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JPH0153815B2 - - Google Patents
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JPH0153815B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0153815B2
JPH0153815B2 JP661583A JP661583A JPH0153815B2 JP H0153815 B2 JPH0153815 B2 JP H0153815B2 JP 661583 A JP661583 A JP 661583A JP 661583 A JP661583 A JP 661583A JP H0153815 B2 JPH0153815 B2 JP H0153815B2
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JP
Japan
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acoustic wave
surface acoustic
electrode
nyquist filter
wave resonator
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JP661583A
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Inventor
Kyobumi Yamashita
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/02Details
    • H03J3/04Arrangements for compensating for variations of physical values, e.g. temperature
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/16Circuits
    • H04B1/26Circuits for superheterodyne receivers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は中間周波ブロツクに係り、特にチユー
ナ部に連結される弾性波面波ナイキストフイルタ
の温度ドリフト補正のための制御部に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an intermediate frequency block, and more particularly to a control section for correcting temperature drift of an acoustic wavefront Nyquist filter connected to a tuner section.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

通常テレジヨンの映像信号は4.5MHzの周波数
帯を必要とする。これをDSB(Double Side
Bond)方式で送るのでは占有帯域幅が9MHzとな
り大き過ぎる。そこでSSB(Single Side Band)
方式でテレジヨンの映像信号を送ることが考えら
れているが、受信するのに複雑な装置を必要とす
る。そこで第1図に示すように下側波帯の一部を
除去して送信するVSB(Vestigial Side Band)
方式即ち残留側波帯域方式を採用している。
Normally, television video signals require a frequency band of 4.5MHz. This is DSB (Double Side
If the data is sent using the Bond method, the occupied bandwidth will be 9MHz, which is too large. Therefore, SSB (Single Side Band)
Although it is being considered to send television video signals using this method, it would require complicated equipment to receive them. Therefore, as shown in Figure 1, VSB (Vestigial Side Band) removes part of the lower side band and transmits it.
In other words, the vestigial sideband method is adopted.

しかしながら第1図に示す波形を受信する場
合、下側波帯の一部を送られていないための影響
が受信側に生じるので、復調器の特性は第2図に
示すような特性を得る為、圧電基板に重み付け電
極と正規型電極とを形成した弾性波面波ナイキス
トフイルタ(以下ナイキストフイルタと称す)を
用いて、復調においてのひずみの発生を防止して
いる。
However, when receiving the waveform shown in Figure 1, the receiving side is affected by the fact that part of the lower sideband is not sent, so the characteristics of the demodulator are changed in order to obtain the characteristics shown in Figure 2. , an acoustic wavefront Nyquist filter (hereinafter referred to as a Nyquist filter) in which weighting electrodes and regular electrodes are formed on a piezoelectric substrate is used to prevent distortion during demodulation.

次にナイキストフイルタを用いた中間周波ブロ
ツクの従来例を第3図及び第4図を参照して説明
する。
Next, a conventional example of an intermediate frequency block using a Nyquist filter will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.

第3図において、中間周波ブロツクは、チユー
ナと、検波部と、このチユーナ部とこの検波部と
の間に配置された残留側波帯域方式のナイキスト
フイルタと、そしてこのナイキストフイルタを配
置した恒温槽11とから構成されている。ナイキ
ストフイルタの周囲温度が変化することによる周
波数振幅特性の温度ドリフトを防止即ち温度が変
化することにより周波数特性が変化する変化量を
抑制するために、恒温槽11を用いてナイキスト
フイルタの温度を一定にしていた。しかし恒温槽
は高価かつ大型となる困難があつた。
In FIG. 3, the intermediate frequency block includes a tuner, a detection section, a vestigial sideband type Nyquist filter placed between the tuner section and the detection section, and a thermostatic chamber in which the Nyquist filter is placed. It consists of 11. In order to prevent temperature drift in the frequency amplitude characteristics due to changes in the ambient temperature of the Nyquist filter, that is, to suppress the amount of change in the frequency characteristics due to changes in temperature, the temperature of the Nyquist filter is kept constant using a constant temperature bath 11. I was doing it. However, thermostatic chambers are expensive and large, which poses a problem.

