JPH0143463B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0143463B2 JPH0143463B2 JP59228070A JP22807084A JPH0143463B2 JP H0143463 B2 JPH0143463 B2 JP H0143463B2 JP 59228070 A JP59228070 A JP 59228070A JP 22807084 A JP22807084 A JP 22807084A JP H0143463 B2 JPH0143463 B2 JP H0143463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- electrical components
- components according
- layer
- central strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、銅又は銅合金から成立つており、そ
の上に、半導体構成要素がその上に取付けられる
領域の全部、又は、少なくとも部分的に、アルミ
ニウム又はアルミニウム合金が圧延メツキ法によ
つて設けられるようになつている電気的構成要
素、特に、半導体構成要素のための担体に関する
ものである。
の上に、半導体構成要素がその上に取付けられる
領域の全部、又は、少なくとも部分的に、アルミ
ニウム又はアルミニウム合金が圧延メツキ法によ
つて設けられるようになつている電気的構成要
素、特に、半導体構成要素のための担体に関する
ものである。
従来の技術
上述の種類の担体は、ドイツ公開特許第
3106193号公報から公知となつている。この公知
の接続材料においては、圧延メツキ法において必
要な、中間加熱又は再結晶加熱に関連して、直接
的に相互に連結される銅含有層と、アルミニウム
含有層との間に、金属間化合物相が形成される。
それ故曲げ負荷によつて、これらの層は、もろい
状態を現わし、すなわち、それらの層は、小さな
附着力を有しており、従つて、容易に相互に分離
する。また、打抜きの際に、このような破裂現象
が、切断縁に現われる。
3106193号公報から公知となつている。この公知
の接続材料においては、圧延メツキ法において必
要な、中間加熱又は再結晶加熱に関連して、直接
的に相互に連結される銅含有層と、アルミニウム
含有層との間に、金属間化合物相が形成される。
それ故曲げ負荷によつて、これらの層は、もろい
状態を現わし、すなわち、それらの層は、小さな
附着力を有しており、従つて、容易に相互に分離
する。また、打抜きの際に、このような破裂現象
が、切断縁に現われる。
発明が解決しようとする問題点
本発明の課題は、減少された附着力の危険が除
去され、また、圧延メツキの際に、層の良好な流
動状態が確実にされる接続材料の形式の担体を得
ることにあるものである。
去され、また、圧延メツキの際に、層の良好な流
動状態が確実にされる接続材料の形式の担体を得
ることにあるものである。
問題点を解決するための手段
この課題は、当初に述べられた種類の担体に対
して、本発明によると、担体が、0.05％よりもよ
り少ない不純物を含んでいるニツケルから成立つ
ている中間層を有することによつて解決される。
して、本発明によると、担体が、0.05％よりもよ
り少ない不純物を含んでいるニツケルから成立つ
ている中間層を有することによつて解決される。
銅合金から成立つている担体の場合には、ニツ
ケル層と、銅合金との間に、更に、酸素を含んで
いない銅の中間層を配置することが有利であるこ
とが実証された。銅の中間層の厚さは、銅から成
立つている層と、ニツケル層と、アルミニウム又
はアルミニウム合金から成立つている層との厚さ
の合計のほぼ５〜50％である。
ケル層と、銅合金との間に、更に、酸素を含んで
いない銅の中間層を配置することが有利であるこ
とが実証された。銅の中間層の厚さは、銅から成
立つている層と、ニツケル層と、アルミニウム又
はアルミニウム合金から成立つている層との厚さ
の合計のほぼ５〜50％である。
好適には、担体は、CuFe2合金から成立つてい
ることが望ましい。
ることが望ましい。
アルミニウム合金として、AlSi0.5から成立つ
ている合金が有利であることが、実証された。
ている合金が有利であることが、実証された。
本発明によつて形成された担体は、層の連結の
分離が認められること無しに、打抜かれ、曲げら
れることができる。金属間化合物相が形成される
限りは、この相は、従来技術から公知のとおりで
あるように、接続材料、従つて、銅又は銅合金
と、アルミニウム又はアルミニウム合金との対の
温度よりも、少なくとも100℃より高くに横たわ
つている温度において始めて現われる。
分離が認められること無しに、打抜かれ、曲げら
れることができる。金属間化合物相が形成される
限りは、この相は、従来技術から公知のとおりで
あるように、接続材料、従つて、銅又は銅合金
と、アルミニウム又はアルミニウム合金との対の
温度よりも、少なくとも100℃より高くに横たわ
つている温度において始めて現われる。
実施例
第１及び２図による担体は、この実施例におい
ては、CuFe2合金から成立つている。この担体
は、わく１を有しており、このわく１は、ウエブ
２を介してフインガ３に連結されている。フイン
ガ３は、再び、ウエブ部分４を介して相互に連結
