JPH0131291B2 - - Google Patents
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- JPH0131291B2 JPH0131291B2 JP56004986A JP498681A JPH0131291B2 JP H0131291 B2 JPH0131291 B2 JP H0131291B2 JP 56004986 A JP56004986 A JP 56004986A JP 498681 A JP498681 A JP 498681A JP H0131291 B2 JPH0131291 B2 JP H0131291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- heat treatment
- substrate
- gaas
- implanted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、化合物半導体装置の製造方法、特
に砒素（As）を含む化合物半導体結晶基体の表
面から基体内部にわたつて形成されたイオン注入
層内の注入原子を活性化させる熱処理方法に関す
る。
に砒素（As）を含む化合物半導体結晶基体の表
面から基体内部にわたつて形成されたイオン注入
層内の注入原子を活性化させる熱処理方法に関す
る。
近年、半導体素子の超高速化、超高周波化の要
求に伴い、従来から半導体素子の材料として用い
られているケイ素（Si）半導体結晶に比較し、大
きな電子移動度を有する砒化ガリウム（GaAs）
等の化合物半導体を用いた半導体素子が注目され
てきている。とりわけGaAsを用いた高周波半導
体装置としてGaAsシヨツトキバリヤ型電界効果
トランジスタ（GaAsMESFET）の進歩はめざ
ましいものがあり、集積回路（IC）や大規模集
積回路（LSI）をめざしての研究開発も着実に進
められている。拡散技術に困難の多いGaAsの場
合、精密不純物ドーピング法として原理的に優れ
ているイオン注入法は、制御性が特に要求され
る。GaAsICの主要技術になるであろうことが予
想されている。
求に伴い、従来から半導体素子の材料として用い
られているケイ素（Si）半導体結晶に比較し、大
きな電子移動度を有する砒化ガリウム（GaAs）
等の化合物半導体を用いた半導体素子が注目され
てきている。とりわけGaAsを用いた高周波半導
体装置としてGaAsシヨツトキバリヤ型電界効果
トランジスタ（GaAsMESFET）の進歩はめざ
ましいものがあり、集積回路（IC）や大規模集
積回路（LSI）をめざしての研究開発も着実に進
められている。拡散技術に困難の多いGaAsの場
合、精密不純物ドーピング法として原理的に優れ
ているイオン注入法は、制御性が特に要求され
る。GaAsICの主要技術になるであろうことが予
想されている。
しかしながら、GaAsの化合物半導体に関して
は、イオン注入に伴つて生ずる現象がSi等の単体
半導体に比べてはるかに複雑である上、イオン注
入後注入された原子を活性化させる為の高温熱処
理の過程で一方の構成元素（例えば砒素）が蒸発
してしまうのを防ぎ安定に熱処理を行う方法が確
立しておらず、高歩留りで再現性ある製造技術と
しての地位を得るには至つていない。
は、イオン注入に伴つて生ずる現象がSi等の単体
半導体に比べてはるかに複雑である上、イオン注
入後注入された原子を活性化させる為の高温熱処
理の過程で一方の構成元素（例えば砒素）が蒸発
してしまうのを防ぎ安定に熱処理を行う方法が確
立しておらず、高歩留りで再現性ある製造技術と
しての地位を得るには至つていない。
Asを含む化合物半導体、例えばGaAs結晶基体
の表面に形成されたイオン注入層を活性化する熱
処理（以下単に熱処理と称す）工程で熱処理中に
GaAs表面から、砒素が蒸発するのを防ぐため、
例えば笠原・新井がJ.Electrochem.Soc.126No.11、
1997（1979）で説明しているように、開管中で砒
化水素（アルシン、AsH3）ガスをモル分圧0.2〜
10Torr程度含有させた水素（H2）ガス雰囲気中
で750〜900℃程度の温度で熱処理することが有効
であると知られている。
の表面に形成されたイオン注入層を活性化する熱
処理（以下単に熱処理と称す）工程で熱処理中に
GaAs表面から、砒素が蒸発するのを防ぐため、
例えば笠原・新井がJ.Electrochem.Soc.126No.11、
1997（1979）で説明しているように、開管中で砒
