JPH0121513B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0121513B2 JPH0121513B2 JP55010176A JP1017680A JPH0121513B2 JP H0121513 B2 JPH0121513 B2 JP H0121513B2 JP 55010176 A JP55010176 A JP 55010176A JP 1017680 A JP1017680 A JP 1017680A JP H0121513 B2 JPH0121513 B2 JP H0121513B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- actel
- brightness
- hybrid
- waveform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流励振薄膜電界発光（ACTEL）装
置に関し、さらに具体的にはこの型の装置のメモ
リ効果及び輝度を改良する方法に関する。
置に関し、さらに具体的にはこの型の装置のメモ
リ効果及び輝度を改良する方法に関する。
本発明の目的はACTEL装置を動作させる改良
方法を与える事にある。
方法を与える事にある。
本発明の他の目的は広いメモリ・ループ幅を有
するACTEL装置を与えるための改良方法を与え
る事にある。
するACTEL装置を与えるための改良方法を与え
る事にある。
本発明のさらに他の目的はより遅いメモリ減衰
時間を有するACTEL装置を与える改良方法を与
える事にある。
時間を有するACTEL装置を与える改良方法を与
える事にある。
本発明のさらに他の目的は、電圧降伏を引き起
こす可能性を増大させる事なく、より高い輝度の
呈するACTEL装置の動作方法を提供する事にあ
る。
こす可能性を増大させる事なく、より高い輝度の
呈するACTEL装置の動作方法を提供する事にあ
る。
ACTEL装置中の固有のメモリ効果はMn添加
ZnS ACTEL装置中で今日多大の興味がもたれて
いるものである。代表的には、ACTEL装置は
0.5μｍ乃至1.0μｍの厚さを有するZnS：Mn薄膜の
層より成り、該層はZnSと略同一の全厚さの１対
の誘導体層によつてはさまれている。アモルフア
スBaTiO3の如き種々の誘電体材料が使用されて
いる。この構造体は少なく共１方が部分的に透明
な２つの導体間にサンドウイツチされる。
ZnS ACTEL装置中で今日多大の興味がもたれて
いるものである。代表的には、ACTEL装置は
0.5μｍ乃至1.0μｍの厚さを有するZnS：Mn薄膜の
層より成り、該層はZnSと略同一の全厚さの１対
の誘導体層によつてはさまれている。アモルフア
スBaTiO3の如き種々の誘電体材料が使用されて
いる。この構造体は少なく共１方が部分的に透明
な２つの導体間にサンドウイツチされる。
ACTEL装置は通常メモリ効果と呼ばれ、第１
図に示されている輝度対電圧振幅ヒステリス・ル
ープを示す。メモリ効果は発光が開始してVPに
おいて最大値に達する限定の良いAC電圧閾値振
幅によつて特徴付けられる。一度電界発光が得ら
れる一点に迄電圧振幅が増大すると発光の消滅は
低い電圧振幅において生ずる。消滅及びターンオ
ン電圧振幅間で装置は連続した安定な輝度状態を
有し、この間でこれ等の状態の輝度は電圧振幅の
履歴に依存する。このメモリ効果は正弦波、方形
波及びメモリの極性が交代するメモリ励振で検証
される。第２図は従来の励振のパルス・モードの
１例を示す。パルス・モードは高輝度を達成し、
しかも、装置に電圧降伏をもたらすことがないと
いう利点を有する。しかしながら、このパルス・
モードは速いメモリ減衰を示すという欠点を有す
る。
図に示されている輝度対電圧振幅ヒステリス・ル
ープを示す。メモリ効果は発光が開始してVPに
おいて最大値に達する限定の良いAC電圧閾値振
幅によつて特徴付けられる。一度電界発光が得ら
れる一点に迄電圧振幅が増大すると発光の消滅は
低い電圧振幅において生ずる。消滅及びターンオ
ン電圧振幅間で装置は連続した安定な輝度状態を
有し、この間でこれ等の状態の輝度は電圧振幅の
履歴に依存する。このメモリ効果は正弦波、方形
波及びメモリの極性が交代するメモリ励振で検証
される。第２図は従来の励振のパルス・モードの
１例を示す。パルス・モードは高輝度を達成し、
しかも、装置に電圧降伏をもたらすことがないと
いう利点を有する。しかしながら、このパルス・
モードは速いメモリ減衰を示すという欠点を有す
る。
第３図は同様に従来技法において使用された動
作の方形波モードを示す。方形波モードはメモリ
の減衰が遅いという利点を有する。このモードは
輝度が低く、また、比較的長い期間電圧が印加さ
れるので、ACTEL装置の誘電体層中に含まれる
不純物または欠陥がより一層加熱され、ついには
それらが導電性となつて装置の電圧降伏につなが
る可能性が高まるという欠点を有する。
作の方形波モードを示す。方形波モードはメモリ
の減衰が遅いという利点を有する。このモードは
