JPH0125442B2 - - Google Patents
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- JPH0125442B2 JPH0125442B2 JP57209374A JP20937482A JPH0125442B2 JP H0125442 B2 JPH0125442 B2 JP H0125442B2 JP 57209374 A JP57209374 A JP 57209374A JP 20937482 A JP20937482 A JP 20937482A JP H0125442 B2 JPH0125442 B2 JP H0125442B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
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- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子回路に用いられるフイルタ、イ
コライザ等の集積化に好適な集積回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an integrated circuit suitable for integrating filters, equalizers, etc. used in electronic circuits.
従来、電子回路では、所望の信号を得るため、
低域、高域、帯域通過フイルタ(以降LPF,
HPF,BPFと略す)や位相等化器を用いている。
しかし、これらは下記の理由で集積化が困難なた
め、一般にこれらを集積回路(以降ICと略す)
外の外付けの抵抗、コンデンサ、インダクタンス
で構成しており、部品点数の増加を招いていた。
このためこれらフイルタ類が、電子回路の小型・
軽量化、コスト低減を阻む大きな要因となつてい
た。特に機動性を重視するポータブル機器におい
ては、小型・軽量化が重要な基本性能となつてお
り、これまで上記フイルタ類のICへの集積化に
苦慮していた。以下フイルタ、イコライザが簡単
な構成で集積化に不都合な点を説明する。
Conventionally, in electronic circuits, in order to obtain the desired signal,
Low-pass, high-pass, and bandpass filters (hereinafter referred to as LPF)
HPF, BPF) and a phase equalizer are used.
However, these are difficult to integrate for the following reasons, so they are generally referred to as integrated circuits (hereinafter abbreviated as IC).
It consists of external resistors, capacitors, and inductances, which increases the number of components.
For this reason, these filters are used in small electronic circuits and
This was a major factor hindering efforts to reduce weight and cost. Particularly in portable equipment where mobility is important, miniaturization and weight reduction are important basic performances, and up until now it has been difficult to integrate the above filters into ICs. Below, we will explain the disadvantages of integrating filters and equalizers with simple configurations.
第1に、ICでは、同一チツプ内に形成されて
も集積化素子の絶対値精度は悪く(通常±20〜30
%)、集積化抵抗、集積化容量を用いて高精度な
フイルタあるいはイコライザ特性を得ることが困
難であるという欠点があつた。例えば第1図に示
すように抵抗1,2、容量3,4からなる帯域通
過フイルタの集積化を実現しようとしても、この
BPFの低域及び高域しや断周波数cl,chは、
cl=1/2πR1C3,ch=1/2πR2C4
(なおR(符号番号)、C(符号番号)にて各抵
抗、容量の値を示す。以降同様)で表わされ、い
まIC内の抵抗及び容量のバラツキを±30%とす
れば、各しや断周波数は−40〜+200%と大幅に
変動してしまう。なお5〜7は集積化が容易に可
能なバツフア増幅器、8,9はBPFの入力及び
出力端子である。しかも集積化抵抗は通常
2000PPM/℃前後の温度特性を持つており、例
えば第1図の場合、温度が±50℃変化すれば、
cl,chは±10%増減してしまうという欠点を持
つている。 First, in ICs, even if they are formed on the same chip, the absolute value accuracy of integrated elements is poor (usually ±20 to 30
%), it is difficult to obtain highly accurate filter or equalizer characteristics using integrated resistors and integrated capacitors. For example, if we try to integrate a bandpass filter consisting of resistors 1 and 2 and capacitors 3 and 4 as shown in Figure 1, this
The low and high frequency shearing frequencies cl and ch of the BPF are cl=1/2πR 1 C 3 , ch=1/2πR 2 C 4 (R (code number) and C (code number) are each resistance , indicates the value of capacitance (the same applies hereafter), and if we assume that the variation in resistance and capacitance within the IC is ±30%, the cut-off frequency will vary significantly from -40 to +200%. . Note that 5 to 7 are buffer amplifiers that can be easily integrated, and 8 and 9 are input and output terminals of the BPF. Moreover, integrated resistors are usually
It has a temperature characteristic of around 2000PPM/℃.For example, in the case of Figure 1, if the temperature changes by ±50℃,
The disadvantage is that cl and ch increase or decrease by ±10%.
第2に、一旦集積化してしまうと、フイルタ特
性の微調が困難で電子回路の設計上自由度が少な
くなるという欠点があつた。 Second, once integrated, it is difficult to finely adjust the filter characteristics, reducing the degree of freedom in designing the electronic circuit.
