JPS644641B2 - - Google Patents
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- JPS644641B2 JPS644641B2 JP57092525A JP9252582A JPS644641B2 JP S644641 B2 JPS644641 B2 JP S644641B2 JP 57092525 A JP57092525 A JP 57092525A JP 9252582 A JP9252582 A JP 9252582A JP S644641 B2 JPS644641 B2 JP S644641B2
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- resistance
- film
- resistive
- films
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、抵抗値を調整しうる薄膜抵抗回路
に関する。
に関する。
従来、絶縁基板上に第１図に示すようなパター
ンをもつて抵抗膜Ａを形成し、この抵抗膜Ａのイ
の部分あるいはロの部分をレーザービーム等によ
り選択的に切断し抵抗値を調整するラダー型の薄
膜抵抗回路が存する。たとえば第２図のように切
断した場合の上昇した抵抗値ΔRは次式で表わさ
れる。
ンをもつて抵抗膜Ａを形成し、この抵抗膜Ａのイ
の部分あるいはロの部分をレーザービーム等によ
り選択的に切断し抵抗値を調整するラダー型の薄
膜抵抗回路が存する。たとえば第２図のように切
断した場合の上昇した抵抗値ΔRは次式で表わさ
れる。
ΔR＝R0×２×ｌ／ｗ＋R0×２×0.65／ｗ
である。ただし、第３図において抵抗膜１の部分
を示すが、ｌはハの部分の長さ、ｗはパターンの
幅、R0は抵抗膜Ａの面積抵抗である。ハの部分
の抵抗値の上昇は（R0×２×ｌ／ｗ）であるが、ハ とニとの間のホのコーナ部の抵抗値の上昇は
（R0×２×0.65／ｗ）であることは経験的に知られて いる。
を示すが、ｌはハの部分の長さ、ｗはパターンの
幅、R0は抵抗膜Ａの面積抵抗である。ハの部分
の抵抗値の上昇は（R0×２×ｌ／ｗ）であるが、ハ とニとの間のホのコーナ部の抵抗値の上昇は
（R0×２×0.65／ｗ）であることは経験的に知られて いる。
このように、ホのコーナ部が存するパターンで
は抵抗値の上昇が大きく、微調整は困難である。
したがつて、たとえば荷重を電気信号に変換して
出力する歪センサにおけるブリツジ回路の温度ド
リフトに対する零点補正を行なうものとしては精
度が粗い。
は抵抗値の上昇が大きく、微調整は困難である。
したがつて、たとえば荷重を電気信号に変換して
出力する歪センサにおけるブリツジ回路の温度ド
リフトに対する零点補正を行なうものとしては精
度が粗い。
すなわち、第４図に示すように、歪センサのブ
リツジ回路はそれぞれR1、R2、R3、R4の抵抗値
をもつストレンゲージにより形成され、入力電圧
をVE、出力電圧をVOとすれば、 VO＝VE・（R2／R1＋R2−R3／R3＋R4） となる。R1、R2、R3、R4の抵抗値が等しければ
VOは零となるが各抵抗値にバラツキがあるとVO
は零にならない。
リツジ回路はそれぞれR1、R2、R3、R4の抵抗値
をもつストレンゲージにより形成され、入力電圧
をVE、出力電圧をVOとすれば、 VO＝VE・（R2／R1＋R2−R3／R3＋R4） となる。R1、R2、R3、R4の抵抗値が等しければ
VOは零となるが各抵抗値にバラツキがあるとVO
は零にならない。
たとえば、抵抗値R1、R3、R4が等しく、抵抗
値R2のみがΔR分だけ差がある値、すなわちR2＝
Ｒ＋ΔRとするときの出力電圧VOは、 ΔVO＝VE・（Ｒ＋ΔR／2R＋ΔR−１／２）＝VE・ΔR
／4R＋2ΔR となる。ストレンゲージ抵抗体の面積抵抗R0＝
10Ω、VE＝10V、Ｒ＝1KΩ、ΔVO＝１ｍＶのと
きのΔRを求めると、 ΔVO／VE＝ΔR／4R＋2ΔR １ｍＶ／10×103ｍＶ＝ΔR／４×1000Ω＋2ΔR したがつて、ΔR≒0.4Ω となる。
値R2のみがΔR分だけ差がある値、すなわちR2＝
