JPS647655B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS647655B2 JPS647655B2 JP10676079A JP10676079A JPS647655B2 JP S647655 B2 JPS647655 B2 JP S647655B2 JP 10676079 A JP10676079 A JP 10676079A JP 10676079 A JP10676079 A JP 10676079A JP S647655 B2 JPS647655 B2 JP S647655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- photoreceptor
- voltage
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真法、特には容量変化層による
分配電圧の差を利用して電位像を形成し現像を行
なう電子写真法に関する。
分配電圧の差を利用して電位像を形成し現像を行
なう電子写真法に関する。
従来、電子写真感光体としては種々のものが知
られている。最も一般的な電子写真プロセス、即
ち、帯電し、画像露光を行つて静電像を形成する
プロセスに用いられる感光体の代表的な構成は、
支持体上に光導電層が形成されているものであ
る。
られている。最も一般的な電子写真プロセス、即
ち、帯電し、画像露光を行つて静電像を形成する
プロセスに用いられる感光体の代表的な構成は、
支持体上に光導電層が形成されているものであ
る。
光導電層は、Ｓ，Se，PbO，及びＳ，Se，
Te，As，Sb等を有した合金や金属間化合物等の
無機光導電材料を真空蒸着して形成され、また
は、ZnO，CdS，TiO2，PbO等の無機光導電体
の絶縁性バインダーとの混合物を支持体に塗布し
て光導電層を形成する。絶縁性のバインダーとし
ては、各種樹脂が用いられる。静電像は、一般に
コロナ放電により感光体表面を帯電し、次いで画
像露光により露光部の帯電電荷を選択的に消失さ
せて形成されるものである。この静電像は、静電
像に対して反対極性の電荷に帯電されているトナ
ーで現像され、転写紙に転写される。このような
電子写真プロセスにおいては、コロナ帯電を行う
ためのワイヤーやシールドケース、また、コロナ
放電を生ぜしめるための高電圧を必要とするた
め、装置のコンパクト化が困難であることが指摘
される。
Te，As，Sb等を有した合金や金属間化合物等の
無機光導電材料を真空蒸着して形成され、また
は、ZnO，CdS，TiO2，PbO等の無機光導電体
の絶縁性バインダーとの混合物を支持体に塗布し
て光導電層を形成する。絶縁性のバインダーとし
ては、各種樹脂が用いられる。静電像は、一般に
コロナ放電により感光体表面を帯電し、次いで画
像露光により露光部の帯電電荷を選択的に消失さ
せて形成されるものである。この静電像は、静電
像に対して反対極性の電荷に帯電されているトナ
ーで現像され、転写紙に転写される。このような
電子写真プロセスにおいては、コロナ帯電を行う
ためのワイヤーやシールドケース、また、コロナ
放電を生ぜしめるための高電圧を必要とするた
め、装置のコンパクト化が困難であることが指摘
される。
一方、従来知られている電子写真感光体として
装置のコンパクト化が容易なものも提案されてい
る。その代表的なものとして、特開昭48−68238
号公報、特開昭51−150342号公報、特開昭53−
1027号公報、特開昭54−61534号公報および特開
昭54−61537号公報などに開示されている感光体
が挙げられる。これらの感光体はコロナ帯電を必
要としないで、荷電トナーによる現像が可能な電
位像を形成できるものである。電極が設けられて
いる光導電層に電圧を印加して画像露光を行うこ
とにより、印加されている電圧について露光部と
未露光部とにおいて、分配電圧の差を生ぜしめる
ことによつて電位像を形成するものである。しか
しながら、この電位像を形成するプロセスにおい
ては、光導電層の抵抗変化によつて感光体表面に
おける電圧変化を生じさせるものであり、これに
よつて現像可能な電位像を形成するものであるか
ら、感光体に対する電圧印加、画像露光および現
像処理を同時に行う必要があり、プロセス上また
は装置化の上での制約が伴う。
装置のコンパクト化が容易なものも提案されてい
る。その代表的なものとして、特開昭48−68238
号公報、特開昭51−150342号公報、特開昭53−
1027号公報、特開昭54−61534号公報および特開
昭54−61537号公報などに開示されている感光体
が挙げられる。これらの感光体はコロナ帯電を必
要としないで、荷電トナーによる現像が可能な電