そこで第4図において、第3図に示した中間周
波ブロツクは局部発振部に制御部を設けナイキス
トフイルタ付近にこの制御部に温度センサ20を
配置した方式が考えられている。この方式では、
ナイキストフイルタの周囲温度の影響による周波
数振幅特性の温度ドリフトを温度センサ20によ
り検出し、局部発振部の発振周波数を変化させて
キヤンセルさせる方式である。しかしながら、温
度センサ20及び制御回路が複雑かつ高価となる
欠点がある。その上温度センサ20のセンサ機能
を常に鋭敏化する保守が困難であつた。
Therefore, in FIG. 4, a system has been considered in which the intermediate frequency block shown in FIG. 3 has a control section in the local oscillation section and a temperature sensor 20 is disposed in this control section near the Nyquist filter. In this method,
This method uses a temperature sensor 20 to detect a temperature drift in the frequency amplitude characteristic due to the influence of the ambient temperature of the Nyquist filter, and cancels it by changing the oscillation frequency of the local oscillator. However, there is a drawback that the temperature sensor 20 and the control circuit are complicated and expensive. Moreover, maintenance to constantly sharpen the sensor function of the temperature sensor 20 has been difficult.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上述の点に鑑みてなされたものであ
り、取扱いが容易であり、簡易な構造の中間周波
ブロツクを提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide an intermediate frequency block that is easy to handle and has a simple structure.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明はこの目的を達成するために、制御部に
局部発振部をかねる弾性表面波共振子を用いるこ
とにより、弾性表面波共振子を局部発振回路に使
用して弾性波面波ナイキストフイルタの周囲温度
の変化により弾性波面波ナイキストフイルタ周波
数の温度ドリフトに弾性表面波共振子の局部発振
周波数を追従させるようにし、温度ドリフトをキ
ヤンセルさせるものである。
In order to achieve this object, the present invention uses a surface acoustic wave resonator that also serves as a local oscillation section in the control section, and uses the surface acoustic wave resonator in the local oscillation circuit to increase the ambient temperature of the acoustic wave front Nyquist filter. This change causes the local oscillation frequency of the surface acoustic wave resonator to follow the temperature drift of the Nyquist filter frequency of the elastic wave front, thereby canceling the temperature drift.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下第5図を参照して本発明の実施例を説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

第5図において、本発明の中間周波ブロツク
は、チユーナ部と検波部との間に、弾性表面波共
振子251とナイキストフイルタ252とからな
る弾性表面波装置25に配置し構成している。第
5図に示す中間周波ブロツクにおいて、送信周波
数21が91.25MHzとすると、第1局部発振部2
2と第2局部発振部251とからなる局部発振回
路の局部発振周波数24は130.15MHzとなる。即
ち、第2局部発振部を構成する弾性表面波共振子
251の共振周波数が38.85MHzであるので、L
成分で発振させるため0.05MHzの増加することを
考慮に入れれば、発振周波数26は38.9MHzとな
る。即ち局部発振回路23のローカル周波数を
91.25MHzに固定すれば、局部発振周波数24は
130.15MHzとなる。しかしながら、本発明の弾性
表面波装置25において、ナイキストフイルタ2
52と同一平面上にあり且つ第2局部発振部に弾
性表面波共振子251を用いているので、弾性表
面波装置25の周囲温度が上昇した場合、ナイキ
ストフイルタ252の振幅特性が低い方に例えば
(38.9MHz−Δ)に推移する。即ちナイキストフ
イルタ252の通常の復調周波数をvとすれば
(v−Δ)となる。この時、ナイキストフイルタ
252と同一平面上に第2局部発振部を構成する
弾性表面波共振子251があるので、弾性表面波
共振子251の通常の共振特性をrとすれば、共
振周波数は(r−Δ)に推移する。したがつて
vとrとは等しいので弾性表面波共振子の発振周
波数は(38.9MHz−Δ)となる。
In FIG. 5, the intermediate frequency block of the present invention is arranged in a surface acoustic wave device 25 consisting of a surface acoustic wave resonator 251 and a Nyquist filter 252 between a tuner section and a detection section. In the intermediate frequency block shown in FIG. 5, if the transmission frequency 21 is 91.25MHz, the first local oscillator 2
The local oscillation frequency 24 of the local oscillation circuit consisting of the second local oscillation section 251 and the second local oscillation section 251 is 130.15MHz. That is, since the resonant frequency of the surface acoustic wave resonator 251 constituting the second local oscillation section is 38.85MHz, L
Taking into consideration the increase of 0.05 MHz due to the oscillation with the component, the oscillation frequency 26 becomes 38.9 MHz. That is, the local frequency of the local oscillation circuit 23 is
If fixed at 91.25MHz, the local oscillation frequency 24 will be
It becomes 130.15MHz. However, in the surface acoustic wave device 25 of the present invention, the Nyquist filter 2
52 and uses the surface acoustic wave resonator 251 in the second local oscillation section, when the ambient temperature of the surface acoustic wave device 25 rises, the Nyquist filter 252 has a lower amplitude characteristic, for example. (38.9MHz−Δ). That is, if the normal demodulation frequency of the Nyquist filter 252 is v, then (v-Δ) is obtained. At this time, since there is a surface acoustic wave resonator 251 constituting the second local oscillation section on the same plane as the Nyquist filter 252, if the normal resonance characteristic of the surface acoustic wave resonator 251 is r, the resonant frequency is ( r−Δ). Therefore
Since v and r are equal, the oscillation frequency of the surface acoustic wave resonator is (38.9MHz−Δ).

