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JPH0156566B2 - - Google Patents
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JPH0156566B2 - - Google Patents

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JPH0156566B2
JPH0156566B2 JP20716682A JP20716682A JPH0156566B2 JP H0156566 B2 JPH0156566 B2 JP H0156566B2 JP 20716682 A JP20716682 A JP 20716682A JP 20716682 A JP20716682 A JP 20716682A JP H0156566 B2 JPH0156566 B2 JP H0156566B2
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transistor
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JP20716682A
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Katsumi Nagano
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/40Impedance converters

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  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、負荷インピーダンスに比例する入
力インピーダンスを持つた電圧入力形のインピー
ダンス変換回路に関するもので、集積回路化に適
したものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a voltage input type impedance conversion circuit having an input impedance proportional to load impedance, and is suitable for integration into an integrated circuit.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

インピーダンス変換回路は、第1図に四端子回
路網として示すように、入力電圧V1および入力
電流I1に対して出力電圧V2、出力電流I2が負荷イ
ンピーダンスZLと比例関係にあり、その動作は下
式(1)で示される。
In the impedance conversion circuit, as shown as a four-terminal network in FIG. 1, the output voltage V 2 and the output current I 2 are in a proportional relationship with the load impedance Z L with respect to the input voltage V 1 and the input current I 1 . Its operation is shown by the following equation (1).

V1 I1=A B C DV2 I2 ……(1) 上式(1)において、A≠0、D≠0、B=C=0
となるものをインピーダンス変換回路と呼ぶ。図
において、Vioは入力電圧源、ZSは入力抵抗であ
る。
V 1 I 1 = A B C DV 2 I 2 ...(1) In the above formula (1), A≠0, D≠0, B=C=0
This is called an impedance conversion circuit. In the figure, V io is the input voltage source and Z S is the input resistance.

ところで、近年各回路の集積化に伴なつて上述
したインピーダンス変換回路をバイポーラ集積回
路で実現することが望まれている。
Incidentally, in recent years, with the integration of various circuits, it has been desired to realize the above-mentioned impedance conversion circuit with a bipolar integrated circuit.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記のような事情を鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、集積回路化に
最適なインピーダンス変換回路を提供することで
ある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide an impedance conversion circuit that is optimal for integration into an integrated circuit.

〔発明の概要〕 すなわち、この発明においては、電圧フオロワ
から成る電圧電流変換器に入力電圧を供給し、こ
の電圧電流変換器から第1のカレントミラー回路
に上記入力電圧に対応した電流を供給し、この電
流に対応した電流を第1のカレントミラー回路か
ら第2のカレントミラー回路に供給し、上記第2
のカレントミラー回路によつて得た電流を前記電
圧電流変換器の入力端に帰還することにより、電
圧電流変換器に接続した負荷インピーダンスに比
例した入力インピーダンスを有するように構成し
たものである。
[Summary of the Invention] That is, in the present invention, an input voltage is supplied to a voltage-current converter comprising a voltage follower, and a current corresponding to the input voltage is supplied from the voltage-current converter to a first current mirror circuit. , a current corresponding to this current is supplied from the first current mirror circuit to the second current mirror circuit, and the second current mirror circuit is supplied with a current corresponding to the current.
By feeding back the current obtained by the current mirror circuit to the input terminal of the voltage-current converter, the input impedance is proportional to the load impedance connected to the voltage-current converter.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。第2図はその構成を示すもので、
電圧フオロワから成る電圧電流変換器11
(NPN形トランジスタQ1)と正電源(電源の
一方)との間にPNP形のトランジスタQ2,Q3
ら成る第1カレントミラー回路12を設けるとと
もに、上記トランジスタQ1のエミツタと接地点
間に負荷インピーダンスZLを接続し、トランジス
タQ1のベース側入力端子13に入力電圧V1およ
び入力電流I1を供給することにより、上記トラン
ジスタQ1のコレクタ電流(入力電圧V1に比例)
を第1カレントミラー回路12を構成するトラン
ジスタQ2,Q3のベースに供給する。そして、上
記カレントミラー回路12によつて得たトランジ
スタQ1のコレクタ・エミツタ間電流に対応した
電流ICEを、一端が負電流(電源の他方)に接
続されNPNトランジスタQ4〜Q6から成る第2カ
レントミラー回路14に供給する。このカレント
ミラー回路14で得たトランジスタQ1のコレク
タ・エミツタ間電流に対応した電流をトランジス
タQ1のベースに帰還し、このトランジスタQ1
エミツタ側の出力端子15から出力電圧V2およ
び電流I2を得る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 2 shows its configuration.
Voltage-current converter 11 consisting of a voltage follower
A first current mirror circuit 12 consisting of PNP transistors Q 2 and Q 3 is provided between the (NPN transistor Q 1 ) and the positive power supply (one of the power supplies), and a current mirror circuit 12 is provided between the emitter of the transistor Q 1 and the ground point. By connecting a load impedance Z L to and supplying an input voltage V 1 and an input current I 1 to the base input terminal 13 of the transistor Q 1 , the collector current of the transistor Q 1 (proportional to the input voltage V 1 ) is
is supplied to the bases of transistors Q 2 and Q 3 forming the first current mirror circuit 12. Then, a current ICE corresponding to the collector-emitter current of the transistor Q1 obtained by the current mirror circuit 12 is passed through the NPN transistors Q4 to Q6 , one end of which is connected to a negative current (the other side of the power supply). It is supplied to the second current mirror circuit 14. The current corresponding to the collector-emitter current of the transistor Q 1 obtained by the current mirror circuit 14 is fed back to the base of the transistor Q 1 , and the output voltage V 2 and the current I are output from the output terminal 15 on the emitter side of the transistor Q 1 . Get 2 .

