JPH0157329B2 - - Google Patents
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- JPH0157329B2 JPH0157329B2 JP4060279A JP4060279A JPH0157329B2 JP H0157329 B2 JPH0157329 B2 JP H0157329B2 JP 4060279 A JP4060279 A JP 4060279A JP 4060279 A JP4060279 A JP 4060279A JP H0157329 B2 JPH0157329 B2 JP H0157329B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、バイアス電圧を変えることにより光
の透過率を変化せしめる光変調器を使用した光パ
ワー制御装置に関するものである。
の透過率を変化せしめる光変調器を使用した光パ
ワー制御装置に関するものである。
レーザー等の光源を用いて、画像信号等を高密
度に記録媒体に記録する記録装置が考えられてい
る。この記録を行なうには、レーザー等の光源の
光パワーを記録信号に応じて高速度で光パワー変
調を行なう必要があるが、このために、一般に光
変調器が用いられる。
度に記録媒体に記録する記録装置が考えられてい
る。この記録を行なうには、レーザー等の光源の
光パワーを記録信号に応じて高速度で光パワー変
調を行なう必要があるが、このために、一般に光
変調器が用いられる。
光変調器には、音響光学効果を用いたものや、
電気光学効果によるADP結晶の屈折率の変化を
用いたもの等いろいろな方式のものがある。その
中で透過光ビームの均一性、最大変調周波数の高
さの点から、バイアス電圧を変えるとADP結晶
の屈折率が変わることにより、直線偏光の光ビー
ムの偏光方向を変えて、透過率を変える方式の光
変調器（以下Ｅ−Ｏ変調器と称す。）が、非常に
すぐれている。
電気光学効果によるADP結晶の屈折率の変化を
用いたもの等いろいろな方式のものがある。その
中で透過光ビームの均一性、最大変調周波数の高
さの点から、バイアス電圧を変えるとADP結晶
の屈折率が変わることにより、直線偏光の光ビー
ムの偏光方向を変えて、透過率を変える方式の光
変調器（以下Ｅ−Ｏ変調器と称す。）が、非常に
すぐれている。
第１図は、気温がTA℃のときのＥ−Ｏ変調器
のバイアス電圧対透過光パワーの静特性を示し、
横軸がバイアス電圧、縦軸は透過光パワーを示
す。第２図は、気温がTB℃のときのＥ−Ｏ変調
器のバイアス電圧対透過光パワーの静特性を示
す。また＋VC、−VCはそれぞれバイアス電圧可変
範囲の上限、下限である。
のバイアス電圧対透過光パワーの静特性を示し、
横軸がバイアス電圧、縦軸は透過光パワーを示
す。第２図は、気温がTB℃のときのＥ−Ｏ変調
器のバイアス電圧対透過光パワーの静特性を示
す。また＋VC、−VCはそれぞれバイアス電圧可変
範囲の上限、下限である。
気温がTA℃からTB℃まで変化すると、静特性
が第１図から第２図に変化するので、一定のバイ
アス電圧に対する透過光パワーが異なる。
が第１図から第２図に変化するので、一定のバイ
アス電圧に対する透過光パワーが異なる。
以上の理由で、一般にＥ−Ｏ変調器を用いて記
録再生装置を構成するには、透過光パワーをモニ
タし、フイードバツクループを形成することによ
り、バイアス電圧を制御調整して、Ｅ−Ｏ変調器
透過光パワーの制御を行なう必要がある。
録再生装置を構成するには、透過光パワーをモニ
タし、フイードバツクループを形成することによ