輝度が低く、また、比較的長い期間電圧が印加さ
れるので、ACTEL装置の誘電体層中に含まれる
不純物または欠陥がより一層加熱され、ついには
それらが導電性となつて装置の電圧降伏につなが
る可能性が高まるという欠点を有する。
交流（AC）励振薄膜電界発光（ACTEL）装
置のメモリ効果及び輝度を改良するための方法に
ついて以下説明される。代表的ACTEL装置は
Mnが添加されたZnS薄膜で形成された薄い発光
層を有し、この発光層はアモルフアスBaTiO3の
如き材料の２つの誘電体層間にサンドウイツチさ
れている。この構造体は少なく共１方が部分的に
透明な２つの導体間にサンドウイツチされてい
る。ACTEL装置は通常メモリ効果として参照さ
れている輝度対電圧振幅履歴ループを示す。混成
AC励振波形をACTEL装置に印加する事は輝度
の増大及びメモリ効果の安定度を与える。本発明
の混成波形はキヤリア発生のためには十分高い初
期立上りパルス部分を有する。この最初の部分の
レベルはパルス励振を受ける装置の破壊電圧以下
でなくてはならない。この初期部分は200ns乃至
10マイクロｓ間継続する。残りの波形の部分は最
初の部分よりも低いレベルにあり主として電荷の
収集と保持の目的を有する。この第２の電圧レベ
ル部分はDC装置破壊電圧以下である電圧にある。
残りの波形部分は10マイクロｓから約1sの時間保
持される。
置のメモリ効果及び輝度を改良するための方法に
ついて以下説明される。代表的ACTEL装置は
Mnが添加されたZnS薄膜で形成された薄い発光
層を有し、この発光層はアモルフアスBaTiO3の
如き材料の２つの誘電体層間にサンドウイツチさ
れている。この構造体は少なく共１方が部分的に
透明な２つの導体間にサンドウイツチされてい
る。ACTEL装置は通常メモリ効果として参照さ
れている輝度対電圧振幅履歴ループを示す。混成
AC励振波形をACTEL装置に印加する事は輝度
の増大及びメモリ効果の安定度を与える。本発明
の混成波形はキヤリア発生のためには十分高い初
期立上りパルス部分を有する。この最初の部分の
レベルはパルス励振を受ける装置の破壊電圧以下
でなくてはならない。この初期部分は200ns乃至
10マイクロｓ間継続する。残りの波形の部分は最
初の部分よりも低いレベルにあり主として電荷の
収集と保持の目的を有する。この第２の電圧レベ
ル部分はDC装置破壊電圧以下である電圧にある。
残りの波形部分は10マイクロｓから約1sの時間保
持される。
第４図に示された如き初期立上りパルスを有す
る混成AC励振方波形がACTEL装置に印加され
た。波形の最初の電圧レベル部分１２Ａは電圧レ
ベルVPを有する。VPは電界発光の輝度を得るた
めに十分高い電圧であるがパルス励振下にある装
置の破壊電圧以下である。最初の電圧レベル部分
１２Ａは時間tPの間保持される。時間tPは200ns
から10マイクロｓの範囲にある事が好ましい。
る混成AC励振方波形がACTEL装置に印加され
た。波形の最初の電圧レベル部分１２Ａは電圧レ
ベルVPを有する。VPは電界発光の輝度を得るた
めに十分高い電圧であるがパルス励振下にある装
置の破壊電圧以下である。最初の電圧レベル部分
１２Ａは時間tPの間保持される。時間tPは200ns
から10マイクロｓの範囲にある事が好ましい。
第２の電圧レベル部分１４Ａは第１の部分以下
の電圧レベルにあり、電荷の収集と保持の目的を
有する。第２の電圧レベル部分はDC装置破壊電
圧以下である電圧にある。一般に誘電体のための
DC装置破壊電圧はパルス励振に対する破壊電圧
より低い。第２の電圧レベル部分は時間tHの間保
持される。時間tHは好ましくは10マイクロｓ乃至
1sの範囲にある事が好ましい。第４図に示される
混成波形は輝度を増大し、メモリ効果の安定度を
改良する。
の電圧レベルにあり、電荷の収集と保持の目的を
有する。第２の電圧レベル部分はDC装置破壊電
圧以下である電圧にある。一般に誘電体のための
DC装置破壊電圧はパルス励振に対する破壊電圧
より低い。第２の電圧レベル部分は時間tHの間保
持される。時間tHは好ましくは10マイクロｓ乃至
1sの範囲にある事が好ましい。第４図に示される
混成波形は輝度を増大し、メモリ効果の安定度を
改良する。
各正の混成波形１２Ａ及び１４Ａには部分１２
Ｂ及び１４Ｂを有する負の混成波形が続く。負の
混成波形は正の混成波形と同一寸法及び形状を有
する。
Ｂ及び１４Ｂを有する負の混成波形が続く。負の
混成波形は正の混成波形と同一寸法及び形状を有
する。
ACTEL装置に対し第４図に示された混成AC
励振波形を印加する事は50％の程度のメモリ・ル
ープ幅の増大、誘電体上の与えられた応力に対し
て約100％の輝度の増大、コントラスト比の著し
い改良及びより安定なオン状態メモリを生ずる。
この方法は同様に発光対電圧振幅VHのより鋭い
オンセツトを与える。
励振波形を印加する事は50％の程度のメモリ・ル
ープ幅の増大、誘電体上の与えられた応力に対し
て約100％の輝度の増大、コントラスト比の著し
い改良及びより安定なオン状態メモリを生ずる。