位像を形成できるものである。電極が設けられて
いる光導電層に電圧を印加して画像露光を行うこ
とにより、印加されている電圧について露光部と
未露光部とにおいて、分配電圧の差を生ぜしめる
ことによつて電位像を形成するものである。しか
しながら、この電位像を形成するプロセスにおい
ては、光導電層の抵抗変化によつて感光体表面に
おける電圧変化を生じさせるものであり、これに
よつて現像可能な電位像を形成するものであるか
ら、感光体に対する電圧印加、画像露光および現
像処理を同時に行う必要があり、プロセス上また
は装置化の上での制約が伴う。
而して本発明は、このような制約のない、即
ち、帯電過程、画像露光、現像を順次に行うこと
ができる電子写真法を提供することを主たる目的
とする。
ち、帯電過程、画像露光、現像を順次に行うこと
ができる電子写真法を提供することを主たる目的
とする。
本発明は、透光性支持体上に透光性電極および
遮光性電極を設けた光容量変化層を有し、該光容
量変化層上には画素を形成する孤立した導電体が
設けられており、透光性電極および遮光性電極は
該導電体と対向して配置されており、透光性電極
と遮光性電極間は電圧印加可能になつている電子
写真感光体の両電極に電圧を印加する工程後、ま
たは同時に、透光性支持体側から画像露光するこ
とにより電位像を形成し、その後に現像を行なう
ことを特徴とする電子写真法である。
遮光性電極を設けた光容量変化層を有し、該光容
量変化層上には画素を形成する孤立した導電体が
設けられており、透光性電極および遮光性電極は
該導電体と対向して配置されており、透光性電極
と遮光性電極間は電圧印加可能になつている電子
写真感光体の両電極に電圧を印加する工程後、ま
たは同時に、透光性支持体側から画像露光するこ
とにより電位像を形成し、その後に現像を行なう
ことを特徴とする電子写真法である。
本発明においては、電極が設けられている光容
量変化層に電圧を印加し画像露光を行うことによ
り、光容量変化層の露光部における容量の変化に
よつて露光部と非露光部とにおいて分配電圧の差
を生ぜしめ、此の分配電圧の差に対応して生ずる
感光体の表面電位の差により電位像を形成するも
のである。この電位像は、画像露光後においても
また、電圧印加を止めても保持されており、従つ
て、画像露光後に現像することができる。また、
電圧印加は、画像露光と同時に行つてよいし、電
圧印加した後、電源を切つてから画像露光をする
ことによつても電位像が形成される。
量変化層に電圧を印加し画像露光を行うことによ
り、光容量変化層の露光部における容量の変化に
よつて露光部と非露光部とにおいて分配電圧の差
を生ぜしめ、此の分配電圧の差に対応して生ずる
感光体の表面電位の差により電位像を形成するも
のである。この電位像は、画像露光後においても
また、電圧印加を止めても保持されており、従つ
て、画像露光後に現像することができる。また、
電圧印加は、画像露光と同時に行つてよいし、電
圧印加した後、電源を切つてから画像露光をする
ことによつても電位像が形成される。
本発明による感光体の代表的な構成は第１図に
示される。第１図に示される感光体１は、支持体
２、光容量変化層３、弧立導電体４、透光性電極
５および遮光性電極６から構成されているもので
ある。透光性電極５および遮光性電極６は、支持
体２の上に形成されているパターン状電極であ
り、その形状は第２図に示されるようなくし型に
なつている。孤立導電体４は、不連続な島状導電
体であり、形成する画像の画素となる重要な導電
体である。孤立電極の形状は、第３図の平面図に
示されるように、孤立された四角形になつてい
る。
示される。第１図に示される感光体１は、支持体
２、光容量変化層３、弧立導電体４、透光性電極
５および遮光性電極６から構成されているもので
ある。透光性電極５および遮光性電極６は、支持
体２の上に形成されているパターン状電極であ
り、その形状は第２図に示されるようなくし型に
なつている。孤立導電体４は、不連続な島状導電
体であり、形成する画像の画素となる重要な導電
体である。孤立電極の形状は、第３図の平面図に
示されるように、孤立された四角形になつてい
る。
支持体は透光性であり、ガラス、樹脂等で形成
される。透光性電極および遮光性電極は種々の方
法により形成されるが、その代表的な製法は、蒸
着とホトレジストを用いた化学エツチングによる
方法である。この方法による場合は、支持体の表
面にまず透光性電極を形成する材料、例えば、
In2O3，SnO2等を支持体に蒸着した後、ホトレジ
ストを用いてくし形状のマスキングパターンを形
成し、次いで酸又はアルカリ等の所定のエツチン
グ液を用いてIn2O3等の層を選択的にエツチング
除去した後、ホトレジストのマスキングパターン
を除去して透光性電極を形成できる。また、遮光