り、バイアス電圧を制御調整して、Ｅ−Ｏ変調器
透過光パワーの制御を行なう必要がある。
ところが、Ｅ−Ｏ変調器に光パワー制御をかけ
る際、問題になる点が２つある。１つは第１図，
第２図に示すようにバイアス電圧対透過光パワー
の静特性が、正弦波状になつているために一定値
の透過光パワーに対応するバイアス電圧が２通り
以上存在すること、もう１つは、バイアス電圧の
変化に対する透過光パワーの応答速度が遅い（立
ち上がり時間が500μ〜１ｍsec）ことである。
る際、問題になる点が２つある。１つは第１図，
第２図に示すようにバイアス電圧対透過光パワー
の静特性が、正弦波状になつているために一定値
の透過光パワーに対応するバイアス電圧が２通り
以上存在すること、もう１つは、バイアス電圧の
変化に対する透過光パワーの応答速度が遅い（立
ち上がり時間が500μ〜１ｍsec）ことである。
本発明は、以上のような２つの問題点を有する
Ｅ−Ｏ変調器に、光パワー制御をかける時、フイ
ードバツク制御を開始する際に、制御すべきバイ
アス電圧を、フイードバツクループによつて、安
定に制御されるようなバイアス点に設定せんとす
るものである。
Ｅ−Ｏ変調器に、光パワー制御をかける時、フイ
ードバツク制御を開始する際に、制御すべきバイ
アス電圧を、フイードバツクループによつて、安
定に制御されるようなバイアス点に設定せんとす
るものである。
まず、第３図に示す従来例によつて、Ｅ−Ｏ変
調器の光パワー制御の方法を説明する。
調器の光パワー制御の方法を説明する。
１は、レーザ等の直線偏光の光源、２は、Ｅ−
Ｏ変調器で、バイアス端子イと記録信号入力端子
ロを有する。再生時には、バイアス端子イの入力
電圧で、再生光パワーを設定し、記録時には、記
録信号端子ロの入力信号に応じて透過光パワーを
強度変調して記録を行なう。３はビームスプリツ
タで、Ｅ−Ｏ変調器２の出力光の一部を、PINダ
イオード等の光検出器４に照射することにより、
透過光パワーＰをモニタする。５は増幅器で、光
検出器４の出力電圧を増幅する。６は差動増幅器
で、増幅器５の出力V1と基準電圧V2との差（V2
−V1）をとる。７は、差動増幅器６の出力電圧
を増幅する増幅器である。８はスイツチで増幅器
７の出力電圧V3と、＋Vdから−Vdまでの任意の
可変電圧V4とを切り換える。９は、スイツチ８
によつて切り換えられた出力電圧を増幅して、Ｅ
−Ｏ変調器２のバイアス端子に加える増幅器であ
る。増幅器９の増幅率をMoとすると、MoVd＝
VCにする。
Ｏ変調器で、バイアス端子イと記録信号入力端子
ロを有する。再生時には、バイアス端子イの入力
電圧で、再生光パワーを設定し、記録時には、記
録信号端子ロの入力信号に応じて透過光パワーを
強度変調して記録を行なう。３はビームスプリツ
タで、Ｅ−Ｏ変調器２の出力光の一部を、PINダ
イオード等の光検出器４に照射することにより、
透過光パワーＰをモニタする。５は増幅器で、光
検出器４の出力電圧を増幅する。６は差動増幅器
で、増幅器５の出力V1と基準電圧V2との差（V2
−V1）をとる。７は、差動増幅器６の出力電圧
を増幅する増幅器である。８はスイツチで増幅器
７の出力電圧V3と、＋Vdから−Vdまでの任意の
可変電圧V4とを切り換える。９は、スイツチ８
によつて切り換えられた出力電圧を増幅して、Ｅ
−Ｏ変調器２のバイアス端子に加える増幅器であ
る。増幅器９の増幅率をMoとすると、MoVd＝
VCにする。
スイツチ８がV3に切り換わつているときは、
３，４，５，６，７，９によつて、フイードバツ
クループが形成され、光パワー制御が行なわれ