Ｒ＋ΔRとするときの出力電圧VOは、 ΔVO＝VE・（Ｒ＋ΔR／2R＋ΔR−１／２）＝VE・ΔR
／4R＋2ΔR となる。ストレンゲージ抵抗体の面積抵抗R0＝
10Ω、VE＝10V、Ｒ＝1KΩ、ΔVO＝１ｍＶのと
きのΔRを求めると、 ΔVO／VE＝ΔR／4R＋2ΔR １ｍＶ／10×103ｍＶ＝ΔR／４×1000Ω＋2ΔR したがつて、ΔR≒0.4Ω となる。
ΔR＝R0・ｌ／ｗよりｌ／ｗを求めると、ΔR＝0.4Ω
、 R0＝10Ωであるので、ｌ／ｗ＝0.04＝１／25となる。
、 R0＝10Ωであるので、ｌ／ｗ＝0.04＝１／25となる。
したがつて、ラダー型のパターンでは補正が不
可能である。
可能である。
このような問題を解決したものとして、実開昭
48−43944号公報に記載された構造のものが提案
されている。すなわち、相対向する導体電極の間
にそれらの導体電極の隅部を除いた対向部分から
引き出された複数の抵抗膜を並列に形成したもの
である。このような構造を採用することにより、
どの抵抗膜を切断してもコーナ部の影響を受ける
ことなく、理論的に正しい調整を行うことができ
るものである。
48−43944号公報に記載された構造のものが提案
されている。すなわち、相対向する導体電極の間
にそれらの導体電極の隅部を除いた対向部分から
引き出された複数の抵抗膜を並列に形成したもの
である。このような構造を採用することにより、
どの抵抗膜を切断してもコーナ部の影響を受ける
ことなく、理論的に正しい調整を行うことができ
るものである。
しかして、抵抗調整範囲を拡大するためには、
前述のように形成した抵抗調整部を複数個直列に
接続することが効果的である。
前述のように形成した抵抗調整部を複数個直列に
接続することが効果的である。
他方、薄膜技術により形成された抵抗膜を切断
するには、レーザー光線が利用される。そのた
め、導体電極の間で互いに並列に接続されている
複数個の抵抗膜の切断に当つては、中間部の抵抗
膜を切断することは難しく、端に位置する抵抗膜
から内方に向けて切断する作業が容易である。し
かしながら、通常の場合には、中間部に存する抵
抗膜を独立的に切断しなければならない場合が多
く、不用意に他の回路部分にレーザー光線を照射
してしまつてその回路を損傷することが多い。
するには、レーザー光線が利用される。そのた
め、導体電極の間で互いに並列に接続されている
複数個の抵抗膜の切断に当つては、中間部の抵抗
膜を切断することは難しく、端に位置する抵抗膜
から内方に向けて切断する作業が容易である。し
かしながら、通常の場合には、中間部に存する抵
抗膜を独立的に切断しなければならない場合が多
く、不用意に他の回路部分にレーザー光線を照射
してしまつてその回路を損傷することが多い。
この発明は、このような点に鑑みなされたもの
で、抵抗膜の切断作業が容易であり、安定した調
整作業を行うことができる薄膜抵抗回路を提供す
ることを目的とする。
で、抵抗膜の切断作業が容易であり、安定した調
整作業を行うことができる薄膜抵抗回路を提供す
ることを目的とする。
この発明は、絶縁基板上に、間隔をあけて配列
された導電性の良好な導電膜の間を選択的に切断
される複数の抵抗膜により並列に接続してなる抵
抗調整部を形成した薄膜抵抗回路において、前記
抵抗調整部の前記抵抗膜をそれぞれ抵抗値の異な
る複数種の抵抗膜により形成し、複数個の前記抵
抗調整部を直列に接続し、これらの抵抗調整部の
それぞれにおいて前記絶縁基板の一方の縁部側に
位置する抵抗膜を抵抗値の異なる前記抵抗膜を位
置させて形成したものである。したがつて、抵抗
調整部の抵抗膜の切断に当つては、各抵抗調整部
の抵抗膜がそれぞれ抵抗値の異なるものが絶縁基
板の一方の縁部側に位置しているため、レーザー
光線を絶縁基板の一方の縁部から内方へ向けて移
動させる動作で必要とする抵抗値の抵抗膜を選ぶ
ことができ、これにより、レーザー光線の移動動
作が回路の他の部分を損傷するおそれのない状態
であり、安定した抵抗調整を行うことができるよ
うに構成したものである。
された導電性の良好な導電膜の間を選択的に切断
される複数の抵抗膜により並列に接続してなる抵
抗調整部を形成した薄膜抵抗回路において、前記