上記のような構成において動作を説明する。入
力端子13に入力電圧V1が印加されるとトラン
ジスタQ1のベース電圧はV1となり、この時の出
力電圧V2は入力電圧V1からトランジスタQ1のベ
ース・エミツタ間電圧VBEを引いた値と等しくな
るので、出力電圧V2および電流I2は下式(2)、(3)で
示される。
The operation in the above configuration will be explained. When the input voltage V 1 is applied to the input terminal 13, the base voltage of the transistor Q 1 becomes V 1 , and the output voltage V 2 at this time is calculated by subtracting the base-emitter voltage V BE of the transistor Q 1 from the input voltage V 1 . Therefore, the output voltage V 2 and current I 2 are expressed by the following equations (2) and (3).

V1=V2+VBE ……(2) −I2=V2/ZL=V1−VBE/ZL ……(3) 今、トランジスタQ1のベース接地電流増幅率
αが“1”とすると、トランジスタQ1のコレク
タ電流はI2に等しくなる。カレントミラー回路1
2,14の電流伝達比をそれぞれr12、r14とし、
トランジスタQ1のベース電流を無視できるもの
とすると、入力電流I1は、 I1=−r12・r14・I2 ……(4) となる。従つて、入力電圧V1がトランジスタQ1
のベース・エミツタ間電圧VBEに比べて十分大き
い場合には「V1V2」となり、入出力電圧の比
例関係が得られる。この場合の伝達行列は下式(5)
で示されるようになる。
V 1 = V 2 + V BE ……(2) −I 2 = V 2 /Z L = V 1 −V BE /Z L ……(3) Now, the common base current amplification factor α of transistor Q 1 is “1”. ”, the collector current of transistor Q 1 will be equal to I 2 . Current mirror circuit 1
Let the current transfer ratios of 2 and 14 be r 12 and r 14 , respectively,
Assuming that the base current of the transistor Q 1 can be ignored, the input current I 1 becomes I 1 =−r 12 ·r 14 ·I 2 (4). Therefore, input voltage V 1 is applied to transistor Q 1
When the base-emitter voltage V BE is sufficiently large compared to the base-emitter voltage V BE of The transfer matrix in this case is the following formula (5)
It will be shown as

V1 I1=1 0 0 −r12r14V2 I2 ……(5) A=1、B=0 C=0、D=r12、r14≠0 上式(5)は、前式(1)で示したインピーダンス変換
回路の定義に合致している。
V 1 I 1 =1 0 0 −r 12 r 14 V 2 I 2 ...(5) A=1, B=0 C=0, D=r 12 , r 14 ≠0 The above equation (5) is This matches the definition of the impedance conversion circuit shown in equation (1).

