JPH0119256B2 - - Google Patents
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- JPH0119256B2 JPH0119256B2 JP56155466A JP15546681A JPH0119256B2 JP H0119256 B2 JPH0119256 B2 JP H0119256B2 JP 56155466 A JP56155466 A JP 56155466A JP 15546681 A JP15546681 A JP 15546681A JP H0119256 B2 JPH0119256 B2 JP H0119256B2
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- stencil layer
- stencil
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所要の基板上に導電性材、絶縁性材
等でなる層による所望のパターンを形成するパタ
ーン形成法の改良に関し、特に半導体集積回路装
置、ジヨセフソン集積回路装置等の導体層、絶縁
層等を所望のパターンに形成する場合に適用して
好適なものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a pattern forming method for forming a desired pattern on a desired substrate using a layer made of a conductive material, an insulating material, etc., and in particular to a semiconductor integrated circuit device, Josephson integrated circuit It is suitable for application when forming a conductor layer, an insulating layer, etc. of a device or the like into a desired pattern.
斯種パターン形成法として従来、原理的に、第
1図を伴なつて以下述べる方法が提案されてい
る。 Conventionally, as a method for forming such a pattern, the method described below with reference to FIG. 1 has been proposed in principle.
即ち所要の基板1を予め用意し(第1図A)、
而してその基板1上に、フオトレジスト、電子ビ
ームレジスト等でなるステンシル層2(実際上上
端縁より外側方に延長せる鍔5を形成している)
を所望のパターンに形成し(第1図B)、次にそ
の基板1上のステンシル層2の形成されていない
領域上に、導電性材、絶縁性材等でなるステンシ
ル層2に比し薄い厚さの層3を、ステンシル層2
上に、層3と同じ導電性材、絶縁性材等でなり且
層3と同じ厚さでなる層4の形成を同時に伴なつ
て、基板1の上方側よりの導電性材、絶縁性材の
蒸着、スパツタリング等によつて形成し(第1図
C)、次にステンシル層2を、その溶媒を用いて
溶去することによつて、そのステンシル層2を基
板1上より除去すると共に、これに伴ないステン
シル層2上の層4を除去し(第1図D)、斯くて
基板1上に層3による所望のパターン(ステンシ
ル層2とは反転せるパターン)を形成するという
方法が提案されている。 That is, the required substrate 1 is prepared in advance (FIG. 1A),
Then, on the substrate 1, a stencil layer 2 made of photoresist, electron beam resist, etc. (in fact, a flange 5 extending outward from the upper edge is formed).
is formed into a desired pattern (FIG. 1B), and then a layer thinner than the stencil layer 2 made of a conductive material, an insulating material, etc. is formed on the area on the substrate 1 where the stencil layer 2 is not formed. Thickness layer 3, stencil layer 2
At the same time, a layer 4 made of the same conductive material, insulating material, etc. as layer 3 and having the same thickness as layer 3 is formed on top of the substrate 1. The stencil layer 2 is formed by vapor deposition, sputtering, etc. (FIG. 1C), and then the stencil layer 2 is removed from the substrate 1 by dissolving it using the solvent, and Along with this, a method is proposed in which layer 4 on stencil layer 2 is removed (FIG. 1D) and a desired pattern (a pattern that can be reversed from stencil layer 2) of layer 3 is formed on substrate 1. has been done.
所で斯るパターン形成法の場合、原理的には、
基板1上のステンシル層2の形成されていない領
域上に、層3をステンシル層2上の層4の形成を
伴なつて形成する工程(以下簡単の為第2の工程
と称す)に於て、その層3及び4は、それ等がス
テンシル層2に比し薄い厚さを有するので、互に
分離して形成されるものである。然し乍ら実際上
は、それ等層3及び4の形成する第2の工程に於
て、層3及び4を構成する材料の微粒子が散乱、
拡散等をなすことにより、第2図に示す如く、層
3及び4を構成せる材料と同じ材料の薄い層6
が、ステンシル層2の側面上に層3及び4と連接
せる態様を以つて付着形成されるを余儀なくされ
るものである。 However, in the case of such a pattern forming method, in principle,
In the step of forming layer 3 on the region of substrate 1 where stencil layer 2 is not formed, together with the formation of layer 4 on stencil layer 2 (hereinafter referred to as the second step for simplicity) , the layers 3 and 4 are formed separately from each other since they have a smaller thickness than the stencil layer 2. However, in practice, in the second step of forming the layers 3 and 4, the fine particles of the material constituting the layers 3 and 4 are scattered,
By diffusion etc., a thin layer 6 of the same material as that of layers 3 and 4 is formed, as shown in FIG.
is forced to be deposited on the side surfaces of stencil layer 2 in a manner that connects layers 3 and 4.