この方法は同様に発光対電圧振幅VHのより鋭い
オンセツトを与える。
第５図はバーストを示す、初期立上りパルスを
有する混成方形波を示す互換実施例である。第５
図は第５図がオフ期間１６を含む点を除き第４図
と類似している。
有する混成方形波を示す互換実施例である。第５
図は第５図がオフ期間１６を含む点を除き第４図
と類似している。
第６図はパルス・モードで初期立上りパルス・
モードを有する混成方形波の互換実施例である。
これは正及び負電圧波形間にタイム・オフ１８を
有する点を除いて第４図と類似している。第４〜
第６図において、VPに延びる励振波形のオーバ
ーシユート部分は方形パルスとして理想的に示さ
れている。しかしながら時間間隔tPで振幅VPの任
意の単調に立上り及び減衰するパルス形状が同様
の利点を生ずる。
モードを有する混成方形波の互換実施例である。
これは正及び負電圧波形間にタイム・オフ１８を
有する点を除いて第４図と類似している。第４〜
第６図において、VPに延びる励振波形のオーバ
ーシユート部分は方形パルスとして理想的に示さ
れている。しかしながら時間間隔tPで振幅VPの任
意の単調に立上り及び減衰するパルス形状が同様
の利点を生ずる。
ACTEL装置の混成AC励振波形を適用する本
発明の方法の利点は輝度を増大し、メモリ効果の
安定度を改良する点にある。本発明はパルス・モ
ード動作及び方形波モードの利点を保存し、他方
これ等の２つのモードの欠点を除去する。さら
に、これ等の利点は、装置に電圧降伏をもたらす
おそれがなく実現する事ができるのである。
発明の方法の利点は輝度を増大し、メモリ効果の
安定度を改良する点にある。本発明はパルス・モ
ード動作及び方形波モードの利点を保存し、他方
これ等の２つのモードの欠点を除去する。さら
に、これ等の利点は、装置に電圧降伏をもたらす
おそれがなく実現する事ができるのである。
実施例 １
0.6ミクロンの厚さのZnS：Mn層及び0.6の原子
量％のMnを含むACTEL装置が各約0.5ミクロン
の厚さのアモルフアスBaTiO3層間にサンドウイ
ツチされた。透明な底面のインジウム−酸化錫電
極及び上部のアルミニウム電極が装置を完成す
る。
量％のMnを含むACTEL装置が各約0.5ミクロン
の厚さのアモルフアスBaTiO3層間にサンドウイ
ツチされた。透明な底面のインジウム−酸化錫電
極及び上部のアルミニウム電極が装置を完成す
る。
第４図に示された型の方形波混成波が印加され
た。tP＝300ns及びtH＝100マイクロｓでVPが
1.2VHに等しいとして、VHは第７図の曲線３０に
示された如く変化された。第３図に示された型の
従来の方形波に印加され、曲線３２が得られた。
た。tP＝300ns及びtH＝100マイクロｓでVPが
1.2VHに等しいとして、VHは第７図の曲線３０に
示された如く変化された。第３図に示された型の
従来の方形波に印加され、曲線３２が得られた。
本発明に従う、曲線３０はメモリ・ループの幅
が従来の曲線３２よりも60％以上大きい事を示し
ている。同一VHに対し方形波混成波を使用した
場合、輝度（図示されず）は従来の曲線３２より
も100％増大した。曲線３０内の１電圧に対する
オン輝度−オフ輝度として定義されたコントラス
ト比は従来の曲線３２の場合よりも高くなる。オ
フ状態メモリ輝度の安定度は曲線３２に対する場
合よりも曲線３０の場合に対してより長くなる。
が従来の曲線３２よりも60％以上大きい事を示し
ている。同一VHに対し方形波混成波を使用した
場合、輝度（図示されず）は従来の曲線３２より
も100％増大した。曲線３０内の１電圧に対する
オン輝度−オフ輝度として定義されたコントラス
ト比は従来の曲線３２の場合よりも高くなる。オ
フ状態メモリ輝度の安定度は曲線３２に対する場
合よりも曲線３０の場合に対してより長くなる。
本発明はメモリ効果を示すACTEL装置につい
て説明されたが、同一混成波形はメモリ効果を示
さないACTEL装置の動作においても利点を有す
る。即ち、メモリ効果を示さないACTEL装置に
おいても、本発明は、電圧降伏を引き起こす事な
く、高い電圧を印加して高輝度を達成するという
効果を奏するものである。
て説明されたが、同一混成波形はメモリ効果を示
さないACTEL装置の動作においても利点を有す
る。即ち、メモリ効果を示さないACTEL装置に
おいても、本発明は、電圧降伏を引き起こす事な
く、高い電圧を印加して高輝度を達成するという
効果を奏するものである。
第１図はACTEL装置のメモリ効果を示した図
である。第２図は従来技法で使用された交流のパ
ルス・モードを示した図である。第３図は従来技
法中で使用された交流の方形波モードを示した図
である。第４図は本発明に従う混成波励振の波形
図である。第５図はバーストをなす混成波励振の
波形図である。第６図はパルス・モードの混成波
励振の波形図である。第７図は従来技法の方形波
形及び混成波励振に対する装置の輝度対電圧振
幅、VHのプロツトである。
である。第２図は従来技法で使用された交流のパ
ルス・モードを示した図である。第３図は従来技
法中で使用された交流の方形波モードを示した図