前記第2図においては、カレントミラー回路1
2,14の伝達比r12、r14はそれぞれ「r12=1、
r14=2」となつているので伝達行列は、 V1 I1=1 0 0 −2V2 I2 ……(6) となる。
In FIG. 2, the current mirror circuit 1
The transmission ratios r 12 and r 14 of 2 and 14 are respectively “r 12 = 1,
r 14 = 2'', the transfer matrix is V 1 I 1 = 1 0 0 −2V 2 I 2 (6).

上述したインピーダンス変換回路は、第3図に
示すブロツクダイアグラムで表わせる。この回路
は前記第1図における入出力端の一方の電位を接
地電位として共通化したものと等価である。
The impedance conversion circuit described above can be represented by the block diagram shown in FIG. This circuit is equivalent to the circuit shown in FIG. 1 in which the potential of one of the input and output terminals is shared as the ground potential.

このような構成によれば、負荷インピーダンス
に比例した入力インピーダンスが得られる。ま
た、第1カレントミラー回路を形成するトランジ
スタQ2とQ3とのエミツタ面積比、あるいは第2
カレントミラー回路14を形成するトランジスタ
Q4とQ5、Q6とのエミツタ面積比を変えることに
よつて電流伝達比r12、r14を変化させ、入力端子
13に帰還する電流を自由に設定できるので、所
望のインピーダンス変換特性を有するインピーダ
ンス変換回路が得られる。
According to such a configuration, an input impedance proportional to the load impedance can be obtained. Also, the emitter area ratio of transistors Q 2 and Q 3 forming the first current mirror circuit, or the
Transistor forming current mirror circuit 14
By changing the emitter area ratio between Q 4 and Q 5 and Q 6 , the current transfer ratios r 12 and r 14 can be changed and the current fed back to the input terminal 13 can be freely set, so the desired impedance conversion characteristics can be achieved. An impedance conversion circuit having the following is obtained.

上記第2図の回路の動作特性を調べるために第
4図に示すような回路を形成して実験を行なつ
た。図において、VSは可変直流電源(0〜10V)、
RSは入力抵抗(1kΩ)、RLは負荷抵抗(1kΩ)、
PNP形のトランジスタQ7およびNPN形のトラン
ジスタQ8はそれぞれカレントミラー回路12,
14の出力電流の補正用のトランジスタであり、
電源電圧Vcc=10V、カレントミラー回路12,
14の電流伝達比r12、r14をそれぞれ「r12=1、
r14=2」としている。このインピーダンス変換
回路の特性の理論式は下式で示すようになる。
In order to investigate the operating characteristics of the circuit shown in FIG. 2, a circuit as shown in FIG. 4 was formed and an experiment was conducted. In the figure, V S is a variable DC power supply (0 to 10 V),
R S is input resistance (1kΩ), R L is load resistance (1kΩ),
PNP type transistor Q 7 and NPN type transistor Q 8 are connected to current mirror circuit 12,
14 is a transistor for correcting the output current,
Power supply voltage Vcc=10V, current mirror circuit 12,
The current transfer ratios r 12 and r 14 of 14 are respectively ``r 12 = 1,
r 14 = 2. The theoretical formula for the characteristics of this impedance conversion circuit is shown in the following formula.

VS=RSI1+VBE+RLI2 ……(7) I1=−2I2 ……(8) 抵抗RS、RLは共に1kΩであるので、 VS=−3RI2+VBE ……(7)′ となり、入力電圧V1は、 V1=VS−RI1=VS+2RI2=VS−2R/3R(VS−V
BE)=1/3VS+2/3VBE……(9) となる。トランジスタQ1のベース・エミツタ間
電圧VBEを無視できるものとすると、入力電圧V1
はVSの1/3となる。従つて、負荷抵抗RLの抵抗値
が1/2となつて入力端子13に接続されたことに
相当する。また、出力電圧V2は、 V2=−RI2=1/3(VS−VBE)……(10) となる。第5図に、印加する直流電源VSの電圧
に対する出力電圧V2の実測値を実線で、上式(10)
による理論値を破線で示す。
V S = R S I 1 + V BE + R L I 2 ... (7) I 1 = -2I 2 ... (8) Since the resistors R S and R L are both 1kΩ, V S = -3RI 2 + V BE ……(7)′, and the input voltage V 1 is: V 1 = V S −RI 1 = V S +2RI 2 = V S −2R/3R (V S − V
BE ) = 1/3V S + 2/3V BE ...(9). Assuming that the base-emitter voltage V BE of transistor Q 1 can be ignored, the input voltage V 1
is 1/3 of VS. Therefore, this corresponds to the case where the resistance value of the load resistor R L is halved and is connected to the input terminal 13. Further, the output voltage V 2 is V 2 =−RI 2 =1/3 (V S −V BE ) (10). In Fig. 5, the actual measured value of the output voltage V 2 with respect to the voltage of the applied DC power supply V S is shown as a solid line, and the above equation (10) is shown.
The theoretical value according to the equation is shown by the broken line.