抵抗調整部の前記抵抗膜をそれぞれ抵抗値の異な
る複数種の抵抗膜により形成し、複数個の前記抵
抗調整部を直列に接続し、これらの抵抗調整部の
それぞれにおいて前記絶縁基板の一方の縁部側に
位置する抵抗膜を抵抗値の異なる前記抵抗膜を位
置させて形成したものである。したがつて、抵抗
調整部の抵抗膜の切断に当つては、各抵抗調整部
の抵抗膜がそれぞれ抵抗値の異なるものが絶縁基
板の一方の縁部側に位置しているため、レーザー
光線を絶縁基板の一方の縁部から内方へ向けて移
動させる動作で必要とする抵抗値の抵抗膜を選ぶ
ことができ、これにより、レーザー光線の移動動
作が回路の他の部分を損傷するおそれのない状態
であり、安定した抵抗調整を行うことができるよ
うに構成したものである。
この発明の一実施例を第５図ないし第８図に基
いて説明する。１は絶縁基板である。この絶縁基
板１上には第５図に示すようにNiCr膜２（ある
いはTaN膜）が形成され、その上層に導電性の
きわめて良好なAu膜３が形成されている。そし
て、これらのNiCr膜２とAu膜３とを選択的にエ
ツチングして第６図に示すパターンを形成し、さ
らに、第３図に示すようにハツチングした部分に
ついてAu膜３をエツチングしてNiCr膜２を露出
させる。これにより、絶縁基板１上にAu膜３に
よるリード電極４，５と複数の導電膜６とが形成
されるとともに、NiCr膜２による抵抗膜７と抵
抗膜８，９とが形成されている。導電膜６は後述
する抵抗調整部を複数形成するために最少三個必
要とし、一端に位置する導電膜６はリード電極５
と一体化されている。他端の導電膜６は前記抵抗
膜７を介して前記リード電極４に接続されてい
る。そして、ブロツク毎に隣接する導電膜６間に
は抵抗膜８，９が並列に接続され、これにより、
ブロツク別に抵抗調整部１０，１０が複数形成さ
れている。
いて説明する。１は絶縁基板である。この絶縁基
板１上には第５図に示すようにNiCr膜２（ある
いはTaN膜）が形成され、その上層に導電性の
きわめて良好なAu膜３が形成されている。そし
て、これらのNiCr膜２とAu膜３とを選択的にエ
ツチングして第６図に示すパターンを形成し、さ
らに、第３図に示すようにハツチングした部分に
ついてAu膜３をエツチングしてNiCr膜２を露出
させる。これにより、絶縁基板１上にAu膜３に
よるリード電極４，５と複数の導電膜６とが形成
されるとともに、NiCr膜２による抵抗膜７と抵
抗膜８，９とが形成されている。導電膜６は後述
する抵抗調整部を複数形成するために最少三個必
要とし、一端に位置する導電膜６はリード電極５
と一体化されている。他端の導電膜６は前記抵抗
膜７を介して前記リード電極４に接続されてい
る。そして、ブロツク毎に隣接する導電膜６間に
は抵抗膜８，９が並列に接続され、これにより、
ブロツク別に抵抗調整部１０，１０が複数形成さ
れている。
前記抵抗膜８，９はそれぞれ幅の異なるもの
で、抵抗膜８は抵抗膜９よりもその幅が狭く、抵
抗値が高い。しかも、前記抵抗調整部１０のそれ
ぞれにおいて前記絶縁基板１の一方の縁部側に位
置する抵抗膜８，９を抵抗値の異なる前記抵抗膜
を位置させて形成してある。すなわち、互いに直
列接続された二つの抵抗調整部１０において、一
方の抵抗調整部１０が抵抗膜８を縁部側に位置さ
せているとすると、他方の抵抗調整部１０におい
ては抵抗膜９が縁部側に位置している。
で、抵抗膜８は抵抗膜９よりもその幅が狭く、抵
抗値が高い。しかも、前記抵抗調整部１０のそれ
ぞれにおいて前記絶縁基板１の一方の縁部側に位
置する抵抗膜８，９を抵抗値の異なる前記抵抗膜
を位置させて形成してある。すなわち、互いに直
列接続された二つの抵抗調整部１０において、一
方の抵抗調整部１０が抵抗膜８を縁部側に位置さ
せているとすると、他方の抵抗調整部１０におい
ては抵抗膜９が縁部側に位置している。
このような構成において、各抵抗調整部１０に
おける合成抵抗は、抵抗膜８の抵抗を5rとし、抵
抗膜９の抵抗をｒとしたときに5/6ｒである。い
ずれの抵抗膜８，９をレーザービーム等により切
断すると抵抗の調整が行なわれる。すなわち、抵
抗膜８を切断したときは、 5r−５／６ｒ＝25／６ｒ の抵抗変化があり粗調整が行なわれ、抵抗膜９を