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、フイルタ、イコライザを簡単な構成で高精
度な特性にて集積化でき、電子回路の小型・軽量
化が可能な集積回路を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to provide an integrated circuit in which filters and equalizers can be integrated with a simple configuration and high-precision characteristics, and the electronic circuit can be made smaller and lighter. be.
上記目的を達成するため、本発明では、集積化
抵抗、集積化容量、及び集積化トランジスタから
なる可変抵抗素子によつてフイルタあるいはイコ
ライザ回路を構成するとともに、上記可変抵抗素
子の値を制御信号によつて調整できるようにし、
かつ温度によつて上記可変抵抗素子の値を変化さ
せ、上記フイルタあるいはイコライザ回路の特性
の温度特性を解消あるいは低減させるものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention configures a filter or equalizer circuit with a variable resistance element consisting of an integrated resistor, an integrated capacitor, and an integrated transistor, and uses the value of the variable resistance element as a control signal. Twist it so that it can be adjusted.
Further, the value of the variable resistance element is changed depending on the temperature, thereby eliminating or reducing the temperature characteristic of the characteristic of the filter or equalizer circuit.
以下本発明を実施例を用いて説明する。第2図
は本発明の一実施例で、第3図は第2図の実施例
の動作を説明する図である。第2図において、1
0〜12はNPNトランジスタ、13,14は
PNPトランジスタ、15〜17はNPNダイオー
ド、18〜26は集積化抵抗、27は外付可変抵
抗、28は定量流源、29はICの集積範囲を示
す点線、30〜34はIC外部端子、35,36
は各々抵抗とトランジスタで構成された定電流
源、37はCI外部端子33からの信号に応じて
上記定電流源35,36の定電流量を変化させる
電流制御回路であり、第1図と同一あるいは同等
部分には同一符号を符してある。またIC外部端
子31はICの電源電圧端子である。
The present invention will be explained below using examples. FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram explaining the operation of the embodiment of FIG. In Figure 2, 1
0 to 12 are NPN transistors, 13 and 14 are
PNP transistors, 15 to 17 are NPN diodes, 18 to 26 are integrated resistors, 27 is an external variable resistor, 28 is a fixed current source, 29 is a dotted line indicating the IC integration range, 30 to 34 are IC external terminals, 35 ,36
are constant current sources each composed of a resistor and a transistor, and 37 is a current control circuit that changes the constant current amount of the constant current sources 35 and 36 according to the signal from the CI external terminal 33, and is the same as in FIG. Alternatively, equivalent parts are denoted by the same reference numerals. Further, the IC external terminal 31 is a power supply voltage terminal of the IC.
IC外部端子30から入力された信号は、バツ
フア増幅器5を介してトランジスタ10のベース
に供給される。トランジスタ10のエミツタは、
トランジスタ11と抵抗20からなる定電流源3
5に接続されており、上記定電流源35の電流量
I1はIC外部端子33に生じた電圧に応じて上記電
流制御回路37を介して変化される。またトラン
ジスタ10のエミツタに生じた信号は、抵抗18
及び容量3を経由して、バツフア増幅器6に入力
される。次に上記バツフア増幅器6の出力は、容
量4を経由してバツフア増幅器7に入力され、上
記バツフア増幅器7を経由して、IC外に出力さ
れる。なお上記バツフア増幅器7の入力端には、
抵抗19とダイオード17の直列回路、及びトラ
ンジスタ12と抵抗21からなる定電流源36が
接続されている。また上記定電流源36の電流量
I2は、上記定電流源35の場合と同様、IC外部端
子33に生じた電圧信号に応じて変化される。と
ころで電流制御回路37は、PNPトランジスタ
対13,14からなる差動増幅器を基本した回路
で、外付可変抵抗27によつて決定されたIC外
部端子33の電圧に応じて、PNPトランジスタ
13のコレクタとダイオード16のアノードとの
接続点の電圧即ち上記定電流源35,36の入力
電圧を変化させ、上記定電流源35,36の電流
量I1,I2を変化させる回路である。 A signal input from the IC external terminal 30 is supplied to the base of the transistor 10 via the buffer amplifier 5. The emitter of the transistor 10 is
Constant current source 3 consisting of transistor 11 and resistor 20
5, and the amount of current of the constant current source 35 is
I 1 is changed via the current control circuit 37 according to the voltage generated at the IC external terminal 33. Further, the signal generated at the emitter of the transistor 10 is transmitted to the resistor 18.
