JPS6412161B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6412161B2 JPS6412161B2 JP57205613A JP20561382A JPS6412161B2 JP S6412161 B2 JPS6412161 B2 JP S6412161B2 JP 57205613 A JP57205613 A JP 57205613A JP 20561382 A JP20561382 A JP 20561382A JP S6412161 B2 JPS6412161 B2 JP S6412161B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- stranded
- insulation film
- insulating film
- aqueous solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
Description
本発明は絶縁素線を撚合せた撚合導体の接続等
における端末部の素線絶縁皮膜を除去する方法の
改良に関するものである。 一般に、素線絶縁導体の端末接続には導体端末
部の各素線の絶縁皮膜を除去する必要があり、従
来酸化第2銅(CuO)からなる絶縁皮膜を有する
絶縁素線を撚合せた撚合導体の素線絶縁皮膜を除
去する方法としては、例えば除去すべき素線導体
の端末部を直接素線絶縁皮膜除去液に浸漬するか
或はサンドブラスト等の機械的研磨により除去す
る方法により行つていたものである。 然しながらこれらの方法を適用する場合、特に
大導体撚線の絶縁皮膜を除去するには次の如き問
題を生ずるものであつた。即ち撚線導体を直接素
線絶縁除去液に浸漬すると毛細管現象によつて導
体の内部にまで液が浸入するという所謂導体内に
液の水走りを防止することが出来ず皮膜の除去を
必要としない部分の絶縁皮膜までもその酸化絶縁
皮膜を除去し素線に絶縁皮膜を設ける目的を達成
せしめることが出来ないものであつた。又サンド
ブラスト等による機械的研磨による場合には、研
磨材が試料表面にぶつかりその物理的衝撃力によ
り該皮膜を除去するものであるため、撚線導体の
各層の素線導体を拡げた状態とし研磨材が素線導
体内部に衝突するようにする必要があつた。従つ
て素線表面の酸化絶縁皮膜を除去するためには出
来るだけ素線間を拡げる必要があるが、一方絶縁
皮膜を除去した後はスリーブ圧縮によつて元の状
態に復元しなければならず、その操作に煩雑な手
段を要するものであつた。 本発明は溶液法により素線絶縁皮膜を除去する
において、毛細管現象により、素線内部に液が侵
入するのを阻止し、絶縁皮膜の除去を必要とする
部分のみに該皮膜除去溶液を浸漬して絶縁皮膜を
除去する方法を見出したものである。即ち本発明
方法は酸化銅からなる絶縁皮膜を有する絶縁素線
を撚合せて撚線導体の端末接続部の絶縁皮膜を除
去する方法において、撚線導体を形成する各層の
絶縁素線の間隙部に膨潤性高分子物質を押圧して
充填せしめた後、還元性溶液に浸すことを特徴と
するものである。 本発明において膨潤性高分子物質を使用する理
由は、絶縁皮膜を除去するための還元性溶液が素
線相互の間隙部から侵入し、この液が素線の内部
まで進行しないようにするためであり、必要とす
る液の侵入部分にてこれを阻止することにある。
従つて該膨潤性高分子物質は自重の数百倍の溶液
を吸収することが可能にして且つ多少の圧力をう
けるも一旦吸収した液を離水しないことを必要と
するものであり、吸水能力が少なく、圧力を加え
ると離水するものは対象としない。 この高分子物質は例えば天然物としてデンプ
ン、セルロース、又合成高分子として例えばポリ
アクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルア
ルコールポリオキシドの他ポリビニルピロリド
ン、ポリスチレンスルホン酸、ポリ−2アクリル
アミド−2−メチルプロパンスルホン酸の橋かけ
体などである。 これらの物質は単独或は所望の皮膜を有するプ
ラスチツクフイルムの上に重ね合せてシートにし
たものを撚線導体の素線相互の間隙部に加圧状態
にて圧入充填する。 然る後膨潤性高分子物質を充填した部分に素線
絶縁皮膜除去液例えば次亜リン酸水溶液、ヒドラ
ジン水溶液、希塩酸水溶液を滴下するか或は浸漬
する。 これによつて撚線導体における素線の端末接続
部の絶縁皮膜は除去されるから、この部分を加熱
乾燥し、必要に応じて素線間に充填した膨潤性高