局部発振周波数91.25MHzと弾性表面波共振子
とで得られる発振周波数(38.9MHz−Δ)を混
合し、局部発振周波数24は(130.15MHz−Δ)
になる。
The local oscillation frequency 91.25MHz and the oscillation frequency (38.9MHz-Δ) obtained by the surface acoustic wave resonator are mixed, and the local oscillation frequency 24 is (130.15MHz-Δ).
become.

上述のことにより、チユーナ出力の搬送周波数
27は、(130.15MHz−Δ)−91.25MHz=38.9M
Hz−Δとなる。即ち弾性表面波装置25の周囲
温度が上昇した場合、ナイキストフイルタ251
の搬送周波数(v−Δ)にチユーナ出力の搬送
周波数27が追従し、ナイキストフイルタ252
の温度ドリフトをキヤンセルすることができる。
As described above, the carrier frequency 27 of the tuner output is (130.15MHz - Δ) - 91.25MHz = 38.9M
Hz−Δ. That is, when the ambient temperature of the surface acoustic wave device 25 rises, the Nyquist filter 251
The carrier frequency 27 of the tuner output follows the carrier frequency (v−Δ) of the Nyquist filter 252.
temperature drift can be canceled.

次に第6図を参照して本発明の中間周波ブロツ
クに使用する弾性表面波装置について説明する。
第6図において、金属例えば鉄からなる50mm×50
mmのステム31にエポキシ系接着剤(図示せず)
を介して厚さが0.48mmのLiTaO3等からなる30mm
×30mmの圧電基板上に、ナイキストフイルタ33
と弾性表面波共振子34とが配置構成されてい
る。またこのステム31にはリードピン336,
338,345が植設されている。ナイキストフ
イルタ33は圧電基板31の一方の端に正規型電
極331が構成され、他方の端に重み付け電極3
33が構成されている。この正規型電極331と
重み付け電極333との間には、正規型電極33
1から重み付け電極333にかけて電磁誘導を防
止する為のシールド電極332が構成されてい
る。この正規型電極331と重み付け電極333
との圧電基板の端部にはそれぞれ吸音剤334,
335が塗布されている。そして正規型電極33
1はリードピン336にボンデイング線337を
介して電気的に接続されている。また、同様に重
み付け電極333もリードピン339にボンデイ
ング線339を介して電気的に接続されている。
Next, a surface acoustic wave device used in the intermediate frequency block of the present invention will be explained with reference to FIG.
In Figure 6, 50 mm x 50 mm made of metal such as iron
Epoxy adhesive (not shown) on stem 31 of mm
30mm made of LiTaO 3 etc. with thickness 0.48mm through
A Nyquist filter 33 is placed on a ×30mm piezoelectric substrate.
and a surface acoustic wave resonator 34 are arranged. Also, this stem 31 has a lead pin 336,
338,345 are planted. The Nyquist filter 33 includes a regular electrode 331 at one end of a piezoelectric substrate 31, and a weighting electrode 331 at the other end.
33 are configured. Between the regular type electrode 331 and the weighting electrode 333, the regular type electrode 33
A shield electrode 332 for preventing electromagnetic induction is configured from 1 to the weighting electrode 333. This regular type electrode 331 and weighting electrode 333
A sound absorbing material 334 is provided at the end of the piezoelectric substrate, respectively.
335 is applied. And regular type electrode 33
1 is electrically connected to a lead pin 336 via a bonding wire 337. Similarly, the weighting electrode 333 is also electrically connected to the lead pin 339 via a bonding wire 339.

