ける酸素原子の含有量が
0.05〜30atomic％である特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真用光導電部材。８前記層領域中に於ける酸素原子の分布量の最
大値が0.3〜67atomic％である特許請求の範囲第
１項に記載の電子写真用光導電部材。９前記非晶質層に於ける酸素原子の含有量が
0.05〜30atomic％である特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真用光導電部材。１０前記非晶質層に於ける酸素原子の分布量の
最大値が0.3〜67atomic％である特許請求の範囲
第１項に記載の電子写真用光導電部材。１１前記非晶質層の上に、上部障壁層を有する
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電
部材。１２前記非晶質層中には、ｐ型又はｎ型の不純
物が含有されている特許請求の範囲第１項に記載
の電子写真用光導電部材。