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JPS64814B2 - - Google Patents
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JPS64814B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS64814B2
JPS64814B2 JP58196467A JP19646783A JPS64814B2 JP S64814 B2 JPS64814 B2 JP S64814B2 JP 58196467 A JP58196467 A JP 58196467A JP 19646783 A JP19646783 A JP 19646783A JP S64814 B2 JPS64814 B2 JP S64814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rectifier
semiconductor rectifier
disk
cooling fin
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58196467A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6088449A (ja
Inventor
Mitsutoshi Horibe
Tadashi Nosaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP58196467A priority Critical patent/JPS6088449A/ja
Publication of JPS6088449A publication Critical patent/JPS6088449A/ja
Publication of JPS64814B2 publication Critical patent/JPS64814B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/22Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
    • H10W40/226Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections characterised by projecting parts, e.g. fins to increase surface area
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/20Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は車両用交流発電機等に利用する整流装
置に関する。
(従来技術) 従来周知の整流装置に於ける半導体整流器接続
構造は、その縦断面図を第1図に示す如くで、1
は半導体整流器、1Dは凹形状の銅デイスクで、
このデイスク1Dの内側にリード1L、半導体素
子1Pが半田1Sで接続・固定され、シリコンゴ
ム1Rにて気密封止されており、前記デイスク1
Dの外側に冷却フイン3が半田2にて接合・固定
されているが、近年の省資源・省エネ等の社会的
ニーズにより整流装置の軽量化のため、冷却フイ
ン3の材質をアルミ等の軽金属に変えつつある。
しかしながら、冷却フインの材質として軽金属を
使用すると、熱膨張係数が大きいため実使用時に
温度が加わつた場合、半導体整流器のデイスク1
Dに半田2を介して冷却フイン3の熱膨張の影響
を受けて熱歪が加わり、また機械的強度が小さい
ため、半導体整流器に与える機械的歪の影響も大
きくなり、半導体整流器の寿命を著しく低下させ
るという問題がある。
(本発明の目的) 本発明は、上記の問題点に鑑み、冷却フインを
アルミ等の軽金属で形成し、しかも半導体整流器
が歪影響を受けにくい軽量・低コスト・高品質の
整流装置を提供することを目的とするものであ
る。
(本発明の構成) 本発明は、熱伝導性・半田付性良好なる金属板
を、軽金属よりなる冷却フインのエンボス凹部に
円環状の溝を設けることにより形成された底面に
前記溝の一部をおおうように固相接合し、この金
属板状体に半導体整流器を半田付けする接続構造
としたものである。
(実施例) 以下、本発明を図に示す実施例について説明す
る。第2図は本発明になる整流装置の一実施例の
構成を示す縦断面図で、1は半導体整流器で、凹
形状の銅デイスク1Dに半導体素子1P、リード
1Lの順に半田1Sで接続・固定され、シリコン
ゴム1Rにて気密封止されており、入力側はリー
ド1Lが図示していない交流入力端子に接続さ
れ、出力側はデイスク1Dが直流電極となるアル
ミ等の軽金属製冷却フイン3のエンボス部3aの
凹部の底に形成された円環状の溝3bの一部をお
おうよにエンボス凹部の底に固相状態で一体化さ
れたろう着可能な金属板状体例えば銅板4に半田
2にて接合・固定されている。
(本発明の効果) 上述のように、本発明になる整流装置は、軽金
属製冷却フインのエンボス部凹部の底に形成され
た円環状の溝の一部をおおうように、エンボス部
凹部の底に固相接合で一体化した熱伝導性・半田
付性良好なる金属板状体に、半導体整流器を半田
にて接合・固定しているため、従来装置と比較し
て下記のような優れた利点を有する。
(1) 実使用時に温度が加わつた場合、溝を形成し
てあることにより半導体整流器のデイスクは、
冷却フインのエンボス部の底部のみに接続され
ている構造となるので従来のようにデイスク全
体が冷却フインのエンボス部凹部におおわれる
ように接続されている構造と比較して、デイス
ク側面から引つ張られる力が無いため冷却フイ
ンからデイスクが受ける歪の影響は少なくな
り、熱による歪影響の受けにくい整流装置を提
供できるという効果がある。
(2) 実使用時に軽金属製冷却フインが外部より歪
変形を受けた場合、冷却フインのエンボス部凹
部の底に溝を形成することにより溝部の板厚が
小さくなるため剛性が小さくなるので歪変形を
溝部で吸収し半導体整流器のデイスクに与える
歪影響がかなり緩和され、機械的歪影響の受け
にくい整流装置を提供できるという効果があ
る。
(3) 金属板状体を冷却フインに固相接合で一体化
する際、円環状の溝の一部をおおうように一体
化するので、発生するバリが金属板状体に押さ
えられて溝内に収まるため金属板状体と半導体
整流器が信頼性の高い半田付で接合・固定でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の整流装置の要部縦断面図、第2
図は本発明になる整流装置の一実施例の構成を示
す要部縦断面図である。 1……半導体整流器、1D……デイスク、1P
……半導体素子、1L……リード、1S,2……
半田、3……冷却フイン、3a……エンボス部、
3b……円環状の溝、4……金属板状体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 軽金属性冷却フインのエンボス部の凹部の底
    に形成された円環状の溝の一部を覆うように、前
    記エンボス部凹部の底に固相接合で一体化した熱
    伝導性・半田付性良好なる金属板状体に、凹形状
    デイスク内側に半導体素子、リードを固定し、気
    密封止されてなる半導体整流器を半田にて接合・
    固定してあることを特徴とする整流装置。
JP58196467A 1983-10-19 1983-10-19 整流装置 Granted JPS6088449A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58196467A JPS6088449A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 整流装置

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JP58196467A JPS6088449A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 整流装置

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Publication Number Publication Date
JPS6088449A JPS6088449A (ja) 1985-05-18
JPS64814B2 true JPS64814B2 (ja) 1989-01-09

Family

ID=16358283

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JP58196467A Granted JPS6088449A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 整流装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220007348A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 주식회사 엘지에너지솔루션 배터리 모니터링 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220007348A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 주식회사 엘지에너지솔루션 배터리 모니터링 장치 및 방법

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JPS6088449A (ja) 1985-05-18

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