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JPH0128534B2 - - Google Patents
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JPH0128534B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0128534B2
JPH0128534B2 JP56027521A JP2752181A JPH0128534B2 JP H0128534 B2 JPH0128534 B2 JP H0128534B2 JP 56027521 A JP56027521 A JP 56027521A JP 2752181 A JP2752181 A JP 2752181A JP H0128534 B2 JPH0128534 B2 JP H0128534B2
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Japan
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ccd
terminal
mosfet
bias
circuit
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Japanese (ja)
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Hiroo Wakaumi
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00Transversal filters
    • H03H15/02Transversal filters using analogue shift registers

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  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
  • Color Television Systems (AREA)
  • Processing Of Color Television Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はCCD(電荷結合装置)くし形フイルタ
の駆動方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for driving a CCD (charge coupled device) comb filter.

TV分野でのCCDくし形フイルタの実用化が近
年急速に推進されつつある。くし形フイルタに
CCDを用いることのメリツトは、クロツク周波
数で決まる遅延時間の精度の良さや加算および減
算の容易さにある。NTSC方式のTV受像機への
応用を考えると、周波数インターリービングのカ
ラー副搬送波伝送方式を用いているため、このく
し形フイルタの使用により色・輝度信号を容易に
分離できることが知られている。この分離の良さ
を示す性能指数はくし形特性におけるピークレベ
ルと隣接するノツチレベルとのレベル差(以下抑
圧比)である。ここでピークレベルとは、輝度信
号(以下Y信号)を取り出す輝度チヤネルでは本
来Y信号のエネルギーが集中して分布する水平走
査周波数fhの整数倍の周波数すなわちnfhでのY
信号のレスポンスを示し、またノツチレベルとは
色信号(以下C信号)のエネルギーが集中分布す
る水平走査周波数fhの半分の奇数倍の周波数すな
わち2m+1/2fhでのY信号のレスポンスを示して いる。もちろん、C信号を取り出す色チヤネルで
は前記周波数2m+1/2fhでのC信号のレスポンス をピークレベルと称し、前記周波数nfhでのC信
号のレスポンスをノツチレベルと称している。こ
の抑圧比として実用的な値は30dB以上であるが
3.58MHzの副搬送波周波数fsc近傍の周波数帯での
レスポンス劣化まで考慮すると約40dB以上が望
ましい。この高域でのレスポンス劣化は水平分解
能を低下させるので、くし形フイルタ本来の特徴
が生かされなくなる。くし形フイルタの実現のた
めCCDを使用したときその抑圧比を決める要因
は、CCDの非転送効率と2つのCCDチヤネル
(以下チヤネルA、B)でのサンプリング点の位
相差である。ここではサンプリング周波数3fsc
駆動される682.5素子の1H遅延線を用いた例を取
り上げる。前記周波数3fsc(10.7MHz)で駆動する
CCDくし形フイルタでは、半周期毎に交互にチ
ヤネルA、Bへ信号を送るためのサンプリングを
行う、いわゆる交互サンプリング方式が用いられ
る。加算または減算を行う時点でのチヤネルA、
B間の時間差が63.5μs(1H遅延時間)になるの
で、チヤネルAを683.5素子とすればチヤネルB
は1.0素子のCCD構成が採用される。以上の説明
によつて明らかなように交互サンプリング方式で
は、1H遅延時間毎の情報のサンプリング点の位
相を180゜シフトすることにほかならない。輝度チ
ヤネルは683.5素子のチヤネル部(以下メイン部)
と1.0素子の遅延段部(以下サブ部)B1とから
なり、色チヤネルはメイン部と、前記サブ部B1
とは別に設けられる1.0素子のサブ部B2とから
構成され、それぞれのチヤネルの加算・減算が出
力部に設けたPN接合部で電荷の形で行われる。
C信号を得るためには減算を行わなければなら
ず、このために入力信号を180゜位相反転してサブ
部B2へ供給する必要がある。しかし現実には、
電荷プリセツト入力法の特徴を生かして2つの入
力ゲートにサブ部B1とは相反した信号を印加す
る形式で同一の効果を得ている。
The practical application of CCD comb filters in the TV field has been rapidly promoted in recent years. into a comb filter
The advantages of using a CCD are the high precision of the delay time determined by the clock frequency and the ease of addition and subtraction. Considering the application of the NTSC system to TV receivers, it is known that color and luminance signals can be easily separated by using a comb filter, since a frequency interleaving color subcarrier transmission system is used. The figure of merit indicating the quality of this separation is the level difference (hereinafter referred to as suppression ratio) between the peak level and the adjacent notch level in the comb characteristic. Here, the peak level refers to the Y signal at a frequency that is an integral multiple of the horizontal scanning frequency f h , that is, nf h , where the energy of the Y signal is originally concentrated and distributed in the brightness channel that extracts the brightness signal (hereinafter referred to as the Y signal).
It shows the response of the signal, and the notch level shows the response of the Y signal at a frequency that is an odd multiple of half of the horizontal scanning frequency f h , where the energy of the color signal (hereinafter referred to as the C signal) is concentrated and distributed, that is, 2 m + 1/2 f h . . Of course, in the color channel for extracting the C signal, the response of the C signal at the frequency 2m+1/2f h is called the peak level, and the response of the C signal at the frequency nf h is called the notch level. The practical value for this suppression ratio is 30dB or more.
Considering the response deterioration in the frequency band near the subcarrier frequency f sc of 3.58 MHz, approximately 40 dB or more is desirable. This deterioration of the response in the high range reduces the horizontal resolution, making it impossible to take advantage of the original characteristics of the comb filter. When a CCD is used to realize a comb filter, the factors that determine the suppression ratio are the non-transfer efficiency of the CCD and the phase difference between sampling points in two CCD channels (hereinafter referred to as channels A and B). Here we will take an example using a 1H delay line with 682.5 elements driven at a sampling frequency of 3f sc . Drive at the frequency 3f sc (10.7MHz)
The CCD comb filter uses a so-called alternating sampling method in which sampling is performed alternately every half cycle to send signals to channels A and B. Channel A at the time of addition or subtraction;
The time difference between B and B is 63.5μs (1H delay time), so if channel A is 683.5 elements, channel B
A 1.0 element CCD configuration is adopted. As is clear from the above explanation, in the alternate sampling method, the phase of the sampling point of information for each 1H delay time is shifted by 180°. The brightness channel is a 683.5 element channel section (hereinafter referred to as the main section)
and a 1.0 element delay stage section (sub section) B1, and the color channel consists of the main section and the sub section B1.
It consists of a 1.0 element sub-section B2 provided separately from the sub-section B2, and addition and subtraction of each channel is performed in the form of charges at a PN junction provided at the output section.
To obtain the C signal, a subtraction must be performed, and for this purpose it is necessary to invert the input signal by 180° and supply it to the sub-section B2. But in reality,
The same effect is obtained by applying the opposite signals to the two input gates to the sub-section B1 by taking advantage of the characteristics of the charge preset input method.