されている。フインガ３は、島５の近くにまで達
しているが、この島５の上には、ICのような半
導体構成要素が取付けられる。この島５は、連結
ウエブ６を介してわく１に連結されている。この
実施例においては、担体のハツチをされて示され
ている中央ストリツプは、本発明によつて構成さ
れている。これは、第３図から分かるとおりであ
る。この実施例においては、CuFe2合金から成立
つている担体１は、銅の中間層７を設けられてい
るが、この中間層７は、5μｍの厚さを有してい
る。この酸素を含んでいない銅の中間層７の上に
は、ニツケル層８が施されるが、このニツケル層
８は0.05％以下の不純物を含んでおり、また、継
手として、アルミニウム又はアルミニウム合金製
の層９が施されるが、この層９は、本実施例にお
いて、AlSi0.5の合金から成立つている。ニツケ
ル層８の厚さは、約10μｍであり、AlSi0.5の層９
の厚さは約6μｍであり、CuFe2合金層１の厚さ
は、約250μｍである。
ては、CuFe2合金から成立つている。この担体
は、わく１を有しており、このわく１は、ウエブ
２を介してフインガ３に連結されている。フイン
ガ３は、再び、ウエブ部分４を介して相互に連結
されている。フインガ３は、島５の近くにまで達
しているが、この島５の上には、ICのような半
導体構成要素が取付けられる。この島５は、連結
ウエブ６を介してわく１に連結されている。この
実施例においては、担体のハツチをされて示され
ている中央ストリツプは、本発明によつて構成さ
れている。これは、第３図から分かるとおりであ
る。この実施例においては、CuFe2合金から成立
つている担体１は、銅の中間層７を設けられてい
るが、この中間層７は、5μｍの厚さを有してい
る。この酸素を含んでいない銅の中間層７の上に
は、ニツケル層８が施されるが、このニツケル層
８は0.05％以下の不純物を含んでおり、また、継
手として、アルミニウム又はアルミニウム合金製
の層９が施されるが、この層９は、本実施例にお
いて、AlSi0.5の合金から成立つている。ニツケ
ル層８の厚さは、約10μｍであり、AlSi0.5の層９
の厚さは約6μｍであり、CuFe2合金層１の厚さ
は、約250μｍである。
第４及び５図に実施例として示されている担体
は、２個の平行に延びているウエブ１１を有して
おり、これらのウエブ１１は、連結ウエブ１２を
介して相互に連結されている。ウエブ１１から、
フインガ１３が外方に延びていると共に半導体構
成要素を受取つている島１４が外方に延びている
が、これらの島１４は、それぞれ、２個のフイン
ガ１３の間に配置されている。この実施例におい
ては、ウエブ１１、連結ウエブ１２、フインガ１
３及び島１４は、CuFe2合金から成立つている。
フインガ１３は、それらの外端部の領域内におい
て、また、島１４は、それ自体、本発明によつて
層状に形成され、しかも、第６図から分かるよう
に、CuFe2合金１３の上に、まず、酸素を含んで
いない銅の中間層１５が施され、この上に、0.05
％以下の不純物を含んでいるニツケル層１６が施
され、このニツケル層１６の上に、AlSi0.5合金
製の層１７が施されている。本実施例において
は、各層の厚さは、次のとおりである。すなわち CuFe2担体 250μｍ Cuの中間層 10μｍ Ni層 10μｍ AlSi0.5層 5μｍ である。
は、２個の平行に延びているウエブ１１を有して
おり、これらのウエブ１１は、連結ウエブ１２を
介して相互に連結されている。ウエブ１１から、
フインガ１３が外方に延びていると共に半導体構
成要素を受取つている島１４が外方に延びている
が、これらの島１４は、それぞれ、２個のフイン
ガ１３の間に配置されている。この実施例におい
ては、ウエブ１１、連結ウエブ１２、フインガ１
３及び島１４は、CuFe2合金から成立つている。
フインガ１３は、それらの外端部の領域内におい
て、また、島１４は、それ自体、本発明によつて
層状に形成され、しかも、第６図から分かるよう
に、CuFe2合金１３の上に、まず、酸素を含んで
いない銅の中間層１５が施され、この上に、0.05
％以下の不純物を含んでいるニツケル層１６が施
され、このニツケル層１６の上に、AlSi0.5合金
製の層１７が施されている。本実施例において
は、各層の厚さは、次のとおりである。すなわち CuFe2担体 250μｍ Cuの中間層 10μｍ Ni層 10μｍ AlSi0.5層 5μｍ である。
発明の効果
本発明による担体は、上記のような構成を有し
ているので、各層の連結部にはがれが認められる
こと無しに、穴あけされ、曲げられることができ
るなどという効果を発揮することができるもので
ある。
ているので、各層の連結部にはがれが認められる
こと無しに、穴あけされ、曲げられることができ
るなどという効果を発揮することができるもので
ある。
第１図は、本発明の１実施例を示す平面図、第
２図は、第１図の―線による縦断面図、第３
図は、第２図の円の部分の拡大図、第４図は、
本発明の他の実施例として、半導体構成要素を受
取つている島が、担体の外縁に配置されている担
体の平面図、第５図は、第４図の―線による
縦断面図、第６図は、第５図の円の部分の拡大
図である。 １，１２……担体；２，１１……ウエブ；３，
１３……フインガ；４……ウエブ部分；５，１４
……島；６，１２……連結ウエブ；７，１５……
