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JPH0145245B2 - - Google Patents
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JPH0145245B2 - - Google Patents

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JPH0145245B2
JPH0145245B2 JP20974781A JP20974781A JPH0145245B2 JP H0145245 B2 JPH0145245 B2 JP H0145245B2 JP 20974781 A JP20974781 A JP 20974781A JP 20974781 A JP20974781 A JP 20974781A JP H0145245 B2 JPH0145245 B2 JP H0145245B2
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control voltage
transistors
resistor
collector
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Yoshiaki Sano
Toshio Hanazawa
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers

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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は利得可変増幅回路に関し、特に入力ト
ランジスタの電流利得を制御するための制御電圧
発生回路に電流オフセツトをかけることにより入
力トランジスタのダイナミツクレンジを広くした
利得可変増幅回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a variable gain amplifier circuit, and in particular to a variable gain amplifier circuit that controls the dynamics of an input transistor by applying a current offset to a control voltage generation circuit for controlling the current gain of the input transistor. This invention relates to a variable gain amplifier circuit with a wide range.

(2) 技術の背景 一般に利得可変増幅回路は制御電圧に応じて入
力トランジスタの電流利得を制御するものである
が、入力トランジスタのダイナミツクレンジを広
くするためには制御電圧の変動幅は後に詳述する
ように出来る限り狭い方よい。
(2) Technical background In general, variable gain amplifier circuits control the current gain of the input transistor according to the control voltage, but in order to widen the dynamic range of the input transistor, the fluctuation range of the control voltage will be explained in detail later. As mentioned above, the narrower the space, the better.

(3) 従来技術と問題点 第1図は従来の利得可変増幅回路の一例を示す
回路図である。第1図において、Q7は入力トラ
ンジスタ、1は制御電圧発生回路、2は制御電圧
発生回路1から出力される制御電圧Vc′に応じて
入力トランジスタQ7の電流利得を制御する電流
利得制御回路、そして3は制御電圧Vc′に応じて
出力の直流電圧変動を抑制する直流変動抑制回路
である。
(3) Prior Art and Problems FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional variable gain amplifier circuit. In FIG. 1, Q 7 is an input transistor, 1 is a control voltage generation circuit, and 2 is a current gain control that controls the current gain of the input transistor Q 7 according to the control voltage V c ' output from the control voltage generation circuit 1. 3 is a DC fluctuation suppression circuit that suppresses output DC voltage fluctuation in accordance with the control voltage V c '.

制御電圧発生回路1は、エミツタが定電流源I0
に共通接続され、コレクタがそれぞれ抵抗R1
よびR2を介して電源VBに接続された一対のトラ
ンジスタQ1およびQ2を備えており、抵抗R1とR2
の値は実質的に等しい。トランジスタQ1および
Q2のベースの間に入力制御電圧VCが印加される。
入力制御電圧VCの正負に応じてトランジスタQ1
およびQ2の一方が導通、他方の遮断状態となり、
そのコレクタ間に制御電圧VC′が得られる。
In the control voltage generation circuit 1, the emitter is a constant current source I 0
It comprises a pair of transistors Q 1 and Q 2 whose collectors are connected to a power supply V B through resistors R 1 and R 2 respectively, and whose collectors are connected in common to a power supply V B through resistors R 1 and R 2
The values of are substantially equal. Transistor Q 1 and
An input control voltage V C is applied across the base of Q 2 .
Transistor Q 1 depending on the positive or negative of the input control voltage V C
One of Q2 and Q2 is conductive and the other is disconnected,
A control voltage V C ' is obtained across its collector.

電流利得制御回路2はエミツタが入力トランジ
スタQ7のコレクタに共通接続されベースが制御
電圧発生回路1の出力であるトランジスタQ1
よびQ2のコレクタにそれぞれ接続されたトラン
ジスタQ3およびQ4を備えている。トランジスタ
Q3のコレクタは電源VCCに直接接続されており、
トランジスタQ4のコレクタは抵抗R5を介して電
源VCCに接続されている。入力トランジスタQ7
ベースには入力信号源INを介して直流バイアス
電源Eが接続されており、エミツタは抵抗R3
介して接地されている。
The current gain control circuit 2 includes transistors Q 3 and Q 4 whose emitters are commonly connected to the collector of the input transistor Q 7 and whose bases are connected to the collectors of transistors Q 1 and Q 2 , which are the outputs of the control voltage generation circuit 1 , respectively. ing. transistor
The collector of Q 3 is connected directly to the power supply V CC and
The collector of transistor Q 4 is connected to the power supply V CC through a resistor R 5 . A DC bias power supply E is connected to the base of the input transistor Q7 via an input signal source IN, and the emitter is grounded via a resistor R3 .