and is input to the buffer amplifier 6 via the capacitor 3. Next, the output of the buffer amplifier 6 is inputted to the buffer amplifier 7 via the capacitor 4, and outputted to the outside of the IC via the buffer amplifier 7. Note that at the input terminal of the buffer amplifier 7,
A series circuit of a resistor 19 and a diode 17, and a constant current source 36 consisting of a transistor 12 and a resistor 21 are connected. Also, the amount of current of the constant current source 36
I 2 is changed in accordance with the voltage signal generated at the IC external terminal 33, as in the case of the constant current source 35 described above. By the way, the current control circuit 37 is a circuit based on a differential amplifier consisting of a pair of PNP transistors 13 and 14, and the collector of the PNP transistor 13 is controlled according to the voltage of the IC external terminal 33 determined by the external variable resistor 27. This circuit changes the voltage at the connection point between the constant current sources 35 and the anode of the diode 16, that is, the input voltage of the constant current sources 35 and 36, and changes the current amounts I 1 and I 2 of the constant current sources 35 and 36.
ところでトランジスタあるいはダイオードの
PN接合の微小振幅に対する抵抗γeは、
γe=kT/qI(k:ボルツマン定数、T:絶対温
度、q:電子の電荷量、I:PN接合に流れる電
流量)で表わされる。したがつてトランジスタ1
0およびダイオード17の交流的インピーダンス
を各々γe10,γe17とすれば、
γe10=kT/qI1,γe17=kT/qI2
となる。よつて第2図に示した回路は、第3図に
示すような等価回路で表わされ、前段でLPF、
後段でHPFを構成している。第3図において、
38はγe10、39はγe17を示している。このとき
各々LPF,HPFのしや断周波数cl,chは、
cl=1/2π(γe10+R18)C3,
ch=1/2π(γe17+R19)C4
と表わされる。したがつてγe10,γe17がIC外部端
子33の電圧信号に応じて変化する電流量I1,I2
の関数であるので、γe10,γe17を外付可変抵抗2
7によつて変化させ、集積化素子3,4,18,
19のバラツキを吸収し、所望のしや断周波数を
もつフイルタを実現できる。 By the way, what about transistors or diodes?
The resistance γ e of the PN junction with respect to minute amplitude is expressed by γ e =kT/qI (k: Boltzmann constant, T: absolute temperature, q: amount of electron charge, I: amount of current flowing through the PN junction). Therefore transistor 1
0 and the diode 17 as γ e10 and γ e17 , respectively, γ e10 = kT/qI 1 and γ e17 = kT/qI 2 . Therefore, the circuit shown in FIG. 2 is represented by an equivalent circuit as shown in FIG.
The HPF is configured in the latter stage. In Figure 3,
38 indicates γ e10 and 39 indicates γ e17 . At this time, the cutoff frequencies cl and ch of the LPF and HPF, respectively, are expressed as cl=1/2π(γ e10 +R 18 )C 3 and ch=1/2π(γ e17 +R 19 )C 4 . Therefore, γ e10 and γ e17 are the current amounts I 1 and I 2 that change according to the voltage signal of the IC external terminal 33.
Therefore, γ e10 and γ e17 are external variable resistors 2
7, integrated elements 3, 4, 18,
Therefore, it is possible to realize a filter that absorbs 19 variations and has a desired cutoff frequency.
なお同一ICチツプ内の集積化抵抗あるいは集
積化容量の相対値精度はきわめて良いことから、
集積化抵抗18と19のバラツキ、集積化容量3
と4のバラツキはきわめて一致しており、したが
つてIC外部端子33の電圧調整によりγe10をかえ
てR18,C3のバラツキを吸収すれば、γe17の変化
がR19,C4のバラツキを吸収するように作用する
ので、所望のBPF特性を1個のIC外部端子信号
の調整で実現することができる。 Furthermore, since the relative value accuracy of integrated resistors or integrated capacitors within the same IC chip is extremely good,
Variations in integrated resistors 18 and 19, integrated capacitance 3
The variations in and 4 are very consistent. Therefore, if γ e10 is changed by adjusting the voltage at the IC external terminal 33 to absorb the variations in R 18 and C 3 , the change in γ e17 will be the same as in R 19 and C 4 . Since it acts to absorb variations, desired BPF characteristics can be achieved by adjusting one IC external terminal signal.