切断したときは ｒ−５／６ｒ＝１／６ｒ の抵抗変化があり微調整が行なわれる。さらに、
このようにして抵抗調整部１０毎に調整された抵
抗値は直列の合成抵抗として総和されて変化す
る。したがつて、調整範囲も広く、粗から微に至
るまで自由に抵抗値を調整することが可能であ
る。その抵抗値も理論値として正確に設定しう
る。
おける合成抵抗は、抵抗膜８の抵抗を5rとし、抵
抗膜９の抵抗をｒとしたときに5/6ｒである。い
ずれの抵抗膜８，９をレーザービーム等により切
断すると抵抗の調整が行なわれる。すなわち、抵
抗膜８を切断したときは、 5r−５／６ｒ＝25／６ｒ の抵抗変化があり粗調整が行なわれ、抵抗膜９を
切断したときは ｒ−５／６ｒ＝１／６ｒ の抵抗変化があり微調整が行なわれる。さらに、
このようにして抵抗調整部１０毎に調整された抵
抗値は直列の合成抵抗として総和されて変化す
る。したがつて、調整範囲も広く、粗から微に至
るまで自由に抵抗値を調整することが可能であ
る。その抵抗値も理論値として正確に設定しう
る。
しかして、抵抗膜８，９の切断は、レーザー光
線により行うが、調整すべき抵抗値により、抵抗
値の大きい抵抗膜８を切断するか、抵抗値の小さ
い抵抗膜９を切断するかが選択される。その場
合、レーザー光線の動作方向はいずれの時にも縁
部側から内方へ向かう動作であり、内方にある抵
抗膜８，９を切断する必要はない。そのため、調
整作業が容易であり、不要な部分を損傷するおそ
れがなく、安全である。
線により行うが、調整すべき抵抗値により、抵抗
値の大きい抵抗膜８を切断するか、抵抗値の小さ
い抵抗膜９を切断するかが選択される。その場
合、レーザー光線の動作方向はいずれの時にも縁
部側から内方へ向かう動作であり、内方にある抵
抗膜８，９を切断する必要はない。そのため、調
整作業が容易であり、不要な部分を損傷するおそ
れがなく、安全である。
このようにして自由に抵抗値を調整することが
できる抵抗を、たとえば歪センサのブリツジ回路
の入力側に接続することにより、スパン温度補償
抵抗として用いられ、また、ブリツジ回路中に接
続すれば、温度ドリフトに対するブリツジ回路の
出力の零点補正抵抗として用いられ、いずれにし
ても精度のきわめて高い調整を行なうことが可能
である。
できる抵抗を、たとえば歪センサのブリツジ回路
の入力側に接続することにより、スパン温度補償
抵抗として用いられ、また、ブリツジ回路中に接
続すれば、温度ドリフトに対するブリツジ回路の
出力の零点補正抵抗として用いられ、いずれにし
ても精度のきわめて高い調整を行なうことが可能
である。
この発明は上述のように、絶縁基板上に、間隔
をあけて配列された導電性の良好な導電膜の間を
選択的に切断される複数の抵抗膜により並列に接
続してなる抵抗調整部を形成した薄膜抵抗回路に
おいて、前記抵抗調整部の前記抵抗膜をそれぞれ
抵抗値の異なる複数種の抵抗膜により形成し、複
数個の前記抵抗調整部を直列に接続し、これらの
抵抗調整部のそれぞれにおいて前記絶縁基板の一
方の縁部側に位置する抵抗膜を抵抗値の異なる前
記抵抗膜を位置させて形成したので、抵抗調整部
の抵抗膜の切断に当つては、各抵抗調整部の抵抗
膜がそれぞれ抵抗値の異なるものが絶縁基板の一
方の縁部側に位置しているため、レーザー光線を
絶縁基板の一方の縁部から内方へ向けて移動させ
る動作で必要とする抵抗値の抵抗膜を選ぶことが
でき、これにより、レーザー光線の移動動作が回
路の他の部分を損するおそれのない状態であり、
安定した抵抗調整を行うことができると云う効果
を有する。
をあけて配列された導電性の良好な導電膜の間を
選択的に切断される複数の抵抗膜により並列に接
続してなる抵抗調整部を形成した薄膜抵抗回路に
おいて、前記抵抗調整部の前記抵抗膜をそれぞれ
抵抗値の異なる複数種の抵抗膜により形成し、複
数個の前記抵抗調整部を直列に接続し、これらの
抵抗調整部のそれぞれにおいて前記絶縁基板の一
方の縁部側に位置する抵抗膜を抵抗値の異なる前
記抵抗膜を位置させて形成したので、抵抗調整部
の抵抗膜の切断に当つては、各抵抗調整部の抵抗
膜がそれぞれ抵抗値の異なるものが絶縁基板の一