この為、ステンシル層2を溶去することによつ
て、そのステンシル層2を基板1上より除去する
と共に、これに伴なつてステンシル層2上の層4
を除去する工程(以下簡単の為第3の工程と称
す)に於て、従来、ステンシル層2をその溶媒中
に浸漬せる状態(実際上ステンシル層2、層3及
び4を形成せる基板1をステンシル層2の溶媒中
に浸漬せる状態)で、発振周波数25〜50KHz帯の
超音波発振器を用いて、ステンシル層2に25〜
50KHzの周波数を有する超音波の振動を与え、こ
れにより層6を破壊しながらステンシル層2を溶
解せしめるという処理をとることがなされてい
る。 Therefore, by dissolving the stencil layer 2, the stencil layer 2 is removed from the substrate 1, and at the same time, the layer 4 on the stencil layer 2 is removed.
In the step of removing the stencil layer 2 (hereinafter referred to as the third step for simplicity), the stencil layer 2 is conventionally immersed in the solvent (in practice, the substrate 1 on which the stencil layers 2, 3, and 4 are formed is immersed in the solvent). Using an ultrasonic oscillator with an oscillation frequency of 25 to 50 KHz, the stencil layer 2 is immersed in the solvent of 25 to 50 KHz.
A process is used in which ultrasonic vibrations having a frequency of 50 KHz are applied to dissolve the stencil layer 2 while destroying the layer 6.
然し乍ら、第3の工程に於て、斯る処理をとる
場合、超音波の振動出力を大とすれば、層3が基
板1上より剥離したり欠損したりする欠陥が生ず
る不都合を有していた。又斯る不都合を回避すべ
く、超音波の振動出力を小とすれば、ステンシル
層2の側面に付着せる層6の破壊が効果的になさ
れない理由で、ステンシル層2を基板1上より除
去するに長時間を要すると共に、第3図に示す如
くステンシル層2上の層4が基板1上に不要層
4′として残留したり、層6の一部が基板1上に
直立せる残査物6′として残留したり、層3上に
付着した残査物6″として残留したり、基板1の
層3の形成されていない領域上に付着した残査物
6として残留したりし、依つて層3による所望
のパターンを得るに長時間を要すると共に、その
層3による所望パターンが、不要層4′、残査物
6′,6″,6等を残留せるものとして得られる
という不都合を有していた。 However, when such a treatment is performed in the third step, if the vibration output of the ultrasonic wave is increased, there is a problem that defects such as peeling or chipping of the layer 3 from the substrate 1 occur. Ta. In addition, in order to avoid such inconvenience, if the vibration output of the ultrasonic wave is made small, the layer 6 attached to the side surface of the stencil layer 2 will not be effectively destroyed, so the stencil layer 2 is removed from the substrate 1. It takes a long time to do this, and the layer 4 on the stencil layer 2 remains as an unnecessary layer 4' on the substrate 1 as shown in FIG. 6', a residue 6'' attached to the layer 3, or a residue 6 attached to an area of the substrate 1 where the layer 3 is not formed; It takes a long time to obtain the desired pattern by the layer 3, and the desired pattern by the layer 3 is obtained with unnecessary layers 4', residues 6', 6'', 6, etc. remaining. Was.
叙上に鑑み、本発明者等は、第1図にて上述せ
るパターン形成法に於て種々の実験の結果、上述
せる第3の工程に於て、上述せる、ステンシル層
2をその溶媒中に浸漬せる状態で、ステンシル層
2に25〜50KHzの周波数を有する超音波の振動を
与える処理をとる場合に於て、その超音波の振動
出力を小とするときの不都合が、超音波の振動出
力が小であることにより、ステンシル層2の側面
に付着形成せる層6の破壊が効果的になされない
から生ずるというばかりでなく、超音波の周波数
が25〜50KHzであることにより、層6の破壊が効
果的になされないから生ずるものでもあることを
確認するに到つた。 In view of the above, the present inventors conducted various experiments in the pattern forming method described above in FIG. When applying ultrasonic vibrations with a frequency of 25 to 50 KHz to the stencil layer 2 while the stencil layer 2 is immersed in Not only does the low power not effectively destroy the layer 6 deposited on the side surfaces of the stencil layer 2, but the ultrasonic frequency of 25-50 KHz also causes damage to the layer 6. We have come to the conclusion that this may also be caused by destruction not being done effectively.