第1図a,bは一般的CCDくし形フイルタの
入力部と出力部との構成およびその駆動波形をそ
れぞれ示す。第1図aにおいて端子G1M,G2M
G1S,G2S,P1,P2,OGの各々に接続された
ゲート部はp形半導体基板12上にゲート絶縁膜
(図示せず)を介して設けられており、またn+
散層11,11′,11″はp形半導体基板12と
PN結合を形成して構成され、さらにチヤネルA
またはBから送られた電荷によるn+拡散層(浮
遊拡散層)11′の電位変化分を低インピーダン
スで検出するためのバツフアアンプ13は
MOSFETでオンチツプ構成されている。もちろ
んn+拡散層11′の電位は端子P1のパルスによ
り周期的に端子RDの電位へリセツトされるの
で、バツフアアンプ13の出力V0はリセツトレ
ベルを基準としたホールド波形となる。第1図b
に示す駆動波形は第1図aのチヤネルA、Bの対
応する各端子に供給される。電荷プリセツト入力
法では一般的に端子G1M,G1Sには直流バイアス
を、また端子G2M,G2Sには直流バイアスに重畳
されたTV信号を印加する。但し第1図aに示し
たチヤネルBをサブ部B1とすれば、サブ部B2
では端子G2Sには直流バイアスを、また端子G1S
は直流バイアスに重畳されたTV信号を印加する
のはいうまでもない。CCDくし形フイルタの入
力部では端子G2M,G2Sに接続されたゲート部
(以下G2ゲート)の下に信号に対応した電荷がサ
ンプリングされる。チヤネルAでは端子P1の駆
動パルス波形のオフ期間で端子ID1へのプリセ
ツトパルスによりG2ゲート下に電荷が充電され、
サンプリングの開口時間td1の期間でn+拡散層
(入力ダイオード)11へ放電されるが、端子P
1の駆動波形のオンの時刻t2で電荷は転送段へ移
される。従つて実効的なサンプリング点は時刻t2
である。同様にチヤネルB(サブ部B1およびB
2を含む)では端子P2の駆動波形のオフ期間で
サンプリングが行われ、サンプリングの開口時間
td2の期間での放電後端子P2の駆動波形のオン
の時刻t4に電荷が転送段へ移されるので、実効的
なサンプリング点は時刻t4である。非転送効率の
特性は通常のプロセスでは2×10-5以下の値が得
られるため、CCDくし形フイルタの抑圧特性に
及ぼす影響が小さいので無視することができる。
Figures 1a and 1b show the configuration of the input section and output section of a general CCD comb filter, and their driving waveforms, respectively. In Fig. 1a, terminals G 1M , G 2M ,
The gate portions connected to each of G 1S , G 2S , P1, P2, and OG are provided on the p-type semiconductor substrate 12 via a gate insulating film (not shown), and the n + diffusion layer 11, 11', 11'' are p-type semiconductor substrate 12 and
It is configured by forming a PN bond, and furthermore, the channel A
Alternatively, the buffer amplifier 13 for detecting the potential change of the n + diffusion layer (floating diffusion layer) 11' due to the charge sent from B with low impedance is
Constructed on-chip with MOSFETs. Of course, since the potential of the n + diffusion layer 11' is periodically reset to the potential of the terminal RD by the pulses of the terminal P1, the output V0 of the buffer amplifier 13 has a hold waveform with the reset level as a reference. Figure 1b
The drive waveform shown in FIG. 1A is supplied to the corresponding terminals of channels A and B in FIG. 1a. In the charge preset input method, generally a DC bias is applied to the terminals G 1M and G 1S , and a TV signal superimposed on the DC bias is applied to the terminals G 2M and G 2S . However, if channel B shown in FIG. 1a is sub-section B1, then sub-section B2
Needless to say, a DC bias is applied to the terminal G2S , and a TV signal superimposed on the DC bias is applied to the terminal G1S . At the input section of the CCD comb filter, charges corresponding to the signal are sampled under the gate section (hereinafter referred to as G2 gate) connected to terminals G 2M and G 2S . In channel A, a charge is charged under the G2 gate by the preset pulse to the terminal ID1 during the off period of the drive pulse waveform of the terminal P1,
It is discharged to the n + diffusion layer (input diode) 11 during the sampling opening time td 1 , but the terminal P
Charge is transferred to the transfer stage at time t 2 when the drive waveform No. 1 is turned on. Therefore, the effective sampling point is time t 2
It is. Similarly, channel B (sub parts B1 and B
2), sampling is performed during the off period of the drive waveform of terminal P2, and the sampling opening time is
After discharging during the period td 2 , the charge is transferred to the transfer stage at time t 4 when the drive waveform of terminal P 2 is turned on, so the effective sampling point is time t 4 . The non-transfer efficiency characteristic can be ignored since a value of 2×10 -5 or less is obtained in a normal process, and the effect on the suppression characteristic of the CCD comb filter is small.

しかるに、実効的なサンプリング点である時刻
t2,t4の位相差T1および時刻t1,t3の位相差T
2の180゜からのシフト量はCCDくし形フイルタの
特性を大きく支配するので、重要な要素と考えら
れる。現実には端子ID1,ID2のパルス波形の
オフ時点の間に180゜の位相差を与えることは容易
であるが、端子P1,P2の駆動パルス波形のオ
ン時点の間の位相差を180゜に制御することは困難
である。このため従来の駆動方式ではサンプリン
グの開口時間を等しくする、すなわちtd1=td2
することができないという欠点があつた。
However, the effective sampling point is time
Phase difference T1 between t 2 and t 4 and phase difference T between times t 1 and t 3
The amount of shift from 180° in No. 2 greatly controls the characteristics of the CCD comb filter, so it is considered to be an important factor. In reality, it is easy to provide a 180° phase difference between the OFF points of the pulse waveforms of terminals ID1 and ID2, but it is difficult to create a 180° phase difference between the ON points of the drive pulse waveforms of terminals P1 and P2. It is difficult to control. For this reason, the conventional drive system has the disadvantage that it is not possible to equalize the sampling opening time, that is, to make td 1 =td 2 .

