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JPH0154766B2 - - Google Patents
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JPH0154766B2 - - Google Patents

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JPH0154766B2
JPH0154766B2 JP56213249A JP21324981A JPH0154766B2 JP H0154766 B2 JPH0154766 B2 JP H0154766B2 JP 56213249 A JP56213249 A JP 56213249A JP 21324981 A JP21324981 A JP 21324981A JP H0154766 B2 JPH0154766 B2 JP H0154766B2
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JP
Japan
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magnetic
recording
film
head
medium
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JP56213249A
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Minoru Hosokawa
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高透磁率磁性膜を磁極とする磁気記録
再生ヘツドに関し、特に記録と再生とに係る磁極
が異なる磁気記録再生ヘツドに関する。
高密度磁気記録を行う為に、従来のNi―Zn等
の焼結フエライトを磁性コアに用いた磁気ヘツド
に代つてパーマロイその他の高透磁率磁性薄膜を
磁極とする磁気ヘツドが用いられてきている。媒
体についても、従来のFe2O3の針状結晶粉等の樹
脂結合材と共に塗布した媒体に代つてCo―Crそ
の他の合金磁性薄膜をスパツタ、或は蒸着、メツ
キにより基板上に形成したものが用いられる様に
なつてきつつある。これらヘツドと媒体の組み合
せによる磁気記録装置に関して説明する。第1図
は、その一例で媒体101を挾んで両側にヘツド
が分離したものである。
第1図は記録トラツク方向の断面図であり、磁
気記録媒体101は、記録又は再生の過程で、ヘ
ツドに対し例えばタ印106の方向に移動する。
磁気ヘツドは102及び104より構成され、両
者は媒体101を挾む様にして対向している。1
02の中心付近には、媒体101の面にほぼ垂直
になる様に高透磁率磁性薄膜(例えば1ミクロン
前後の厚みのパーマロイ膜)103が、基板10
2上にメツキ又はスパツター等のプロセスで形成
され、サンドイツチされた構造をしている。10
4は透磁率の比較的高い材料(例えばNi―Znフ
エライト等)で構成された磁性コアでありコア1
04の周囲には、記録再生用コイル105が巻き
つけられている。記録時にはコイル105を流す
記録電流によつて生ずる磁界が矢印107の如く
媒体101を通過し、殊に磁性薄膜103と媒体
101との接触部分に磁界が集中する事によつて
その部分を磁化記録する。
再生時には、同じく薄膜103が媒体101に
接触する部分の媒体上の記録磁化によつて薄膜1
03とコア104の中に矢印107の如く発生す
る磁界の変化をコイル105が検出する。
ここで、第2図により、記録の際に、媒体面上
に生ずる記録磁界の分布を説明する。第2図A
は、一般的なリング型ヘツドの場合についてであ
る(リングヘツドの構造の説明は略す。)。201
は磁性コア、202はコア間のギヤツプ部であ
る。203は媒体である。第2図Aは、ヘツドと
媒体の断面図、同図Bは、平面図である。同図B
において、斜線部はヘツドが媒体に接触する領域
を示す。又、y方向は、ヘツドに対する媒体の移
動方向を示し、x方向は媒体の巾方向を示す。さ
らに、同図C,Dは媒体面上の記録磁界分布を示
す。即ち、Cに示す分布207は、媒体面上のy
方向の分布であり、Dに示す分布206は、媒体