また一方、弾性表面波共振子34において、圧
電基板32上の両端部に反射電極342,343
が形成されている。この反射電極342,343
との間には正規型電極341が形成されている。
さらに正規型電極341はリードピン345とボ
ンデイング線344を介して電気的に接続してい
る。このステム31とシエル35とは気密封止例
えばレーザ封止され、弾性表面波装置が構成され
ている。またステム31とシエル35とから外囲
器が構成されている。
On the other hand, in the surface acoustic wave resonator 34, reflective electrodes 342, 343 are provided at both ends of the piezoelectric substrate 32.
is formed. These reflective electrodes 342, 343
A regular electrode 341 is formed between the two.
Further, the regular electrode 341 is electrically connected to a lead pin 345 via a bonding wire 344. The stem 31 and the shell 35 are hermetically sealed, for example, laser sealed, and constitute a surface acoustic wave device. Further, the stem 31 and the shell 35 constitute an envelope.

ところで、この弾性表面波装置30を用いた第
5図に示した中間周波ブロツクは、恒温槽を使用
しないので、製造原価が安価になる上、恒温槽か
ら発せられる熱がなくなりナイキストフイルタの
周囲温度が高温になることがなくなる。さらに温
度センサを使用しないので安価になつた上複雑な
構造を取る必要もない。その上、この弾性表面波
装置30は同一圧電基板にナイキストフイルタと
弾性表面波共振子を構成した為、搬送周波数と共
振周波数とが一致し、ローカル発振の値の変更で
容易に温度ドリフトをキヤンセルすることができ
る。
By the way, the intermediate frequency block shown in FIG. 5 using this surface acoustic wave device 30 does not use a constant temperature oven, so the manufacturing cost is low, and the ambient temperature of the Nyquist filter is reduced because no heat is emitted from the constant temperature oven. will no longer reach high temperatures. Furthermore, since no temperature sensor is used, the cost is reduced and there is no need for a complicated structure. Furthermore, since this surface acoustic wave device 30 has a Nyquist filter and a surface acoustic wave resonator configured on the same piezoelectric substrate, the carrier frequency and the resonant frequency match, and temperature drift can be easily canceled by changing the local oscillation value. can do.

次に第7図を参照して本発明の弾性表面波装置
の発振周波数、ナイキストフイルタの周囲温度、
及びナイキストフイルタの電極と弾性表面波共振
子の電極との最短距離135(第6図参照)の関
係を説明する。ここで、ナイキストフイルタの電
極とは正規型電極、シールド電極、及び重み付け
電極を指し、また弾性表面波共振子の電極は反射
器及び正規型電極を指す。又、この場合に共振周
波数は38.85MHzのものを用いた。
Next, referring to FIG. 7, the oscillation frequency of the surface acoustic wave device of the present invention, the ambient temperature of the Nyquist filter,
The relationship between the electrodes of the Nyquist filter and the electrodes of the surface acoustic wave resonator 135 (see FIG. 6) will be explained. Here, the electrodes of the Nyquist filter refer to a regular electrode, a shield electrode, and a weighting electrode, and the electrodes of a surface acoustic wave resonator refer to a reflector and a regular electrode. In this case, a resonance frequency of 38.85MHz was used.