第2図は従来のCCDくし形フイルタ駆動用の
クロツクドライバの一例を示す回路構成図であ
る。実際には端子ID1,ID2,PIへのパルス供
給側のパルス発生論理部もあるがここでは省略し
た。端子PIにはデユーテイ比50%を有するパル
スが供給され、E/D構成のインバータである
MOSFET M1,M2により反転されて端子N
1を入力とする高速のブートストラツプ回路もし
くは高速のバツフア回路B1(以下B1回路)へ
送られる。B1回路の出力の端子N2は、B1回
路と同様な回路構成のブートストラツプ回路もし
くはバツフア回路B2(以下B2回路)に接続さ
れるとともに、端子P1,P2へ駆動パルスを低
インピーダンスで送り出すためのプツシユプル回
路構成のMOSFET M4,M5へも接続される。
さらにB2回路で高速化されたパルスは端子N3
より出力され、プツシユプル回路構成の
MOSFET M3,M6へ供給される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional clock driver for driving a CCD comb filter. Actually, there is also a pulse generation logic section on the pulse supply side to the terminals ID1, ID2, and PI, but it is omitted here. A pulse with a duty ratio of 50% is supplied to the terminal PI, and the inverter has an E/D configuration.
Inverted by MOSFET M1, M2 and connected to terminal N
1 is sent to a high-speed bootstrap circuit or a high-speed buffer circuit B1 (hereinafter referred to as B1 circuit). The output terminal N2 of the B1 circuit is connected to a bootstrap circuit or a buffer circuit B2 (hereinafter referred to as the B2 circuit) having the same circuit configuration as the B1 circuit, and is also connected to a push pull circuit for sending drive pulses to the terminals P1 and P2 at low impedance. It is also connected to MOSFETs M4 and M5 in the circuit configuration.
Furthermore, the pulse speeded up by the B2 circuit is transferred to the terminal N3.
output from the push-pull circuit configuration.
Supplied to MOSFETs M3 and M6.

第3図は第2図における各回路要素の端子PI,
N1,N2,P1,P2での動作波形を示す。端
子PIに供給された周波数3fscのパルスは初段のイ
ンバータのMOSFET M1,M2で大きな波形
歪を受け、立上り時間が長く、立下り時間の短い
波形となつて次段のB1回路の端子N1へ送られ
る。ここで端子N1をゲートとするB1回路の
MOSFETのしきい値電圧は一定であるので、初
段のインバータのMOSFET M1,M2の出力
波形がしきい値電圧を横切るのは時刻ta,tb,tc
となり、B1回路の出力の端子N2の電位変化の
パルス波形はデユーテイ比が50%より大きいもの
となる。ここで期間T〓=tb−ta、T〓=tc−tbとす
ると、T〓>T〓であり明らかに50%より大きいデ
ユーテイ比を有する波形のパルスが端子N2より
B2回路へ供給される。プツシユプル回路の
MOSFET M3,M6では端子N2のパルス波
形およびこれと相補的な端子N3のパルス波形に
応じたダイナミツクな動作変化をするので、端子
N2のパルス波形にほぼ対応したデユーテイ比を
有するパルスが端子P1に出力される。まず、端
子N2の電位が立ち上がる状態変化のときには端
子P1の電位は立上り遷移を示し、端子P2の電
位は立ち下り遷移状態になる。また、端子N2の
電位が立ち下がる状態変化のときには端子N3の
電位の立上り遷移変化により端子P1の電位は立
下り遷移を示し、端子P2の電位は立上り遷移状
態になる。このとき端子N2の電位変化はそのま
ま端子P1,P2の駆動パルス波形のデユーテイ
比を決定するので、端子P1の電位の高レベル期
間は前記期間T〓とほぼ等しくなり、端子P2の
電位の高レベル期間は前記期間T〓とほぼ等しく
なる。従つて端子P1,P2に現われる駆動パル
ス波形のデユーテイ比は50%からずれたものとな
る。
Figure 3 shows the terminals PI of each circuit element in Figure 2,
The operating waveforms at N1, N2, P1, and P2 are shown. The pulse with a frequency of 3f sc supplied to the terminal PI undergoes large waveform distortion in the MOSFETs M1 and M2 of the first stage inverter, resulting in a waveform with a long rise time and short fall time, and is sent to the terminal N1 of the next stage B1 circuit. Sent. Here, the B1 circuit with terminal N1 as the gate
Since the threshold voltage of MOSFET is constant, the output waveforms of MOSFETs M1 and M2 of the first stage inverter cross the threshold voltage at times t a , t b , t c
Therefore, the pulse waveform of the potential change at the output terminal N2 of the B1 circuit has a duty ratio greater than 50%. Here, if the period T = t b - t a and T = t c - t b , then T = > T = and a pulse with a waveform that clearly has a duty ratio greater than 50% is sent from terminal N2 to B2 circuit. Supplied. Push-pull circuit
MOSFETs M3 and M6 dynamically change their operation according to the pulse waveform at terminal N2 and the complementary pulse waveform at terminal N3, so a pulse with a duty ratio approximately corresponding to the pulse waveform at terminal N2 is applied to terminal P1. Output. First, when the potential of the terminal N2 changes to a rising state, the potential of the terminal P1 shows a rising transition, and the potential of the terminal P2 becomes a falling transition state. Further, when the potential of the terminal N2 changes to a falling state, the potential of the terminal P1 shows a falling transition due to a rising transition change of the potential of the terminal N3, and the potential of the terminal P2 becomes a rising transition state. At this time, since the change in the potential of the terminal N2 directly determines the duty ratio of the drive pulse waveform of the terminals P1 and P2, the high level period of the potential of the terminal P1 is approximately equal to the period T〓, and the high level of the potential of the terminal P2 The period is approximately equal to the period T〓. Therefore, the duty ratio of the drive pulse waveform appearing at the terminals P1 and P2 deviates from 50%.