性電極も全く同様にして支持体上に形成される。
遮光性電極形成材料としては、Al，Ag，Pb，
Zn，Ni，Au，Cr，Mo，In，Nb，Ta，Ｕ，Ti，
Pt等の各種金属が用いられる。これらの金属は、
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング蒸着等に
よつて層に形成される。
される。透光性電極および遮光性電極は種々の方
法により形成されるが、その代表的な製法は、蒸
着とホトレジストを用いた化学エツチングによる
方法である。この方法による場合は、支持体の表
面にまず透光性電極を形成する材料、例えば、
In2O3，SnO2等を支持体に蒸着した後、ホトレジ
ストを用いてくし形状のマスキングパターンを形
成し、次いで酸又はアルカリ等の所定のエツチン
グ液を用いてIn2O3等の層を選択的にエツチング
除去した後、ホトレジストのマスキングパターン
を除去して透光性電極を形成できる。また、遮光
性電極も全く同様にして支持体上に形成される。
遮光性電極形成材料としては、Al，Ag，Pb，
Zn，Ni，Au，Cr，Mo，In，Nb，Ta，Ｕ，Ti，
Pt等の各種金属が用いられる。これらの金属は、
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング蒸着等に
よつて層に形成される。
ホトレジストとしては、従来一般に使用される
物質を任意に使用できる。例えば、市販のものと
して、商品名：KPR（Kodak photo Resist、コ
ダツク製……現像液：メチレンクロライド、トリ
クレン等）、商品名：KMER（Kodak Metal
Etch Resist、コダツク製……現像液：キシレン、
トリクレン等）、商品名：TPR（東京応化製……
現像液：キシレン、トリクレン等）、商品名：シ
ツプレーAZ1300（シツプレー製……現像液：アル
カリ水溶液）、商品名：KTFR（Kodak Thin
Film Resist、コダツク製……現像液：キレシ
ン、トリクレン等）、商品名：FNRR（富土薬品
工業……現像液：クロロセン）、商品名：FPER
（Fuji Photo Etching Resist、富土写真フイル
ム製……現像液：トリクレン）、商品名：TESH
DOOL（岡本化学工業製……現像液：水）、および
商品名：フジレジスト７（富土薬品工業製……現
像液：水）等がある。尚、マスクの使用後、マス
クの除去はトリクレン、メチレンクロライド、商
品名：AZリムーバー（シツプレー製）、硫酸等が
用いられる。
物質を任意に使用できる。例えば、市販のものと
して、商品名：KPR（Kodak photo Resist、コ
ダツク製……現像液：メチレンクロライド、トリ
クレン等）、商品名：KMER（Kodak Metal
Etch Resist、コダツク製……現像液：キシレン、
トリクレン等）、商品名：TPR（東京応化製……
現像液：キシレン、トリクレン等）、商品名：シ
ツプレーAZ1300（シツプレー製……現像液：アル
カリ水溶液）、商品名：KTFR（Kodak Thin
Film Resist、コダツク製……現像液：キレシ
ン、トリクレン等）、商品名：FNRR（富土薬品
工業……現像液：クロロセン）、商品名：FPER
（Fuji Photo Etching Resist、富土写真フイル
ム製……現像液：トリクレン）、商品名：TESH
DOOL（岡本化学工業製……現像液：水）、および
商品名：フジレジスト７（富土薬品工業製……現
像液：水）等がある。尚、マスクの使用後、マス
クの除去はトリクレン、メチレンクロライド、商
品名：AZリムーバー（シツプレー製）、硫酸等が
用いられる。
透光性電極および遮光性電極の形成は、くし形
状の開口部を有するマスクを介して電極形成材料
を支持体上に蒸着した後、マスクを除去すること
によつても形成できる。透光性電極の厚さは、通
常500Å〜6000Å程度に、また遮光性電極の厚さ
は、通常500Å〜2μ程度にされる。透光性電極と
遮光性電極が形成された後、光容量変化層が形成
される。光容量変化層は、可視光、赤外光、紫外
光、Ｘ線等の光によつて容量が変化する材料から
形成される。このような材料として代表的なもの
としては、Zncds，In，ハロゲン原子等の不純物
を多量に含むあるいは格子欠陥を多量に導入した
cds，ｓ，格子欠陥を多量に導入したZno，Znsが
あり、その他強誘電体として知られている物質が
使用できる。例えば、PLZT｛（Pb，La）（Zn，
Ti）O3｝，BaTiO3、ボラサイト（Me3B7O13X：
Me＝２価金属、Ｘ＝ハロゲン）、Gd2（M0O4）3、
（NH2CH2COOH）3・H2SO4等である。なお、
Zno，Cdsは一般に光導電性物質として知られて