もちろんLPF,HPF各々に1個ずつ調整用IC
外部端子を設ければ、正確に各々のしや断周波数
を調整でき、高精度なBPF特性を得ることがで
きる。 Of course, one adjustment IC for each LPF and HPF.
By providing external terminals, each cutoff frequency can be adjusted accurately and highly accurate BPF characteristics can be obtained.
また従来例で述べたように集積化抵抗の値は、
約2000PPM/℃という温度特性をもつている。
これに対して、本発明では、上記電流制御回路に
上記集積化抵抗18,19の温度特性によるしや
断周波数の変動を低減するような温度特性を上記
電流制御回路にもたせ、温度特性変動の少ないフ
イルタ回路を実現している。この点について以下
説明する。 Also, as mentioned in the conventional example, the value of the integrated resistor is
It has a temperature characteristic of approximately 2000PPM/℃.
In contrast, in the present invention, the current control circuit is provided with temperature characteristics that reduce fluctuations in the cut-off frequency due to the temperature characteristics of the integrated resistors 18 and 19, thereby reducing temperature characteristics fluctuations. Realizes fewer filter circuits. This point will be explained below.
IC外部端子33に生じる電圧V14は、可変抵抗
27の分割比によつて決定されるので、温度特性
を有しない。これに対して、トランジスタ13の
ベース電圧V13はダイオード15のベース・エミ
ツタ間電圧VBEの温度特性(通常−2mV/℃)に
より、温度特性を有している。今温度が高くなつ
たとすれば、上記電圧V13は低下し、抵抗24に
流れる電流が多くなり、トランジスタ13のコレ
クタ電圧が高くなる。したがつて定電流源35,
36の電流量I1,I2が多くなり、γe10,γe17は小さ
くなる。即ち温度が高くなると、集積化抵抗1
8,19の値は大きくなるが、γe10,γe17が小さ
くなり、しや断周波数を決定するγe10+R18,γe17
+R19の温度変化が低減されることとなる。 Since the voltage V 14 generated at the IC external terminal 33 is determined by the division ratio of the variable resistor 27, it has no temperature characteristics. On the other hand, the base voltage V 13 of the transistor 13 has a temperature characteristic due to the temperature characteristic of the base-emitter voltage V BE of the diode 15 (usually -2 mV/° C.). If the temperature increases now, the voltage V 13 will decrease, the current flowing through the resistor 24 will increase, and the collector voltage of the transistor 13 will increase. Therefore, constant current source 35,
The current amounts I 1 and I 2 of 36 become large, and γ e10 and γ e17 become small. That is, as the temperature increases, the integrated resistor 1
The values of 8 and 19 become large, but γ e10 and γ e17 become small, and γ e10 +R 18 , γ e17 which determines the shearing frequency
+ R19 temperature change will be reduced.
つまりフイルタの特性を決定する集積化抵抗の
温度特性に対して、本発明では、上記集積化抵抗
の温度特性によるしや断周波数の変動を低減する
ような温度特性を上記電流制御回路にもたせ、温
度特性変動の少ないフイルタ回路を実現できる。 In other words, in contrast to the temperature characteristics of the integrated resistor that determine the characteristics of the filter, the present invention provides the current control circuit with temperature characteristics that reduce fluctuations in the cutting frequency due to the temperature characteristics of the integrated resistor. A filter circuit with less variation in temperature characteristics can be realized.
もちろん集積化抵抗のみならず、例えば集積化
容量が温度特性を有していれば、これの影響を低
減するようにできることは明白である。 Of course, if not only the integrated resistor but also the integrated capacitor, for example, has temperature characteristics, it is obvious that the influence of this can be reduced.
またポータブルVTR等では、使い勝手の向上
をはかるため、小型・軽量化が要求される。そこ
で抵抗をセラミツク基板上に厚膜抵抗で形成して
集積化するとともに、厚膜抵抗にレーザをあて厚
膜抵抗をけずつて抵抗値を増加させることによつ
て、抵抗値の調整を高速かつ自動的に行なうレー
ザトリミング技術が必須技術として広く用いられ
ている。 Furthermore, portable VTRs and the like are required to be smaller and lighter in order to improve usability. Therefore, by forming and integrating the resistor as a thick film resistor on a ceramic substrate, and by applying a laser to the thick film resistor and increasing the resistance value by damaging the thick film resistor, the resistance value can be adjusted quickly and easily. Automatic laser trimming technology is widely used as an essential technology.