である。第４図は本発明に従う混成波励振の波形
図である。第５図はバーストをなす混成波励振の
波形図である。第６図はパルス・モードの混成波
励振の波形図である。第７図は従来技法の方形波
形及び混成波励振に対する装置の輝度対電圧振
幅、VHのプロツトである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ AC励振薄膜電界発光装置に、キヤリア発生
のための第１の電圧レベル部分と、該第１のレベ
ル部分にゼロ・レベルを経る事なく階段状に連続
し、電荷収集及び保持の目的のみを有する混成励
振波形を印加する段階を有し、以てAC励振薄膜
電界発光装置のメモリ効果及び輝度を向上させる
ようにした、AC励振薄膜電界発光装置の動作方
法。 ２ 上記混成励振波形がパルス・モードで印加さ
れる事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
AC励振薄膜電界発光装置の動作方法。 ３ 上記混成励振波形がバースト・モードで印加
される事を特徴とする特許請求の範囲１項記載の
AC励振薄膜電界発光装置の動作方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/974,180 US4275336A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Method of improving the memory effect and brightness of an alternating current excited thin film electroluminscent device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55118090A JPS55118090A (en) | 1980-09-10 |
| JPH0121513B2 true JPH0121513B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=25521702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017680A Granted JPS55118090A (en) | 1979-03-05 | 1980-02-01 | Method of operating ac excited thin film electroluminescence unit |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4275336A (ja) |
| EP (1) | EP0016926B1 (ja) |
| JP (1) | JPS55118090A (ja) |
| AU (1) | AU527313B2 (ja) |
| CA (1) | CA1135386A (ja) |
| DE (1) | DE3062918D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818913A (en) * | 1981-07-31 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Aging method for thin-film electroluminescent display panel |
| FI64248C (fi) * | 1982-02-17 | 1983-10-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och koppling foer styrning av bildaotergivning ochisynnerhet vaexelstroems-elektroluminensaotergivning |
| JPS5957288A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | シチズン時計株式会社 | マトリクス表示装置の駆動方法 |
| US4646079A (en) * | 1984-09-12 | 1987-02-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-scanning electroluminescent display |
| US4839563A (en) * | 1987-05-28 | 1989-06-13 | Gte Products Corporation | Pulse burst panel drive for electroluminescent displays |
| US5280278A (en) * | 1988-12-19 | 1994-01-18 | Rockwell International Corporation | TFEL matrix panel drive technique with improved brightness |
| JP2620585B2 (ja) * | 1989-01-31 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法および装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350506A (en) * | 1967-10-31 | Image forming screen utilizing electroluminescent, ferroelectric and photcconductive materials | ||
| US3021387A (en) * | 1956-04-13 | 1962-02-13 | Rca Corp | Electrical display device |
| US3048824A (en) * | 1958-07-10 | 1962-08-07 | Westinghouse Electric Corp | Signal distribution system for distributing intelligence signals from a single source to a plurality of utilization channels |
| US2922076A (en) * | 1958-08-20 | 1960-01-19 | Westinghouse Electric Corp | Display device |
| US2972694A (en) * | 1959-08-12 | 1961-02-21 | Westinghouse Electric Corp | Method of operating electroluminescent cell |
| US3393346A (en) * | 1965-10-13 | 1968-07-16 | Rca Corp | Excitation circuits for an array of electrical elements |
| US3246162A (en) * | 1965-03-24 | 1966-04-12 | Rca Corp | Electroluminescent device having a field-effect transistor addressing system |
| US3452199A (en) * | 1966-05-03 | 1969-06-24 | Bell Telephone Labor Inc | Detection and utilization of heat and infrared radiation emitted by magnetic elements during magnetic reversal thereof |
| US3550095A (en) * | 1967-05-02 | 1970-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Luminescent memory and display device |
| US3521244A (en) * | 1968-10-23 | 1970-07-21 | Rca Corp | Electrical circuit for processing periodic signal pulses |
| US3651493A (en) * | 1969-11-20 | 1972-03-21 | Bell Telephone Labor Inc | Solid state traveling display circuit |
| GB1412268A (en) * | 1972-11-28 | 1975-10-29 | Secr Defence | Electroluminescent devices |
| US4024389A (en) * | 1973-06-15 | 1977-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-image memory panel and activating method therefor |
| DE2503224B2 (de) * | 1974-01-25 | 1978-10-05 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Verfahren zur Steuerung einer zur Lichtaussendung anregbaren Speichermatrix |
| JPS514988A (en) * | 1974-07-01 | 1976-01-16 | Sharp Kk | Sansokozohakumaku el soshino kudohoho |
| IT1086808B (it) * | 1976-01-16 | 1985-05-31 | Owens Illinois Inc | Perfezionamento nei dispositivi di presentazione a scarica in gas |
-
1979
- 1979-03-05 US US05/974,180 patent/US4275336A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-01-14 AU AU54594/80A patent/AU527313B2/en not_active Ceased
- 1980-01-18 CA CA000344003A patent/CA1135386A/en not_active Expired
- 1980-02-01 DE DE8080100498T patent/DE3062918D1/de not_active Expired
- 1980-02-01 EP EP80100498A patent/EP0016926B1/en not_active Expired
- 1980-02-01 JP JP1017680A patent/JPS55118090A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3062918D1 (en) | 1983-06-09 |
| AU5459480A (en) | 1980-09-11 |
| US4275336A (en) | 1981-06-23 |
| EP0016926B1 (en) | 1983-05-04 |
| EP0016926A1 (en) | 1980-10-15 |
| JPS55118090A (en) | 1980-09-10 |
| CA1135386A (en) | 1982-11-09 |
| AU527313B2 (en) | 1983-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Smith | Modeling ac thin-film electroluminescent devices | |
| US3975661A (en) | Driving method for a thin-film electroluminescent element of a three-layer construction | |
| Simmons et al. | New thin-film resistive memory | |
| JPH0158639B2 (ja) | ||
| JPH0121513B2 (ja) | ||
| JP3432986B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2728567B2 (ja) | Ｅｌパネルのエージング方法 | |
| JPS5857190A (ja) | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 | |
| US4518891A (en) | Resistive mesh structure for electroluminescent cell | |
| Ohwaki et al. | Stacked Insulator Structure Thin‐Film Electroluminescent Display Devices | |
| JPH0123917B2 (ja) | ||
| Vacek | Electroluminescence of AgCl Crystals Excited by Short Field Pulses | |
| Sahni et al. | Device characterization of an electron-beam-switched thin-film ZnS: Mn electroluminescent faceplate | |
| JPS6016078B2 (ja) | 薄膜発光素子 | |
| Pham et al. | Electrical characterization of blue electroluminescent devices | |
| JPS63916B2 (ja) | ||
| JPS636772A (ja) | Ｅｌ素子の駆動方法 | |
| JPS5823189A (ja) | 薄膜ｅｌ素子のエ−ジング方法 | |
| JPS6089098A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 | |
| JPS61273893A (ja) | 螢光体薄膜の製造法 | |
| JPH02126589A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPS62145696A (ja) | エレクトロルミネツセント素子 | |
| JPH0377297A (ja) | Ｅｌ表示装置の階調表示方法 | |
| JPS61256589A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JPH0343629B2 (ja) |