JPS644584B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS644584B2 JPS644584B2 JP19889684A JP19889684A JPS644584B2 JP S644584 B2 JPS644584 B2 JP S644584B2 JP 19889684 A JP19889684 A JP 19889684A JP 19889684 A JP19889684 A JP 19889684A JP S644584 B2 JPS644584 B2 JP S644584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- mask
- substrate
- substrate holder
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、特にスパツタリングにて基板に薄
膜を形成させる場合に使用するマスキング治具の
マスキング方法に関する。
膜を形成させる場合に使用するマスキング治具の
マスキング方法に関する。
(ロ) 従来技術
従来からの薄膜形成におけるマスキング方法で
は、所定形状の基板ホルダーに所定個数の基板を
並置し、薄膜を形成すべき部分が板状マスクの相
互の間〓となるように板状マスクを手作業により
前記基板の所定位置に合わせ、前記板状マスクの
各端部を基板ホルダーに螺子止めすることにより
前記基板ホルダーと板状マスクとを固定させてい
た。そして、上述したように板状マスクで覆つた
基板を何枚かセツトにして薄膜形成装置に装着
し、工程終了後には基板ホルダーから板状マスク
及び基板を取り外して、次の基板を取り付ける作
業を繰り返す方法を行つていた。
は、所定形状の基板ホルダーに所定個数の基板を
並置し、薄膜を形成すべき部分が板状マスクの相
互の間〓となるように板状マスクを手作業により
前記基板の所定位置に合わせ、前記板状マスクの
各端部を基板ホルダーに螺子止めすることにより
前記基板ホルダーと板状マスクとを固定させてい
た。そして、上述したように板状マスクで覆つた
基板を何枚かセツトにして薄膜形成装置に装着
し、工程終了後には基板ホルダーから板状マスク
及び基板を取り外して、次の基板を取り付ける作
業を繰り返す方法を行つていた。
この方法によれば、前記螺子止め作業に時間を
要すると共にその作業が非常に煩わしい。そのた
め、作業能率の低下を招いていた。また、薄膜を
形成しない部分に合致した板状マスクの選択及び
板状マスクと基板との位置合わせは目視によつて
行つていたため煩雑で困難な作業となつていた。
要すると共にその作業が非常に煩わしい。そのた
め、作業能率の低下を招いていた。また、薄膜を
形成しない部分に合致した板状マスクの選択及び
板状マスクと基板との位置合わせは目視によつて
行つていたため煩雑で困難な作業となつていた。
(ハ) 目的
この発明は、板状マスクの取り付け作業を機械
化してこの作業の能率の向上を図ることを目的と
している。
化してこの作業の能率の向上を図ることを目的と
している。
(ニ) 構成
この発明の特徴とする処は、基板ホルダーに複
数の基板を並置し、その上に複数の板状マスクを
所定間隔を隔てて配置せしめる薄膜形成における
マスキング方法において、板状マスクを該板状マ
スクの外形形成に対応した凹溝が所定の間隔で形
成されたアラインメント治具に保持させたまま、
前記基板上に配置せしめ、前記板状マスクを前記
基板ホルダーに固定した後、前記アラインメント
治具の前記板状マスクの保持を解除せしめること
にある。
数の基板を並置し、その上に複数の板状マスクを
所定間隔を隔てて配置せしめる薄膜形成における
マスキング方法において、板状マスクを該板状マ
スクの外形形成に対応した凹溝が所定の間隔で形
成されたアラインメント治具に保持させたまま、
前記基板上に配置せしめ、前記板状マスクを前記
基板ホルダーに固定した後、前記アラインメント
治具の前記板状マスクの保持を解除せしめること
にある。
(ホ) 実施例
第１図は、この発明に係る薄膜形成におけるマ
スキング方法に用いるマスキング治具の一実施例
を示す説明図である。
スキング方法に用いるマスキング治具の一実施例
を示す説明図である。
同図において、１は、薄膜を形成すべき基板２
が載置される略矩形板状の基板ホルダーであり、
その短辺端部には短辺に沿つて突脈１１が形成さ
れている。前記基板２は、例えば、セラミツクか
らなるサーマルプリントヘツドとする。
が載置される略矩形板状の基板ホルダーであり、
その短辺端部には短辺に沿つて突脈１１が形成さ
れている。前記基板２は、例えば、セラミツクか
らなるサーマルプリントヘツドとする。
３は板状マスクであり、基板２の膨張率と同一
の材質で、かつ薄膜を形成しない部分に対応した
形状に形成されている。なお、本実施例ではセラ
ミツクからなる。
の材質で、かつ薄膜を形成しない部分に対応した
形状に形成されている。なお、本実施例ではセラ
ミツクからなる。
４はアラインメント治具であり、本実施例では
真空チヤツクを用いている。このアラインメント
治具４には、前記板状マスク３の外形形状に対応
した凹溝４１が、所定間隔で板状マスク３の個数
分形成されており、図外の真空装置によつて前記
マスク３を吸着させて保持させるものである。
真空チヤツクを用いている。このアラインメント
治具４には、前記板状マスク３の外形形状に対応
した凹溝４１が、所定間隔で板状マスク３の個数
分形成されており、図外の真空装置によつて前記
マスク３を吸着させて保持させるものである。
５は挟持具としての挟持スプリングであり、そ
の開口部分を基板ホルダー１とマスク３とに圧入
することによりそれらを挟持固定するように構成
している。そして、この挟持スプリング５が、基
板ホルダー１と板状マスク３とを挟持した状態に
おいて、基板ホルダー１、基板２及び板状マスク
３が圧接されているだけであり、膨張率の違いに
よる相対的変位が許容されるから、板状マスク３