又本発明者等は、上述せる第3の工程に於て、
上述せる如くに、ステンシル層2をその溶媒中に
浸漬せる状態で、ステンシル層2に25〜50KHzの
周波数を有する超音波の振動を与える処理をとる
に代え、ステンシル層2をその溶媒中に浸漬せる
状態でステンシル層に80〜200KHzの周波数を有
する超音波の振動を与える処理をとる場合、その
超音波の振動出力が小であつても、その超音波の
周波数が80〜200KHzであることにより、ステン
シル層2の側面に付着形成せる層6の破壊が効果
的になされ、従つて前述せる不都合を有効に回避
し得ることを確認するに到つた。 In addition, the present inventors, in the third step mentioned above,
As described above, instead of applying ultrasonic vibrations having a frequency of 25 to 50 KHz to the stencil layer 2 while the stencil layer 2 is immersed in the solvent, the stencil layer 2 is immersed in the solvent. When applying ultrasonic vibrations with a frequency of 80 to 200 KHz to the stencil layer in a state where the It has now been confirmed that the layer 6 deposited on the side surface of the stencil layer 2 is effectively destroyed, and the above-mentioned disadvantages can therefore be effectively avoided.
更に本発明者等は、上述せる第3の工程に於
て、上述せる如くに、ステンシル層2をその溶媒
中に浸漬せる状態でステンシル層2に80〜200K
Hzの周波数を有する超音波の振動を与える処理
(これを以下簡単の為第3の処理と称す)をとる
場合、その第3の処理の前に、ステンシル層2
を、その良溶媒と貧溶媒との混液を用いて膨潤せ
しめる処理(これを以下簡単の為第1の処理とす
る)をとれば(尚斯る膨潤は、仮えステンシル層
2の側面の全域に前述せる層6が附着形成されて
いても、それが薄いので、それを通じて上述せる
混液がステンシル層2内に浸入することにより、
得られるものである)、そのステンシル層2の膨
潤によつて層6に機械的ストレスが与えられる
為、上述せる第3の工程に於て、上述せる第3の
処理をとる場合の、ステンシル層2の側面に付着
形成せる層6の破壊がより容易になり、従つて前
述せる不都合を有効に回避し得る効果が、更に向
上することを確認するに到つた。 Furthermore, in the third step mentioned above, the present inventors applied a temperature of 80 to 200 K to the stencil layer 2 while immersing the stencil layer 2 in the solvent.
When applying ultrasonic vibration having a frequency of Hz (hereinafter referred to as the third process for simplicity), before the third process, the stencil layer 2 is
, by using a mixture of a good solvent and a poor solvent (hereinafter, this will be referred to as the first treatment for simplicity). Even if the layer 6 described above is formed, it is thin, and the mixed liquid described above penetrates into the stencil layer 2 through it.
), the swelling of the stencil layer 2 imparts mechanical stress to the layer 6, so in the third step described above, the stencil layer It has now been confirmed that the layer 6 attached to the side surface of the substrate 2 can be more easily destroyed, and therefore the effect of effectively avoiding the above-mentioned disadvantages is further improved.
