JPS649619B2 - - Google Patents
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- JPS649619B2 JPS649619B2 JP7050183A JP7050183A JPS649619B2 JP S649619 B2 JPS649619 B2 JP S649619B2 JP 7050183 A JP7050183 A JP 7050183A JP 7050183 A JP7050183 A JP 7050183A JP S649619 B2 JPS649619 B2 JP S649619B2
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- cleaning
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はIC、LSI、VLSI等の半導体素子製
造に用いる光露光用マスクの洗浄方法に係るもの
である。
造に用いる光露光用マスクの洗浄方法に係るもの
である。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく
支配しているものは光露光工程であり、従来光露
光用マスクへの欠陥発生および光露光工程での半
導体基板からマスクへの異物付着が検討されてい
る。殊に、密着式露光方式から投影式露光方式や
縮小投影露光方式への露光技術の変更は、半導体
基板からマスクへの異物転写が無くなり顕著に製
造フストを減少した。しかし乍ら、光露光方式は
遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マスク
の透明基板の一主表面上に形成されている遮光用
の所要パターンの導電層もしくは半導体層への静
電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃が
表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、従
来のマスク洗浄機において、中性洗剤、純水、ジ
エツトスクラブ等で片面もしくは両面（表裏面）
を洗浄しているが、従来装置では転写パターンチ
ツプの５％未満に塵埃が出ないことを保証するこ
とも不可能であつた。更に、縮小投影露光装置で
は、3μ以上の欠陥を“０”とし、且つ洗浄液の
乾燥時のシミ、ヨゴレ等を発生することのないレ
チクル・マスク洗浄機が要望されて居り、この種
の要望に応じ、且つ作業性の良好なマスク洗浄技
術は未知であつた。
支配しているものは光露光工程であり、従来光露
光用マスクへの欠陥発生および光露光工程での半
導体基板からマスクへの異物付着が検討されてい
る。殊に、密着式露光方式から投影式露光方式や
縮小投影露光方式への露光技術の変更は、半導体
基板からマスクへの異物転写が無くなり顕著に製
造フストを減少した。しかし乍ら、光露光方式は
遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マスク
の透明基板の一主表面上に形成されている遮光用
の所要パターンの導電層もしくは半導体層への静
電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃が
表裏面に吸着される。この吸着された塵埃は、従
来のマスク洗浄機において、中性洗剤、純水、ジ
エツトスクラブ等で片面もしくは両面（表裏面）
を洗浄しているが、従来装置では転写パターンチ
ツプの５％未満に塵埃が出ないことを保証するこ
とも不可能であつた。更に、縮小投影露光装置で
は、3μ以上の欠陥を“０”とし、且つ洗浄液の
乾燥時のシミ、ヨゴレ等を発生することのないレ
チクル・マスク洗浄機が要望されて居り、この種
の要望に応じ、且つ作業性の良好なマスク洗浄技
術は未知であつた。
この発明の目的は、作業性に優れ且つマスクの
表裏面に吸着している塵埃等を確実に除去するマ
スク洗浄方法を提供することにある。
表裏面に吸着している塵埃等を確実に除去するマ
スク洗浄方法を提供することにある。
この発明の他の目的は、縮小投影露光装置に用
いるレチクル・マスクの3μ以上の付着物を完全
に除去できるレチクル・マスク洗浄方法を提供す
ることにある。
いるレチクル・マスクの3μ以上の付着物を完全
に除去できるレチクル・マスク洗浄方法を提供す
ることにある。
この発明によれば、ガラスもしくは石英等の透
明基板の一主表面に所要形状のクロム一酸化クロ
ム積層の導電性もしくはゲルマニウム、酸化鉄等
の半導電性の遮光パターンを備えた半導体素子製
造用の光露光マスクの洗浄方法が実現される。即
ち、この発明の光露光マスクは第一の工程に於
て、基板表裏面をアンモニヤ水、燐酸、苛性ソー
ダ、燐酸ソーダ等の親水性の電解液に浸漬されマ
スク表裏面は濡れた状態になる。次にマスクの表
裏面にリンス液として純水を供給しつつ回転ブラ
シでブラシ洗浄する。ブラシで機械的洗浄を経た
マスクはアルコール系の有機液で洗浄され、表面
の水溶液が有機液で置換される。この後マスクは