化水素（アルシン、AsH3）ガスをモル分圧0.2〜
10Torr程度含有させた水素（H2）ガス雰囲気中
で750〜900℃程度の温度で熱処理することが有効
であると知られている。
しかしながら、この方法で使用するAsH3ガス
は極めて毒性が強く（許容濃度0.05ppm）、誤つ
て吸入すれば人体に致命的な作用を及ぼす為、ガ
ス封入容器、熱処理装置の取扱いには細心の注意
が不可欠である。又万一上記容器又は熱処理装置
からAsH3ガスが漏洩した場合、現状では微少量
ガスの漏洩を瞬時に検知する方法にとぼしく、安
全性を確保するうえで問題がある。
は極めて毒性が強く（許容濃度0.05ppm）、誤つ
て吸入すれば人体に致命的な作用を及ぼす為、ガ
ス封入容器、熱処理装置の取扱いには細心の注意
が不可欠である。又万一上記容器又は熱処理装置
からAsH3ガスが漏洩した場合、現状では微少量
ガスの漏洩を瞬時に検知する方法にとぼしく、安
全性を確保するうえで問題がある。
更にAsH3ガスとH2ガスを雰囲気として用いる
この方法では、多量のH2ガスの存在により熱処
理中の雰囲気が強い還元性となり、反応容器等に
還元作用を及ぼす為容器等の変質や劣化をひきお
こす。その上H2ガスは非常に軽い気体である為、
AsH3ガスとの密度差が大きく、H2とAsH3との
一様な混合を困難にするうえ、上述の温度条件下
ではガスの対流を激しくして雰囲気を不均一にす
る。このような事が原因と思われ、このような従
来の方法では、イオン注入層の活性化率の基体表
面ばらつきが大きく熱処理毎の再現性を不良にす
る。
この方法では、多量のH2ガスの存在により熱処
理中の雰囲気が強い還元性となり、反応容器等に
還元作用を及ぼす為容器等の変質や劣化をひきお
こす。その上H2ガスは非常に軽い気体である為、
AsH3ガスとの密度差が大きく、H2とAsH3との
一様な混合を困難にするうえ、上述の温度条件下
ではガスの対流を激しくして雰囲気を不均一にす
る。このような事が原因と思われ、このような従
来の方法では、イオン注入層の活性化率の基体表
面ばらつきが大きく熱処理毎の再現性を不良にす
る。
又この方法の場合には、イオン注入された原子
の高い活性化率を得る為に、第１図に示すように
注入層１１を含むGaAs基体１２と、他のGaAs
基体１３（もしくは、注入層１１を含む、他の
GaAs基体−図示せず−）とを、注入層１１が形
成された面が内側になるようにして重ね合わせて
熱処理系内に設置する必要がある。しかしこの場
合にも重ね合わせる基体１３との密着性や基体１
３の種類などによつて活性化率が左右される為基
体面内で活性化率が一様でなく、熱処理毎の再現
性を良好にしない。
の高い活性化率を得る為に、第１図に示すように
注入層１１を含むGaAs基体１２と、他のGaAs
基体１３（もしくは、注入層１１を含む、他の
GaAs基体−図示せず−）とを、注入層１１が形
成された面が内側になるようにして重ね合わせて
熱処理系内に設置する必要がある。しかしこの場
合にも重ね合わせる基体１３との密着性や基体１
３の種類などによつて活性化率が左右される為基
体面内で活性化率が一様でなく、熱処理毎の再現
性を良好にしない。
この発明はAsを含む化合物半導体結晶基体に
イオン注入層を形成した後施す熱処理について上
記の欠点を除去すべくなされたもので、極めて毒
性の強いAsH3ガスに替えてより毒性の弱いトリ
メチルアルシン〔（CH3）3As〕又はトリエチルア
ルシン〔（C2H5）3As〕ガスを用いる事を骨子とし
ている。（CH3）3As及び（C2H5）3Asは、共に空
気中では容易に分解し亜砒酸As2O3・nH2Oに変
化し、AsH3のように吸入により急性死をひき起
す事はなく、従つて熱処理作業時の安全性を高め
る。更に従来のH2ガスに替えて周期率表第８族
の不活性ガスを主成分とするH2ガスとの混合ガ
スを用いる事により、注入原子を高い活性化率で
均一に再現性よく活性化する利点を併せるもので
ある。
イオン注入層を形成した後施す熱処理について上
記の欠点を除去すべくなされたもので、極めて毒
性の強いAsH3ガスに替えてより毒性の弱いトリ
メチルアルシン〔（CH3）3As〕又はトリエチルア
ルシン〔（C2H5）3As〕ガスを用いる事を骨子とし
ている。（CH3）3As及び（C2H5）3Asは、共に空
気中では容易に分解し亜砒酸As2O3・nH2Oに変
化し、AsH3のように吸入により急性死をひき起
す事はなく、従つて熱処理作業時の安全性を高め
る。更に従来のH2ガスに替えて周期率表第８族