銅中間層；８，１６……ニツケル層；９……アル
ミニウム又はアルミニウム合金層；１７……
AlSi0.5層。
２図は、第１図の―線による縦断面図、第３
図は、第２図の円の部分の拡大図、第４図は、
本発明の他の実施例として、半導体構成要素を受
取つている島が、担体の外縁に配置されている担
体の平面図、第５図は、第４図の―線による
縦断面図、第６図は、第５図の円の部分の拡大
図である。 １，１２……担体；２，１１……ウエブ；３，
１３……フインガ；４……ウエブ部分；５，１４
……島；６，１２……連結ウエブ；７，１５……
銅中間層；８，１６……ニツケル層；９……アル
ミニウム又はアルミニウム合金層；１７……
AlSi0.5層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気的構成要素用担体であつて、前記担体
が、少なくとも前記電気的要素が取り付けられる
領域の中に、 銅又は銅合金から作られた中央ストリツプ部分
と 前記中央ストリツプ部分に圧延メツキ法により
施され、電気的構成要素を支持するアルミニウム
又はアルミニウム合金のメツキ層と を有している電気的構成要素用担体において 中央ストリツプ部分と、圧延メツキ法により施
されたメツキ層との間に、0.05％よりも少ない不
純物又は汚染物を有しているニツケル層を有して
いることを特徴とする電気的構成要素用担体。 ２ 前記中央ストリツプ部分が、銅合金から成り
立つており、また、前記ニツケル層と、銅合金か
ら成り立つている前記中央ストリツプ部分との間
に、酸素を含まない銅の中間層が置かれている特
許請求の範囲第１項記載の電気的構成要素用担
体。 ３ 前記酸素を含まない銅の中間層の厚さが、中
央ストリツプ部分、ニツケル層及びメツキ層を形
成している層の厚さの合計の５％と、50％との間
である特許請求の範囲第２項記載の電気的構成要
素用担体。 ４ 前記中央ストリツプ部分が、CuFe2から成り
立つている特許請求の範囲第１項記載の電気的構
成要素用担体。 ５ 前記中央ストリツプ部分が、CuFe2から成り
立つている特許請求の範囲第２項記載の電気的構
成要素用担体。 ６ 前記中央ストリツプ部分が、CuFe2から成り
立つている特許請求の範囲第３項記載の電気的構
成要素用担体。 ７ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んでい
るAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲第
１項記載の電気的構成要素用担体。 ８ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んでい
るAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲第
２項記載の電気的構成要素用担体。 ９ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んでい
るAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲第
３項記載の電気的構成要素用担体。 １０ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んで
いるAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲
第４項記載の電気的構成要素用担体。 １１ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んで
いるAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲
第５項記載の電気的構成要素用担体。 １２ メツキ層が、0.5〜１％のケイ素を含んで
いるAlSi0.5から成り立つている特許請求の範囲
第６項記載の電気的構成要素用担体。 １３ 前記中央ストリツプ部分が、約0.2〜0.9mm
の厚さを有しており、また、前記ニツケル層が、
約0.002〜0.09mmの厚さを有しており、更に、前
記メツキ層が、約0.004〜0.015mmの厚さを有して
いる特許請求の範囲第１項記載の電気的構成要素
用担体。 １４ 前記中央ストリツプ部分が、銅合金から成
り立つており、前記酸素を含まない銅の中間層
が、ニツケル層と、銅合金から成る前記中央スト
リツプ部分との間に置かれ、また、前記酸素を含
まない銅の中間層が、約0.005〜0.01mmの厚さを
有している特許請求の範囲第１３項記載の電気的
構成要素用担体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3343251.1 | 1983-11-30 | ||
| DE19833343251 DE3343251A1 (de) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Systemtraeger fuer elektrische bauelemente |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127753A JPS60127753A (ja) | 1985-07-08 |