分子物質を除去すればよい。又撚線導体上にスリ
ーブをかぶせて圧縮する場合には、圧縮力によつ
て膨潤性高分子物質を破壊させこれを取除くこと
が出来るため、上記の如く予め圧縮前に膨潤性高
分子物質を除去する必要はない。 次に本発明方法の実施例について説明する。 実施例 (1)〜(3) 2000mm2、6分割の絶縁素線(CuO被覆、平均被
覆皮1.5μ)からなる撚線導体において絶縁皮膜の
除去を必要とする部分(端末部)の素線相互の間
隙部に第1表に示す如き膨潤性高分子物質を充填
した後、絶縁皮膜除去液を滴下して夫々絶縁皮膜
を除去した。
における端末部の素線絶縁皮膜を除去する方法の
改良に関するものである。 一般に、素線絶縁導体の端末接続には導体端末
部の各素線の絶縁皮膜を除去する必要があり、従
来酸化第2銅(CuO)からなる絶縁皮膜を有する
絶縁素線を撚合せた撚合導体の素線絶縁皮膜を除
去する方法としては、例えば除去すべき素線導体
の端末部を直接素線絶縁皮膜除去液に浸漬するか
或はサンドブラスト等の機械的研磨により除去す
る方法により行つていたものである。 然しながらこれらの方法を適用する場合、特に
大導体撚線の絶縁皮膜を除去するには次の如き問
題を生ずるものであつた。即ち撚線導体を直接素
線絶縁除去液に浸漬すると毛細管現象によつて導
体の内部にまで液が浸入するという所謂導体内に
液の水走りを防止することが出来ず皮膜の除去を
必要としない部分の絶縁皮膜までもその酸化絶縁
皮膜を除去し素線に絶縁皮膜を設ける目的を達成
せしめることが出来ないものであつた。又サンド
ブラスト等による機械的研磨による場合には、研
磨材が試料表面にぶつかりその物理的衝撃力によ
り該皮膜を除去するものであるため、撚線導体の
各層の素線導体を拡げた状態とし研磨材が素線導
体内部に衝突するようにする必要があつた。従つ
て素線表面の酸化絶縁皮膜を除去するためには出
来るだけ素線間を拡げる必要があるが、一方絶縁
皮膜を除去した後はスリーブ圧縮によつて元の状
態に復元しなければならず、その操作に煩雑な手
段を要するものであつた。 本発明は溶液法により素線絶縁皮膜を除去する
において、毛細管現象により、素線内部に液が侵
入するのを阻止し、絶縁皮膜の除去を必要とする
部分のみに該皮膜除去溶液を浸漬して絶縁皮膜を
除去する方法を見出したものである。即ち本発明
方法は酸化銅からなる絶縁皮膜を有する絶縁素線
を撚合せて撚線導体の端末接続部の絶縁皮膜を除
去する方法において、撚線導体を形成する各層の
絶縁素線の間隙部に膨潤性高分子物質を押圧して
充填せしめた後、還元性溶液に浸すことを特徴と
するものである。 本発明において膨潤性高分子物質を使用する理
由は、絶縁皮膜を除去するための還元性溶液が素
線相互の間隙部から侵入し、この液が素線の内部
まで進行しないようにするためであり、必要とす
る液の侵入部分にてこれを阻止することにある。
従つて該膨潤性高分子物質は自重の数百倍の溶液
を吸収することが可能にして且つ多少の圧力をう
けるも一旦吸収した液を離水しないことを必要と
するものであり、吸水能力が少なく、圧力を加え
ると離水するものは対象としない。 この高分子物質は例えば天然物としてデンプ
ン、セルロース、又合成高分子として例えばポリ
アクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルア
ルコールポリオキシドの他ポリビニルピロリド
ン、ポリスチレンスルホン酸、ポリ−2アクリル
アミド−2−メチルプロパンスルホン酸の橋かけ
体などである。 これらの物質は単独或は所望の皮膜を有するプ
ラスチツクフイルムの上に重ね合せてシートにし
たものを撚線導体の素線相互の間隙部に加圧状態
にて圧入充填する。 然る後膨潤性高分子物質を充填した部分に素線
絶縁皮膜除去液例えば次亜リン酸水溶液、ヒドラ
ジン水溶液、希塩酸水溶液を滴下するか或は浸漬
する。 これによつて撚線導体における素線の端末接続
部の絶縁皮膜は除去されるから、この部分を加熱
乾燥し、必要に応じて素線間に充填した膨潤性高
分子物質を除去すればよい。又撚線導体上にスリ
ーブをかぶせて圧縮する場合には、圧縮力によつ
て膨潤性高分子物質を破壊させこれを取除くこと
が出来るため、上記の如く予め圧縮前に膨潤性高
分子物質を除去する必要はない。 次に本発明方法の実施例について説明する。 実施例 (1)〜(3) 2000mm2、6分割の絶縁素線(CuO被覆、平均被
覆皮1.5μ)からなる撚線導体において絶縁皮膜の
除去を必要とする部分(端末部)の素線相互の間