の不活性ガスを主成分とするH2ガスとの混合ガ
スを用いる事により、注入原子を高い活性化率で
均一に再現性よく活性化する利点を併せるもので
ある。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。第２図は、この例の方法により
GaAsの熱処理を行う場合の熱処理系の概略を示
すものである。広い等温度領域を有する電気炉２
１内に石英開管２３を配置し、石英等で作成され
た支持台２２を挿入して置き、その上にイオン注
入層１１が形成されているGaAs基体１２を設置
する。このようにして石英開管２３のガス導入口
２４から、65ml／minのH2ガスを37℃に保持し
た（C2H5）3As２５が充填されているバブラ２６
を通過させ、別の導入管２７からH2ガス35ml／
minと900ml／minのアルゴン（Ar）ガスを導入
し、（C2H5）3Asを通過させたH2ガスと混合して
流しながら熱処理を行う。
して説明する。第２図は、この例の方法により
GaAsの熱処理を行う場合の熱処理系の概略を示
すものである。広い等温度領域を有する電気炉２
１内に石英開管２３を配置し、石英等で作成され
た支持台２２を挿入して置き、その上にイオン注
入層１１が形成されているGaAs基体１２を設置
する。このようにして石英開管２３のガス導入口
２４から、65ml／minのH2ガスを37℃に保持し
た（C2H5）3As２５が充填されているバブラ２６
を通過させ、別の導入管２７からH2ガス35ml／
minと900ml／minのアルゴン（Ar）ガスを導入
し、（C2H5）3Asを通過させたH2ガスと混合して
流しながら熱処理を行う。
この実施例では電気炉２１の温度は850℃に設
定したが、この温度は注入される原子の種類及び
注入された量によつて適宜変える事ができる。熱
処理雰囲気中の（C2H5）3Asのモル比はバブラ２
６の温度、即ち（C2H5）3As蒸気圧及びバブラ２
６を通過するH2の量で調節できる。GaAs結晶を
構成するAsの蒸気圧は熱処理温度が高くなると
増加する為、熱処理中にGaAsが分解するのを防
ぐには雰囲気中の（C2H5）3Asのモル比（開管系
であることを考えると分圧としても良い）も熱処
理温度の上昇に伴つて増加させねばならないが、
900℃程度の熱処理であればAs（C2H5）のモル分
圧は４×10-3（約3Torrの分圧に相当する）もあ
れば良い。この実施例では（C2H5）3Asのモル比
を1.32×10-3に設定し、雰囲気ガスの総流量は１
／minとしてある。雰囲気ガス中H2は熱処理
中（C2H5）3Asの分解を促進させ単体Asの蒸気を
作り出す為に添加する。雰囲気中のH2量が多く
なると、先に述べたように従来例の欠点としてあ
げたと同様の不都合を生じ好ましくない。
定したが、この温度は注入される原子の種類及び
注入された量によつて適宜変える事ができる。熱
処理雰囲気中の（C2H5）3Asのモル比はバブラ２
６の温度、即ち（C2H5）3As蒸気圧及びバブラ２
６を通過するH2の量で調節できる。GaAs結晶を
構成するAsの蒸気圧は熱処理温度が高くなると
増加する為、熱処理中にGaAsが分解するのを防
ぐには雰囲気中の（C2H5）3Asのモル比（開管系
であることを考えると分圧としても良い）も熱処
理温度の上昇に伴つて増加させねばならないが、
900℃程度の熱処理であればAs（C2H5）のモル分
圧は４×10-3（約3Torrの分圧に相当する）もあ
れば良い。この実施例では（C2H5）3Asのモル比
を1.32×10-3に設定し、雰囲気ガスの総流量は１
／minとしてある。雰囲気ガス中H2は熱処理
中（C2H5）3Asの分解を促進させ単体Asの蒸気を
作り出す為に添加する。雰囲気中のH2量が多く
なると、先に述べたように従来例の欠点としてあ
げたと同様の不都合を生じ好ましくない。
なお上記実施例においては（C2H5）3Asのバブ
ラ２６にH2ガスを通し、別のガス導入管２７よ
りH2ガスとArガスを導入したが、バブラ２６を
通すのはH2ガスではなくArなど雰囲気の主成分
となる不活性ガスでも構わない。その際には所定
量のH2ガスは第２図の導入管２７から導入すれ
ばよい。更に（C2H5）3Asを導入するバブラ２６
は、第２図のようにバブリングをさせる事が必須
条件ではなく、種々の機構により（C2H5）3As蒸
気を電気炉２１内に供給してもよい。
ラ２６にH2ガスを通し、別のガス導入管２７よ
りH2ガスとArガスを導入したが、バブラ２６を
通すのはH2ガスではなくArなど雰囲気の主成分