本例のクロツクドライバは前記パルス発生論理
部など他の論理部とともにCCDチツプ上にIC化
されるが、その動特性が回路設計およびマスクパ
ターン設計の時点で決定されるため、一度IC化
するとその後のクロツクドライバの特性の制御は
ほとんど不可能となる。マスクパターン設計の時
点で前記期間T〓=T〓になるようにB1回路、B
2回路の立上り時間、立下り時間を制御したとし
ても、設計目標の特性と実際の特性との間に差が
存在すること、プロセス変動によるしきい値電圧
のシフトがあること、相互コンダクタンスgn(以
下単にgn)の変動が存在することなどのため、
端子P1,P2の駆動パルス波形のデユーテイ比
を50.0%に一致させることは極めて困難であつ
た。実用上では、第1図bに示したサンプリング
点の時刻t2,t4間の位相差T1が46.56nsを基準と
して±0.8ns以内に入らないと抑圧比40dB以上が
得られない。
The clock driver in this example is integrated into an IC on a CCD chip along with other logic sections such as the pulse generation logic section, but since its dynamic characteristics are determined at the time of circuit design and mask pattern design, once integrated into an IC, Subsequent control of the characteristics of the clock driver becomes almost impossible. At the time of mask pattern design, the B1 circuit and B
Even if the rise time and fall time of the two circuits are controlled, there are differences between the design target characteristics and the actual characteristics, there is a shift in threshold voltage due to process variations, and there are differences in transconductance g n (hereinafter simply g n ), due to the existence of fluctuations, etc.
It was extremely difficult to make the duty ratios of the drive pulse waveforms of the terminals P1 and P2 equal to 50.0%. In practice, a suppression ratio of 40 dB or more cannot be obtained unless the phase difference T1 between sampling points times t 2 and t 4 shown in FIG. 1b is within ±0.8 ns with respect to 46.56 ns.

かかるサンプリング点の位相シフトが存在する
とき、CCDくし形フイルタの特性としては、ピ
ークレベルおよびノツチレベルの部分の周波数シ
フトが起るとともに、ノツチレベルの減衰度が低
下するため抑圧比が劣化し、またピークレベルの
絶対ゲインも高域になるほど劣化するので高周波
領域にエネルギースペクトルが集中する水平分解
能が悪化するという問題が起こる。
When such a phase shift exists at the sampling point, the characteristics of the CCD comb filter are that a frequency shift occurs at the peak level and notch level, and the attenuation of the notch level decreases, resulting in a deterioration of the suppression ratio. Since the absolute gain of the level also deteriorates as the frequency becomes higher, a problem arises in that the horizontal resolution where the energy spectrum is concentrated in the high frequency region deteriorates.

さらに、画質の面では正規のY信号およびC信
号スペクトルの集中する周波数での減衰量が少な
いため、C信号が輝度チヤネルに漏れることによ
りドツト妨害が目立つのみならず、Y信号が色チ
ヤネルに漏れることによりクロスカラーの妨害も
目立つようになる。以上の説明より明らかなよう
に、サンプリング点の正規の位相差からのシフト
はCCDくし形フイルタの本来の利点を生かさな
いことになる。従来のCCDくし形フイルタの駆
動方法では前記サンプリング点の位相差を0.8ns
以下に納めることがほとんどできないという欠点
があつた。
Furthermore, in terms of image quality, since there is little attenuation at frequencies where the regular Y signal and C signal spectra are concentrated, not only dot interference becomes noticeable due to the leakage of the C signal into the luminance channel, but also the leakage of the Y signal into the color channel. As a result, cross-color interference becomes more noticeable. As is clear from the above explanation, shifting the sampling point from the normal phase difference does not take advantage of the original advantages of the CCD comb filter. In the conventional CCD comb filter driving method, the phase difference between the sampling points is set to 0.8 ns.
The drawback was that it was almost impossible to fit it into the following.

本発明の目的は従来のクロツクドライバの入力
インバータ部にデユーテイ制御部を追加設置して
駆動することにより上記欠点を除去したCCDく
し形フイルタの駆動方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for driving a CCD comb filter that eliminates the above-mentioned drawbacks by adding a duty control section to the input inverter section of a conventional clock driver.

本発明によれば1つのCCDメインチヤネルと
2つのCCDサブチヤネルとの間で半周期毎に交
互にサンプリングする方式のCCDくし形フイル
タを電荷プリセツト入力法により駆動するCCD
くし形フイルタの駆動方法において、CCDチヤ
ネル駆動用の2相パルスを供給するためのドライ
ブ回路におけるインバータ段の負荷MOSFETと
ドライブMOSFETのそれぞれに並列に2つの制
御用MOSFETを設け、前記MOSFETの各ゲー
トに各部からの直流バイアスと前記ドライブ回路
のアナログ反転回路を経た相補直流バイアスとを
供給し、前記2相パルスと電荷プリセツト用パル
スとのサンプリング開口時間が前記CCDメイン
チヤネルと前記CCDサブチヤネルとの間で一致
し、かつサンプリング点が180゜シフトして動作す
ることを特徴とするCCDくし形フイルタの駆動
方法が得られる。
According to the present invention, a CCD comb filter that alternately samples one CCD main channel and two CCD subchannels every half cycle is driven by a charge preset input method.
In a method for driving a comb filter, two control MOSFETs are provided in parallel with each of the load MOSFET and the drive MOSFET of the inverter stage in the drive circuit for supplying two-phase pulses for driving the CCD channel, and each gate of the MOSFET is connected to the drive MOSFET. A DC bias from each part and a complementary DC bias via an analog inversion circuit of the drive circuit are supplied to A method for driving a CCD comb filter is obtained, which is characterized in that the CCD comb filter is operated while the sampling points coincide with each other and the sampling points are shifted by 180°.