る。スイツチ８がV4に切り換わつているときは、
V4の電圧を変えることにより、透過光パワーを
連続的に可変できる。１０は、テレビカメラのよ
うな画像信号等の信号発生器、１１はFM変調
器、１２はFM変調器１１の出力を増幅して、Ｅ
−Ｏ変調器２の記録信号端子ロに加える増幅器で
あり、記録FM信号に応じて、透過光パワーを強
度変調して、記録媒体に照射し、記録を行なう。
３，４，５，６，７，９によつて、フイードバツ
クループが形成され、光パワー制御が行なわれ
る。スイツチ８がV4に切り換わつているときは、
V4の電圧を変えることにより、透過光パワーを
連続的に可変できる。１０は、テレビカメラのよ
うな画像信号等の信号発生器、１１はFM変調
器、１２はFM変調器１１の出力を増幅して、Ｅ
−Ｏ変調器２の記録信号端子ロに加える増幅器で
あり、記録FM信号に応じて、透過光パワーを強
度変調して、記録媒体に照射し、記録を行なう。
光パワー制御の動作を以下に説明する。まず、
気温がTA℃のときのＥ−Ｏ変調器のバイアス電
圧対透過光パワーの静特性はすでに述べたよう
に、第１図のようになるが、静特性曲線の中で示
されているlAの部分だけに限定すれば、直線にな
つている。気温がTA℃からTB℃まで変化すると、
第１図で示された直線部lAは、第２図で示された
直線部lBに移動する。
気温がTA℃のときのＥ−Ｏ変調器のバイアス電
圧対透過光パワーの静特性はすでに述べたよう
に、第１図のようになるが、静特性曲線の中で示
されているlAの部分だけに限定すれば、直線にな
つている。気温がTA℃からTB℃まで変化すると、
第１図で示された直線部lAは、第２図で示された
直線部lBに移動する。
フイードバツク制御の動作領域として、直線部
lAを用いるとすると、気温がTA℃からTB℃に変
化するために直線部lAが直線部lBに移動するのに
応じて、バイアス電圧を以下に述べるように、フ
イードバツク制御によつて変化させて、透過光パ
ワーを一定に保つ必要がある。
lAを用いるとすると、気温がTA℃からTB℃に変
化するために直線部lAが直線部lBに移動するのに
応じて、バイアス電圧を以下に述べるように、フ
イードバツク制御によつて変化させて、透過光パ
ワーを一定に保つ必要がある。
ここで、気温がTA℃のときの線形動作範囲lA
は透過光パワーをＰ、バイアス電圧をVIN、第１
図のlAの傾きをｍとすると、第１図で点（VA、
Ｏ）を通ることにより、Ｐ＝ｍ（VIN−VA）と表
わせる。また、第３図で、透過光パワーＰと差動
増幅器６の逆相入力V1との間には比例関係が成
立するから、M1を比例定数としてV1＝M1Pと表
わせる。また、増幅器７と増幅器９の増幅率の積
をM2とすると、VIN＝M2（V2−V1）と表わせる。
は透過光パワーをＰ、バイアス電圧をVIN、第１
図のlAの傾きをｍとすると、第１図で点（VA、
Ｏ）を通ることにより、Ｐ＝ｍ（VIN−VA）と表
わせる。また、第３図で、透過光パワーＰと差動
増幅器６の逆相入力V1との間には比例関係が成
立するから、M1を比例定数としてV1＝M1Pと表
わせる。また、増幅器７と増幅器９の増幅率の積
をM2とすると、VIN＝M2（V2−V1）と表わせる。
Ｐ＝ｍ（VIN−VA）
V1＝M1P
VIN＝M2（V2−V1）
と連立方程式が成り立つが、未知数は、Ｐ、
VIN、V1の３つであるから、解は一義的に定ま
り、透過光パワーはＰ＝ｍ（M2V2−VA）／１＋mM1M2と
なる。
VIN、V1の３つであるから、解は一義的に定ま
り、透過光パワーはＰ＝ｍ（M2V2−VA）／１＋mM1M2と
なる。
気温がTA℃からTB℃に変化したときの透過光パ