となる不活性ガスでも構わない。その際には所定
量のH2ガスは第２図の導入管２７から導入すれ
ばよい。更に（C2H5）3Asを導入するバブラ２６
は、第２図のようにバブリングをさせる事が必須
条件ではなく、種々の機構により（C2H5）3As蒸
気を電気炉２１内に供給してもよい。
以上詳述したように、この例で雰囲気ガスとし
て、不活性Arガスと、AsH3に比べ安全性の高い
（C2H5）3Asと所定量のH2ガスとを含む混合ガス
を用い、イオン注入層１１が形成されている
GaAs基体１２の表面をこの雰囲気ガス流に露出
させて熱処理を施している。
て、不活性Arガスと、AsH3に比べ安全性の高い
（C2H5）3Asと所定量のH2ガスとを含む混合ガス
を用い、イオン注入層１１が形成されている
GaAs基体１２の表面をこの雰囲気ガス流に露出
させて熱処理を施している。
この方法によつて、上記基体を熱処理した後の
キヤリア濃度の深さ方向分布（キヤリアプロフア
イル）を第３図イに示す。なお注入層は、Crド
ープ半絶縁性GaAs基体にSiイオンを250keVの加
速エネルギーで２×1012ions／cm2のドーズ量を直
接注入して形成し、熱処理時間は15分間としたも
のである。従来の方法によつて、同一注入層を熱
処理した時得られるキヤリアプロフアイルをロ及
びハに示してある。ロは第１図に示すように上記
注入層１１を含む基体１２と他のGaAs基体１３
とを重ね合せて熱処理したものであり、ハは注入
層１１を含む基体１２をAsH3を含むH2ガス雰囲
気に露出させて熱処理したものである。
キヤリア濃度の深さ方向分布（キヤリアプロフア
イル）を第３図イに示す。なお注入層は、Crド
ープ半絶縁性GaAs基体にSiイオンを250keVの加
速エネルギーで２×1012ions／cm2のドーズ量を直
接注入して形成し、熱処理時間は15分間としたも
のである。従来の方法によつて、同一注入層を熱
処理した時得られるキヤリアプロフアイルをロ及
びハに示してある。ロは第１図に示すように上記
注入層１１を含む基体１２と他のGaAs基体１３
とを重ね合せて熱処理したものであり、ハは注入
層１１を含む基体１２をAsH3を含むH2ガス雰囲
気に露出させて熱処理したものである。
このようにこの発明の方法によれば、従来の方
法によるロ、およびハの場合に比べ注入イオンの
注入効率を30〜50％改善できる。第３図からわか
るように従来の方法のうち基体を重ね合せる方法
は基体表面を雰囲気中に露出させる方法に比較
し、注入効率を高くする。以後この発明による方
法例と、従来方法例との比較を行う場合には、従
来例にこの基体を重ね合せる方法例をあてるもの
とする。
法によるロ、およびハの場合に比べ注入イオンの
注入効率を30〜50％改善できる。第３図からわか
るように従来の方法のうち基体を重ね合せる方法
は基体表面を雰囲気中に露出させる方法に比較
し、注入効率を高くする。以後この発明による方
法例と、従来方法例との比較を行う場合には、従
来例にこの基体を重ね合せる方法例をあてるもの
とする。
イオン注入技術は不純物ドーピングの制御性、
均一性を良好にする所から注目されている技術で
ある為、熱処理においてこの単一性、再現性が確
保されることが重要なポイントとなる。そこで注
入イオンの注入効率（活性化率）の基体内面内分
布を、この発明の方法による場合と、従来の方法
による場合とで比較したものが第４図のヒストグ
ラムである。イはこの発明の方法によるもの、ロ
は従来の方法によるものに係る。この発明の方法
による場合には、従来の方法によるものに比較し
非常に均一性に優れたものになつていることがわ
かる。更に第５図に示すように熱処理毎の注入効
率の再現性も、本発明の方法に係るイは従来の方
法に係るロに比べ優れている。なお注入層は第３
図の場合と同じ条件で形成してある。
均一性を良好にする所から注目されている技術で
ある為、熱処理においてこの単一性、再現性が確
保されることが重要なポイントとなる。そこで注
入イオンの注入効率（活性化率）の基体内面内分
布を、この発明の方法による場合と、従来の方法
による場合とで比較したものが第４図のヒストグ
ラムである。イはこの発明の方法によるもの、ロ
は従来の方法によるものに係る。この発明の方法
による場合には、従来の方法によるものに比較し
非常に均一性に優れたものになつていることがわ
かる。更に第５図に示すように熱処理毎の注入効
率の再現性も、本発明の方法に係るイは従来の方
法に係るロに比べ優れている。なお注入層は第３
図の場合と同じ条件で形成してある。