尚更に本発明者等は、上述せる第3の工程に於
て、上述せる如くに、上述せる第3の処理をとる
場合、その第3の処理の前に、ステンシル層2を
その良溶媒中に浸漬せしめている状態で、ステン
シル層2に20〜50kHzの周波数を有する超音波の
振動を与える処理(これを以下簡単の為第2の処
理と称す)をとれば、ステンシル層2に20〜50k
Hzの周波数を有する超音波の振動がステンシル層
2の良溶媒中で与えられることにより、ステンシ
ル層2内に内部歪が生じ、この為上述せる第2の
処理をとつて后に上述せる第3の処理をとつた場
合に於て、その第3の処理時に於けるステンシル
層2の良溶媒がステンシル層2に急速に浸透し、
依つて第3の処理をとる場合の、ステンシル層2
の側面には付着せる層6の破壊がより容易にな
り、従つて前述せる不都合を有効に回避し得る効
果が、更に向上することを確認するに到つた。 Furthermore, in the third step, when the above-mentioned third treatment is performed, the present inventors have prepared the stencil layer 2 in a good solvent before the third treatment. If the stencil layer 2 is immersed in water and subjected to a process of applying ultrasonic vibrations having a frequency of 20 to 50 kHz (hereinafter referred to as the second process for simplicity), the stencil layer 2 will have a frequency of 20 to 50 kHz. 50k
When ultrasonic vibrations having a frequency of Hz are applied in the good solvent of the stencil layer 2, internal strain is generated in the stencil layer 2, and therefore, the above-mentioned second process is performed and then the above-mentioned third process is performed. When the above treatment is carried out, the good solvent of the stencil layer 2 in the third treatment rapidly penetrates into the stencil layer 2,
Stencil layer 2 when using the third process
It has been confirmed that the layer 6 attached to the side surface of the structure is more easily destroyed, and therefore the effect of effectively avoiding the above-mentioned disadvantages is further improved.
又上述せる確認事項は、上述せる第3の工程に
於て、上述せる第1の処理と上述せる第3の処理
とを順次とる第1の場合と、上述せる第2の処理
と上述せる第3の処理とを順次とる第2の場合と
をパラメータとして、第3の処理に於ける超音波
の周波数f(kHz)に対しステンシル層2及びそ
の上の層4が第3図にて上述せる不要層4′、残
査物6′,6″,6等を残留せしめることなしに
基板1上より除去される率(%)を測定した結
果、第4図に示す結果が得られたことによりして
も、確かであることが裏付けられた。尚第4図に
於て●及び〇印は上述せる第1の場合、■及び□
印は上述せる第2の場合を示し、又それ等印中白
抜きの印は不要層、残査物等が除去されたこと
を、又黒ぬりの印は不要層、残査物等が除去され
なかつたことを示している。又、上述せる第3の
工程に於て、上述せる第1及び第2の場合の何れ
であつても、層3による所望パターンが、第5図
に示す如く、不要層4′、残査物6′,6″,6
等を残留せざる、鮮明なものとして、短時間で得
られたことよりしても、確かであることが裏付け
された。但し第4図及び第5図に示す結果は、ス
テンシル層2が厚さ約1μmを有して、AZ−1470
(シツプレイ社製商品名)ポジ型フオトレジスト
でなり、又層3及び4が厚さ0.4μmを有して鉛合
金でなり、更に上述せる第3の工程に於ける第1
の処理に於けるステンシル層2の良溶媒がモノク
ロルベンゼンでなり、貧溶媒がこの場合の良溶媒
の3容量%のエタノールでなり、又上述せる第3
の工程に於ける第2の処理に於けるステンシル層
2の良溶媒がアセトンでなり、更に第2の処理に
於ける超音波の振動出力が超音波発振器の電気入
力でみて10Wであり、尚更に上述せる第3の工程
に於ける第3の処理に於けるステンシル層2の溶
媒がアセトンでなり、又第3の処理に於ける超音
波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合の結果である。然し乍ら、ステ
ンシル層2がAZ−1470ポジ型フオトレジストで
なる外、AZ−1350J、AZ−1450J、AZ−2400(何
れもシツプレイ社製商品名)ポジ型フオトレジス
ト、OFPRシリーズ(東京応用化学社製商品名)
等の他のポジ型フオトレジストでなる場合であつ
ても、又層3及び4が鉛合金でなる外、他の導電
性材、SiO2等の絶縁性材でなる場合であつても、
更に上述せる第1の処理に於ける良溶媒及び貧溶
媒も夫々モノクロルベンゼン及びエタノールであ
る外、他の所要の良溶媒及び貧溶媒であつても、
尚更に上述せる第2及び第3の処理に於けるステ
ンシル層2の溶媒がアセトンでなる外、ステンシ
ル層2を構成せる材料に応じたその良溶媒である
場合であつても、即ち例えばステンシル層2がフ
オトレジスト又は電子ビームレジストである場
合、メチルイソブチルケトン等のケトン類、2−
エトキシルアセテート等の酢酸エステル類等であ
つても、第4図に示すと同様の結果が得られた。 In addition, the above-mentioned confirmation items are the first case where the above-mentioned first process and the above-mentioned third process are performed sequentially in the above-mentioned third step, and the above-mentioned second process and the above-mentioned third process. The stencil layer 2 and the layer 4 above it are as described above in FIG. As a result of measuring the rate (%) of removal from the substrate 1 without leaving unnecessary layers 4', residues 6', 6'', 6, etc., the results shown in Figure 4 were obtained. In Figure 4, ● and ○ marks indicate the first case mentioned above, and ■ and □
