JPH0153922B2 - - Google Patents
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- JPH0153922B2 JPH0153922B2 JP19288083A JP19288083A JPH0153922B2 JP H0153922 B2 JPH0153922 B2 JP H0153922B2 JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP 19288083 A JP19288083 A JP 19288083A JP H0153922 B2 JPH0153922 B2 JP H0153922B2
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- JP
- Japan
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- terminal
- power supply
- pin diodes
- high frequency
- positive power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体及びハイブリツトを使用し
て高周波の高速切換を行なう高周波切換回路に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a high frequency switching circuit that performs high-speed switching of high frequencies using semiconductors and hybrids.
従来この種の回路として第1図に示すものがあ
つた。図において、1は高周波信号を入力する空
中線端子、2は高周波高電力を入力する送信機端
子、3は高周波信号を出力する受信機端子、4は
空中線端子1からの高周波信号を、送信機端子2
又は受信機端子3に切換えるために使用する90゜
ハイブリツド、5(5a,5b)は90゜ハイブリ
ツド4の2つの端子を短絡するためのPINダイオ
ード、6はPINダイオード5をON(短絡)させ
るためのバイアス電流を発生させるバイアス発生
回路、7はバイアス発生回路6に正電源を供給す
る正電源供給端子、8はバイアス発生回路6のバ
イアス電流を制御する制御入力端子、9はPINダ
イオード5の電荷を放電するための半導体スイツ
チ、10はPINダイオード5の電荷を放電するた
めに半導体スイツチ9に負電源を供給する負電源
供給端子、11は半導体スイツチ9の制御を行な
う制御入力端子である。12は90゜ハイブリツド
4の1端子を終端するための終端低抗である。
A conventional circuit of this type is shown in FIG. In the figure, 1 is an antenna terminal for inputting high-frequency signals, 2 is a transmitter terminal for inputting high-frequency high power, 3 is a receiver terminal for outputting high-frequency signals, and 4 is a transmitter terminal for inputting high-frequency signals from antenna terminal 1. 2
Or 90° hybrid used to switch to receiver terminal 3, 5 (5a, 5b) is a PIN diode to short the two terminals of 90° hybrid 4, 6 is to turn on (short circuit) PIN diode 5. 7 is a positive power supply terminal that supplies positive power to the bias generation circuit 6; 8 is a control input terminal that controls the bias current of the bias generation circuit 6; 9 is the charge of the PIN diode 5; 10 is a negative power supply terminal for supplying negative power to semiconductor switch 9 to discharge the charge of PIN diode 5; 11 is a control input terminal for controlling semiconductor switch 9; 12 is a termination resistor for terminating one terminal of the 90° hybrid 4.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.
まず空中線端子1と送信機端子2とを接続する
場合は、制御入力端子8に“H”(“L”)レベル
の制御信号を入力する。すると、バイアス発生回
路6は正電源供給端子7から供給される電力を用
いてPINダイオード5をON(短絡)するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
5はONとなり90゜ハイブリツド4の2端子間が短
絡され、空中線端子1と送信機端子2とが接続さ
れる。また、このとき受信機端子3は終端抵抗1
2と接続される。 First, when connecting the antenna terminal 1 and the transmitter terminal 2, an "H"("L") level control signal is input to the control input terminal 8. Then, the bias generation circuit 6 uses the power supplied from the positive power supply terminal 7 to generate a bias to turn on (short-circuit) the PIN diode 5. As a result, the PIN diode 5 is turned ON, the two terminals of the 90° hybrid 4 are short-circuited, and the antenna terminal 1 and the transmitter terminal 2 are connected. Also, at this time, the receiver terminal 3 is connected to the terminal resistor 1.
Connected to 2.
次に空中線端子1と受信機端子3とを接続する
場合は、制御入力端子8から上記とは逆のレベ
ル、即ち“L”(“H”)レベルの制御信号を入力
する。すると、バイアス発生回路6からPINダイ
オード5に与えるバイアスが無くなる。また、上
記制御信号が印加されると同時に、放電制御入力
端子11にも半導体スイツチ9を制御する信号が
入力され、負電源供給端子10から供給される負
の電源によりPINダイオード5に蓄積された電荷
は急速に放電される。このPINダイオード5の電
荷が無くなれば該PINダイオード5はOFF(開
放)となり、空中線端子1と受信機端子3とが接
続される。また、このとき送信機端子2は終端抵
抗12と接続される。 Next, when connecting the antenna terminal 1 and the receiver terminal 3, a control signal of the opposite level to the above, that is, the "L"("H") level is input from the control input terminal 8. Then, the bias applied from the bias generation circuit 6 to the PIN diode 5 is eliminated. Further, at the same time as the above control signal is applied, a signal for controlling the semiconductor switch 9 is also input to the discharge control input terminal 11, and the negative power supplied from the negative power supply terminal 10 is accumulated in the PIN diode 5. The charge is rapidly discharged. When the charge on the PIN diode 5 disappears, the PIN diode 5 becomes OFF (open), and the antenna terminal 1 and the receiver terminal 3 are connected. Further, at this time, the transmitter terminal 2 is connected to the terminating resistor 12.