なお、第２図の熱処理系では設置した基体の枚
数は便宜上１枚で、この基体は支持台２２の上に
伏せられている。しかし基体は例えば第６図に示
すように６３1，６３2，６３3，６３4，６３5，６
３6，６３7，６３8，６３9の複数枚を立てて配置
し熱処理しても、等温度領域が確保されている領
域内における限り諸効果は全く変らない。第７図
は第６図に示すように基体を設置してこの発明の
方法に従つて熱処理を施した時の注入効率を各基
体間で比較したものである。基体に付された番号
は、第６図と共通である。各基体間のばらつきが
非常に小さい事がわかる。
数は便宜上１枚で、この基体は支持台２２の上に
伏せられている。しかし基体は例えば第６図に示
すように６３1，６３2，６３3，６３4，６３5，６
３6，６３7，６３8，６３9の複数枚を立てて配置
し熱処理しても、等温度領域が確保されている領
域内における限り諸効果は全く変らない。第７図
は第６図に示すように基体を設置してこの発明の
方法に従つて熱処理を施した時の注入効率を各基
体間で比較したものである。基体に付された番号
は、第６図と共通である。各基体間のばらつきが
非常に小さい事がわかる。
以上この発明の実施例ではGaAs基体として、
Crドープ半絶縁性基体を例にとり述べてあるが、
他のGaAs基体、例えば結晶基板上にエピタキシ
ヤル法により成長させたものを基体に用いる時に
も同様の効果が得られる。上記実施例では
（C2H5）3Asを使用したが、（C2H5）3Asに替えて
（CH3）3Asを使用してもよい。バブラ２６の温度
及びバブラ２６を通過する水素の量を、
（CH3）3Asの蒸気圧に応じて変化させて、
（CH3）3Asのモル比を上記実施例の（C2H5）3As
のモル比と同じに設定すれば同様の効果を得る事
ができる。
Crドープ半絶縁性基体を例にとり述べてあるが、
他のGaAs基体、例えば結晶基板上にエピタキシ
ヤル法により成長させたものを基体に用いる時に
も同様の効果が得られる。上記実施例では
（C2H5）3Asを使用したが、（C2H5）3Asに替えて
（CH3）3Asを使用してもよい。バブラ２６の温度
及びバブラ２６を通過する水素の量を、
（CH3）3Asの蒸気圧に応じて変化させて、
（CH3）3Asのモル比を上記実施例の（C2H5）3As
のモル比と同じに設定すれば同様の効果を得る事
ができる。
以上述べたようにこの発明の方法によれば、従
来の方法に比較し高い注入効率で安定にしかも均
一で再現性に優れた活性化熱処理をより安全に施
すことが出来る。加えて、注入層を含む基体を保
護膜で覆つたり、基体同士を重ね合せたりする必
要がなく、熱処理の工程を簡易にされ、多数の基
体を一度に熱処理することも容易にする。又この
方法は、注入層を含む化合物半導体基体表面の一
部又は全面に例えばSiO2等の酸化膜や、SiN4等
の窒化膜などの絶縁膜が存在しても、支障なく実
施出来、この等膜体にパターニングを施し選択的
に注入層を形成した基体に対しても、そのまま熱
処理が行われる為、化合物半導体を用いた電界効
果トランジスタ（FET）や集積回路（IC）の製
作にイオン注入技術を用いる際に有効である。
来の方法に比較し高い注入効率で安定にしかも均
一で再現性に優れた活性化熱処理をより安全に施
すことが出来る。加えて、注入層を含む基体を保
護膜で覆つたり、基体同士を重ね合せたりする必
要がなく、熱処理の工程を簡易にされ、多数の基
体を一度に熱処理することも容易にする。又この
方法は、注入層を含む化合物半導体基体表面の一
部又は全面に例えばSiO2等の酸化膜や、SiN4等
の窒化膜などの絶縁膜が存在しても、支障なく実
施出来、この等膜体にパターニングを施し選択的
に注入層を形成した基体に対しても、そのまま熱
処理が行われる為、化合物半導体を用いた電界効
果トランジスタ（FET）や集積回路（IC）の製
作にイオン注入技術を用いる際に有効である。
第１図は従来の熱処理方法のうち、基体を重ね
合せる方法を説明した図、第２図はこの発明の実
施例に用いた熱処理炉の模式図、第３図はアニー
ル後のキヤリアプロフアイルを従来の方法と、こ
の発明による方法とについて比較した線図、第４
図イ，ロは同様に基体面内の均一性を比較した注
入効率分布図、第５図は同じく熱処理毎の再現性
を比較した注入効率分布図、第６図はこの発明の
他の実施例に係る基体炉内配置図、第７図は第６
図の炉内配置をとつた時の各基体の注入効率分布
図である。 第１図、第２図、第６図で１１……イオン注入
層、１２，６３1〜６３9……注入層を含むGaAs