The marks indicate the second case mentioned above, and the white marks indicate that unnecessary layers, residues, etc. have been removed, and the black marks indicate that unnecessary layers, residues, etc. have been removed. This shows that it was not done. In addition, in the third step described above, in either of the first and second cases described above, the desired pattern formed by the layer 3 is removed from the unnecessary layer 4' and the residual material, as shown in FIG. 6′, 6″, 6
The fact that it was obtained in a short period of time as a clear image with no traces left behind confirmed its authenticity. However, the results shown in FIGS. 4 and 5 show that the stencil layer 2 has a thickness of about 1 μm and the AZ-1470
(trade name manufactured by Shipplay) is a positive type photoresist, and layers 3 and 4 have a thickness of 0.4 μm and are made of a lead alloy.
In this process, the good solvent for the stencil layer 2 is monochlorobenzene, the poor solvent is ethanol, which is 3% by volume of the good solvent in this case, and the third
The good solvent for the stencil layer 2 in the second treatment in the process is acetone, and the ultrasonic vibration output in the second treatment is 10W in terms of the electrical input of the ultrasonic oscillator. The solvent of the stencil layer 2 in the third process in the third process mentioned above is acetone, and the vibration output of the ultrasonic wave in the third process is based on the electric input of the ultrasonic oscillator.
This is the result when the power is 200W. However, in addition to the stencil layer 2 being made of AZ-1470 positive photoresist, AZ-1350J, AZ-1450J, AZ-2400 (all product names manufactured by Shippray Co., Ltd.) positive photoresist, OFPR series (manufactured by Tokyo Applied Chemical Co., Ltd.) Product name)
Even if layers 3 and 4 are made of lead alloy, other conductive materials, or insulating materials such as SiO2 ,
Furthermore, the good solvent and poor solvent in the first treatment described above are monochlorobenzene and ethanol, respectively, and even if other necessary good and poor solvents are used,
Furthermore, even if the solvent for the stencil layer 2 in the second and third treatments described above is acetone, it may be a good solvent depending on the material constituting the stencil layer 2. When 2 is a photoresist or an electron beam resist, ketones such as methyl isobutyl ketone, 2-
Even with acetic acid esters such as ethoxylacetate, similar results were obtained as shown in FIG. 4.
尚上述せる確認事項に於て、上述せる第3の工
程に於ける第3の処理に於て、超音波の周波数が
80〜200kHzであるとする、その下限周波数80kHz
は、超音波の周波数がその下限周波数80kHzより
低くなれば、その下限周波数を堺としてステンシ
ル層2に超音波の振動を与える処理時間が急激に
長くなることよりしても決められているものであ
る。又上限周波数200kHzは、超音波の周波数が
その上限周波数200kHzより高くなれば、その上
限周波数を堺として、ステンシル層2の溶媒中で
の超音波の振動出力の損失が急激に大になり、こ
の為ステンシル層2に効果的に超音波の振動出力
を与えることが出来なくなることによりしても決
められているものである。 In addition, in the confirmation items mentioned above, in the third process in the third process mentioned above, the frequency of the ultrasonic wave is
Its lower limit frequency is 80kHz, which is 80~200kHz
This is also determined from the fact that if the ultrasonic frequency becomes lower than the lower limit frequency of 80 kHz, the processing time for applying ultrasonic vibration to the stencil layer 2 with the lower limit frequency set as Sakai will suddenly become longer. be. Moreover, the upper limit frequency of 200 kHz is such that if the frequency of the ultrasonic wave becomes higher than the upper limit frequency of 200 kHz, the loss of vibration output of the ultrasonic wave in the solvent of the stencil layer 2 will suddenly increase, and this This is also determined by the fact that it becomes impossible to effectively apply ultrasonic vibration output to the stencil layer 2.