ワーＰの変化は気温がTA℃のときは、第１図上
のPo（lA）、気温がTB℃のときは、第２図のPo
（lB）とすると、 Po（lA）−Po（lB）＝ｍ（VB−VA）／１＋mM1M2 となる。
ワーＰの変化は気温がTA℃のときは、第１図上
のPo（lA）、気温がTB℃のときは、第２図のPo
（lB）とすると、 Po（lA）−Po（lB）＝ｍ（VB−VA）／１＋mM1M2 となる。
ｍはＥ−Ｏ変調器によつて決まつているから変
えることはできないが、M1，M2は、フイードバ
ツクループのゲインを増すことにより、非常に大
きくすることができるので、Po（lA）とPo（lB）は
ほぼ等しくすることができる。このように、フイ
ードバツクループのループゲインを高めることに
より、温度変化に対する透過光パワー制御の精度
を高めることができる。
えることはできないが、M1，M2は、フイードバ
ツクループのゲインを増すことにより、非常に大
きくすることができるので、Po（lA）とPo（lB）は
ほぼ等しくすることができる。このように、フイ
ードバツクループのループゲインを高めることに
より、温度変化に対する透過光パワー制御の精度
を高めることができる。
以上述べたように、温度変化に対して、充分光
パワー制御の精度を上げるには、フイードバツク
ループ内の増幅器のゲインを上げる必要がある
が、このようにループゲインを高めたフイードバ
ツクループを、第３図のスイツチ８を切り換えて
閉じる際、ループゲインが高いほど以下のような
理由で、光パワー制御がかからず、バイアス電圧
が電源電圧まで到達して、制御のかかるバイアス
電圧にもどらないことが多い。それは、Ｅ−Ｏ変
調器の静特性が第１図のような時、第３図のV4
が例えばOVで、スイツチ８をV4からV3に切り換
えてフイードバツクループを閉じた直後の電圧
V1と基準電圧V2は一般に誤差がある。フイード
バツク制御のループゲインM3は精度の向上のた
めに一般に大きく設定されるため、誤差が小さく
てもバイアス電圧は大きくなる。このため、フイ
ードバツクループを閉じた直後のバイアス電圧が
第１図のLaの領域を飛び越えて制御が正帰還に
なつてしまい、バイアス電圧が電源電圧に達す
る。
パワー制御の精度を上げるには、フイードバツク
ループ内の増幅器のゲインを上げる必要がある
が、このようにループゲインを高めたフイードバ
ツクループを、第３図のスイツチ８を切り換えて
閉じる際、ループゲインが高いほど以下のような
理由で、光パワー制御がかからず、バイアス電圧
が電源電圧まで到達して、制御のかかるバイアス
電圧にもどらないことが多い。それは、Ｅ−Ｏ変
調器の静特性が第１図のような時、第３図のV4
が例えばOVで、スイツチ８をV4からV3に切り換
えてフイードバツクループを閉じた直後の電圧
V1と基準電圧V2は一般に誤差がある。フイード
バツク制御のループゲインM3は精度の向上のた
めに一般に大きく設定されるため、誤差が小さく
てもバイアス電圧は大きくなる。このため、フイ
ードバツクループを閉じた直後のバイアス電圧が
第１図のLaの領域を飛び越えて制御が正帰還に
なつてしまい、バイアス電圧が電源電圧に達す
る。
このため、スイツチ８をV4からV3に切り換え
てフイードバツクループを閉じるときに、バイア
ス電圧が電源に飽和してしまうことが多い。従つ
てループを閉じる前にあらかじめV4の値を変え
て、増幅器７の出力V3とV4が等しくなるように
して、スイツチ８を切り換えるときのバイアス電
圧VINの変化が少なくなるようにした後、スイツ
チ８を切り換えることが必要であるが、ループゲ
インが大きいほど、すなわち、光パワー制御の精