面のx方向の分布である。又、208はヘツド2
01の幅であり、209は実効記録トラツク幅で
あり、210は、消去幅である。ここで、実効記
録トラツク幅とは、再生に有効な記録磁化分布が
存在するトラツク幅である。消去幅とは、新たに
記録する前に記録されていた記録磁化分布が消さ
れるべきトラツク幅を示す。
次に、第3図は、磁性薄膜磁極による記録磁界
分布について示している。同図A,B,C,D
は、第2図と同様に各々断面図、平面図、x方向
の記録磁界分布、y方向の記録磁界分布である。
ここで、第2図と第3図について、それぞれの実
用的な記録条件の元での磁界分布の差を説明す
る。
以下の説明は、磁界の数値解析によるシミユレ
ーシヨンによつて得られた結果であり、又実測デ
ータとの対応もよく得られているものである。
これらの傾向は一般に当該技術者間には周知の
事として説明するものである。第2図においてト
ラツク幅方向の分布207は比較的なだらかな勾
配を持ち、その結果、ヘツド幅208に対して実
効記録トラツク幅209はかなり広く、しかも消
去幅210は更に広くなる。通常のヘツドの場合
209は208に対し数ミクロン広く、210は
208に対し十〜二十ミクロン程度広い。これに
対し、第3図におけるトラツク幅方向の分布21
6は、極めて急峻であり磁極211の幅217と
同等程度の実効記録幅218となる。トラツク方
向即ちy方向の分布は第2図と第3図の間では大
きな差はない206と215。次に、磁気記録再
生装置において、装置の機械的な誤差或は温度、
湿度等の影響によつて生ずる記録トラツク位置と
再生トラツク位置の変動について第4図に示す。
記録トラツク位置とは、磁気記録ヘツドによつて
媒体上に記録した磁化データの場所を言い、再生
トラツク位置とは、再生ヘツドが検出対象とする
媒体上の位置を言うものとする。一点鎖線301
は記録トラツクの中心、yはヘツドに対する媒体
の移動方向を示す。テープ状の媒体においても、
デイスク状の媒体においても必ず記録トラツク3
02に対し、再生トラツク303とは位置ずれを
生ずる。同一の媒体を、複数の記録再生装置の間
で共有使用する場合は、トラツクの位置ずれ量が
特に大きくなる。この結果、記録トラツク位置と
再生トラツク位置のずれに相当する部分304,
305の影響が再生信号に現れ、信号の信頼性を
劣化させる事になる。記録トラツク幅302の内
305の幅だけ無効部分となり、同時に304の
幅だけ再生すべからざる信号が含まれる事にな
る。従来、所謂るバルクコアを用いたリングヘツ
ドにあつては、同一のリングヘツドを記録再生に
用い、第2図210を消去幅とし、209を記録
トラツク幅とし、208を再生トラツク幅として
いた。この時、再生トラツク位置は記録トラツク
位置に対してx方向に誤差の余裕が得られてい
た。又消去幅が記録幅より大きい為、再生トラツ
ク位置は最悪の場合でも消去トラツク内にあれば
再生時の信号の信頼性は保障できた。
これら所謂るバルクコアを用いたリングヘツド
に対し、第5図に示した様な膜状の高透磁率磁性
体を磁極とするヘツドにあつては第3図に示した
如くトラツク幅方向の磁界分布が急峻となり、消
去幅或は記録幅共に磁極幅217にほぼ等しくな
る。従つて磁界の拡がりに伴う、再生トラツク位
置ずれ許容誤差は無いに等しい。
本発明は膜状の高透磁率磁極を用いたヘツドに
おいて問題となる、記録トラツクと再生トラツク
の位置ずれに関し、許容ずれ量を与えたヘツドを
供する事を目的とし、バルクリングヘツドと同等
又は、それ以上の許容ずれ量が得られるヘツドを
供するものである。以下本発明になるヘツドに関
し、実施例に基いて説明する。
第5図は本発明になるヘツド例についてその断
面図を示してある。404は磁気記録媒体で、ヘ
ツドに対しy方向に移動するものとする。Cはト
ラツク方向の断面図、Dはトラツク幅方向の断面
図である。401と402は膜状の高透磁率磁性
膜である。407は上側ヘツド基板である。40
6は媒体下側に設けた磁性コアでバルクフエライ
ト等で形成される。Dに示す如く、磁性膜401
の媒体対向部分の幅は、磁性膜402の媒体対向
部分の幅より大きく、又それぞれの膜幅方向の中
心は一致している。磁性膜401と402の端面
は、媒体を挾んで対向する磁性コア406の端面
内において該磁性コア406と対向している。磁
性コア406には記録用コイル405が巻いてあ