基体、２１……電気炉、２２……基体支持台、２
３……石英開管、２５……トリエチルアルシン
（C2H5）3As、２６……バブラ、２７……ガス導入
管。
合せる方法を説明した図、第２図はこの発明の実
施例に用いた熱処理炉の模式図、第３図はアニー
ル後のキヤリアプロフアイルを従来の方法と、こ
の発明による方法とについて比較した線図、第４
図イ，ロは同様に基体面内の均一性を比較した注
入効率分布図、第５図は同じく熱処理毎の再現性
を比較した注入効率分布図、第６図はこの発明の
他の実施例に係る基体炉内配置図、第７図は第６
図の炉内配置をとつた時の各基体の注入効率分布
図である。 第１図、第２図、第６図で１１……イオン注入
層、１２，６３1〜６３9……注入層を含むGaAs
基体、２１……電気炉、２２……基体支持台、２
３……石英開管、２５……トリエチルアルシン
（C2H5）3As、２６……バブラ、２７……ガス導入
管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 砒素（As）を少なくとも一つの構成元素と
して含む化合物半導体結晶基体の表面からイオン
を注入し、この基体内部にイオン注入層を形成す
る工程と、主成分となるアルゴン（Ar）に対し
トリメチルアルシン〔（CH3）3As〕もしくはトリ
エチルアルシン〔（C2H5）3As〕の何れかの砒素化
合物と水素（H2）とを混合させた雰囲気ガス中
でイオン注入層表面を露出させたまま熱処理する
ことによつてイオン注入層の注入原子を活性化す
る工程とを備えることを特徴とする化合物半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56004986A JPS57120330A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Manufacture of compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56004986A JPS57120330A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Manufacture of compound semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120330A JPS57120330A (en) | 1982-07-27 |
| JPH0131291B2 true JPH0131291B2 (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=11598923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56004986A Granted JPS57120330A (en) | 1981-01-19 | 1981-01-19 | Manufacture of compound semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120330A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4879259A (en) * | 1987-09-28 | 1989-11-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junion University | Rapid thermal annealing of gallium arsenide with trimethyl arsenic overpressure |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547555B2 (ja) * | 1974-04-22 | 1979-04-07 | ||
| JPS6040694B2 (ja) * | 1978-02-03 | 1985-09-12 | ソニー株式会社 | ３−５族化合物半導体の熱処理法 |
-
1981
- 1981-01-19 JP JP56004986A patent/JPS57120330A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120330A (en) | 1982-07-27 |
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