隙部に第1表に示す如き膨潤性高分子物質を充填
した後、絶縁皮膜除去液を滴下して夫々絶縁皮膜
を除去した。
【表】
又本発明方法と比較するために上記の撚線導体
に膨潤性高分子物質を使用することなく、上記の
絶縁皮膜除去液のみを滴下して絶縁皮膜を除去し
た。 斯くして得た本発明方法並びに比較例方法によ
る撚線導体の端末部の絶縁皮膜の有無を測定した
結果、本発明方法の場合膨潤性高分子物質の充填
したところまでの絶縁皮膜はきれいに除去されて
おり、素線内部への絶縁皮膜除去液が侵入してい
ることを示した。然し比較例方法の場合には素線
の内部まで絶縁皮膜が除去されており毛細管現象
によつて除去液の水走りがあつたことを示した。 以上詳述した如く本発明方法によれば素線内部
への絶縁皮膜除去液の水走りを防止すると共に絶
縁皮膜を容易に除去しうる等実用上極めて有用で
ある。
に膨潤性高分子物質を使用することなく、上記の
絶縁皮膜除去液のみを滴下して絶縁皮膜を除去し
た。 斯くして得た本発明方法並びに比較例方法によ
る撚線導体の端末部の絶縁皮膜の有無を測定した
結果、本発明方法の場合膨潤性高分子物質の充填
したところまでの絶縁皮膜はきれいに除去されて
おり、素線内部への絶縁皮膜除去液が侵入してい
ることを示した。然し比較例方法の場合には素線
の内部まで絶縁皮膜が除去されており毛細管現象
によつて除去液の水走りがあつたことを示した。 以上詳述した如く本発明方法によれば素線内部
への絶縁皮膜除去液の水走りを防止すると共に絶
縁皮膜を容易に除去しうる等実用上極めて有用で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化銅からなる絶縁皮膜を有する素線からな
る撚線導体の端末接続部の該絶縁皮膜を除去する
方法において、撚線導体を形成する各層の絶縁素
線の間隙部に膨潤性高分子物質を押圧して充填せ
しめた後、還元性溶液に浸すことを特徴とする素
線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法。 2 膨潤性高分子物質としてデンプン、セルロー
スの天然物質、ポリアクリル酸、ポリアクリルア
ミド、ポリビニルアルコール又はポリビニルピロ
リドン、ポリスチレンスルホン酸、ポリ−2アク
リルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸の橋
かけ体を使用することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去
方法。 3 還元性溶液として、次亜リン酸水溶液、ヒド
ラジン水溶液、希塩酸水溶液を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の素線絶縁撚
線導体の絶縁皮膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205613A JPS5996803A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205613A JPS5996803A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996803A JPS5996803A (ja) | 1984-06-04 |
| JPS6412161B2 true JPS6412161B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=16509771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205613A Granted JPS5996803A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 素線絶縁撚線導体の絶縁皮膜除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996803A (ja) |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205613A patent/JPS5996803A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5996803A (ja) | 1984-06-04 |
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