度を上げるほどV3とV4を等しくするのは難しい。
てフイードバツクループを閉じるときに、バイア
ス電圧が電源に飽和してしまうことが多い。従つ
てループを閉じる前にあらかじめV4の値を変え
て、増幅器７の出力V3とV4が等しくなるように
して、スイツチ８を切り換えるときのバイアス電
圧VINの変化が少なくなるようにした後、スイツ
チ８を切り換えることが必要であるが、ループゲ
インが大きいほど、すなわち、光パワー制御の精
度を上げるほどV3とV4を等しくするのは難しい。
以上のような、フイードバツクループを閉じ
て、光パワー制御のバイアス電圧を適当な値に設
定するための方法を与えることが本発明の目的で
ある。
て、光パワー制御のバイアス電圧を適当な値に設
定するための方法を与えることが本発明の目的で
ある。
本発明の一実施例と第４図に示す。なお、第４
図中で第３図と同じものは同じ番号で示してあ
る。１３，１４，１５，１６はリレーである。１
７は、光パワー制御のバイアス電圧を再設定する
ためのリセツトスイツチである。１８はリセツト
スイツチ１７をオンオフすると、前記リレー１
３，１４，１５，１６を制御するタイミング信号
ア，イ，ウを発生する回路である。リレー１３
は、信号ウがロウレベルのときγとｑが導通し、
ハイレベルのときｒとｐが導通する。リレー１４
は信号イがロウレベルのとき非導通、ハイレベル
のとき導通となる。リレー１５，１６はいずれ
も、信号アがロウレベルのとき非導通、ハイレベ
ルのとき導通となる。
図中で第３図と同じものは同じ番号で示してあ
る。１３，１４，１５，１６はリレーである。１
７は、光パワー制御のバイアス電圧を再設定する
ためのリセツトスイツチである。１８はリセツト
スイツチ１７をオンオフすると、前記リレー１
３，１４，１５，１６を制御するタイミング信号
ア，イ，ウを発生する回路である。リレー１３
は、信号ウがロウレベルのときγとｑが導通し、
ハイレベルのときｒとｐが導通する。リレー１４
は信号イがロウレベルのとき非導通、ハイレベル
のとき導通となる。リレー１５，１６はいずれ
も、信号アがロウレベルのとき非導通、ハイレベ
ルのとき導通となる。
リセツトスイツチ１７のオンオフ動作と前記タ
イミング信号ア，イ，ウとの関係を第５図に示
す。第５図のａは、リセツトスイツチ１７のオン
オフ動作を示す。第５図のｂはリセツト動作時の
信号アの変化を示す。第５図のｃはリセツト動作
時の信号イの変化を示す。第５図のｄはリセツト
動作時の信号ウの変化を示す。
イミング信号ア，イ，ウとの関係を第５図に示
す。第５図のａは、リセツトスイツチ１７のオン
オフ動作を示す。第５図のｂはリセツト動作時の
信号アの変化を示す。第５図のｃはリセツト動作
時の信号イの変化を示す。第５図のｄはリセツト
動作時の信号ウの変化を示す。
まずリセツトスイツチ１７を第５図のａに示す
ようにオンにすると、第５図のｂに示すように信
号アがロウレベルからハイレベルになつて、リレ
ー１５，１６がオフ状態からオン状態になる。次
に信号イが第５図のｃに示すようにハイレベルか
らロウレベルになつて、リレー１４がオン状態か
らオフ状態になる。すなわち、この２動作で、制
御信号の通路はl1からl2に切り換えられる。次に
信号ウが第５図のｄに示すようにロウレベルから
ハイレベルになつて、リレー１３が、ｒとｑの導
通状態からｒとｐの導通状態に切り換わり、
V3′がOVになり、V3″もOVになる。次に、リセ
ツトスイツチ１７を第５図のａに示すようにオフ
にすると、まず、信号ウが第５図のｄに示すよう
に、ハイレベルからローレベルになり、リレー１