第7図において、特性曲線51はナイキストフ
イルタの復調周波数を示す特性曲線であり、特性
曲線52は最短距離135が1mmの弾性表面波共
振子の共振周波数を示す特性曲線であり、特性曲
線53は再短距離135が10mmの弾性表面波共振
子の共振周波数を示す特性曲線であり、特性曲線
54は最短距離135が20mmの弾性表面波共振子
の共振周波数を示す特性曲線である。最短距離1
35は1mm未満にすると、ナイキストフイルタの
電極と弾性表面波共振子の電極との間に誘電現像
等が生じる危険がある。また、最短距離135が
10mm以内であれば、弾性表面波共振子の共振周波
数がナイキストフイルタの復調周波数に実質的に
一致するので、ナイキストフイルタの温度ドリフ
トを良好にキヤンセルすることが出来る。その上
最短距離135が1mm乃至10mmであればどのよう
な悪条件下であつても、測定器の誤差範囲約5%
の規格に収めることができる。
In FIG. 7, a characteristic curve 51 is a characteristic curve showing the demodulation frequency of a Nyquist filter, a characteristic curve 52 is a characteristic curve showing the resonant frequency of a surface acoustic wave resonator with a minimum distance 135 of 1 mm, and a characteristic curve 53 is a characteristic curve showing the resonant frequency of a surface acoustic wave resonator with a minimum distance 135 of 1 mm. The characteristic curve 54 is a characteristic curve showing the resonant frequency of a surface acoustic wave resonator with a shortest distance 135 of 10 mm, and the characteristic curve 54 is a characteristic curve showing the resonant frequency of a surface acoustic wave resonator with a shortest distance 135 of 20 mm. Shortest distance 1
If 35 is less than 1 mm, there is a risk that dielectric development will occur between the electrodes of the Nyquist filter and the electrodes of the surface acoustic wave resonator. Also, the shortest distance 135 is
If the distance is within 10 mm, the resonant frequency of the surface acoustic wave resonator substantially matches the demodulation frequency of the Nyquist filter, so that the temperature drift of the Nyquist filter can be effectively canceled. Moreover, if the shortest distance 135 is 1 mm to 10 mm, the error range of the measuring device is approximately 5% even under adverse conditions.
can be accommodated in the standard.