次に図面を参照して本発明の実施例について説
明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第4図は本発明のCCDくし形フイルタの駆動
方法の一実施例を示すクロツクドライバの回路構
成図である。同図において第2図と同一の構成要
素には同一の記号を付してある。なお、本実施例
では便宜上p形半導体基板上にIC化されたnチ
ヤネルMOSFETを用いたものについて説明する
が、n形半導体基板上にIC化されたpチヤネル
MOSFETの場合にも適用できることはいうまで
もない。
FIG. 4 is a circuit diagram of a clock driver showing an embodiment of the CCD comb filter driving method of the present invention. In this figure, the same components as in FIG. 2 are given the same symbols. In this example, for the sake of convenience, an example using an n-channel MOSFET formed into an IC on a p-type semiconductor substrate will be explained.
Needless to say, it can also be applied to MOSFETs.

本実施例では、第2図に示した従来のクロツク
ドライバの回路構成に、端子P1,P2に現われ
る駆動パルスのデユーテイ制御用のMOSFET
M7,M8および直流バイアス制御用のアナログ
反転回路M9,M10を追加した構成となつてい
る。MOSFET M7,M8は、従来のクロツク
ドライバで問題となつていた初段のインバータの
立上り時間と立下り時間との極度の差異に基づく
パルス波形のデユーテイ比の制御が不可能なこと
を解決するために付加され、初段のインバータの
負荷MOSFET M2、ドライブMOSFET M1
のそれぞれにgnを加算している。ここで、
MOSFET M7はエンハンスメント型のドライ
ブMOSFET M1と、またMOSFET M8はデ
プレツシヨン型の負荷MOSFET M2とそれぞ
れ同一種類のFETであることが望ましい。また、
端子N1のパルスのダイナミツクな動作を大きく
変化させるためMOSFET M7,M8のW/L
(チヤネル幅/チヤネル長)はそれぞれ前記
MOSFET M1,M2のW/Lと同程度である
ことが望ましい。さらに本実施例では、
MOSFET M7,M8のゲートの直流バイアス
制御用としてE/D構成インバータであるアナロ
グ反転回路M9,M10を設け、1つの端子VI
に外部から与えられる直流バイアス(以下VIバ
イアス)により2つのMOSFET M7,M8の
gnを変化させることが可能になつている。この
場合、前記VIバイアスは前記アナログ反転回路
の入力としてMOSFET M9に供給されるのみ
ならず、MOSFET M8にも供給される。そし
て前記アナログ反転回路の出力V1はMOSFET
M7のゲートに供給されている。
In this embodiment, a MOSFET for duty control of drive pulses appearing at terminals P1 and P2 is added to the circuit configuration of the conventional clock driver shown in FIG.
The configuration is such that M7, M8 and analog inverting circuits M9, M10 for DC bias control are added. MOSFETs M7 and M8 are designed to solve the problem of conventional clock drivers, where it is impossible to control the duty ratio of the pulse waveform due to the extreme difference between the rise time and fall time of the first stage inverter. is added to the first stage inverter's load MOSFET M2 and drive MOSFET M1.
g n is added to each of . here,
It is preferable that the MOSFET M7 is the same type of FET as the enhancement type drive MOSFET M1, and the MOSFET M8 is the same type as the depletion type load MOSFET M2. Also,
W/L of MOSFET M7 and M8 to greatly change the dynamic operation of the pulse of terminal N1.
(Channel width/Channel length) are as above.
It is desirable that the W/L is about the same as that of MOSFETs M1 and M2. Furthermore, in this example,
Analog inverting circuits M9 and M10, which are E/D configuration inverters, are provided for DC bias control of the gates of MOSFETs M7 and M8, and one terminal VI
DC bias (hereinafter referred to as VI bias) applied externally to the two MOSFETs M7 and M8
It has become possible to change g n . In this case, the VI bias is not only supplied to MOSFET M9 as an input of the analog inversion circuit, but also to MOSFET M8. And the output V1 of the analog inversion circuit is MOSFET
It is supplied to the gate of M7.

次に本実施例の動作につき説明する。第5図は
第4図における各回路要素の端子PI,N1,N
2,P1,P2での動作波形を示す。また第6図
は第4図に示したアナログ反転回路の入出力特性
を示す図で、横軸はVIバイアスを、縦軸は出力
V1を表わす。端子N1の出力のパルス波形の高
レベル期間が1周期に比して50%以下の場合(以
下第1の場合)にVIバイアスは電源電圧VDDに近
い高レベルVI〓に設定される。すると、前記アナ
ログ反転回路の出力レベルV1〓はMOSFET M
7のしきい値電圧以下になりうる。実際、このよ
うな特性を持つようにMOSFET M9,M10
のベータ比を決めることが好ましい。このとき
MOSFET M8のゲートには高レベルVI〓の直流
バイアスが常時印加されているので、そのgn
MOSFET M2のgnよりも大きくなる。すなわ
ち、端子PIのパルス波形がオフに変わり端子N
1のパルス波形が立上り遷移状態におかれている
ときには、MOSFET M2のゲート電位は0Vか
ら電源電圧VDDまでダイナミツクに上昇するの
で、平均的なgnはMOSFET M8のgnよりも低
下している。従つて、初段のインバータの出力で
ある端子N1における電位変化は、第2図に示し
た従来のクロツクドライバの場合に比べ2倍以上
にも高速化される。しかし現実には、MOSFET
M7,M8を付加したことに伴い端子N1におけ
るPN接合容量が増大するため2倍程度の高速化
にとどまるものと予測される。また、端子PIの
パルス波形がオンに変り端子N1のパルス波形が
立下り遷移状態に入つているときには、
MOSFET M1のgnによる端子N1の電位のダ
イナミツクな放電動作はMOSFET M8の定常
導通電流により遅くなる。これはMOSFET M
7,M8が存在しない場合、すなわち第2図の従
来の回路構成の場合と比較して端子N1のパルス
波形の立下り時間が劣化することを意味する。従
つて次段のB1回路のしきい値電圧を横切るのは
時刻ta′、tb′、tc′となる。ここで期間T〓′=tb

