JPH0128541B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0128541B2 JPH0128541B2 JP55105023A JP10502380A JPH0128541B2 JP H0128541 B2 JPH0128541 B2 JP H0128541B2 JP 55105023 A JP55105023 A JP 55105023A JP 10502380 A JP10502380 A JP 10502380A JP H0128541 B2 JPH0128541 B2 JP H0128541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- cathode
- semiconductor switching
- control electrode
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ゲート・ターンオフサイリスタ（以
下GTOと略称）や静電誘導サイリスタ（以下SI
サイリスタと略称）等の半導体スイツチング素子
の制御方法に関するものである。
下GTOと略称）や静電誘導サイリスタ（以下SI
サイリスタと略称）等の半導体スイツチング素子
の制御方法に関するものである。
GTOとは、例えばpnpnの４層からなる半導体
基体と、外側のｐ層に設けられた陽極と、外側の
ｎ層に設けられた陰極と、中間のｐ層に設けられ
た制御電極とを具備し、陰極と制御電極との間に
所定の極性のバイアス電圧を印加することによつ
て陽極と陰極間に流れる主電流をしや断しあるい
は通電させる機能を有する半導体スイツチング素
子として知られている。また、SIサイリスタと
は、例えば半導体基体が一方の主面に隣接するｐ
層と、ｐ層及び他方の主面に隣接するｎ層と、他
方の主面からｎ層内に延びるｎ層より高不純物濃
度を有するn+層と、他方の主面からｎ層内にn+
層より深く延びかつn+層の側方を包囲するｐゲ
ート層とを有し、ｐ層に陽極が設けられ、n+層
に陰極が設けられ、ｐゲート層に制御電極が設け
られた構成となつていて、陰極と制御電極との間
に所定のバイアス電圧を印加すれば陽極と陰極間
がしや断状態に、バイアス電圧を除去すると通電
状態に移行する機能を有する半導体スイツチング
素子として知られている。
基体と、外側のｐ層に設けられた陽極と、外側の
ｎ層に設けられた陰極と、中間のｐ層に設けられ
た制御電極とを具備し、陰極と制御電極との間に
所定の極性のバイアス電圧を印加することによつ
て陽極と陰極間に流れる主電流をしや断しあるい
は通電させる機能を有する半導体スイツチング素
子として知られている。また、SIサイリスタと
は、例えば半導体基体が一方の主面に隣接するｐ
層と、ｐ層及び他方の主面に隣接するｎ層と、他
方の主面からｎ層内に延びるｎ層より高不純物濃
度を有するn+層と、他方の主面からｎ層内にn+
層より深く延びかつn+層の側方を包囲するｐゲ
ート層とを有し、ｐ層に陽極が設けられ、n+層
に陰極が設けられ、ｐゲート層に制御電極が設け
られた構成となつていて、陰極と制御電極との間
に所定のバイアス電圧を印加すれば陽極と陰極間
がしや断状態に、バイアス電圧を除去すると通電
状態に移行する機能を有する半導体スイツチング
素子として知られている。
第１図に、ターンオフ用ゲート電源EGを用い
て、半導体スイツチング素子SM（SIサイリスタ或
はGTO）をターンオンするための一方法を示す。
ESは主電源、RLは負荷、SGは制御用のSIサイリ
スタ、Ｌはリアクトル、RSは電流制限用抵抗で
ある。SGのゲート・カソード（Ｇ−Ｋ）間の電圧
vG
て、半導体スイツチング素子SM（SIサイリスタ或
はGTO）をターンオンするための一方法を示す。
ESは主電源、RLは負荷、SGは制御用のSIサイリ
スタ、Ｌはリアクトル、RSは電流制限用抵抗で
ある。SGのゲート・カソード（Ｇ−Ｋ）間の電圧
vG
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 陽極、陰極および制御電極を有し陰極と制御
電極間に所定のバイアス電圧を印加することによ
り陽極と陰極間に流れる主電流をしや断しあるい
は通電させる機能を有する半導体スイツチング素
子の上記陰極・制御電極間に、リアクトルおよび
制御端子を有し該制御端子に電流を通電すること
により閉じられる第１の開閉器を直列に接続して
なる第１の回路と、制御用電源および第２の開閉
器を直列に接続してなる第２の回路をそれぞれ接
続し、更に上記リアクトルの上記第１の開閉器と
反対側の端子と上記第１の開閉器の制御端子との
間に上記第１の開閉器の制御端子に向う方向のみ
に電流が通電されるようにダイオードと抵抗の直
列回路を接続し、上記第１の開閉器を開き第２の
開閉器を閉じることにより上記制御用電源電圧を
半導体スイツチング素子の陰極・制御電極に印加
して半導体スイツチング素子をしや断状態にし、
予め第１および第２の開閉器を一定時間閉じて上
記リアクトルに電気エネルギーを蓄えた後第２の
開閉器を開き第１の開閉器を閉じて上記リアクト
ルに蓄えられた電気エネルギーを半導体スイツチ
ング素子の陰極・制御電極間および上記第１の開
閉器の制御部に印加して半導体スイツチング素子
を導通状態にすることを特徴とする半導体スイツ
チング素子の制御方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、上記第１の
開閉器がトランジスタであり、第２の開閉器が静
電誘導サイリスタであることを特徴とする半導体
スイツチング素子の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10502380A JPS5731176A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Controlling method of semiconductor switching element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10502380A JPS5731176A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Controlling method of semiconductor switching element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5731176A JPS5731176A (en) | 1982-02-19 |
| JPH0128541B2 true JPH0128541B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=14396448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10502380A Granted JPS5731176A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Controlling method of semiconductor switching element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5731176A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122270A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Toshiba Components Kk | サイリスタ |
-
1980
- 1980-08-01 JP JP10502380A patent/JPS5731176A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5731176A (en) | 1982-02-19 |
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