３がｐとｒの導通状態からｑとｒの導通状態に切
り換わる。V3″は抵坑R1、コンデンサC1の存在に
より、OVからゆつくりと変化するので、透過光
パワーはゆつくり変化して、光パワー制御のかか
るバイアス点にバイアス電圧を設定できる。この
ままでは、フイードバツクループ内に、抵坑R1、
コンデンサC1が残つているが、信号イが第５図
のｃに示すようにロウレベルからハイレベルに変
わり、リレー１４がオン状態になり、さらに信号
アがハイレベルからロウレベルに変わり、リレー
１５，１６がオフ状態になつて、制御信号の通路
はl2からl1に切り換えられ、以後の光パワー制御
においてフイードバツクループ内から初期設定用
のローパスフイルタは除去されることになる。
ようにオンにすると、第５図のｂに示すように信
号アがロウレベルからハイレベルになつて、リレ
ー１５，１６がオフ状態からオン状態になる。次
に信号イが第５図のｃに示すようにハイレベルか
らロウレベルになつて、リレー１４がオン状態か
らオフ状態になる。すなわち、この２動作で、制
御信号の通路はl1からl2に切り換えられる。次に
信号ウが第５図のｄに示すようにロウレベルから
ハイレベルになつて、リレー１３が、ｒとｑの導
通状態からｒとｐの導通状態に切り換わり、
V3′がOVになり、V3″もOVになる。次に、リセ
ツトスイツチ１７を第５図のａに示すようにオフ
にすると、まず、信号ウが第５図のｄに示すよう
に、ハイレベルからローレベルになり、リレー１
３がｐとｒの導通状態からｑとｒの導通状態に切
り換わる。V3″は抵坑R1、コンデンサC1の存在に
より、OVからゆつくりと変化するので、透過光
パワーはゆつくり変化して、光パワー制御のかか
るバイアス点にバイアス電圧を設定できる。この
ままでは、フイードバツクループ内に、抵坑R1、
コンデンサC1が残つているが、信号イが第５図
のｃに示すようにロウレベルからハイレベルに変
わり、リレー１４がオン状態になり、さらに信号
アがハイレベルからロウレベルに変わり、リレー
１５，１６がオフ状態になつて、制御信号の通路
はl2からl1に切り換えられ、以後の光パワー制御
においてフイードバツクループ内から初期設定用
のローパスフイルタは除去されることになる。
第５図のようなタイムチヤートの信号ア、信号
イ信号ウを発生する具体的構成を第６図に示す。
また第６図の回路のタイムチヤートを第７図に示
す。
イ信号ウを発生する具体的構成を第６図に示す。
また第６図の回路のタイムチヤートを第７図に示
す。
第６図のシーケンス回路の動作を以下に説明す
る。リセツトスイツチ１７は、通常オフになつて
いる。
る。リセツトスイツチ１７は、通常オフになつて
いる。
INV１，INV２はインベータである。AND
１，AND２，AND３，AND４はAND回路、
JK−FF１，JK−FF２，JK−FF３は、JKフリ
ツプフロツプ回路である。CLOCK１，CLOCK
２，CLOCK３には、タイムチヤト第７図のa′に
示すようなクロツクパルスが入力される。
１，AND２，AND３，AND４はAND回路、
JK−FF１，JK−FF２，JK−FF３は、JKフリ
ツプフロツプ回路である。CLOCK１，CLOCK
２，CLOCK３には、タイムチヤト第７図のa′に
示すようなクロツクパルスが入力される。
リセツト動作は、第６図のリセツトスイツチ１
７をオンした後オフにすることにより行なわれ
る。リセツトスイツチ１７は、リセツト動作時以
外は、オフ側になつている。そのため、オフ時に
は、INV１がロウレベル、INV２がハイレベル
になるため、AND1の出力がロウレベルになり、
J1がハイレベル、K1がロウレベルになるためク