第5図では本発明の弾性表面波装置は、同一圧
電基板上にナイキストフイルタと弾性表面波共振
子とを配置する構造で説明した。しかしながら、
本発明の弾性表面波装置は、ナイキストフイルタ
と弾性表面波共振子とをそれぞれ別の圧電基板に
形成し(但しナイキストフイルタの圧電基板と弾
性表面波共振子と圧電基板とは同一材質からな
る。)、それぞれの圧電基板を同一平面例えばステ
ム上に載置して構成しても良いのは言うまでもな
い。また、ナイキストフイルタと弾性表面波共振
子を別々に構成すると、個々の特性をチエツクす
るのが容易となり、温度ドリフトのキヤンセルを
簡単に行なうことができる利点を有する。
In FIG. 5, the surface acoustic wave device of the present invention has been described with a structure in which a Nyquist filter and a surface acoustic wave resonator are arranged on the same piezoelectric substrate. however,
The surface acoustic wave device of the present invention has a Nyquist filter and a surface acoustic wave resonator formed on separate piezoelectric substrates (however, the piezoelectric substrate of the Nyquist filter, the surface acoustic wave resonator, and the piezoelectric substrate are made of the same material. ), it goes without saying that the respective piezoelectric substrates may be placed on the same plane, for example, on the stem. Further, configuring the Nyquist filter and the surface acoustic wave resonator separately has the advantage that it is easy to check individual characteristics and that temperature drift can be easily canceled.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、制御部に局部発
振部をかねる弾性表面波共振子を用いることによ
り、弾性表面波共振子を局部発振回路に使用し且
つ弾性表面波ナイキストフイルタと弾性表面波共
振子とが周囲温度と同一になるので、周囲温度の
変化により弾性表面波ナイキストフイルタ周波数
特性の温度ドリフトに弾性表面波共振子の局部発
振周波数を追従させるようにし、温度ドリフトを
キヤンセルさせることができた。
As described above, according to the present invention, by using a surface acoustic wave resonator that also serves as a local oscillation section in the control section, the surface acoustic wave resonator is used in the local oscillation circuit, and the surface acoustic wave Nyquist filter and surface acoustic wave Since the temperature of the resonator and the resonator is the same as the ambient temperature, it is possible to cancel the temperature drift by making the local oscillation frequency of the surface acoustic wave resonator follow the temperature drift of the frequency characteristics of the surface acoustic wave Nyquist filter due to changes in the ambient temperature. did it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はテレビジヨンの映像信号周波数帯を表
示した模式図、第2図は弾性表面波ナイキストフ
イルタによつて得られる復調器の特性図、第3図
は恒温槽を用いた中間周波ブロツクを示すブロツ
ク図、第4図は温度センサを用いた中間周波ブロ
ツクを示すブロツク図、第5図は本発明の中間周
波ブロツクの実施例を示すブロツク図、第6図は
第5図に使用した弾性表面波装置を示す分解斜視
図、第7図は第6図に示した弾性表面波装置の特
性を示す特性図である。 32……圧電基板、33……弾性表面波ナイキ
ストフイルタ、34……弾性表面波共振子、33
1,341……正規型電極、333……重み付け
電極、342,343……反射電極。
Figure 1 is a schematic diagram showing the video signal frequency band of television, Figure 2 is a characteristic diagram of a demodulator obtained by a surface acoustic wave Nyquist filter, and Figure 3 is an intermediate frequency block diagram using a thermostatic oven. Fig. 4 is a block diagram showing an intermediate frequency block using a temperature sensor, Fig. 5 is a block diagram showing an embodiment of the intermediate frequency block of the present invention, and Fig. 6 shows the elasticity used in Fig. 5. FIG. 7 is an exploded perspective view showing the surface acoustic wave device. FIG. 7 is a characteristic diagram showing the characteristics of the surface acoustic wave device shown in FIG. 32...Piezoelectric substrate, 33...Surface acoustic wave Nyquist filter, 34...Surface acoustic wave resonator, 33
1,341...Regular type electrode, 333...Weighting electrode, 342,343...Reflecting electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 アンテナから入力される送信周波数と局部発
振回路からの発振周波数とを混合することにより
中間周波数とするチユーナ部と、 この中間周波数を弾性波面波ナイキストフイル
タを通過させた後に検波する検波部とを備え、 前記局部発振回路は第1局部発振部と第2局部
発振部とを有し、 この第2局部発振部は前記弾性波面波ナイキス
トフイルタと同一平面上に配置された弾性表面波
共振子を有し、 前記弾性波面波ナイキストフイルタの周囲温度
の変化による前記弾性波面波ナイキストフイルタ
周波数の温度ドリフトに、前記第1局部発振部と
前記第2局部発振部との周波数を混合してなる前
記局部発振回路の局部発振周波数を追従させたこ
とを特徴とする中間周波ブロツク。 2 前記弾性波面波ナイキストフイルタの電極を
構成する第1の圧電基板と、前記弾性表面波共振
子の電極を構成する第2の圧電基板とは実質的に
同一材質からなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の中間周波ブロツク。 3 シエルとリードピンを植設したステムとで構
成する外囲器内の前記ステムに、前記弾性波面波
ナイキストフイルタの電極を構成する第1の圧電
基板と前記弾性表面波共振子の電極を構成する第
2の圧電基板とを載置してなることを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の中間周波ブロツク。 4 前記弾性波面波ナイキストフイルタの電極を
構成する第1の圧電基板と前記弾性表面波共振子
の電極を構成する第2の圧電基板とは前記ステム
面上の同一平面にあることを特徴とする特許請求
の範囲第3項記載の中間周波ブロツク。 5 前記弾性波面波ナイキストフイルタの電極を
構成する第1の圧電基板と前記弾性表面波共振子
の電極を構成する第2の圧電基板とは同一圧電基