り、磁性膜402には、再生用コイル403が巻
いてある。磁性膜401は、媒体に対するヘツド
の移動方向に対して磁性膜402の後側に配され
ている。記録時に、コイル405に記録電流を流
すと、磁束は、磁性膜401と402の先端で媒
体に対向する端面部にそれぞれ集中し、該磁束集
中部分の媒体が記録磁化される。ヘツド移動方向
の後部に磁性膜401がある事から、最終的に媒
体上に残る記録磁化は磁性膜401の先端部で磁
化記録されたデータだけとなる。再生時には、磁
性膜401,402の中を、それぞれの膜端面が
対向する媒体上の磁化に基く磁束が通る。検出コ
イルは磁性膜402に巻いておく事により、検出
再生は磁性膜402の膜端面が対向する媒体部分
について行なう。磁性膜402の媒体対向面付近
での幅を、磁性膜401の媒体対向面付近での幅
に対し、該ヘツドを使用する磁気記録装置におけ
るヘツド媒体間設定誤差を許容できる様に予め狭
めておき、再生トラツク位置が記録トラツク位置
の中にある様にする。例えば磁性膜401による
記録トラツク幅を第2図210に一致させ、磁性
膜402による再生トラツク幅を208に一致さ
せる。この結果本発明になるヘツドの、再生トラ
ツク位置ずれ許容誤差は従来リングヘツド第3図
と同等になる。
薄膜401の記録トラツク幅と薄膜402の再
生トラツク幅との比、即ち実効的に薄膜401と
402の媒体対向部分での幅の比を、第2図21
0と208の比よりも大きく取る事によつて、従
来リングヘツドよりも、許容ずれ量を大きくする
事ができる。
本発明になる磁気ヘツドの構造と効果について
基本的な原理は以上の通りであり、高密度記録に
おいて必要となる高透磁率磁性膜を用いたヘツド
においても、再生トラツク位置ずれ許容誤差を、
記録再生装置の形態、仕様に合せて適当に設定で
きる事が最大の特徴となる。勿論、応用ヘツドの
形態としては様々あるが、基本的に、記録用薄膜
磁極幅に対して再生用薄膜磁極幅を小さくしたヘ
ツドを本発明に帰属するものとする。
ここで本発明になる別のヘツド例を示す。第6
図において、媒体501を上下両側から挾む様に
上側ヘツド502と下側ヘツド503が対向して
いる。上側ヘツド502には薄膜磁極401と4
02が既述の如く形成され、402には再生コイ
ル403が巻いてある。更に、上側ヘツド502
は、媒体対向面とは反対側において、磁性薄膜4
01,402と接する若しくは近接し、媒体対向
内面側でこれらと離反した磁気コア504があ
る。下側ヘツドにおいても、磁気コア406に対
し、媒体対向面側で離反し、反対側で近接する磁
気コア505がある。磁性薄膜401,402と
コア406,504,505は、記録時、及び再
生時において磁気的な閉回路を構成し、記録、及
び再生の効率を向上する。同時に、外部磁界に対
しても、再生信号のS/N比を保護する。コア4
06と505は一体で構成する事もできる。第7
図は更に別のヘツド例があり、下側ヘツドには空
芯の記録用コイル601がある。記録時にコイル
601が発生する磁界は、薄膜401と402の
先端に集中し、媒体を記録磁化する事から、多少
の記録効率を落としても、ヘツド構造を簡単にし
て製造し易くした例である。第8図は更に、下側
ヘツドを不要にしたヘツドの構造例である。磁性
薄膜401,402を芯とする様に記録用コイル
701が巻いてある。再生用コイルは、既述のヘ
ツドと同様に、薄膜402に対してのみ巻かれて
いる。第9図は、第8図のヘツド構造について、
磁性薄膜401,402のみならず、コイルにつ
いても薄膜によつて実際に形成したものであり、
ヘツドのトラツク方向断面図を示してある。80
1は媒体である。805は磁気コアで、Ni―Zn
フエライト焼結体を用いている。記録用コイル7
01に相当するコイル804を、コア805を基
板としてその上に、うず巻き状にアルミニウムの
薄膜で形成してある。うず巻き状のパターンは、
アルミニウム薄膜蒸着後、ホトリゾグラフイプロ
セスでエツチングにより形成する。更に、絶縁層
の形成と、エツチング工程とを重ねて、順次高透
磁率磁性膜401、絶縁層、コイル702の下側
部分導体パターン803、絶縁層、磁性薄膜40
2、絶縁層、コイル702の上側導体パターン8
06を形成する。803と806は磁性層402
の無い部分で結合され、402を囲うコイル構造
を形成する。又、磁性膜401と402は、コイ
ル804の中心付近で、磁気コア805と近接す