このようにして回路の切換えが行なわれるが、
今、仮にPINダイオード5の電荷を半導体スイツ
チ9で急速に放電させないとすれば、上記PINダ
イオード5の電荷の放電は漏れ電流によつて放電
されることになり、その放電に時間がかかつてし
まう。この結果、空中線端子1と送信機端子2又
は受信機端子3との切換時間か長くなることにな
る。 Circuit switching is performed in this way,
Now, if the charge in the PIN diode 5 is not rapidly discharged by the semiconductor switch 9, the charge in the PIN diode 5 will be discharged due to leakage current, and the discharge will take time. . As a result, the switching time between the antenna terminal 1 and the transmitter terminal 2 or receiver terminal 3 becomes longer.
このように従来の高周波切換回路では、高周波
高電力の切換えを高速で行なうためには、PINダ
イオードのバイアス用の正電源と別に放電用の負
電源を必要とするという欠点があつた。 As described above, conventional high frequency switching circuits have the disadvantage that in order to switch high frequency and high power at high speed, a negative power source for discharging is required in addition to a positive power source for biasing the PIN diode.
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、PINダイオード
に蓄積された電荷をコンデンサをスイツチングし
て放電することにより、放電用の負電源を必要と
することなく、高周波高電力の切換を高速で行な
うことのできる高周波切換回路を提供することを
目的としている。
This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and by discharging the charge accumulated in the PIN diode by switching the capacitor, it eliminates the need for a negative power supply for discharging. It is an object of the present invention to provide a high frequency switching circuit that can switch between high frequency and high power at high speed.
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。第2図において、第1図と同一符号は同一の
ものを示す。13a,13bはそれぞれPINダイ
オード5a,5bに蓄積された電荷を放電するた
めの放電用コンデンサであり、該コンデンサ13
a,13bの一端はそれぞれ上記PINダイオード
5a,5bのアノード側に接続され、又他端は半
導体スイツチ9に接続されている。そしてこの半
導体スイツチ9は、端子11への放電制御信号に
より制御され、上記コンデンサ13a,13bの
他端を正電源又はアースに接続するようになつて
いる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 2, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts. 13a and 13b are discharge capacitors for discharging the charges accumulated in the PIN diodes 5a and 5b, respectively;
One ends of PIN diodes 5a and 13b are connected to the anode sides of the PIN diodes 5a and 5b, respectively, and the other ends are connected to the semiconductor switch 9. This semiconductor switch 9 is controlled by a discharge control signal sent to a terminal 11, and connects the other ends of the capacitors 13a and 13b to a positive power source or ground.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.
空中線端子1と送信機端子2とを接続する場合
は、従来と同様に制御入力端子8に制御信号を入
力すれば、バイアス発生回路6はこれを受けて正
電源供給端子7から供給される電力を用い、PIN
ダイオード5a,5bをON(短絡)するための
バイアスを発生する。これによりPINダイオード
5a,5bはONし、90゜ハイブリツド4の2端子
間が短絡され、空中線端子1と送信機端子2とが
接続される。また、このとき受信機端子3は終端
抵抗12と接続される。ここで、PINダイオード
5がONしている時には、半導体スイツチ9は第
2図で示すように正電源供給端子7側に接続され
ており、従つて放電用コンデンサ13は正電源に
より充電されている。 When connecting the antenna terminal 1 and the transmitter terminal 2, if a control signal is input to the control input terminal 8 as in the conventional case, the bias generation circuit 6 receives the control signal and outputs the power supplied from the positive power supply terminal 7. using PIN
A bias is generated to turn on (short-circuit) the diodes 5a and 5b. As a result, the PIN diodes 5a and 5b are turned on, the two terminals of the 90° hybrid 4 are short-circuited, and the antenna terminal 1 and the transmitter terminal 2 are connected. Further, at this time, the receiver terminal 3 is connected to the terminating resistor 12. Here, when the PIN diode 5 is ON, the semiconductor switch 9 is connected to the positive power supply terminal 7 side as shown in FIG. 2, and therefore the discharging capacitor 13 is charged by the positive power supply. .