板からなり、且つ前記弾性波面波ナイキストフイ
ルタと前記弾性表面波共振子とは隣接してなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の中間
周波ブロツク。 6 前記弾性波面波ナイキストフイルタの電極を
構成してなる第1の圧電基板と前記弾性表面波共
振子の電極を構成してなる第2の圧電基板とは別
体の圧電基板からなることを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載の中間周波ブロツク。 7 前記弾性波面波ナイキストフイルタの電極指
の配列方向と前記弾性表面波共振子の電極指の配
列方向とは略平行であるように隣接し、且つ前記
弾性波面波ナイキストフイルタの電極と前記弾性
表面波共振子の電極との最も狭い間隔は略0.1cm
乃至略1.0cmの範囲にあることを特徴とする特許
請求の範囲第5項または第6項記載の中間周波ブ
ロツク。 8 前記弾性波面波ナイキストフイルタの通過帯
域中心周波数と、前記弾性表面波共振子の共振周
波数とがほぼ等しいことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の中間周波ブロツク。
[Claims] 1. A tuner section that generates an intermediate frequency by mixing the transmission frequency input from the antenna and the oscillation frequency from the local oscillation circuit, and a tuner section that generates an intermediate frequency by mixing the transmission frequency input from the antenna and the oscillation frequency from the local oscillation circuit; The local oscillation circuit has a first local oscillation section and a second local oscillation section, and the second local oscillation section is arranged on the same plane as the elastic wave front Nyquist filter. The surface acoustic wave resonator has a surface acoustic wave resonator, and the frequencies of the first local oscillation section and the second local oscillation section are adjusted to a temperature drift of the frequency of the acoustic wave front Nyquist filter due to a change in the ambient temperature of the acoustic wave front Nyquist filter. An intermediate frequency block characterized in that the local oscillation frequency of the mixed local oscillation circuit is tracked. 2. A patent characterized in that the first piezoelectric substrate constituting the electrode of the surface acoustic wave Nyquist filter and the second piezoelectric substrate constituting the electrode of the surface acoustic wave resonator are made of substantially the same material. An intermediate frequency block according to claim 1. 3. A first piezoelectric substrate, which constitutes an electrode of the acoustic wavefront Nyquist filter, and an electrode of the surface acoustic wave resonator are constituted in the stem in an envelope constituted by a shell and a stem in which lead pins are implanted. 3. The intermediate frequency block according to claim 2, further comprising a second piezoelectric substrate mounted thereon. 4. The first piezoelectric substrate constituting the electrode of the surface acoustic wave Nyquist filter and the second piezoelectric substrate constituting the electrode of the surface acoustic wave resonator are located on the same plane on the stem surface. An intermediate frequency block according to claim 3. 5. The first piezoelectric substrate constituting the electrode of the acoustic wavefront Nyquist filter and the second piezoelectric substrate constituting the electrode of the surface acoustic wave resonator are the same piezoelectric substrate, and 3. The intermediate frequency block according to claim 2, wherein the intermediate frequency block is adjacent to the surface acoustic wave resonator. 6. The first piezoelectric substrate forming the electrode of the surface acoustic wave Nyquist filter and the second piezoelectric substrate forming the electrode of the surface acoustic wave resonator are separate piezoelectric substrates. An intermediate frequency block according to claim 2. 7. The arrangement direction of the electrode fingers of the acoustic wavefront Nyquist filter and the arrangement direction of the electrode fingers of the surface acoustic wave resonator are adjacent to each other so as to be substantially parallel, and the electrodes of the acoustic wavefront Nyquist filter and the elastic surface The narrowest distance between the wave resonator and the electrode is approximately 0.1cm.
7. An intermediate frequency block according to claim 5 or 6, characterized in that the intermediate frequency block is in the range of 1.0 cm to approximately 1.0 cm. 8. The intermediate frequency block according to claim 1, wherein the passband center frequency of the surface acoustic wave Nyquist filter and the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator are approximately equal.
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