上述した(5)式の伝達行列式において、負荷のイ
ンピーダンスをZLとすると、 V2/−I2=ZL ……(11) である。このインピーダンス変換回路を入力側か
ら見た時の入力インピーダンスZioは、 Zio=V1/I1=V2/−r12r14I2=Z/r12r14 ……(12) であり、入力インピーダンスZioは負荷インピー
ダンスに比例している。
In the transfer determinant of equation (5) above, if the impedance of the load is Z L , then V 2 /−I 2 =Z L (11). The input impedance Z io when looking at this impedance conversion circuit from the input side is Z io = V 1 / I 1 = V 2 / −r 12 r 14 I 2 = Z / r 12 r 14 ...(12) Yes, the input impedance Z io is proportional to the load impedance.

第6図は、負荷として容量CLを使用した場合
の回路図を示すもので、図において、第2図ある
いは第4図と同一構成部は同じ付号を付してその
説明は省略する。負荷として容量CLを使用する
場合は、この容量CLに充電された電荷を放電す
るためにトランジスタQ1のエミツタ・ベース間
にダイオードDを接続する。また、この回路は閉
ループを形成しているためトランジスタQ1のベ
ースと接地点間に発振防止用のコンデンサC11
設けている。この場合の入力インピーダンスZio
は、 Zio=1/jωCL×r12r14(j=√−1) ……(13) となるので、負荷容量CLがr12r14倍になつたもの
と等価である。従つて、r12r14=2とすると入力
側から見て2倍の容量(2CL)のコンデンサが接
続されているものと等価であり、小さな容量のコ
ンデンサで大きな時定数が得られる。
FIG. 6 shows a circuit diagram when a capacitor C L is used as a load. In the figure, the same components as those in FIG. 2 or 4 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted. When a capacitor CL is used as a load, a diode D is connected between the emitter and base of the transistor Q1 to discharge the charge stored in the capacitor CL . Furthermore, since this circuit forms a closed loop, a capacitor C11 for preventing oscillation is provided between the base of the transistor Q1 and the ground point. Input impedance Z io in this case
Z io =1/jωC L ×r 12 r 14 (j=√−1) (13) Therefore, it is equivalent to the load capacity CL being r 12 r 14 times larger. Therefore, when r 12 r 14 =2, it is equivalent to connecting a capacitor with twice the capacitance (2C L ) when viewed from the input side, and a large time constant can be obtained with a small capacitor.

第7図に示すように、入力信号Vioとしてパル
ス状信号を印加すると、コンデンサCLの充電過
程においてはインピーダンス変換が働き、コンデ
ンサCLの放電時にはインピーダンス変換は働か
ないので、図示するように出力電圧V2は立ち上
がりが遅く立ち下がりが早くなる。入出力電圧
V1、V2の立上り時定数は2RSCL、立下がり時定
数はRSCLである。つまり、小さな容量のコンデ
ンサで大きな時定数が実現でき、例えばローパス
フイルタ等のように比較的大きな容量のコンデン
サを使用するものにこの発明を適用すれば、パタ
ーン面積を縮小でき高集積化が可能となる。RS
=1kΩ、CL=0.1μFとした場合の立上りおよび立
下り時定数を測定したところ、立上り時定数は
0.23msec、立下り時定数は0.12msecとなり、立
上り時定数は立下り時定数の略2倍になつている
ことを確認できた。
As shown in Figure 7, when a pulsed signal is applied as the input signal Vio , impedance conversion works during the charging process of the capacitor CL , but impedance conversion does not work when the capacitor CL is discharged. The output voltage V 2 rises slowly and falls quickly. Input/output voltage
The rising time constant of V 1 and V 2 is 2R S C L and the falling time constant is R S C L . In other words, a large time constant can be achieved with a capacitor of small capacitance, and if this invention is applied to devices that use capacitors of relatively large capacitance, such as low-pass filters, the pattern area can be reduced and high integration becomes possible. Become. R S
When we measured the rise and fall time constants when = 1kΩ and C L = 0.1μF, the rise time constant was
It was confirmed that the rising time constant was 0.23 msec, and the falling time constant was 0.12 msec, and that the rising time constant was approximately twice the falling time constant.