ta′、T〓′=tc′−tb′とすれば、第3図に示した従

の回路動作時と比べて改善され、前記期間T〓′=
T〓′に設定することができる。これは端子N1の
パルス波形の高レベル期間を、立上り時間の高速
化および立下り時間の低速化により、拡げること
ができたことにより実現されたのである。もし
VIバイアスの電位が大き過ぎて前記期間T〓′>
T〓′となつたときには、VIバイアスの電位を少し
低下させるように調整すれば、前記期間T〓′=
T〓′となる条件が得られる。端子P1,P2の駆
動パルス波形のデユーテイ比は、端子N2,N3
のパルス波形のデユーテイ比にほぼ順応するの
で、初段のインバータの出力をデユーテイ制御す
ることは妥当である。前述したように、B1回
路、B2回路は高速のブートストラツプ回路もし
くは高速バツフア回路で構成され、プツシユプル
回路のMOSFET M3,M5,M4,M6を駆
動する。前述したように端子N2,N3のパルス
は相補的なパルスなので、前記プツシユプル回路
は低消費電力でダイナミツクな動作変化をする。
すなわち端子N2のパルス波形が立ち上る(端子
N3のパルス波形は立ち下る)ときには
MOSFET M4,M5がオン状態(MOSFET
M3,M6はオフ状態)となり、端子P1の駆動
パルスは高レベルに、また端子P2の駆動パルス
は低レベルに遷移する。これらの端子P1,P2
の出力パルスのダイナミツクな変化は端子N2の
電位変化にほぼ対応するので、端子P1,P2の
駆動パルス波形のデユーテイ比は端子N2のパル
ス波形のデユーテイ比とほぼ等しくなる。従つ
て、前記期間T〓′=T〓′となるようにVIバイアス
の電位を設定すれば、端子P1,P2の駆動パル
ス波形のデユーテイ比として50%を得ることがで
きる。制御法としては、クロツクドライバの出力
パルス波形を観測しながらそのデユーテイ比を
50.0%に入れるように外部制御する微調整法が採
られる。
Next, the operation of this embodiment will be explained. Figure 5 shows the terminals PI, N1, N of each circuit element in Figure 4.
2, the operating waveforms at P1 and P2 are shown. FIG. 6 is a diagram showing the input/output characteristics of the analog inversion circuit shown in FIG. 4, where the horizontal axis represents VI bias and the vertical axis represents output V1. When the high level period of the pulse waveform output from the terminal N1 is 50% or less of one cycle (hereinafter referred to as the first case), the VI bias is set to a high level VI near the power supply voltage VDD . Then, the output level V1 of the analog inversion circuit is
7 or lower. In fact, MOSFETs M9 and M10 have such characteristics.
It is preferable to determine the beta ratio of At this time
Since a high-level DC bias is always applied to the gate of MOSFET M8, its g n is
It is larger than g n of MOSFET M2. In other words, the pulse waveform of terminal PI turns off and terminal N
When the pulse waveform No. 1 is in a rising transition state, the gate potential of MOSFET M2 dynamically rises from 0V to the power supply voltage VDD , so the average g n is lower than that of MOSFET M8. There is. Therefore, the potential change at the terminal N1, which is the output of the first stage inverter, is more than twice as fast as in the case of the conventional clock driver shown in FIG. But in reality, MOSFET
With the addition of M7 and M8, the PN junction capacitance at the terminal N1 increases, so it is predicted that the speed will only increase by about twice. Also, when the pulse waveform of terminal PI turns on and the pulse waveform of terminal N1 enters a falling transition state,
The dynamic discharge operation of the potential at the terminal N1 due to the g n of the MOSFET M1 is slowed down by the steady conduction current of the MOSFET M8. This is MOSFET M
7 and M8 do not exist, which means that the fall time of the pulse waveform at the terminal N1 is degraded compared to the case of the conventional circuit configuration shown in FIG. Therefore, the threshold voltage of the next stage B1 circuit is crossed at times t a ′, t b ′, and t c ′. Here, the period T〓′=t b

If t a ′, T〓′=t c ′−t b ′, it is improved compared to the conventional circuit operation shown in FIG. 3, and the period T〓′=
It can be set to T〓′. This was achieved by being able to extend the high level period of the pulse waveform at terminal N1 by increasing the rise time and slowing the fall time. if
The potential of the VI bias is too large and the period T〓′>
When T〓′ is reached, if the potential of the VI bias is adjusted to decrease a little, the period T〓′=
The conditions for T〓′ can be obtained. The duty ratio of the drive pulse waveform of terminals P1 and P2 is the same as that of terminals N2 and N3.
It is appropriate to duty-control the output of the first-stage inverter, since it almost adapts to the duty ratio of the pulse waveform. As described above, the B1 circuit and the B2 circuit are constituted by a high-speed bootstrap circuit or a high-speed buffer circuit, and drive MOSFETs M3, M5, M4, and M6 of the push-pull circuit. As mentioned above, since the pulses at the terminals N2 and N3 are complementary pulses, the push-pull circuit dynamically changes its operation with low power consumption.
In other words, when the pulse waveform at terminal N2 rises (the pulse waveform at terminal N3 falls),
MOSFET M4, M5 are on state (MOSFET
M3 and M6 are turned off), the drive pulse at the terminal P1 goes high, and the drive pulse at the terminal P2 goes low. These terminals P1, P2
Since the dynamic change in the output pulse approximately corresponds to the potential change at the terminal N2, the duty ratio of the drive pulse waveform at the terminals P1 and P2 is approximately equal to the duty ratio of the pulse waveform at the terminal N2. Therefore, by setting the potential of the VI bias so that the period T〓'=T〓', it is possible to obtain a duty ratio of 50% for the drive pulse waveforms of the terminals P1 and P2. The control method is to measure the duty ratio while observing the output pulse waveform of the clock driver.
A fine adjustment method using external control is used to keep it within 50.0%.