と基板２の間に〓間が生じることはない。
の開口部分を基板ホルダー１とマスク３とに圧入
することによりそれらを挟持固定するように構成
している。そして、この挟持スプリング５が、基
板ホルダー１と板状マスク３とを挟持した状態に
おいて、基板ホルダー１、基板２及び板状マスク
３が圧接されているだけであり、膨張率の違いに
よる相対的変位が許容されるから、板状マスク３
と基板２の間に〓間が生じることはない。
次に、上記構成のマスキング治具を用いるマス
キング方法を第１図と共に説明する。
キング方法を第１図と共に説明する。
基板ホルダー１の突脈１１でもつて所定枚数
（本実施例では４枚とする）の基板２を位置決
めして基板ホルダー１上にセツトする。（矢印
Ａ） 各板状マスク３をアラインメント治具４の各
凹溝に嵌合して、チヤツキングさせる。（矢印
Ｂ） 板状マスク３と前記基板２とが当接するよう
にアラインメント治具４を基板ホルダー１に適
宜圧力でもつて圧接させる。（矢印Ｃ） この状態にて基板ホルダー１と板状マスク３
とを挟持スプリング５で挟持固定する。（矢印
Ｄ） 全ての板状マスク３を基板ホルダー１に固定
した後、アラインメント治具４のチヤツキング
を解除する。
（本実施例では４枚とする）の基板２を位置決
めして基板ホルダー１上にセツトする。（矢印
Ａ） 各板状マスク３をアラインメント治具４の各
凹溝に嵌合して、チヤツキングさせる。（矢印
Ｂ） 板状マスク３と前記基板２とが当接するよう
にアラインメント治具４を基板ホルダー１に適
宜圧力でもつて圧接させる。（矢印Ｃ） この状態にて基板ホルダー１と板状マスク３
とを挟持スプリング５で挟持固定する。（矢印
Ｄ） 全ての板状マスク３を基板ホルダー１に固定
した後、アラインメント治具４のチヤツキング
を解除する。
以下、所望の薄膜形成を行う装置に上記のよう
にセツトされたマスキング治具を装着して基板２
に薄膜を形成させる。
にセツトされたマスキング治具を装着して基板２
に薄膜を形成させる。
(ヘ) 効果
この発明によれば、マスクをアラインメント治
具に保持させたまま、基板上に配置せしめ、マス
クを基板ホルダーに固定して後、アラインメント
治具のマスクの保持を解除するので、板状マスク
の取り付け作業を機械化してこの作業の能率の向
上を図ることができる利点を有する。
具に保持させたまま、基板上に配置せしめ、マス
クを基板ホルダーに固定して後、アラインメント
治具のマスクの保持を解除するので、板状マスク
の取り付け作業を機械化してこの作業の能率の向
上を図ることができる利点を有する。
第１図はこの発明に係る薄膜形成におけるマス
キング方法に使用するマスキング治具の一実施例
を示す説明図である。 １…基板ホルダー、２…基板、３…板状マス
ク、４…アライメント治具、５…挟持スプリン
グ、４１…凹溝。
キング方法に使用するマスキング治具の一実施例
を示す説明図である。 １…基板ホルダー、２…基板、３…板状マス
ク、４…アライメント治具、５…挟持スプリン
グ、４１…凹溝。
Claims (1)
- １ 基板ホルダーに複数の基板を並置し、その上
に複数の板状マスクを所定間隔を隔てて配置せし
める薄膜形成におけるマスキング方法において、
板状マスクを該板状マスクの外形形状に対応した
凹溝が所定の間隔で形成されたアラインメント治
具に保持させたまま、前記基板上に配置せしめ、
前記板状マスクを前記基板ホルダーに固定した
後、前記アラインメント治具の前記板状マスクの
保持を解除せしめること特徴とする薄膜形成にお
けるマスキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889684A JPS6176661A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 薄膜形成におけるマスキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889684A JPS6176661A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 薄膜形成におけるマスキング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176661A JPS6176661A (ja) | 1986-04-19 |
| JPS644584B2 true JPS644584B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=16398738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19889684A Granted JPS6176661A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 薄膜形成におけるマスキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0557657A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-09 | Nec Ibaraki Ltd | ロボツトハンド |
-
1984
- 1984-09-22 JP JP19889684A patent/JPS6176661A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0557657A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-09 | Nec Ibaraki Ltd | ロボツトハンド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6176661A (ja) | 1986-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |