JPH0122012B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0122012B2 JPH0122012B2 JP56070792A JP7079281A JPH0122012B2 JP H0122012 B2 JPH0122012 B2 JP H0122012B2 JP 56070792 A JP56070792 A JP 56070792A JP 7079281 A JP7079281 A JP 7079281A JP H0122012 B2 JPH0122012 B2 JP H0122012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction tower
- temperature
- desulfurization
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Chimneys And Flues (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反応塔にアルカリ溶液等を噴霧して
ガス中の硫黄酸化物と中和反応をさせ、後置のバ
グフイルターにて反応生成物及び未反応物を捕集
する半乾式脱硫装置に関する。
ガス中の硫黄酸化物と中和反応をさせ、後置のバ
グフイルターにて反応生成物及び未反応物を捕集
する半乾式脱硫装置に関する。
半乾式脱硫装置では反応塔出口温度が低い程そ
の脱硫率は高いが反応生成物を乾粉で捕集する為
には飽和温度より15〜20℃高に保つ必要がある。
この部分での５〜10℃は脱硫率に大きく影響す
る。
の脱硫率は高いが反応生成物を乾粉で捕集する為
には飽和温度より15〜20℃高に保つ必要がある。
この部分での５〜10℃は脱硫率に大きく影響す
る。
従つて、反応塔出口温度を飽和温度より５〜10
℃高い温度に制御し、加熱装置で100℃付近に加
熱バグフイルターに導くことを特徴とする。従来
は排ガスの一部をバイパスして加熱用に利用して
いた。
℃高い温度に制御し、加熱装置で100℃付近に加
熱バグフイルターに導くことを特徴とする。従来
は排ガスの一部をバイパスして加熱用に利用して
いた。
第１図にそのフローを示す。即ち、アルカリス
ラリー又は溶液を噴霧乾燥させる反応塔２の上部
よりスラリーをノズル３で噴霧し、その後にバグ
フイルター４を設置して、ダスト、反応生成物及
び過剰アルカリ粉を捕集し、清浄化されたガスは
煙突５より大気に放出する反応塔及びバグフイル
ターで捕集されたダスト、反応生成物はホツパ６
を機外に排出する。
ラリー又は溶液を噴霧乾燥させる反応塔２の上部
よりスラリーをノズル３で噴霧し、その後にバグ
フイルター４を設置して、ダスト、反応生成物及
び過剰アルカリ粉を捕集し、清浄化されたガスは
煙突５より大気に放出する反応塔及びバグフイル
ターで捕集されたダスト、反応生成物はホツパ６
を機外に排出する。
反応塔とバグフイルターで構成される従来の半
乾式脱硫装置では反応塔出口温度を約70℃（飽和
温度＋約20℃）以下にできない。しかるに脱硫率
はこの出口温度が低い程高くなる。又、建設費及
び運転費を比較すると半乾式は湿式法の約半分で
ある。従つて所要脱硫率が高くなると、湿式を採
用する必要があり、反応塔出口温度70℃では外気
条件によつてはガス中の水蒸気が凝縮し、所詮白
煙を発生する。この防止法としては排ガスの一部
を反応塔をバイパスさせ、混合させる方法を採用
している。しかし、この方法では脱硫率が低下す
る。又、アフターバーナーを煙突直前に設置する
方法があるが、燃料費が大となり好ましくない。
又、出口温度70℃では白煙問題の外に排ガスの拡
散が悪くなるので上記と同様再加熱が必要とな
る。
乾式脱硫装置では反応塔出口温度を約70℃（飽和
温度＋約20℃）以下にできない。しかるに脱硫率
はこの出口温度が低い程高くなる。又、建設費及
び運転費を比較すると半乾式は湿式法の約半分で
ある。従つて所要脱硫率が高くなると、湿式を採
用する必要があり、反応塔出口温度70℃では外気
条件によつてはガス中の水蒸気が凝縮し、所詮白
煙を発生する。この防止法としては排ガスの一部
を反応塔をバイパスさせ、混合させる方法を採用
している。しかし、この方法では脱硫率が低下す
る。又、アフターバーナーを煙突直前に設置する
方法があるが、燃料費が大となり好ましくない。
又、出口温度70℃では白煙問題の外に排ガスの拡
散が悪くなるので上記と同様再加熱が必要とな
る。
従つて、従来の半乾式脱硫装置においては、出
口ガス温度を低くできない為、脱硫率が低く、白
煙発生があり、拡散が悪い為、加熱の必要があ
り、バイパス加熱では脱硫率が低下し、アフター
バーナー加熱では燃料費が高いなどの欠点があつ
た。
口ガス温度を低くできない為、脱硫率が低く、白
煙発生があり、拡散が悪い為、加熱の必要があ
り、バイパス加熱では脱硫率が低下し、アフター
バーナー加熱では燃料費が高いなどの欠点があつ
た。
本発明はかかる従来の半乾式脱硫装置の欠点を
解決するもので、燃料費が不要な回点型ヒーター
を用い、入口煙道ガスのもつ熱エネルギーにより
出口ガス温度を100℃付近まで加熱すると同時に
反応塔出口ガス温度を飽和温度プラス５〜10℃に
制御する脱硫装置を提供するものである。
解決するもので、燃料費が不要な回点型ヒーター
を用い、入口煙道ガスのもつ熱エネルギーにより
出口ガス温度を100℃付近まで加熱すると同時に
反応塔出口ガス温度を飽和温度プラス５〜10℃に
制御する脱硫装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する
と、第１図に示す従来の半乾式法では反応塔２の
入口温度は150℃で、出口ガス温度に飽和温度＋
約20℃であるが、第２図に示す本発明の装置で
は、回転式ヒーター７を反応塔出口に設置し、飽
和温度＋20℃のガス温度を約100℃に加熱後、バ
グフイルター４に導き、脱塵及び第二次の脱硫を
行ない清浄ガスを煙突より排出する。一方、入口
ガスは回転式ヒーターにて150℃より約100〜130
℃に減温の上、反応塔入口に導かれる。
と、第１図に示す従来の半乾式法では反応塔２の
入口温度は150℃で、出口ガス温度に飽和温度＋
約20℃であるが、第２図に示す本発明の装置で
は、回転式ヒーター７を反応塔出口に設置し、飽
和温度＋20℃のガス温度を約100℃に加熱後、バ
グフイルター４に導き、脱塵及び第二次の脱硫を
行ない清浄ガスを煙突より排出する。一方、入口
ガスは回転式ヒーターにて150℃より約100〜130
℃に減温の上、反応塔入口に導かれる。
本発明装置において、従来の半乾式法では飽和
温度＋20℃で大気に放出させていたガスが約100
℃に加熱されるので、白煙の発生が防止され、且
つ、拡散効果も上がる。一方、バグフイルターの
運転温度が飽和温度より50℃位高くなるのでミス
トによる布の目詰りの怖れは軽減でき、且つ、
バグで捕集されたダストの性状も良くなるので搬
送が容易となる。
温度＋20℃で大気に放出させていたガスが約100
℃に加熱されるので、白煙の発生が防止され、且
つ、拡散効果も上がる。一方、バグフイルターの
運転温度が飽和温度より50℃位高くなるのでミス
トによる布の目詰りの怖れは軽減でき、且つ、
バグで捕集されたダストの性状も良くなるので搬
送が容易となる。
一方、所要脱硫率を高くする必要が生じた場合
には、反応塔出口ガス温度を飽和温度＋20℃より
＋10℃に低下させることにより高脱硫率を得るこ
とができる。一方、回転式ヒーターには数％のガ
スのリークがある。
には、反応塔出口ガス温度を飽和温度＋20℃より
＋10℃に低下させることにより高脱硫率を得るこ
とができる。一方、回転式ヒーターには数％のガ
スのリークがある。
回転式ヒーターは現在湿式ガス吸収装置の後流
側に設置する例が多いが、リークガスによる清浄
ガスの再汚染があるが本装置の場合はダスト、反
応生成物及び過剰アルカリ（未反応アルカリ）粉
の５％が反応塔で残りの95％はバグフイルターで
捕集される。従つて、布の表面の未反応アルカ
リ粉とリークした排ガス中の硫黄酸化物が反応を
するので脱硫率の低下はない、又、リークガス中
のダストはこのバグで完全に捕集されるので、リ
ークガスによる清浄ガスの再汚染は発生しない。
即ち、排ガスのもつ熱エネルギーを有効利用し、
脱硫率の上昇、白煙防止及び拡散効率の上昇が得
られる。且つ、バグフイルターの安全運転が一層
容易となる。
側に設置する例が多いが、リークガスによる清浄
ガスの再汚染があるが本装置の場合はダスト、反
応生成物及び過剰アルカリ（未反応アルカリ）粉
の５％が反応塔で残りの95％はバグフイルターで
捕集される。従つて、布の表面の未反応アルカ
リ粉とリークした排ガス中の硫黄酸化物が反応を
するので脱硫率の低下はない、又、リークガス中
のダストはこのバグで完全に捕集されるので、リ
ークガスによる清浄ガスの再汚染は発生しない。
即ち、排ガスのもつ熱エネルギーを有効利用し、
脱硫率の上昇、白煙防止及び拡散効率の上昇が得
られる。且つ、バグフイルターの安全運転が一層
容易となる。
第１図は従来の半乾式脱硫装置の工程系統図。
第２図は本発明の半乾式脱硫装置の工程系統図で
ある。 尚、図中の主要部の符号は次の通りである。１
……煙道、２……反応塔、３……ノズル、４……
バグフイルター、５……煙突、６……ホツパ、７
……回転式ヒーター。
第２図は本発明の半乾式脱硫装置の工程系統図で
ある。 尚、図中の主要部の符号は次の通りである。１
……煙道、２……反応塔、３……ノズル、４……
バグフイルター、５……煙突、６……ホツパ、７
……回転式ヒーター。
Claims (1)
- １ 反応塔にアルカリ溶液又はスラリーを噴霧し
て排ガス中の硫黄酸化物と中和反応をさせ、且
つ、排ガスの保有熱により液を完全蒸発させ、後
置のバグフイルターでダスト、反応生成物及び未
反応乾燥アルカリ粉を捕集する半乾式脱硫装置に
おいて、上記反応塔とバグフイルターとの間に回
転式ヒーターを設置して、該反応塔出口のガスを
該回転式ヒーターにより上記排ガスと熱交換して
昇温後バグフイルターに導き脱塵及び脱硫を行う
ことを特徴とする半乾式脱硫装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56070792A JPS57187021A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Waste gas processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56070792A JPS57187021A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Waste gas processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57187021A JPS57187021A (en) | 1982-11-17 |
| JPH0122012B2 true JPH0122012B2 (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=13441736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56070792A Granted JPS57187021A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Waste gas processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57187021A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105817100A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-08-03 | 宁波钢铁有限公司 | 烧结一次混合机烟尘污染治理方法及系统 |
| CN110801698A (zh) * | 2019-09-28 | 2020-02-18 | 亿利洁能科技（乐陵）有限公司 | 一种生产蒸汽用燃煤锅炉烟气除尘脱硫工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50121171A (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-22 | ||
| US4197278B1 (en) * | 1978-02-24 | 1996-04-02 | Abb Flakt Inc | Sequential removal of sulfur oxides from hot gases |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP56070792A patent/JPS57187021A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57187021A (en) | 1982-11-17 |
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