以上よりして、此処に特許請求の範囲第1項及
び第2項所載のパターン形成法を、本発明による
パターン形成法として提案するに到つたものであ
る。 Based on the above, we have hereby proposed the pattern forming method described in Claims 1 and 2 as a pattern forming method according to the present invention.
斯る本発明によるパターン形成法によれば、前
述せる所より明らかであるので、詳細説明はこれ
を省略するも、前述せる不都合を伴うことなし
に、所要の基板1上に導電性材、絶縁性材等でな
る層3による所望のパターンを形成することが出
来るという大なる特徴を有するものである。因み
にステンシル層2が、前述せる如く厚さ1μmを
有して、AZ−1470フオトレジストでなり、又層
3及び4が厚さ0.4μmを有して、鉛合金でなり、
更に上述せる第3の工程に於て第1及び第3の処
理をとる場合に於てその第1の処理に於けるステ
ンシル層2に対する良溶媒及び貧溶媒が夫々前述
せる如くモトクロルベンゼン及びそれに対して3
容量%のエタノールでなり、又第1の処理に於け
る超音波の周波数が45kHz、振動出力が超音波発
振器の電気入力でみて10Wであり、更に上述せる
第3の工程に於ける第2及び第3の処理をとる場
合に於てその第2の処理に於けるステンシル層2
に対する良溶媒がアセトンでなり、更に上述せる
第3の工程に於ける第3の処理に於けるステンシ
ル層2に対する溶媒がアセトンでなり、尚更に上
述せる第3の工程に於ける第3の処理に於ける超
音波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合に於て、上述せる第3の工程に
於ける超音波の振動を与える処理を3〜30分と
し、又超音波の周波数を100kHz、150kHzとした
所、何れの場合でも、第5図に示す如く、基板1
上に層3による所望のパターンを、基板1上に第
3図に前述せる不要層4′、残査物6′,6″,6
等を残留せしめることなしに得ることが出来
た。尚本例の場合、上述の第3の工程后、全体を
アセトン液中でリンスした后、乾燥した。 According to the pattern forming method according to the present invention, it is possible to form a conductive material and an insulating material on a required substrate 1 without the above-mentioned disadvantages, although detailed explanation will be omitted since it is obvious from the above-mentioned points. A great feature is that a desired pattern can be formed using the layer 3 made of a rubber material or the like. Incidentally, as mentioned above, the stencil layer 2 has a thickness of 1 μm and is made of AZ-1470 photoresist, and the layers 3 and 4 have a thickness of 0.4 μm and are made of a lead alloy.
Furthermore, when the first and third treatments are performed in the third step described above, the good solvent and poor solvent for the stencil layer 2 in the first treatment may be motochlorobenzene and the like, respectively, as described above. against 3
% by volume of ethanol, the frequency of the ultrasonic wave in the first treatment is 45 kHz, the vibration output is 10 W in terms of the electrical input of the ultrasonic oscillator, and the second and In the case of the third treatment, the stencil layer 2 in the second treatment
Acetone is a good solvent for the stencil layer 2 in the third treatment in the third step described above, and furthermore, acetone is a good solvent for the stencil layer 2 in the third treatment in the third step described above. The ultrasonic vibration output in the ultrasonic oscillator's electrical input
In the case of 200W, the process of applying ultrasonic vibration in the third step mentioned above was 3 to 30 minutes, and the frequency of the ultrasonic wave was 100kHz or 150kHz. As shown in Figure 5, the substrate 1
The desired pattern by layer 3 is formed on the substrate 1 by forming unnecessary layers 4', residues 6', 6'', 6 as described above in FIG.
etc., without leaving any residue. In the case of this example, after the above-mentioned third step, the whole was rinsed in acetone solution and then dried.