いるが、これらに多量の不純物、格子欠陥等を導
入することにより、光容量変化を示させることが
可能である。これらの材料は焼結して又は蒸着し
て層状に形成されて、あるいは結着樹脂に分散含
有させて層状に形成されて容量変化層にされる。
容量変化層の厚さは、適宜設定されるが、通常
500Å〜100μ、特には1μ〜30μが好適である。光
容量変化層の上に孤立導電体４を形成する。孤立
導電体は、透光性電極や遮光性電極と全く同様に
形成されるものである。孤立導電体の厚さは、通
常500Å〜20μに設定される。この場合の厚さは
大きな意味をもたない。
状の開口部を有するマスクを介して電極形成材料
を支持体上に蒸着した後、マスクを除去すること
によつても形成できる。透光性電極の厚さは、通
常500Å〜6000Å程度に、また遮光性電極の厚さ
は、通常500Å〜2μ程度にされる。透光性電極と
遮光性電極が形成された後、光容量変化層が形成
される。光容量変化層は、可視光、赤外光、紫外
光、Ｘ線等の光によつて容量が変化する材料から
形成される。このような材料として代表的なもの
としては、Zncds，In，ハロゲン原子等の不純物
を多量に含むあるいは格子欠陥を多量に導入した
cds，ｓ，格子欠陥を多量に導入したZno，Znsが
あり、その他強誘電体として知られている物質が
使用できる。例えば、PLZT｛（Pb，La）（Zn，
Ti）O3｝，BaTiO3、ボラサイト（Me3B7O13X：
Me＝２価金属、Ｘ＝ハロゲン）、Gd2（M0O4）3、
（NH2CH2COOH）3・H2SO4等である。なお、
Zno，Cdsは一般に光導電性物質として知られて
いるが、これらに多量の不純物、格子欠陥等を導
入することにより、光容量変化を示させることが
可能である。これらの材料は焼結して又は蒸着し
て層状に形成されて、あるいは結着樹脂に分散含
有させて層状に形成されて容量変化層にされる。
容量変化層の厚さは、適宜設定されるが、通常
500Å〜100μ、特には1μ〜30μが好適である。光
容量変化層の上に孤立導電体４を形成する。孤立
導電体は、透光性電極や遮光性電極と全く同様に
形成されるものである。孤立導電体の厚さは、通
常500Å〜20μに設定される。この場合の厚さは
大きな意味をもたない。
第１図に示す感光体を用いて電位像が形成され
ることは第４図により説明される。第４図は第１
図の感光体の等価回路である。感光体の透光性電
極と遮光性電極との間に電源７が接続され、第４
図において、電源７による印加電圧をVaとして
表示されている。C1は遮光性電極６と孤立導電
体４との間の容量であり、C2は孤立導電体４と
透光性電極５との間の容量である。孤立導電体４
における電位Voは透光性電極５と孤立導電体４
との間における印加電圧であり、 Vo＝C1／C1＋C2Va ……式(1) で示される。電圧Vaを印加してから支持体側か
ら画像露光を行うことにより露光部と非露光部と
における孤立導電体の電位に差を生ずる。露光部
については、遮光性電極で遮光されている部分は
露光の光が光容量変化層に到達しないので、遮光
性電極と孤立導電体との間の容量であるC1は不
変である。また、透光性電極の部分は露光の光が
光容量変化層に到達するので、孤立導電体と透光
性電極との間の容量C2は増大する。式(1)を Vo＝１／C2／C1＋１Va ……式(2) と変形すれば、直接示されるように容量C2が増
大すれば孤立導電体の電位は減少する。他方、非
露光部では、C1およびC2とも変化は生じないの
で、孤立導電体の電位は減少しない。そこで、露
光部では電位が低くなつて電位像が形成される。
印加電圧の極性を逆にすれば反転した電位像が形
成される。このようにして形成された電位像は、
電子写真における通常の現像方式により現像さ
れ、転写紙に転写される。本発明による感光体は
第１図に示される構成の外、種々の他の構成をと
ることができる。第５図、第６図および第７図
は、それぞれ他の構成例の主なものを示してい
る。式(2)に示されるように、高コントラストの電
位像を形成するためには、容量C1を大きく設定
することが有利であり、そこで、第５図に示され
る感光体８は、容量C1を大きくするために遮光
性電極６を光容量変化層の中間に設けた構成であ
る。第６図に示される感光体９は、遮光性電極６
を上方に設けると共に、透光性電極１０をパター
ン状にせず連続層として形成したものであり、透
光性電極の製造が簡略化される。第７図に示され
る感光体１１は、第６図に示す感光体の変形例で
あり、遮光性電極６と透光性電極１０との間の電
流を少なくするため、遮光性電極に対応する形状
の遮光層１２、さらにその上に必要に応じて誘電
率が小さく高い絶縁性の絶縁層１３を設けた構成
のものである。遮光層は、導電性でも絶縁性でも