次に端子N1のパルス波形の高レベル期間が1
周期に比し50%以上になつている場合について説
明する。これはクロツクドライバの端子PIのパ
ルス波形のデユーテイ比が50%以下の場合に相当
し、端子PIへのパルス供給側の論理部(図示せ
ず)に問題がある場合である。このときにはアナ
ログ反転回路の入力のVIバイアスとして低レベ
ルVI〓を選び、出力V1をMOSFET M7のしき
い値電圧以上の高レベルVI〓に設定して
MOSFET M7のgnを利用する。前記VIバイア
スは低レベルVI〓に設定されるのでMOSFET M
8のgnは小さくなる。ここで端子PIのパルス波
形がオフに遷移するときには、端子N1のパルス
波形は高レベルに状態変化を起こす。このとき
MOSFET M1がカツトオフ状態になつても
MOSFET M7がオン状態にあるため端子N1
のパルス波形の立上り遷移状態変化を遅くする。
また、端子PIのパルス波形がオン状態に設定さ
れ端子N1のパルス波形が低レベルに遷移する場
合には、MOSFET M7のgnがMOSFET M1
のgnに加算されて、端子N1のパルス波形の立
下り遷移状態変化を高速化する。従つて、端子N
1のパルス波形の高レベル期間は50%に近づくこ
とになる。その他の動作変化および制御法は前述
の第1の場合と同じなので説明を省略する。
Next, the high level period of the pulse waveform of terminal N1 is 1
A case where the ratio is 50% or more compared to the period will be explained. This corresponds to a case where the duty ratio of the pulse waveform at the terminal PI of the clock driver is 50% or less, and there is a problem in the logic section (not shown) on the pulse supply side to the terminal PI. In this case, select a low level VI〓 as the input VI bias of the analog inversion circuit, and set the output V1 to a high level VI〓 that is higher than the threshold voltage of MOSFET M7.
Use g n of MOSFET M7. Since the VI bias is set to a low level VI〓, MOSFET M
8's g n becomes smaller. Here, when the pulse waveform of the terminal PI transitions to OFF, the pulse waveform of the terminal N1 changes state to a high level. At this time
Even if MOSFET M1 is cut off
Since MOSFET M7 is in the on state, terminal N1
Slows down the rise transition state change of the pulse waveform.
In addition, when the pulse waveform of terminal PI is set to the on state and the pulse waveform of terminal N1 transitions to a low level, g n of MOSFET M7 is set to the ON state.
g n to speed up the falling transition state change of the pulse waveform of the terminal N1. Therefore, terminal N
The high level period of the pulse waveform of No. 1 approaches 50%. Other operational changes and control methods are the same as in the first case described above, so their explanations will be omitted.

以上に述べた本実施例において、MOSFET
M1,M2,M7,M8の組合せ回路のベータ比
は端子N1のパルス波形の低レベルがB1回路の
しきい値電圧以下になるように維持される。VI
バイアスの調整のみによつて端子P1,P2の駆
動パルス波形のデユーテイ比が50%に設定される
と、CCDくし形フイルタを駆動するためのサン
プリングパルスは、第1図bに示すように互に
180゜の位相差を有するパルスとして、別に設けた
パルス発生論理部から第1図aの端子ID1,ID
2に供給されるので、サンプリングの開口時間
td1,td2を等しくすることができる。前記パルス
発生論理部とクロツクドライバとは1チツプに
IC化され、しかもそのマスタクロツクは21.5MHz
(6fsc)である。また、端子ID1,ID2のサンプ
リングパルス幅はマスタクロツクのパルス幅に対
応しているほか、そのタイミングもマスタクロツ
クに同期しているため、その位相差はちようど
180゜である。さらに第4図に示した本実施例のク
ロツクドライバでCCDくし形フイルタを駆動し
たときは、クロツクドライバを前記パルス発生論
理部など他の論理部とともにIC化した後でも端
子P1,P2の駆動パルス波形のデユーテイ比を
容易に制御できるほか、サンプリングの開口時間
td1,td2を等しく設定できるため、CCDくし形フ
イルタの性能を大幅に向上させることができる。
すなわち、前記開口時間td1=td2であれば、第1
図aに示したチヤネルAとチヤネルBとの入力部
でのサンプリング点は180゜の位相差で交互にシフ
トされる。このとき非転送効率の劣化が小さけれ
ば、CCDくし形フイルタ特性の抑圧比が低下す
ることはなく40dB以上の値が得られる。
In this embodiment described above, MOSFET
The beta ratio of the combined circuit of M1, M2, M7, and M8 is maintained such that the low level of the pulse waveform at terminal N1 is below the threshold voltage of the B1 circuit. VI
When the duty ratio of the driving pulse waveforms of terminals P1 and P2 is set to 50% by adjusting the bias only, the sampling pulses for driving the CCD comb filter are mutually controlled as shown in Figure 1b.
As a pulse having a phase difference of 180°, a separately provided pulse generation logic section outputs terminals ID1 and ID in Figure 1a.
2, so the sampling opening time
td 1 and td 2 can be made equal. The pulse generation logic section and clock driver are integrated into one chip.
It is integrated into an IC, and its master clock is 21.5MHz.
(6f sc ). In addition, the sampling pulse width of terminals ID1 and ID2 corresponds to the pulse width of the master clock, and the timing is also synchronized with the master clock, so the phase difference is
It is 180°. Furthermore, when the CCD comb filter is driven by the clock driver of this embodiment shown in FIG. In addition to easily controlling the duty ratio of the drive pulse waveform, you can also control the sampling opening time.
Since td 1 and td 2 can be set equally, the performance of the CCD comb filter can be greatly improved.
That is, if the opening time td 1 = td 2 , the first
The sampling points at the inputs of channels A and B shown in Figure a are alternately shifted with a phase difference of 180°. At this time, if the deterioration of the non-transfer efficiency is small, the suppression ratio of the CCD comb filter characteristic does not decrease and a value of 40 dB or more can be obtained.

さらに、サンプリング点のシフトが生じないよ
うにパルス波形を設定できるため、高周波域での
ゲイン劣化が起こらず水平方向の分解能低下も避
けられる。もちろんC信号、Y信号の分離度が大
きいため、垂直方向のドツト妨害やクロスカラー
の妨害も改善される。このように本実施例の
CCDくし形フイルタの駆動方法は大きなメリツ
トを生むほか、外部調整で性能を向上させること
ができるので、ICを量産ベースに載せるときそ
の低価格化の重要なフアクタである歩留りの向上
に大きく寄与する。また従来のクロツクドライバ
に付加する回路要素が少ないので占有面積の増大
にはつながらず、しかも単一のバイアス調整端子
が付加されるのみなので、ICをパツケージング
するときの大きなネツクとはならない。
Furthermore, since the pulse waveform can be set so that the sampling point does not shift, gain deterioration does not occur in the high frequency range, and resolution deterioration in the horizontal direction can be avoided. Of course, since the degree of separation between the C signal and the Y signal is large, vertical dot interference and cross color interference are also improved. In this way, in this example
The driving method of the CCD comb filter has great advantages, and its performance can be improved by external adjustment, which greatly contributes to improving yield, which is an important factor in reducing the cost of ICs when they are put into mass production. . In addition, since there are fewer circuit elements added to a conventional clock driver, it does not lead to an increase in the occupied area, and since only a single bias adjustment terminal is added, it does not become a major bottleneck when packaging an IC.