第1図A〜Dは、本発明によるパターン形成法
の基礎となる原理的なパターン形成法の順次の工
程に於ける略線的断面図、第2図は、第1図Cの
工程に対応する実際の工程に於ける略線的断面
図、第3図は従来のパターン形成法による場合
の、第1図Dの工程に対応する実際の工程に於け
る略線的断面図、第4図は本発明によるパターン
形成法の説明に供する曲線図、第5図は本発明に
よるパターン形成法による場合の第1図Dに示す
工程に於ける略線的断面図である。
図中、1は基板、2はステンシル層、3,4及
び6は層、4′は不要層、6′,6″,6は残査
物である。
1A to 1D are schematic cross-sectional views of the sequential steps of the fundamental pattern forming method that is the basis of the pattern forming method according to the present invention, and FIG. 2 corresponds to the step of FIG. 1 C. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an actual process corresponding to the process of FIG. 1D when a conventional pattern forming method is used; FIG. 5 is a curve diagram for explaining the pattern forming method according to the present invention, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view in the step shown in FIG. 1D when the pattern forming method according to the present invention is used. In the figure, 1 is a substrate, 2 is a stencil layer, 3, 4, and 6 are layers, 4' is an unnecessary layer, and 6', 6'', and 6 are residues.
Claims (1)
ンシル層を形成する第1の工程と、上記基板上の
上記ステンシル層の形成されていない領域上に所
要の第1の層を、上記ステンシル層上の第2の層
の形成を伴なつて形成する第2の工程と、上記ス
テンシル層を溶去することによつて、当該ステン
シル層を上記基板上より除去すると共にこれに伴
い上記第2の層を除去する第3の工程とを含ん
で、上記第1の層による所望のパターンを形成す
るパターン形成法に於て、 上記第2の工程が、上記ステンシル層を、その
良溶媒と貧溶媒との混液を用いて膨潤せしめる処
理と、該処理に続いて上記ステンシル層をその良
溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記ステンシ
ル層に80〜200kHzの周波数を有する超音波の振
動を与える処理とを含む事を特徴とするパターン
形成法。 2 所要の基板上に所望のパターンを有するステ
ンシル層を形成する第1の工程と、上記基板上の
上記ステンシル層の形成されていない領域上に所
要の第1の層を、上記ステンシル層上の第2の層
の形成を伴なつて形成する第2の工程と、上記ス
テンシル層を溶去することによつて、当該ステン
シル層を上記基板上より除去すると共にこれに伴
い上記第2の層を除去する第3の工程とを含ん
で、上記第1の層による所望のパターンを形成す
るパターン形成法に於て、 上記第2の工程が、上記ステンシル層をその良
溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記ステンシ
ル層に20〜50kHzの周波数を有する超音波振動を
与える処理と、該処理に続いて上記ステンシル層
をその良溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記
ステンシル層に80〜200kHzの周波数を有する超
音波の振動を与える処理とを含む事を特徴とする
パターン形成法。[Claims] 1. A first step of forming a stencil layer having a desired pattern on a desired substrate, and forming a desired first layer on a region of the substrate where the stencil layer is not formed. , a second step of forming a second layer on the stencil layer, and removing the stencil layer from the substrate by dissolving the stencil layer; and a third step of removing the second layer, in which the second step removes the stencil layer from its good quality. A swelling treatment is performed using a mixture of a solvent and a poor solvent, and following this treatment, the stencil layer is immersed in the good solvent, and the stencil layer is exposed to ultrasonic waves having a frequency of 80 to 200 kHz. A pattern forming method characterized by including a process of applying vibration. 2. A first step of forming a stencil layer with a desired pattern on a desired substrate, and forming a desired first layer on a region of the substrate where the stencil layer is not formed, and forming a desired first layer on the stencil layer. A second step of forming a second layer, and removing the stencil layer from the substrate by dissolving the stencil layer, and thereby removing the second layer. and a third step of removing the stencil layer to form a desired pattern using the first layer, wherein the second step is immersing the stencil layer in its good solvent. The stencil layer is subjected to ultrasonic vibration with a frequency of 20 to 50 kHz while the stencil layer is in a state where the stencil layer is immersed in a good solvent. A pattern forming method characterized by comprising: applying ultrasonic vibrations having a frequency of .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Formation of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Formation of pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856423A JPS5856423A (en) | 1983-04-04 |
| JPH0119256B2 true JPH0119256B2 (en) | 1989-04-11 |
Family
ID=15606662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155466A Granted JPS5856423A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Formation of pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856423A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2690975B2 (en) * | 1988-11-11 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | Method and apparatus for removing photoresist |
| US6634235B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-10-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Load sensor with strain-sensing elements |
| JP2017098304A (en) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | Piezoelectric device, sensor device, and power generation device |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155466A patent/JPS5856423A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5856423A (en) | 1983-04-04 |
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