直流変動抑制回路3は、エミツタが入力トラン
ジスタQ7と同一特性を持つトランジスタQ8のコ
レクタに接続されており、ベースがトランジスタ
Q3およびQ4のベースにそれぞれ接続されている
トランジスタQ5およびQ6を備えている。トラン
ジスタQ5のコレクタはトランジスタQ4のコレク
タに接続されており、トランジスタQ6のコレク
タはトランジスタQ3のコレクタに接続されてい。
トランジスタQ8のベースは直流バイアス電源E
に直接接続されてお、エミツタは抵抗R3と同一
特性の抵抗R4を介して接地されている。
The DC fluctuation suppression circuit 3 has an emitter connected to the collector of a transistor Q8 having the same characteristics as the input transistor Q7 , and a base connected to the transistor Q8 .
It has transistors Q5 and Q6 connected to the bases of Q3 and Q4 , respectively. The collector of transistor Q 5 is connected to the collector of transistor Q 4 , and the collector of transistor Q 6 is connected to the collector of transistor Q 3 .
The base of transistor Q8 is DC bias power supply E
The emitter is connected directly to the ground through a resistor R4 having the same characteristics as the resistor R3 .

第1図の従来回路の動作を第2図によつて次に
説明する。第2図は第1図の回路において、入力
制御電圧VCと制御電圧発生回路の出力である制
御電圧VC′との関係を示す波形図である。入力制
御電圧VCが低くてトランジスタQ1がオフ、トラ
ンジスタQ2がオンのときは、トランジスタQ3
よびQ5のベース電位は基準電源電圧VBに特しく、
トランジスタQ4およびQ6のベース電位はVB
I0R2に等しい。このためトランジスタQ3および
Q5がオンであり、トランジスタQ4およびQ6はオ
フである。従つて電源VCCから、抵抗R5、トラン
ジスタQ5、トランジスタQ8、および抵抗R4を通
つて接地に向けて電流I1が流れる。次に、入力制
御電圧VC高くなりトランジスタQ1がオン、トラ
ンジスタQ2がオフになると、トランジスタQ3
よびQ5がオフ、トランジスタQ4およびQ6がオン
になる。従つてこの時、電源VCCから、抵抗R5
トランジスタQ4、トランジスタQ7および抵抗R3
を通つて接地に向けて電源I2流れる。トランジス
タQ4とQ5,Q7とQ8、および抵抗R3とR4の特性を
同一にしておけば、この時流れ電流I2はI1に等し
い。従つて出力端子OUTに得られる直流電圧は、
制御電圧VC′が変動したにも拘らず一定に保たれ
る。
The operation of the conventional circuit shown in FIG. 1 will now be explained with reference to FIG. FIG. 2 is a waveform diagram showing the relationship between the input control voltage V C and the control voltage V C ' output from the control voltage generation circuit in the circuit shown in FIG. When the input control voltage V C is low and transistor Q 1 is off and transistor Q 2 is on, the base potential of transistors Q 3 and Q 5 is particularly relative to the reference power supply voltage V B ,
The base potential of transistors Q 4 and Q 6 is V B
Equal to I 0 R 2 . For this reason transistor Q 3 and
Q 5 is on and transistors Q 4 and Q 6 are off. Therefore, current I 1 flows from the power supply V CC to ground through resistor R 5 , transistor Q 5 , transistor Q 8 , and resistor R 4 . Next, when the input control voltage V C becomes high and transistor Q 1 is turned on and transistor Q 2 is turned off, transistors Q 3 and Q 5 are turned off and transistors Q 4 and Q 6 are turned on. Therefore, at this time, from the power supply V CC , the resistor R 5 ,
Transistor Q 4 , transistor Q 7 and resistor R 3
The power supply I2 flows towards ground through. If the characteristics of transistors Q 4 and Q 5 , Q 7 and Q 8 , and resistors R 3 and R 4 are made the same, the current flowing at this time I 2 is equal to I 1 . Therefore, the DC voltage obtained at the output terminal OUT is
The control voltage V C ' remains constant even though it fluctuates.