第8図は、この発明の他の実施例を示すもの
で、上記第2図、第4図および第6図の回路にお
いては、出力電圧V2に前式(2)に示したようにト
ランジスタQ1のベース・エミツタ間電圧VBEによ
る誤差があるため、これを補正するものである。
すなわち、電圧電流変換器11として第1のカレ
ントミラー回路12と負荷ZLとの間にNPN形の
トランジスタQ1を接続するとともに、非反転入
力端(+)に入力電圧Vioが供給され反転入力端
(−)に上記トランジスタQ1のエミツタ側電圧が
供給されその出力でトランジスタQ1を導通制御
するオペアンプ16を設けたものである。このよ
うな構成によれば、トランジスタQ1はそのエミ
ツタ電位と入力電圧Vioとの比較出力で導通制御
されるので、出力にはトランジスタQ1のベー
ス・エミツタ間電圧VBEによる誤差が現れない。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention. In the circuits of FIGS. 2, 4, and 6, the output voltage V 2 is set to a transistor as shown in equation (2). This is to correct for the error caused by the base-emitter voltage V BE of Q1 .
That is, an NPN type transistor Q 1 is connected between the first current mirror circuit 12 and the load Z L as the voltage-current converter 11, and the input voltage V io is supplied to the non-inverting input terminal (+) so that it is inverted. An operational amplifier 16 is provided at the input end (-) of which the emitter side voltage of the transistor Q1 is supplied and whose output controls the conduction of the transistor Q1 . According to such a configuration, the conduction of the transistor Q 1 is controlled by the comparison output between its emitter potential and the input voltage V io , so that an error due to the base-emitter voltage V BE of the transistor Q 1 does not appear in the output. .