方の縁部側に位置しているため、レーザー光線を
絶縁基板の一方の縁部から内方へ向けて移動させ
る動作で必要とする抵抗値の抵抗膜を選ぶことが
でき、これにより、レーザー光線の移動動作が回
路の他の部分を損するおそれのない状態であり、
安定した抵抗調整を行うことができると云う効果
を有する。
第１図ないし第３図は従来の薄膜抵抗回路のパ
ターンを示す説明図、第４図は歪センサ等におけ
るブリツジ回路図、第５図ないし第９図はこの発
明の一実施例を示すもので、第５図はパターン形
成前の絶縁基板の側面図、第６図及び第７図はパ
ターン形成過程を示す絶縁基板の平面図、第８図
はパターン形成後の絶縁基板の側面図である。 １……絶縁基板、６……導電膜、８〜９……抵
抗膜、１０……抵抗調整部。
ターンを示す説明図、第４図は歪センサ等におけ
るブリツジ回路図、第５図ないし第９図はこの発
明の一実施例を示すもので、第５図はパターン形
成前の絶縁基板の側面図、第６図及び第７図はパ
ターン形成過程を示す絶縁基板の平面図、第８図
はパターン形成後の絶縁基板の側面図である。 １……絶縁基板、６……導電膜、８〜９……抵
抗膜、１０……抵抗調整部。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に、間隔をあけて配列された導電
性の良好な導電膜の間を選択的に切断される複数
の抵抗膜により並列に接続してなる抵抗調整部を
形成した薄膜抵抗回路において、前記抵抗調整部
の前記抵抗膜をそれぞれ抵抗値の異なる複数種の
抵抗膜により形成し、複数個の前記抵抗調整部を
直列に接続し、これらの抵抗調整部のそれぞれに
おいて前記絶縁基板の一方の縁部側に位置する抵
抗膜を抵抗値の異なる前記抵抗膜を位置させて形
成したことを特徴とする薄膜抵抗回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092525A JPS58209101A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 薄膜抵抗回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092525A JPS58209101A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 薄膜抵抗回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209101A JPS58209101A (ja) | 1983-12-06 |
| JPS644641B2 true JPS644641B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=14056755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092525A Granted JPS58209101A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 薄膜抵抗回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209101A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5474440B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-04-16 | シャープ株式会社 | ヒータ、このヒータを用いた定着装置及び帯電装置、並びにこの定着装置または帯電装置を用いた画像形成装置 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092525A patent/JPS58209101A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58209101A (ja) | 1983-12-06 |
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