る。全層の膜を形成して後、保護層807を形成
してヘツド構造ができ上る。このままの形状で、
該薄膜形成部分を後端とする磁気デイスク用浮上
ヘツドスライダーの加工をする事ができる。更に
又、保護層の上にスライダ材をはり合せば第7図
の様なフロツピーデイスク用或はテープ用ヘツド
の形状に加工する事ができる。第10図は更に別
のヘツド構造を示す。第5図401に相当する磁
性膜901と402に相当する磁性膜902とが
あり、記録用コイル903は、磁性膜901のみ
に巻いてある。記録時に磁性膜902は励磁され
ず、従つて、磁性膜901に接する媒体面のみが
磁化される事になる。又、記録用磁性膜903の
膜厚を媒体対向近傍で図の如く薄くする事によ
り、記録磁界を大きくし、効率を向上できる。再
生側磁性膜については単一膜厚で構わない。記録
再生の基本的な原理は第5図の場合に準ずるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明が係る磁気ヘツドに関する構
造と原理を示した図である。第2図はリング型ヘ
ツドの磁界分布、第3図は本発明が係る薄膜磁極
の磁界分布を示す。第4図は媒体上での磁気ヘツ
ドの記録トラツク位置と再生トラツク位置のずれ
量を示す。第5,6,7,8,9図は本発明にな
る磁気ヘツドの実施例である。第10図は、第9
図の具体的な構造について実施例の断面形状を示
している。 103,211,401,402……高透磁率
磁性膜、101,404,501……磁気記録媒
体、405,601,701,804……記録用
コイル、403,702,803,806……再
生用コイル、208,217……ヘツド幅、20
9,218……記録幅、210……消去幅。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 磁気記録媒体に対向する面付近で前記媒体面
    に略直角となる面を持ち各々独立して間隔をもつ
    て配置される第1と第2の膜状高透磁率磁性層
    と、前記第1の膜状高透磁率磁性層に巻回される
    第1のコイルと、前記第1と第2の膜状高透磁率
    磁性層に対し同一極性の磁界を発生する第2コイ
    ルからなり、前記第1膜状高透磁率磁性層の幅を
    前記第2膜状高透磁率磁性層の幅より小さくする
    とともに各々の中心部をほぼ対向して配置し、記
    録時には前記第2コイルにより発生される同一極
    性の記録磁界によつて前記第1と前記第2の膜状
    高透磁率磁性層を同時に励磁するとともに前記第
    2膜状高透磁率磁性層を後端として前記記録媒体
    を記録磁化し、再生時には前記記録媒体から前記
    第1膜状高透磁率磁性層に漏れ込む磁束を前記第
    1コイルにより検出することを特徴とする磁気ヘ
    ツド。
JP21324981A 1981-12-08 1981-12-28 磁気ヘツド Granted JPS58115615A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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JP21324981A JPS58115615A (ja) 1981-12-28 1981-12-28 磁気ヘツド

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JPS58115615A JPS58115615A (ja) 1983-07-09
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DE69117323T2 (de) 1990-04-16 1996-07-11 Hitachi Ltd Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren

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JPS5613514A (en) * 1979-07-16 1981-02-09 Olympus Optical Co Ltd Magnetic head

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