次に空中線端子1と受信機端子3とを接続する
場合は、上記とは逆レベルの制御信号をその入力
端子8に入力する。すると、バイアス発生回路6
からPINダイオード5に与えるバイアスが無くな
る。また上記制御信号が印加されると同時に、放
電制御入力端子11にも半導体スイツチ9を制御
する信号が入力され、該半導体スイツチ9は放電
用コンデンサ13の一端を接地するよう切換えら
れる。放電用コンデンサ13の一端が接地される
と、該コンデンサ13に蓄積されている電荷は
PINダイオード5に蓄積されている電荷とは逆極
性であるので、該PINダイオード5の電荷は放電
用コンデンサ13によつて放電される。このPIN
ダイオード5の電荷が無くなれば該PINダイオー
ド5はOFF(開放)となり、空中線端子1と受信
機端子3とが接続される。また、このとき送信機
端子2は終端抵抗12と接続される。 Next, when connecting the antenna terminal 1 and the receiver terminal 3, a control signal having a level opposite to that described above is input to the input terminal 8. Then, bias generation circuit 6
The bias applied to the PIN diode 5 disappears. At the same time as the above control signal is applied, a signal for controlling the semiconductor switch 9 is also input to the discharge control input terminal 11, and the semiconductor switch 9 is switched to ground one end of the discharge capacitor 13. When one end of the discharging capacitor 13 is grounded, the charge stored in the capacitor 13 is
Since the polarity is opposite to that of the charge stored in the PIN diode 5, the charge in the PIN diode 5 is discharged by the discharge capacitor 13. This PIN
When the charge in the diode 5 disappears, the PIN diode 5 becomes OFF (open), and the antenna terminal 1 and the receiver terminal 3 are connected. Further, at this time, the transmitter terminal 2 is connected to the terminating resistor 12.
このような本実施装置では、PINダイオード5
の蓄積電荷をコンデンサ13及びこれをスイツチ
ングする半導体スイツチ9によつて放電するよう
にしたので、従来装置における負電源装置を省略
することができ、装置を簡単に、安価にすること
ができる。 In this embodiment device, the PIN diode 5
Since the accumulated charge is discharged by the capacitor 13 and the semiconductor switch 9 that switches it, the negative power supply device in the conventional device can be omitted, and the device can be made simple and inexpensive.
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、PINダイオー
ドの蓄積電荷をコンデンサをスイツチングして放
電するようにしたので、負電源装置を用いること
なく、簡単な回路構成で高周波高電力を高速に切
換えることができる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the accumulated charge in the PIN diode is discharged by switching the capacitor, so high frequency and high power can be generated with a simple circuit configuration without using a negative power supply device. This has the effect of allowing high-speed switching.
第1図は従来の高周波切換回路を示す図、第2
図はこの発明の一実施例による高周波切換回路の
概略構成図である。
4……90゜ハイブリツド、5……PINダイオー
ド、6……バイアス発生回路、7……正電源供給
端子、8……制御入力端子、9……半導体スイツ
チ、11……放電制御入力端子、13……放電用
コンデンサ。なお図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Figure 1 shows a conventional high frequency switching circuit, Figure 2 shows a conventional high frequency switching circuit.
The figure is a schematic configuration diagram of a high frequency switching circuit according to an embodiment of the present invention. 4... 90° hybrid, 5... PIN diode, 6... Bias generation circuit, 7... Positive power supply terminal, 8... Control input terminal, 9... Semiconductor switch, 11... Discharge control input terminal, 13 ...discharge capacitor. In the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
イブリツド同士の2つの接続点にアノードを接続
しカソードを接地した2つのPINダイオードとを
備え、 該両PINダイオードをオン、オフして高周波高
電力の切換えを行なう高周波切換回路において、 外部制御信号に応じて上記2つのPINダイオー
ドを共にオンするためのバイアス電流を発生する
バイアス発生回路と、 該バイアス発生回路に正電源を供給する正電源
と、 一端が上記2つのPINダイオードのアノード側
に接続された2つのコンデンサと、 上記外部制御信号に応じて上記コンデンサの両
他端を上記正電源と同一の正電源またはアースの
いずれか一方に接続し上記2つのPINダイオード
を共にオン状態に保つか又はオフとする半導体ス
イツチとを備えたことを特徴とする高周波切換回
路。[Claims] 1. A device comprising two cascade-connected hybrids and two PIN diodes whose anodes are connected to two connection points between the hybrids and whose cathodes are grounded, and which turns both PIN diodes on and off. In a high frequency switching circuit that switches high frequency and high power using a high frequency switching circuit, a bias generating circuit generates a bias current to turn on both of the above two PIN diodes in response to an external control signal, and a positive power supply is supplied to the bias generating circuit. A positive power supply, two capacitors with one end connected to the anode side of the above two PIN diodes, and depending on the above external control signal, connect the other ends of the above capacitor to either the same positive power supply as the above positive power supply or the ground. A high frequency switching circuit comprising: a semiconductor switch connected to one of the PIN diodes to keep both of the two PIN diodes in the ON state or to turn them OFF.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | High frequency switching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19288083A JPS6084001A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | High frequency switching circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084001A JPS6084001A (en) | 1985-05-13 |
| JPH0153922B2 true JPH0153922B2 (en) | 1989-11-16 |
Family
ID=16298509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19288083A Granted JPS6084001A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | High frequency switching circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084001A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295001A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Micro wave semiconductor switch |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19288083A patent/JPS6084001A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6084001A (en) | 1985-05-13 |
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