しかしながら、第1図の従来回路においては、
入力トランジスタQ7のダイナミツクレンジが狭
いという問題がある。すなわち、入力トランジス
タQ7のコレクタ電位は、トランジスタQ3とQ4
一方が完全にオン、他方が完全にオフの定常状態
では、VB−VBEであるが、トランジスタQ3とQ4
が互いにオンからオフ、あるいはオフからオンに
移行する過渡状態では、VB−I0R1/2−VBE=VB− I0R2/2−VBEまで低下する。ここでVBEはトランジ スタQ3またはQ4のベース−エミツタ間電圧であ
る。例えば基準電源電圧VB=3V、I0R1=I0R2
1V、VBE=0.7Vとすると、入力トランジスタQ7
のコレクタ電位は最低で1.8Vまで低下する。こ
のため、入力信号源INに印加し得る入力信号の
振幅は大幅な制限を受けことになる。
However, in the conventional circuit shown in FIG.
There is a problem that the dynamic range of input transistor Q7 is narrow. That is, the collector potential of input transistor Q 7 is V B − V BE in a steady state where one of transistors Q 3 and Q 4 is completely on and the other is completely off, but the collector potential of transistors Q 3 and Q 4 is
In a transient state where the voltages change from on to off or from off to on, the voltage decreases to V B −I 0 R 1 /2−V BE =V B − I 0 R 2 /2−V BE . Here, V BE is the base-emitter voltage of transistor Q3 or Q4 . For example, reference power supply voltage V B = 3V, I 0 R 1 = I 0 R 2 =
1V, V BE = 0.7V, input transistor Q 7
The collector potential of will drop to a minimum of 1.8V. Therefore, the amplitude of the input signal that can be applied to the input signal source IN is severely limited.

勿論、基準電源電圧VBを高く設定すればトラ
ンジスタQ7のコレクタ電位も上昇し、入力トラ
ンジスタQ7の動作範囲は拡大されが、VBを高く
設定すれば、トランジスタQ3ないしQ6のバイア
ス点を動かさざるを得なくなる等の困難が生じ
る。
Of course, if the reference power supply voltage V B is set high , the collector potential of the transistor Q 7 will also rise, and the operating range of the input transistor Q 7 will be expanded . Difficulties arise, such as having to move the points.

トランジスタQ3とQ4のオンからオフあるいは
オフからオンへの切替えに必要なベース電圧の変
動は、第1図の回路ではI0R1/2であつたが、これ は出来る限り少ない方が望ましい。
The base voltage variation required to switch transistors Q 3 and Q 4 from on to off or from off to on was I 0 R 1 /2 in the circuit shown in Figure 1, but this should be as small as possible. desirable.

(4) 発明の目的 本発明の目的は、前述の従来技術における問題
にかんがみ、制御電圧発生回路に電源オフセツト
をかけることにより、電源利得制御回路を構成す
るトランジスタのオンからオフあるいはオフから
オンへの切替えに必要なベース電圧の変動を少な
くするという構想に基づき、利得可変増幅回路に
おいて入力信号を受ける入力トランジスタのダイ
ナミツクレンジを拡大することにある。
(4) Object of the Invention In view of the problems in the prior art described above, an object of the present invention is to apply a power offset to the control voltage generation circuit so that the transistor constituting the power gain control circuit can be changed from on to off or from off to on. The purpose of this invention is to expand the dynamic range of an input transistor that receives an input signal in a variable gain amplifier circuit, based on the concept of reducing the fluctuations in the base voltage required for switching.