アルコール蒸気またはフレオン蒸気等の有機ガス
で蒸気洗浄と乾燥が成される。
明基板の一主表面に所要形状のクロム一酸化クロ
ム積層の導電性もしくはゲルマニウム、酸化鉄等
の半導電性の遮光パターンを備えた半導体素子製
造用の光露光マスクの洗浄方法が実現される。即
ち、この発明の光露光マスクは第一の工程に於
て、基板表裏面をアンモニヤ水、燐酸、苛性ソー
ダ、燐酸ソーダ等の親水性の電解液に浸漬されマ
スク表裏面は濡れた状態になる。次にマスクの表
裏面にリンス液として純水を供給しつつ回転ブラ
シでブラシ洗浄する。ブラシで機械的洗浄を経た
マスクはアルコール系の有機液で洗浄され、表面
の水溶液が有機液で置換される。この後マスクは
アルコール蒸気またはフレオン蒸気等の有機ガス
で蒸気洗浄と乾燥が成される。
この発明の洗浄方法は、初めにマスクの表裏面
に親水性の電解液を接触することにより、マスク
表裏面を充分に濡らして静電気作用を除去し、吸
着されている塵埃を洗い流す。次に、この電解液
がリンス液で洗い流れる間にブラシ洗浄を行い、
粘着物、シミ等を機械的に洗浄する。電解液が親
水性であるため、ブラシ洗浄の所要時間に亘りマ
スク表裏面に電解液が残存して洗浄効果を保つこ
とができる。アルコール系の有機液はマスク表裏
面の水溶液を有機薬品と置換し、次の蒸気洗浄工
程への水溶液の混入を防止する。有機薬品の蒸気
洗浄→乾燥は乾燥速度が早く且つマスク表裏面へ
の液滴が無いため、汚れ、シミを発生することな
く、清浄な表面乾燥が可能である。
に親水性の電解液を接触することにより、マスク
表裏面を充分に濡らして静電気作用を除去し、吸
着されている塵埃を洗い流す。次に、この電解液
がリンス液で洗い流れる間にブラシ洗浄を行い、
粘着物、シミ等を機械的に洗浄する。電解液が親
水性であるため、ブラシ洗浄の所要時間に亘りマ
スク表裏面に電解液が残存して洗浄効果を保つこ
とができる。アルコール系の有機液はマスク表裏
面の水溶液を有機薬品と置換し、次の蒸気洗浄工
程への水溶液の混入を防止する。有機薬品の蒸気
洗浄→乾燥は乾燥速度が早く且つマスク表裏面へ
の液滴が無いため、汚れ、シミを発生することな
く、清浄な表面乾燥が可能である。
図はこの発明の一実施例を実現するマスク洗浄
装置の模型図である。この実施例は、透明石英基
板の一表面に所要形状の酸化クロムの遮光用パタ
ーンを被着する半導体素子製造用マスク１１，１
２，１３，１４を工程順に洗浄する四つの洗浄槽
２０，３０，４０，５０を有する。各洗浄槽はそ
れぞれ被洗浄マスクの表裏面を同時に洗浄可能で
あり、このためマスクは端部にて適切な治具にて
保持され各洗浄槽内で上下運動する。
装置の模型図である。この実施例は、透明石英基
板の一表面に所要形状の酸化クロムの遮光用パタ
ーンを被着する半導体素子製造用マスク１１，１
２，１３，１４を工程順に洗浄する四つの洗浄槽
２０，３０，４０，５０を有する。各洗浄槽はそ
れぞれ被洗浄マスクの表裏面を同時に洗浄可能で
あり、このためマスクは端部にて適切な治具にて
保持され各洗浄槽内で上下運動する。
第一の洗浄槽２０では、被洗浄マスク１４の表
裏面を一対の0.5重量％のアンモニヤ水のシヤワ
ーパイプ２１，２１′により、同一の電解液槽２
２の浸漬前後にシヤワー洗浄する。電解液槽２２
はアンモニヤ水を洗浄期間中オーバーフローして
表面に浮遊する塵埃を外部に流出する。マスク１
４はこの槽２２から取り出された後にパイプ２
１，２１′からのアンモニヤ水の流動で表裏面が
洗浄され次工程に送られる。
裏面を一対の0.5重量％のアンモニヤ水のシヤワ
ーパイプ２１，２１′により、同一の電解液槽２
２の浸漬前後にシヤワー洗浄する。電解液槽２２
はアンモニヤ水を洗浄期間中オーバーフローして
表面に浮遊する塵埃を外部に流出する。マスク１
４はこの槽２２から取り出された後にパイプ２
１，２１′からのアンモニヤ水の流動で表裏面が
洗浄され次工程に送られる。
第二の洗浄槽３０で、マスク１３は一対のシヤ
ワーパイプ３１，３１′から噴射される純水また
は薄い炭酸水でその表裏面がリンスされながら一
対の回転ブラシ３２，３２′でスクラブ洗浄され、
この槽３０から次工程の槽４０に送出される時に
パイプ３１，３１′でシヤワー洗浄される。
ワーパイプ３１，３１′から噴射される純水また
は薄い炭酸水でその表裏面がリンスされながら一
対の回転ブラシ３２，３２′でスクラブ洗浄され、
この槽３０から次工程の槽４０に送出される時に
パイプ３１，３１′でシヤワー洗浄される。
第三の槽４０に送られたマスク１２は、一対の
シヤワーパイプ４１，４１′の間を通して洗浄さ
れ、オーバーフロー型の洗浄槽４２の内部でイソ
プロピル・アルコールで洗浄され、パイプ４１，
４１′から同一のアルコールでシヤワー洗浄され
て次工程の槽５０に送られる。
シヤワーパイプ４１，４１′の間を通して洗浄さ
れ、オーバーフロー型の洗浄槽４２の内部でイソ
プロピル・アルコールで洗浄され、パイプ４１，
４１′から同一のアルコールでシヤワー洗浄され
て次工程の槽５０に送られる。
第四の槽５０に送られたマスク１１は、槽の下