よい。
ることは第４図により説明される。第４図は第１
図の感光体の等価回路である。感光体の透光性電
極と遮光性電極との間に電源７が接続され、第４
図において、電源７による印加電圧をVaとして
表示されている。C1は遮光性電極６と孤立導電
体４との間の容量であり、C2は孤立導電体４と
透光性電極５との間の容量である。孤立導電体４
における電位Voは透光性電極５と孤立導電体４
との間における印加電圧であり、 Vo＝C1／C1＋C2Va ……式(1) で示される。電圧Vaを印加してから支持体側か
ら画像露光を行うことにより露光部と非露光部と
における孤立導電体の電位に差を生ずる。露光部
については、遮光性電極で遮光されている部分は
露光の光が光容量変化層に到達しないので、遮光
性電極と孤立導電体との間の容量であるC1は不
変である。また、透光性電極の部分は露光の光が
光容量変化層に到達するので、孤立導電体と透光
性電極との間の容量C2は増大する。式(1)を Vo＝１／C2／C1＋１Va ……式(2) と変形すれば、直接示されるように容量C2が増
大すれば孤立導電体の電位は減少する。他方、非
露光部では、C1およびC2とも変化は生じないの
で、孤立導電体の電位は減少しない。そこで、露
光部では電位が低くなつて電位像が形成される。
印加電圧の極性を逆にすれば反転した電位像が形
成される。このようにして形成された電位像は、
電子写真における通常の現像方式により現像さ
れ、転写紙に転写される。本発明による感光体は
第１図に示される構成の外、種々の他の構成をと
ることができる。第５図、第６図および第７図
は、それぞれ他の構成例の主なものを示してい
る。式(2)に示されるように、高コントラストの電
位像を形成するためには、容量C1を大きく設定
することが有利であり、そこで、第５図に示され
る感光体８は、容量C1を大きくするために遮光
性電極６を光容量変化層の中間に設けた構成であ
る。第６図に示される感光体９は、遮光性電極６
を上方に設けると共に、透光性電極１０をパター
ン状にせず連続層として形成したものであり、透
光性電極の製造が簡略化される。第７図に示され
る感光体１１は、第６図に示す感光体の変形例で
あり、遮光性電極６と透光性電極１０との間の電
流を少なくするため、遮光性電極に対応する形状
の遮光層１２、さらにその上に必要に応じて誘電
率が小さく高い絶縁性の絶縁層１３を設けた構成
のものである。遮光層は、導電性でも絶縁性でも
よい。
以上説明した感光体の各態様において、孤立導
電体をはじめとするパターン状電極は、四角形、
六角形あるいはくし形等に限らず適宜他の形状で
あつてよいものである。
電体をはじめとするパターン状電極は、四角形、
六角形あるいはくし形等に限らず適宜他の形状で
あつてよいものである。
実施例 １
ガラス板の上に電子ビームによる蒸着で、
In2O3を2000Å厚に全面に蒸着し透光性電極を形
成した。次に、Zncds（ZnS：Cds＝４：６モル
比）粉末をシリコーン樹脂に２：１（重量比）の
割合でメチルエチルケトンに希釈したものを塗布
して5μ厚に形成した。次にその上に、メタルマ
スクを介してAlを1000Åに蒸着して、第２図に
示されるようなくし型の遮光性電極（ａ＝25μ、
ｂ＝10μ）だけを形成した。次にその上に、再度
ZnCdsの光容量変化層を5μ厚に塗布形成した。次
にその上に、第３図に示されるような孤立導電体
を形成した。即ち、光容量変化層上にメタルマス
クを介して、Alを蒸着させることにより1000Å
厚の孤立電極（ｆ＝ｇ＝25μ、ｈ＝10μ）を形成
した。
In2O3を2000Å厚に全面に蒸着し透光性電極を形
成した。次に、Zncds（ZnS：Cds＝４：６モル
比）粉末をシリコーン樹脂に２：１（重量比）の
割合でメチルエチルケトンに希釈したものを塗布
して5μ厚に形成した。次にその上に、メタルマ
スクを介してAlを1000Åに蒸着して、第２図に
示されるようなくし型の遮光性電極（ａ＝25μ、
ｂ＝10μ）だけを形成した。次にその上に、再度
ZnCdsの光容量変化層を5μ厚に塗布形成した。次
にその上に、第３図に示されるような孤立導電体
を形成した。即ち、光容量変化層上にメタルマス
クを介して、Alを蒸着させることにより1000Å
厚の孤立電極（ｆ＝ｇ＝25μ、ｈ＝10μ）を形成
した。
このようにして第６図に示されるような感光体
を製造した。
を製造した。
この感光体の透光性電極をアースして、透光性
電極と遮光性電極との間に400Vの直流電圧を印
加し、ガラス板の方から画像露光を行つて電位像
を形成し、振動容量型の電位計で電位を測定した
結果、露光部では40V、非露光部では260Vの電
位を得た。このコントラストは印加電圧を取り除
いても殆んど変らずに保持された。