(5) 発明の構成 上記目的を達成するために、本発明により、利
得可変増幅器に含まれる制御電圧発生回路は、ベ
ースが共通接続された第1および第2のトランジ
スタと、ベースが共通接続された第3および第4
のトランジスタと、第1のトランジスタのエミツ
タと接地間に接続された第1の定電流源と、第4
のトランジスタのエミツタと接地間に接続され第
1の定電流源と同一の電流供給能を持つ第2の定
電流源と、第2のトランジスタのエミツタと第2
の定電流源の間に接続された第1の抵抗と、第3
のトランジスタのエミツタと第1の定電流源に間
に接続され第1の抵抗と同一の抵抗値を持つ第2
の抵抗と、第2のトランジスタのコレクタと電源
の間に接続された第1の負荷抵抗と、第3のトラ
ンジスタのコレクタと電源の間に接続され第1の
負荷抵抗と同一の値を持つ第2の負荷抵抗を具備
し、第1のトランジスタおよび第2のトランジス
タのコレクタは電源に接続されており、第1およ
び第2のトランジスタに共通ベースと該第3およ
び第4のトランジスタの共通ベースとの間に入力
制御信号を受け取り、第2および第3のトランジ
スタのコレクタ間に制御電圧を得るようにしたこ
とを特徴とする利得可変増幅回路である。
(5) Structure of the Invention In order to achieve the above object, according to the present invention, a control voltage generation circuit included in a variable gain amplifier includes first and second transistors whose bases are connected in common, and first and second transistors whose bases are connected in common. 3rd and 4th
a first constant current source connected between the emitter of the first transistor and ground;
a second constant current source connected between the emitter of the transistor and ground and having the same current supply capability as the first constant current source;
a first resistor connected between a constant current source and a third resistor connected between a constant current source of
A second resistor is connected between the emitter of the transistor and the first constant current source and has the same resistance value as the first resistor.
a first load resistance connected between the collector of the second transistor and the power supply, and a first load resistance connected between the collector of the third transistor and the power supply and having the same value as the first load resistance. 2, the collectors of the first transistor and the second transistor are connected to a power supply, and a common base of the first and second transistors and a common base of the third and fourth transistors are connected to the power supply. The variable gain amplifier circuit is characterized in that it receives an input control signal between the first and second transistors, and obtains a control voltage between the collectors of the second and third transistors.

(6) 発明の実施例 以下、第3図および第4図について本発明の実
施例を説明する。
(6) Embodiments of the invention Examples of the invention will be described below with reference to FIGS. 3 and 4.

第3図は本発明の一実施例による利得可変増幅
器に含まれる制御電圧発生回路を示す回路図であ
る。第3図において、トランジスタQ1′とQ1″のベ
ースは入力制御信を受ける入力端I1に共通接続さ
れており、トランジスタQ2′とQ2″のベースは他の
入力端I2に共通接続されている。トランジスタ
Q1′とQ2′のコレクタは基準電源VBに接続されて
おり、エミツタはそれぞれ第1および第2の定電
流源I01およびI02に接続されている。定電流源I01
およびI02は同一の電流供給能力を有する。トラ
ンジスタQ1″およびQ2″のコレクタはそれぞれ抵
抗R1およびR2を介して基準電源VBに接続されて
いる。抵抗R1とR2は同一の抵抗値を有する。ト
ランジスタQ1″のエミツタは抵抗R7を介して定電
流源I02に、トランジスタQ2″のエミツタは抵抗R6
と同一の値の抵抗R6を介して定電流源I01にそれ
ぞれ接続されている。トランジスタQ1″および
Q2″のコレクタは電流利得制御回路に接続され
る。電流利得制御回路および直流変動抑制回路は
第1図の従来例と同一なので図示してない。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a control voltage generation circuit included in a variable gain amplifier according to an embodiment of the present invention. In Figure 3, the bases of transistors Q 1 ′ and Q 1 ″ are commonly connected to the input terminal I 1 that receives the input control signal, and the bases of transistors Q 2 ′ and Q 2 ″ are connected to the other input terminal I 2. Commonly connected. transistor
The collectors of Q 1 ' and Q 2 ' are connected to the reference power supply V B , and the emitters are connected to the first and second constant current sources I 01 and I 02 , respectively. Constant current source I 01
and I 02 have the same current supply capability. The collectors of transistors Q 1 ″ and Q 2 ″ are connected to the reference power supply V B via resistors R 1 and R 2 , respectively. Resistors R 1 and R 2 have the same resistance value. The emitter of the transistor Q 1 ″ is connected to the constant current source I 02 through the resistor R 7 , and the emitter of the transistor Q 2 ″ is connected to the resistor R 6
are connected to a constant current source I 01 via a resistor R 6 having the same value as . Transistor Q 1 ″ and
The collector of Q 2 ″ is connected to a current gain control circuit.The current gain control circuit and DC fluctuation suppression circuit are the same as in the conventional example shown in FIG. 1, and are therefore not shown.