部に溜められたフレオン溶液５１を液中の加熱器
で50〜60℃に加熱し、槽内にフレオンガス雰囲気
層を形成し、ここでマスクの表裏面をフレオンガ
スで蒸気洗浄し、この槽から取り出すことにより
常温で急速に乾燥する。
部に溜められたフレオン溶液５１を液中の加熱器
で50〜60℃に加熱し、槽内にフレオンガス雰囲気
層を形成し、ここでマスクの表裏面をフレオンガ
スで蒸気洗浄し、この槽から取り出すことにより
常温で急速に乾燥する。
上述の如く、この実施例は第一の工程で洗浄さ
れるマスクを親水性の電解液に浸して表裏面を充
分に濡らし、且つ表裏面の静電気を除去したのち
電解液にて塵埃を流出する。次に第二の工程にて
電解液のリンスとブラシによるスクラブ洗浄を同
時に行い、粘着物、付着物等を機械的に除去す
る。更に第三の工程でアルコール洗浄を行つて水
溶液を有機薬品と置換し、フレオンによる蒸気乾
燥への水溶液の残存を防止し、蒸気乾燥時の汚
れ、シミの発生を防ぐことができる。又、この実
施例によれば、無汚染、無塵埃の洗浄がきわめて
合理的に短時間で実行され、作業性が優れてい
る。
れるマスクを親水性の電解液に浸して表裏面を充
分に濡らし、且つ表裏面の静電気を除去したのち
電解液にて塵埃を流出する。次に第二の工程にて
電解液のリンスとブラシによるスクラブ洗浄を同
時に行い、粘着物、付着物等を機械的に除去す
る。更に第三の工程でアルコール洗浄を行つて水
溶液を有機薬品と置換し、フレオンによる蒸気乾
燥への水溶液の残存を防止し、蒸気乾燥時の汚
れ、シミの発生を防ぐことができる。又、この実
施例によれば、無汚染、無塵埃の洗浄がきわめて
合理的に短時間で実行され、作業性が優れてい
る。
図はこの発明の好ましい実施例を説明するため
の模型的断面図である。 １１，１２，１３，１４……マスク、２０，３
０，４０，５０……各工程の洗浄槽、２２……親
水性電解液の槽、３１，３１′……リンス用のシ
ヤワーパイプ、４２……アルコール系の槽。
の模型的断面図である。 １１，１２，１３，１４……マスク、２０，３
０，４０，５０……各工程の洗浄槽、２２……親
水性電解液の槽、３１，３１′……リンス用のシ
ヤワーパイプ、４２……アルコール系の槽。
Claims (1)
- １ 透明基板の一主面に所要形状の遮光パターン
を有する半導体素子製造用マスクの洗浄方法にお
いて、前記マスクの表裏面を親水性の電解液にて
濡らす第一の工程と、次に、前記マスクの表裏面
にリンス液を供給しつつ回転ブラシ洗浄する第二
の工程と、前記マスクの表裏面にアルコール系の
有機液を接触する第三の工程と、而後前記マスク
の表裏面を有機ガスで蒸気洗浄し乾燥する第四の
工程とを含む光露光用マスクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070501A JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070501A JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195652A JPS59195652A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649619B2 true JPS649619B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070501A Granted JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195652A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073577B2 (ja) * | 1985-06-05 | 1995-01-18 | 株式会社ニコン | 基板の洗浄方法 |
| JPS6268581A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-28 | 松下電器産業株式会社 | 一槽式水洗槽 |
| JP6961913B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2021-11-05 | 東洋製罐株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115044A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Watanabe Shoko:Kk | ガラスの洗浄方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070501A patent/JPS59195652A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195652A (ja) | 1984-11-06 |
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