なお、出力端子15と接地点間に接続された直
流電流源Iaは負荷インピーダンスZLの電荷の放電
用であり、正電源と入力端子13間に接続され
た直流電流源Ibは上記直流電流源Iaによつて出力
電圧V2のレベルが低下するのを防止するための
補正用の電流源である。(Ia=Ib) 第9図および第10図はこの発明の他の実施例
を示すもので、上記各実施例では負荷インピーダ
ンスZLの一端を接地したが、負荷インピーダンス
ZLを接地電位から開放したものである。第9図の
回路においては、前記第2図の回路を対称配置し
たものに相当する。すなわち、入力電圧Vio
Vio′が供給されこの電圧に比例した電流を得る電
圧フオロワから成る一対の電圧電流変換器11,
11′(NPN形のトランジスタQ1、Q1′)を設け、
この電圧電流変換器11,11′と正電流電源
の一方との間にPNP形のトランジスタQ2,Q3
よびQ2′,Q3′から成る第1、第2カレントミラー
回路12,12′を配設するとともに、電圧電流
変換器11,11′と負電源(電源の他方)と
の間に一対の第1、第2定電流源Ia,Ia′を配設す
る。さらに、エミツタが負電源にそれぞれ接続
されたNPN形トランジスタQ4,Q5およびQ4′,
Q5′から成る一対の第3、第4カレントミラー回
路14,14′を設け、上記カレントミラー回路
12,12′の出力を供給し、カレントミラー回
路14,14′の出力をトランジスタQ1,Q1′の
ベースに帰還する。また、正電源から一対の第
3、第4直流定電流源Ib,Ib′を介して上記トラン
ジスタQ1,Q1′のベースに定電流を供給し、この
トランジスタQ1,Q1′のエミツタ側出力端子1
5,15′間に負荷ZLを接続して成る。
Note that the DC current source I a connected between the output terminal 15 and the ground point is for discharging the charge of the load impedance Z L , and the DC current source I b connected between the positive power supply and the input terminal 13 is for discharging the charge of the load impedance Z L. This is a current source for correction to prevent the level of output voltage V 2 from decreasing due to current source I a . (I a = I b ) FIGS. 9 and 10 show other embodiments of the present invention. In each of the above embodiments, one end of the load impedance Z L is grounded, but the load impedance
This is when Z L is disconnected from the ground potential. The circuit shown in FIG. 9 corresponds to the circuit shown in FIG. 2 arranged symmetrically. That is, the input voltage V io ,
a pair of voltage-current converters 11 comprising a voltage follower supplied with V io ' and obtaining a current proportional to this voltage;
11′ (NPN type transistors Q 1 , Q 1 ′) are provided,
First and second current mirror circuits 12, 12' each consisting of PNP type transistors Q 2 , Q 3 and Q 2 ', Q 3 ' are connected between the voltage-current converter 11, 11' and one of the positive current power supplies. A pair of first and second constant current sources I a and I a ' are provided between the voltage-current converters 11 and 11' and the negative power source (the other power source). Furthermore, NPN transistors Q 4 , Q 5 and Q 4 ′, whose emitters are connected to the negative power supply, respectively,
A pair of third and fourth current mirror circuits 14, 14' consisting of transistors Q 5 ' are provided to supply the outputs of the current mirror circuits 12, 12', and the outputs of the current mirror circuits 14, 14' are connected to transistors Q 1 , Return to the base of Q 1 ′. Further, a constant current is supplied from the positive power supply to the bases of the transistors Q 1 and Q 1 ' through a pair of third and fourth DC constant current sources I b and I b ', and the transistors Q 1 and Q 1 ' emitter side output terminal 1
A load Z L is connected between 5 and 15'.

このような構成によれば、任意の負荷インピー
ダンスをフローテイング状態で入力端子13,1
3′間に得られる。従つて、回路網の任意のノー
ド間に接続可能である。
According to such a configuration, any load impedance is connected to the input terminals 13 and 1 in a floating state.
Obtained between 3'. Therefore, connections can be made between any nodes of the network.

第10図はさらにこの発明の他の実施例を示す
もので、上記第9図の回路と同様に、前記第8図
の回路を対称配置して負荷インピーダンスZLを接
地電位から解放したものである。このような構成
においても上記第9図の実施例と同様な動作を行
ない、トランジスタQ1,Q1′のベース・エミツタ
間電圧VBEの誤差がないインピーダンス変換回路
が得られる。
FIG. 10 shows another embodiment of the present invention, in which, like the circuit shown in FIG. 9, the circuit shown in FIG. 8 is arranged symmetrically to release the load impedance Z L from the ground potential. be. Even in this configuration, the same operation as in the embodiment shown in FIG. 9 is performed, and an impedance conversion circuit without error in the base-emitter voltage V BE of the transistors Q 1 and Q 1 ' can be obtained.

〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明によれば、集積回
路化に最適なインピーダンス変換回路が得られ
る。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, an impedance conversion circuit optimal for integration into an integrated circuit can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はインピーダンス変換回路のブロツク
図、第2図はこの発明の一実施例に係るインピー
ダンス変換回路を示す図、第3図は上記第2図の
インピーダンス変換回路をブロツク化して示す
図、第4図はこの発明によるインピーダンス変換
回路の動作を確認するために使用した実験回路
図、第5図は上記第4図の実験回路における印加
電圧と出力電圧との特性図、第6図はこの発明の
他の実施例を示す回路図、第7図は上記第6図の
回路の動作を説明するためのタイミングチヤー
ト、第8図〜第10図はそれぞれこの発明の他の
実施例を示す回路図である。 V1……入力電圧、I1……入力電流、V2……出
力電圧、I2……出力電流、11……電圧電流変換
器、12,12′,14,14′……カレントミラ
ー回路、13……入力端子、15……出力端子、
16,16′……オペアンプ、Q1〜Q8,Q1′〜
Q5′……トランジスタ、Ia,Ia′,Ib,Ib′……定電
流源、D……ダイオード、CL……負荷容量、C11
……コンデンサ、……正電源、……負電源。
FIG. 1 is a block diagram of an impedance conversion circuit, FIG. 2 is a diagram showing an impedance conversion circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a block diagram of the impedance conversion circuit of FIG. 2, and FIG. Figure 4 is an experimental circuit diagram used to confirm the operation of the impedance conversion circuit according to the present invention, Figure 5 is a characteristic diagram of applied voltage and output voltage in the experimental circuit of Figure 4, and Figure 6 is a diagram of the present invention. FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 6, and FIGS. 8 to 10 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention. It is. V 1 ... Input voltage, I 1 ... Input current, V 2 ... Output voltage, I 2 ... Output current, 11 ... Voltage-current converter, 12, 12', 14, 14' ... Current mirror circuit , 13... input terminal, 15... output terminal,
16, 16'...Operational amplifier, Q1 ~ Q8 ,Q1 ' ~
Q 5 ′...Transistor, I a , I a ′, I b , I b ′... Constant current source, D... Diode, C L ... Load capacitance, C 11
...Capacitor, ...Positive power supply, ...Negative power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 入力電圧が供給される電圧フオロワから成る
電圧電流変換器と、上記電圧電流変換器から入力
電圧に対応した電流が供給される第1カレントミ
ラー回路と、上記カレントミラー回路から供給さ
れる電流で制御されこの電流に対応した電流を電
圧電流変換器の入力端に帰還する第2カレントミ
ラー回路とを具備し、上記電圧電流変換器と接地
点間に接続された負荷に比例した入力インピーダ
ンスを電圧電流変換器と負荷との接続点から得る
ように構成したことを特徴とするインピーダンス
変換回路。 2 上記電圧電流変換器は、コレクタが上記第1
カレントミラー回路に接続されエミツタが負荷を
介して接地されるとともに、ベースに入力電圧が
供給されるNPN形のトランジスタから成り、こ
のトランジスタのエミツタから出力を得るように
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のインピーダンス変換回路。 3 上記電圧電流変換器は、コレクタが上記第1
カレントミラー回路に接続されエミツタが負荷容
量を介して接地されるとともに、ベースに入力電
圧が供給されるNPN形のトランジスタと、上記
トランジスタのエミツタ・ベース間に接続される
ダイオードと、このトランジスタのベースと接地
点間に接続される発振防止用のコンデンサとから
成り、上記トランジスタのエミツタから出力を得
るように構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のインピーダンス変換回路。 4 上記電圧電流変換器は、コレクタが上記第1
カレントミラー回路に接続されエミツタが負荷を
介して接地されるNPN形のトランジスタと、非
反転入力端に入力電圧が供給され反転入力端に上
記トランジスタのエミツタ電圧が供給され出力で
上記トランジスタを導通制御するオペアンプとか
ら成り、上記トランジスタのエミツタから出力を
得るように構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のインピーダンス変換回路。 5 差動入力電圧が供給される電圧フオロワから
成る一対の電圧電流変換器と、この電圧電流変換
器それぞれと電源の一方との間に接続され差動入
力電圧に対応した電流が上記一対の電圧電流変換
器から供給される一対の第1、第2カレントミラ
ー回路と、上記一対の電圧電流変換器それぞれと
電源の他方との間に接続される一対の第1、第2
定電流源と、一端が電源の他方に接続され上記第
1、第2カレントミラー回路から供給される電流
で制御されこの電流に対応した電流を上記一対の
電圧電流変換器の入力端に帰還する一対の第3、
第4カレントミラー回路と、前記一対の電圧電流
変換器それぞれの入力端に定電流を供給する一対
の第3、第4定電流源とを具備し、上記一対の電
圧電流変換器と第1、第2定電流源との接続点間
に配設された負荷に応じてインピーダンス変換さ
れた出力をこの負荷の両端から得るように構成し
たことを特徴とするインピーダンス変換回路。 6 上記一対の電圧電流変換器は、コレクタが上
記第1あるいは第2カレントミラー回路に接続さ
れエミツタが負荷を介して共通接続されるととも
に差動入力電圧で導通制御される一対のNPN形
のトランジスタから成り、上記負荷の両端から出
力を得るように構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第5項記載のインピーダンス変換回路。 7 上記一対の電圧電流変換器は、コレクタが上
記第1あるいは第2カレントミラー回路に接続さ
れエミツタが負荷を介して共通接続される一対の
NPN形トランジスタと、非反転入力端に差動入
力電圧が供給され反転入力端に上記一対のトラン
ジスタのエミツタ電圧がそれぞれ供給され出力で
上記一対のトランジスタを導通制御する一対のオ
ペアンプとから成り、上記負荷の両端から出力を
得るように構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第5項記載のインピーダンス変換回路。
[Claims] 1. A voltage-current converter comprising a voltage follower to which an input voltage is supplied, a first current mirror circuit to which a current corresponding to the input voltage is supplied from the voltage-current converter, and the current mirror circuit. and a second current mirror circuit that is controlled by a current supplied from the voltage current converter and returns a current corresponding to the current to the input terminal of the voltage current converter, and is connected to a load connected between the voltage current converter and the ground point. An impedance conversion circuit characterized in that it is configured to obtain a proportional input impedance from a connection point between a voltage-current converter and a load. 2 The voltage-current converter has a collector whose collector is connected to the first