電極と遮光性電極との間に400Vの直流電圧を印
加し、ガラス板の方から画像露光を行つて電位像
を形成し、振動容量型の電位計で電位を測定した
結果、露光部では40V、非露光部では260Vの電
位を得た。このコントラストは印加電圧を取り除
いても殆んど変らずに保持された。
次に、感光体の表面にアースをした対向電極を
近づけ（約３mm）、のトナーをもつた液体現像
剤で現像したところ、非露光部の孤立導電体にの
みトナーがのり画像が現われた。この後、対向電
極に紙をのせ、感光体と密着させ遮光性電極に−
200Vの電圧をかけ遮光性電極をアースにすると、
紙上に像の転写ができ感光体上には残留のトナー
がほとんどなくなり次の像作成にそのままつかえ
た。なお、電圧の向きは上の例と逆にした場合、
同じように画像を再現できた。この場合、現像の
トナーはトナーを用いた。
近づけ（約３mm）、のトナーをもつた液体現像
剤で現像したところ、非露光部の孤立導電体にの
みトナーがのり画像が現われた。この後、対向電
極に紙をのせ、感光体と密着させ遮光性電極に−
200Vの電圧をかけ遮光性電極をアースにすると、
紙上に像の転写ができ感光体上には残留のトナー
がほとんどなくなり次の像作成にそのままつかえ
た。なお、電圧の向きは上の例と逆にした場合、
同じように画像を再現できた。この場合、現像の
トナーはトナーを用いた。
上記の現象を解析するために、孤立導電体の代
りにAl電極を感光体の全面につけ、中間の遮光
性電極と上部のAl電極との間の静電容量Ca、透
光性電極と上部のAl電極との間の非露光部の静
電容量をCbD、1000luxの光を照射したときを
CbLとすると、 Ca＝910PF CbL＝7526PF CbD＝452PF となり、光照射することにより透光性電極と上部
のAl電極の静電容量Cbが変化することが認めら
れた。
りにAl電極を感光体の全面につけ、中間の遮光
性電極と上部のAl電極との間の静電容量Ca、透
光性電極と上部のAl電極との間の非露光部の静
電容量をCbD、1000luxの光を照射したときを
CbLとすると、 Ca＝910PF CbL＝7526PF CbD＝452PF となり、光照射することにより透光性電極と上部
のAl電極の静電容量Cbが変化することが認めら
れた。
第１図は本発明による感光体の１態様を示す。
第２図および第３図は第１図の感光体に用いた電
極の形状を示す図面である。第４図は第１図に示
す感光体と等価の回路図である。第５図、第６図
および第７図は本発明により感光体のそれぞれ１
態様である。 １……感光体、２……支持体、３……光容量変
化層、４……孤立導電体、５……透光性電極、６
……遮光性電極、７……電源。
第２図および第３図は第１図の感光体に用いた電
極の形状を示す図面である。第４図は第１図に示
す感光体と等価の回路図である。第５図、第６図
および第７図は本発明により感光体のそれぞれ１
態様である。 １……感光体、２……支持体、３……光容量変
化層、４……孤立導電体、５……透光性電極、６
……遮光性電極、７……電源。
Claims (1)
- １ 透光性支持体上に透光性電極および遮光性電
極を設けた光容量変化層を有し、該光容量変化層
上には画素を形成する孤立した導電体が設けられ
ており、透光性電極および遮光性電極は該導電体
と対向して配置されており、透光性電極と遮光性
電極間は電圧印加可能になつている電子写真感光
体の両電極に電圧を印加する工程後、または同時
に、透光性支持体側から画像露光することにより
電位像を形成し、その後に現像を行なうことを特
徴とする電子写真法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10676079A JPS5630131A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Electrophotographic receptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10676079A JPS5630131A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5630131A JPS5630131A (en) | 1981-03-26 |