なお、本実施例においてMOSFET M7,M
8の直流バイアスは外部から独立に与えてもよ
く、またMOSFET M8のゲートにアナログ反
転回路の出力V1を与えMOSFET M7のゲー
トにVIバイアスを直接与えるようにしても同様
な効果が得られることはいうまでもない。また、
MOSFET M9のソース端子を負電位に設定す
ることも、MOSFET M10のドレイン端子を
電源電圧VDD以外のバイアス電源に接続すること
も本発明の趣旨を損なうものではない。
In addition, in this example, MOSFET M7, M
The DC bias of 8 may be applied independently from the outside, or the same effect can be obtained by applying the output V1 of the analog inversion circuit to the gate of MOSFET M8 and directly applying the VI bias to the gate of MOSFET M7. Needless to say. Also,
Neither setting the source terminal of MOSFET M9 to a negative potential nor connecting the drain terminal of MOSFET M10 to a bias power source other than the power supply voltage VDD does not impair the spirit of the present invention.

本発明のCCDくし形フイルタの駆動方法によ
れば、クロツクドライバの初段のインバータに付
加したデユーテイ制御用および直流バイアス制御
用回路により、前記初段のインバータの動遷移状
態を変化させ、CCDくし形フイルタのチヤネル
部を駆動する2相パルスと電荷プリセツト用パル
スとのサンプリング開口時間をCCDメインチヤ
ネルとCCDサブチヤネルとの間で一致させるこ
とによつて、前記メイン、サブチヤネルの位相が
180゜ずれた理想的な交互サンプリングが行われる
ので、水平方向の分解能の低下が避けられ垂直方
向のドツト妨害やクロスカラーの妨害が改善さ
れ、CCDくし形フイルタ本来の特性を十分生か
した駆動方法が得られるという効果が生じる。
According to the CCD comb filter driving method of the present invention, the duty control and DC bias control circuits added to the first stage inverter of the clock driver change the dynamic transition state of the first stage inverter, and the CCD comb filter By matching the sampling opening times of the two-phase pulse that drives the channel section of the filter and the charge presetting pulse between the CCD main channel and the CCD subchannel, the phases of the main and subchannels can be adjusted.
Since ideal alternate sampling is performed with a 180° shift, a decrease in resolution in the horizontal direction is avoided, dot interference and cross color interference in the vertical direction are improved, and the drive method takes full advantage of the original characteristics of the CCD comb filter. This results in the effect that .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図aは一般的CCDくし形フイルタの入出
力部の構成を示す図、第1図bは第1図aにおけ
る主要端子の駆動波形図、第2図は従来のCCD
くし形フイルタ駆動用のクロツクドライバの一例
を示す回路図、第3図は第2図における動作波形
図、第4図は本発明のCCDくし形フイルタの駆
動方法の一実施例のクロツクドライバの回路図、
第5図は第4図における動作波形図、第6図は第
4図におけるアナログ反転回路の入出力特性を示
す図である。 11,11′,11″……n+拡散層、12……
p形半導体基板、13……バツフアアンプ、B
1,B2……高速ブートストラツプ回路または高
速バツフア回路、M1〜M10……MOSFET。
Figure 1a is a diagram showing the configuration of the input/output section of a general CCD comb filter, Figure 1b is a driving waveform diagram of the main terminals in Figure 1a, and Figure 2 is a diagram of the conventional CCD comb filter.
A circuit diagram showing an example of a clock driver for driving a comb filter, FIG. 3 is an operating waveform diagram in FIG. 2, and FIG. 4 is a clock driver of an embodiment of the CCD comb filter driving method of the present invention. circuit diagram,
5 is an operating waveform diagram in FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram showing input/output characteristics of the analog inversion circuit in FIG. 4. 11, 11', 11''...n + diffusion layer, 12...
p-type semiconductor substrate, 13... buffer amplifier, B
1, B2...High-speed bootstrap circuit or high-speed buffer circuit, M1-M10...MOSFET.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 1つのCCDメインチヤネルと2つのCCDサ
ブチヤネルとの間で半周期毎に交互にサンプリン
グする方式のCCDくし形フイルタを電荷プリセ
ツト入力法により駆動するCCDくし形フイルタ
の駆動方法において、2相パルスを供給するため
のCCDチヤネル駆動用ドライブ回路の初段イン
バータとして2つのMOSFETを有し、この初段
インバータに2つのMOSFETを構成要素とする
デユーテイ制御用制御回路を付加し、かつ初段イ
ンバータのMOSFETとデユーテイ制御用回路の
MOSFETとは各々並列に接続され、さらにデユ
ーテイ制御用制御回路の一方のMOSFETに供給
される直流バイアスとは相補的な関係にある直流
バイアスを他方のMOSFETに供給するための直
流バイアス制御用回路をも付加し、この直流バイ
アス制御用回路と前記デユーテイ制御用回路の一
方のMOSFETへ供給される直流バイアスを調整
することにより、前記2相パルスと電荷プリセツ
ト用パルスとのサンプリング開口時間が前記
CCDメインチヤネルと前記CCDサブチヤネルと
の間で一致し、かつサンプリング点が180゜シフト
に動作するようにしたことを特徴とするCCDく
し形フイルタの駆動方法。
1. In a CCD comb filter driving method that uses a charge preset input method to drive a CCD comb filter that samples alternately every half period between one CCD main channel and two CCD subchannels, two-phase pulses are used. It has two MOSFETs as the first-stage inverter of the drive circuit for driving the CCD channel for supplying power, and a duty control control circuit consisting of two MOSFETs is added to this first-stage inverter, and the MOSFET of the first-stage inverter and duty control circuit for
The MOSFETs are each connected in parallel, and the duty control circuit also has a DC bias control circuit that supplies DC bias to the other MOSFET in a complementary relationship to the DC bias supplied to one MOSFET. is also added, and by adjusting the DC bias supplied to one of the MOSFETs of the DC bias control circuit and the duty control circuit, the sampling opening time of the two-phase pulse and the charge preset pulse can be adjusted to
A method for driving a CCD comb filter, characterized in that the CCD main channel and the CCD subchannel are aligned and the sampling point is shifted by 180°.
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