A patent characterized in that it consists of an NPN type transistor connected to a current mirror circuit, whose emitter is grounded via a load, and whose base is supplied with an input voltage, and configured so that output is obtained from the emitter of this transistor. An impedance conversion circuit according to claim 1. 3 The voltage-current converter has a collector connected to the first
An NPN transistor connected to a current mirror circuit whose emitter is grounded via a load capacitance and whose base is supplied with input voltage, a diode connected between the emitter and base of the transistor, and the base of this transistor. 2. The impedance conversion circuit according to claim 1, comprising a capacitor for preventing oscillation connected between a ground point and a ground point, and configured to obtain an output from the emitter of the transistor. 4 In the voltage-current converter, the collector is connected to the first
An NPN transistor is connected to a current mirror circuit and its emitter is grounded through a load, the input voltage is supplied to the non-inverting input terminal, the emitter voltage of the transistor is supplied to the inverting input terminal, and the output controls the conduction of the transistor. 2. The impedance conversion circuit according to claim 1, wherein the impedance conversion circuit comprises an operational amplifier configured to obtain an output from the emitter of the transistor. 5 A pair of voltage-current converters each comprising a voltage follower to which a differential input voltage is supplied, and a voltage-current converter connected between each of the voltage-current converters and one of the power sources, and a current corresponding to the differential input voltage is connected to the voltage of the pair of voltages. a pair of first and second current mirror circuits supplied from the current converter; a pair of first and second current mirror circuits connected between each of the pair of voltage-current converters and the other of the power source;
A constant current source, one end of which is connected to the other of the power supply, is controlled by the current supplied from the first and second current mirror circuits, and a current corresponding to this current is fed back to the input ends of the pair of voltage-current converters. the third of the pair,
It comprises a fourth current mirror circuit, and a pair of third and fourth constant current sources that supply constant current to the respective input ends of the pair of voltage-current converters, and the pair of voltage-current converters and the first, An impedance conversion circuit characterized in that the impedance conversion circuit is configured to obtain an output whose impedance is converted according to a load disposed between a connection point with a second constant current source from both ends of the load. 6 The above-mentioned pair of voltage-current converters include a pair of NPN type transistors whose collectors are connected to the above-mentioned first or second current mirror circuit, whose emitters are commonly connected through a load, and whose conduction is controlled by a differential input voltage. 6. The impedance conversion circuit according to claim 5, wherein the impedance conversion circuit is configured to obtain an output from both ends of the load. 7 The above-mentioned pair of voltage-current converters are a pair of voltage-current converters whose collectors are connected to the above-mentioned first or second current mirror circuit and whose emitters are commonly connected through a load.
It consists of an NPN transistor, and a pair of operational amplifiers whose non-inverting input terminals are supplied with a differential input voltage, whose inverting input terminals are supplied with the emitter voltages of the pair of transistors, and whose outputs control the conduction of the pair of transistors. 6. The impedance conversion circuit according to claim 5, wherein the impedance conversion circuit is configured to obtain an output from both ends of the load.
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