| JPS647655B2 true JPS647655B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=14441860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10676079A Granted JPS5630131A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Electrophotographic receptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5630131A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487583A (en) * | 1992-11-30 | 1996-01-30 | Fuji Kiko Co., Ltd. | Laterally adjustable automotive seat with lifter device |
| JP5593617B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2014-09-24 | 株式会社リコー | 像担持体、画像形成方法、画像形成装置、プロセスカートリッジ |
-
1979
- 1979-08-21 JP JP10676079A patent/JPS5630131A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5630131A (en) | 1981-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2939787A (en) | Exposure of photochemical compositions | |
| JPS647655B2 (ja) | ||
| EP0019068B1 (en) | Charge receptor film for charge transfer imaging | |
| US3663224A (en) | Electrical components, electrical circuits, and the like, and methods for making the same by means of radiation sensitive elements | |
| Donovan | X‐ray sensitivity of selenium | |
| US4365015A (en) | Photosensitive member for electrophotography composed of a photoconductive amorphous silicon | |
| JPS641012B2 (ja) | ||
| JPS5919335B2 (ja) | 電子写真法 | |
| GB1578960A (en) | Electrophotographic imaging member and process | |
| US3975635A (en) | Xeroradiographic plate | |
| JPS58139160A (ja) | 画像形成素子及びその素子を用いる画像形成方法 | |
| US3754908A (en) | Electrophotographic production of colour photoconductive mosaic material | |
| JPH0128378B2 (ja) | ||
| JPS58139159A (ja) | 画像形成素子及びその素子を用いる画像形成方法 | |
| US3625681A (en) | Method of liquid developing a photoconductive plate | |
| US4175957A (en) | Electrophotographic process using insulating dot overlayer | |
| US4022528A (en) | Ion modulator having independently controllable bias electrode | |
| JPH027055B2 (ja) | ||
| US4022527A (en) | Ion modulator having independently controllable bias electrode | |
| JPH0131187B2 (ja) | ||
| SU705410A1 (ru) | Способ получени электрофотографического изображени | |
| JPH0231384B2 (ja) | Genzohoho | |
| JPS58140744A (ja) | 画像形成素子及びその素子を使用する画像形成方法 | |
| JPS58150954A (ja) | 感光部材および記録方法 | |
| Metcalf et al. | Xerography and electrostatic printing |