第3図の回路の動作を第4図によつて説明す
る。第4図は第3図の回路において、入力制御電
圧VCCとトランジスタQ1″およびQ2″のコレクタ電
位との関係を示すグラフである。最初に入力端I1
の信位が低く、入力端I2の電位が高くなつてい
て、トランジスタQ1′およびQ1″がオフ、トランジ
スタQ2′,Q2″がオンの状態にあるとする。この時
は、従来同様に、トランジスタQ1″のコレクタ電
位VC(Q1″)は基準電源電圧VBに等しく、トラン
ジスタQ2のコレクタ電位VC(Q2″)はVB−I0R2
VB−I0R1に等しい。入力制御電圧VCCを上昇させ
と、トランジスタQ1′,Q1″はオン、トランジスタ
Q2′,Q2″はオンに切替るが、トランジスタQ1″の
エミツタと定電流源I02の間に抵抗R7が接続され
ているので、動作状態でのトランジスタQ1″の閾
値電圧はトランジスタQ1′のそれより高くなつて
おり、トランジスタQ1″が完全にオンになるタイ
ミングは、トランジスタQ2′,Q2″がオフになるタ
イミングより遅れる。従つて、第4図に示される
ように、トランジスタQ1″とQ2″のコレクタ電位
のクロスポイントは従来と比べて高い電位とな
る。このことは、電流利得制御回路を構成するト
ランジスタQ3およびQ4(第1図参照)のオンから
オフあるいはオフからオンへの切替えに必要なベ
ース電圧の変動が少なくなつたことを意味する。
前述の従来例と同様にVB=3V、I0R1=I0R2
1V、VBE=0.7Vとし、基準電源電圧VBと上記ク
ロスポイントの電位差をI0R1/5とすと、入力ト
ランジスタQ7のコレクタ電位は最低でVB
I0R1/5−VBE=2.1Vとなり、従来例の1.8Vより
0.3Vだけ動作範囲が拡大された。
The operation of the circuit shown in FIG. 3 will be explained with reference to FIG. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the input control voltage V CC and the collector potentials of transistors Q 1 '' and Q 2 '' in the circuit of FIG. 3. First input end I 1
Assume that the signal level of is low, the potential of input terminal I 2 is high, transistors Q 1 ′ and Q 1 ″ are off, and transistors Q 2 ′ and Q 2 ″ are on. At this time, as in the conventional case, the collector potential V C (Q 1 ") of the transistor Q 1 " is equal to the reference power supply voltage V B , and the collector potential V C (Q 2 ") of the transistor Q 2 is V B −I 0 R 2 =
Equal to V B −I 0 R 1 . When the input control voltage V CC is increased, transistors Q 1 ′ and Q 1 ″ are turned on, and the transistors
Q 2 ′, Q 2 ″ are switched on, but since the resistor R 7 is connected between the emitter of the transistor Q 1 ″ and the constant current source I 02 , the threshold voltage of the transistor Q 1 ″ in the operating state is higher than that of transistor Q 1 ′, and the timing at which transistor Q 1 ″ is completely turned on is delayed from the timing at which transistors Q 2 ′ and Q 2 ″ are turned off. Therefore, as shown in FIG. As shown in FIG . ) means that the fluctuations in the base voltage required to switch from on to off or from off to on are reduced.
Similar to the conventional example described above, V B = 3V, I 0 R 1 = I 0 R 2 =
1V, V BE = 0.7V, and the potential difference between the reference power supply voltage V B and the above cross point is I 0 R 1 /5, then the collector potential of the input transistor Q 7 is at the lowest V B -
I 0 R 1 /5-V BE = 2.1V, compared to the conventional example of 1.8V
The operating range has been expanded by 0.3V.