本発明によれば、上記レーザトリミング技術を
用いてフイルタ特性を調整する場合、可変抵抗2
7の内電源電圧側とアース側の抵抗値Ra,Rbの
トリミング調整(抵抗値は増加)により、端子3
3の電圧を高低できるので、抵抗Ra,Rbを最初
から最適値に設定でき、調整時間が短かくてよい
という利点がある。 According to the present invention, when adjusting the filter characteristics using the above laser trimming technique, the variable resistor 2
By trimming and adjusting the resistance values Ra and Rb on the power supply voltage side and the ground side (resistance value increases), terminal 3
Since the voltage of No. 3 can be increased or decreased, the resistors Ra and Rb can be set to optimal values from the beginning, which has the advantage that the adjustment time can be shortened.
なお第2図に示した実施例では、電流制御回路
に温度特性をもたせ、フイルタ特性の温度特性を
補償したが、IC外部端子33に印加される信号
の方に温度特性をもたせても同様の効果が得られ
ることは明白である。 In the embodiment shown in FIG. 2, the current control circuit has a temperature characteristic to compensate for the temperature characteristic of the filter characteristic, but the same effect can be achieved even if the signal applied to the IC external terminal 33 has a temperature characteristic. It is clear that the effect is obtained.
以上説明したように、本発明によれば、フイル
タやイコライザ回路の集積化を簡単な回路構成に
て高精度で実現できるという効果がある。これに
より電子回路の小型・軽量化に大きく寄与し、ひ
いてはその電子回路を使用したVTRなどの小
型・軽量化に寄与することができる。
As described above, according to the present invention, there is an effect that integration of filters and equalizer circuits can be realized with high accuracy using a simple circuit configuration. This greatly contributes to the miniaturization and weight reduction of electronic circuits, which in turn can contribute to the miniaturization and weight reduction of VTRs and other devices that use such electronic circuits.
第1図は従来のフイルタ回路の一例を示す回路
図、第2図は本発明のフイルタ集積回路の一実施
例を示す回路図、第3図は第2図の動作を説明す
る図である。
5〜7…バツフア増幅器、8…フイルタ入力端
子、9…フイルタ出力端子、3,4…容量、3
5,36…定電流源、29…集積回路の範囲、3
7…電流制御回路、27…外付可変抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional filter circuit, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the filter integrated circuit of the present invention, and FIG. 3 is a diagram explaining the operation of FIG. 2. 5 to 7...Buffer amplifier, 8...Filter input terminal, 9...Filter output terminal, 3, 4...Capacitance, 3
5, 36...constant current source, 29...range of integrated circuit, 3
7...Current control circuit, 27...External variable resistor.
Claims (1)
ルタが集積された集積回路において、複数の集積
化抵抗のそれぞれに接続され、流れる電流によつ
て抵抗値が変わる複数の可変抵抗素子と、トラン
ジスタを含み、可変抵抗素子に電流を供給する複
数の可変電流源回路と、可変電流源回路に流れる
電流の量を制御して、可変抵抗素子に流れる電流
を変化し、フイルタの遮断周波数のバラツキを調
整するとともに、可変抵抗素子に流れる電流を周
囲温度の変化とともに変化して、集積化抵抗の温
度特性を補償するダイオード接続されたトランジ
スタを有する電流制御回路とを備えていることを
特徴とする集積回路。1. In an integrated circuit in which multiple filters consisting of integrated capacitors and integrated resistors are integrated, multiple variable resistance elements are connected to each of the multiple integrated resistors and whose resistance value changes depending on the flowing current, and a transistor is connected to each of the multiple integrated resistors. Contains multiple variable current source circuits that supply current to the variable resistance element, and controls the amount of current flowing to the variable current source circuit to change the current flowing to the variable resistance element and adjust variations in the cutoff frequency of the filter. and a current control circuit having a diode-connected transistor that changes the current flowing through the variable resistance element with changes in ambient temperature to compensate for the temperature characteristics of the integrated resistor. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937482A JPS59101919A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937482A JPS59101919A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101919A JPS59101919A (en) | 1984-06-12 |
| JPH0125442B2 true JPH0125442B2 (en) | 1989-05-17 |
Family
ID=16571866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20937482A Granted JPS59101919A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101919A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730323A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Device and method for molecular beam epitaxy |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP20937482A patent/JPS59101919A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59101919A (en) | 1984-06-12 |
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