| JPH0143463B2 true JPH0143463B2 (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=6215621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228070A Granted JPS60127753A (ja) | 1983-11-30 | 1984-10-31 | 電気的構成要素用担体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4625228A (ja) |
| JP (1) | JPS60127753A (ja) |
| DE (1) | DE3343251A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071712A (en) * | 1985-03-22 | 1991-12-10 | Diacon, Inc. | Leaded chip carrier |
| JPS6396947A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JP3173456B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US6459041B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-10-01 | Visteon Global Technologies, Inc. | Etched tri-layer metal bonding layer |
| JP5730089B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-06-03 | 日本発條株式会社 | 導電材料、積層体および導電材料の製造方法 |
| DE102019129675A1 (de) | 2018-12-11 | 2020-06-18 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD44887A (ja) * | ||||
| US3252722A (en) * | 1959-11-09 | 1966-05-24 | Corning Glass Works | Delay line bond |
| US3551997A (en) * | 1967-10-06 | 1971-01-05 | Rca Corp | Methods for electroless plating and for brazing |
| US3576415A (en) * | 1967-10-26 | 1971-04-27 | Textron Inc | Electrical contact surface plate having a mercury amalgam |
| SE7601702L (sv) * | 1975-04-18 | 1976-10-19 | Stauffer Chemical Co | Forfarande for pletering av metaller |
| US4000842A (en) * | 1975-06-02 | 1977-01-04 | National Semiconductor Corporation | Copper-to-gold thermal compression gang bonding of interconnect leads to semiconductive devices |
| DE2649773A1 (de) * | 1976-10-29 | 1978-05-11 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiteranordnung |
| JPS5917853B2 (ja) * | 1977-07-18 | 1984-04-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| DE3106193A1 (de) * | 1981-02-19 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Systemtraeger fuer mit kunststoff umhuellte elektrische bauelemente |
-
1983
- 1983-11-30 DE DE19833343251 patent/DE3343251A1/de active Granted
-
1984
- 1984-10-17 US US06/661,934 patent/US4625228A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-31 JP JP59228070A patent/JPS60127753A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4625228A (en) | 1986-11-25 |
| JPS60127753A (ja) | 1985-07-08 |
| DE3343251A1 (de) | 1985-06-05 |
| DE3343251C2 (ja) | 1989-03-02 |
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