(7) 発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、制御電
圧発生回路に電流オフセツトをかけたことによ
り、電流利得制御回路を構成するトランジスタの
オンからオフあるいはオフからオへの切替えに必
要なベース電圧の変動を少なくしたので、利得可
変増幅回路において、入力信号を受ける入力トラ
ンジスタのダイナミツクレンジが拡大される。
(7) Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, by applying a current offset to the control voltage generation circuit, the transistor constituting the current gain control circuit can be switched from on to off or from off to off. Since the fluctuation of the base voltage required for this is reduced, the dynamic range of the input transistor receiving the input signal in the variable gain amplifier circuit is expanded.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の利得可変増幅回路の一例を示す
回路図、第2図は第1図の回路において入力制御
電圧と制御電圧発生回路の出力電圧との関係を示
す波形図、第3図は本発明の一実施例による利得
可変増幅回路に含まれる制御電圧発生回路を示す
回路図、第4図は第3図の回路において、入力制
御電圧VCCと制御電圧発生回路の出力電圧との関
係を示す波形図である。 図において、1は制御電圧発生回路、2は電流
利得制御回路、3は直流変動抑制回路、Q7は入
力トランジスタ、I01は第1の定電流源、I02は第
2の定電流源である。
Figure 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional variable gain amplifier circuit, Figure 2 is a waveform diagram showing the relationship between the input control voltage and the output voltage of the control voltage generation circuit in the circuit of Figure 1, and Figure 3 is FIG. 4 is a circuit diagram showing a control voltage generation circuit included in a variable gain amplifier circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows the relationship between the input control voltage V CC and the output voltage of the control voltage generation circuit in the circuit of FIG. FIG. In the figure, 1 is a control voltage generation circuit, 2 is a current gain control circuit, 3 is a DC fluctuation suppression circuit, Q7 is an input transistor, I01 is a first constant current source, and I02 is a second constant current source. be.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 入力トランジスタQ7と制御電圧発生回路と、
該制御電圧発生回路から出力される制御電圧に応
じて該入力トランジスタの電流利得を制御する電
流利得制御回路と、該制御電圧に応じて出力の直
流電圧変動を抑制する直流変動抑制回路を具備す
る利得可変増幅回路において、該制御電圧発生回
路はベースが共通接続された第1および第2のト
ランジスタQ1′,Q1″と、ベースが共通接続された
第3および第4のトランジスタQ2,Q2″と、該第
1のトランジスタのエミツタと接地間に接続され
た第1の定電流源I01と、該第4のトランジスタ
のエミツタと接地間に接続され該第1の定電流源
と同一の電流供給能力を持つ第2の定電流源I02
と、該第2のトランジスタのエミツタと該第2の
定電流源の間に接続された第1の抵抗R7と、該
第3のトランジスタのエミツタと該第1の定電流
源の間に接続され該第1の抵抗と同一の抵抗値を
持つ第2の抵抗R6と、該第2のトランジスタの
コレクタと電源の間に接続された第1の負荷抵抗
R1と、該第3のトランジスタのコレクタと電源
の間に接続され該第1の負荷抵抗と同一の値を持
つ第2の負荷抵抗R2を具備し、該第1のトラン
ジスタおよび該第2のトランジスタのコレクタは
該電源に接続されており、該第1および第2のト
ランジスタの共通ベースと該第3および第4のト
ランジスタの共通ベースとの間に入力制御信号を
受け取り、該第2および第3のトランジスタのコ
レクタ間に該制御電圧を得るようにしたことを特
徴とする利得可変増幅回路。
1 input transistor Q7 and control voltage generation circuit,
A current gain control circuit that controls a current gain of the input transistor according to a control voltage output from the control voltage generation circuit, and a DC fluctuation suppression circuit that suppresses output DC voltage fluctuation according to the control voltage. In the variable gain amplifier circuit, the control voltage generation circuit includes first and second transistors Q 1 ′, Q 1 ″ whose bases are commonly connected, and third and fourth transistors Q 2 , whose bases are commonly connected. Q 2 ″, a first constant current source I 01 connected between the emitter of the first transistor and ground, and the first constant current source I 01 connected between the emitter of the fourth transistor and ground. A second constant current source I 02 with the same current supply capacity
, a first resistor R 7 connected between the emitter of the second transistor and the second constant current source, and a first resistor R 7 connected between the emitter of the third transistor and the first constant current source. a second resistor R6 having the same resistance value as the first resistor; and a first load resistor connected between the collector of the second transistor and the power supply.
R 1 and a second load resistor R 2 connected between the collector of the third transistor and the power supply and having the same value as the first load resistor; a collector of the transistor is connected to the power supply and receives an input control signal between a common base of the first and second transistors and a common base of the third and fourth transistors; A variable gain amplifier circuit characterized in that the control voltage is obtained between the collector of the third transistor.
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