ロツクパルスが入力されると、Q1はハイレベル、
Ｑ1はロウレベルになる。AND３出力がハイレベ
ルになるため、J2はハイレベル、K2はロウレベ
ルになり次のクロツクパルスで、Q2はハイレベ
ル、2はロウレベルになる。同様にして、次の
クロツクパルスで、Q3はハイレベル、3はロウ
レベルになる。
７をオンした後オフにすることにより行なわれ
る。リセツトスイツチ１７は、リセツト動作時以
外は、オフ側になつている。そのため、オフ時に
は、INV１がロウレベル、INV２がハイレベル
になるため、AND1の出力がロウレベルになり、
J1がハイレベル、K1がロウレベルになるためク
ロツクパルスが入力されると、Q1はハイレベル、
Ｑ1はロウレベルになる。AND３出力がハイレベ
ルになるため、J2はハイレベル、K2はロウレベ
ルになり次のクロツクパルスで、Q2はハイレベ
ル、2はロウレベルになる。同様にして、次の
クロツクパルスで、Q3はハイレベル、3はロウ
レベルになる。
このように、リセツトスイツチオフ時にはQ1，
Q2，Q3がハイレベル、1，2，3がロウレベ
ル状態になつている時刻T1にリセツトスイツチ
をオンにすると、INV１がハイレベル、INV２
がロウレベルになり、AND４出力がロウレベル
になり、J3がロウレベル、K3がハイレベルにな
るため、最初のクロツクパルスで、Q3がロウレ
ベル、3がハイレベルになる。このため、第７
図ｂに示すように、信号ア（3）は、ロウレベ
ルからハイレベルになる。3がハイレベルにな
るため、AND2の出力がハイレベルになる。J2は
ロウレベル、K2はハイレベルになるため、２番
目のクロツクパルスでQ2はロウレベル、2はハ
イレベルになる。このため、第７図ｃに示すよう
に、信号イ（Q2）は、ハイレベルからロウレベ
ルになる。2がハイレベルになるため、AND１
の出力がハイレベルになる。J1はロウレベル、
K1はハイレベルになるため、３番目のクロツク
パルスで、Q1はロウレベル、1はハイレベルに
なる。このため、第７図ｄに示すように、信号ウ
（1）は、ロウレベルからハイレベルになる。
Q2，Q3がハイレベル、1，2，3がロウレベ
ル状態になつている時刻T1にリセツトスイツチ
をオンにすると、INV１がハイレベル、INV２
がロウレベルになり、AND４出力がロウレベル
になり、J3がロウレベル、K3がハイレベルにな
るため、最初のクロツクパルスで、Q3がロウレ
ベル、3がハイレベルになる。このため、第７
図ｂに示すように、信号ア（3）は、ロウレベ
ルからハイレベルになる。3がハイレベルにな
るため、AND2の出力がハイレベルになる。J2は
ロウレベル、K2はハイレベルになるため、２番
目のクロツクパルスでQ2はロウレベル、2はハ
イレベルになる。このため、第７図ｃに示すよう
に、信号イ（Q2）は、ハイレベルからロウレベ
ルになる。2がハイレベルになるため、AND１
の出力がハイレベルになる。J1はロウレベル、
K1はハイレベルになるため、３番目のクロツク
パルスで、Q1はロウレベル、1はハイレベルに
なる。このため、第７図ｄに示すように、信号ウ
（1）は、ロウレベルからハイレベルになる。
次に時刻T2にリセツトスイツチをオフにする
と、INV１がロウレベル、INV２がハイレベル
になるため、AND１の出力はロウレベルになり、
J1はハイレベル、K1はロウレベルになり、リセ
ツトスイツチオフ後最初のクロツクパルスでQ1
はハイレベル、1はロウレベルに変わる。この
ため、第７図ｄに示すように、信号ウ（1）は
ハイレベルからロウレベルに変わる。Q1がハイ
レベルになるため、AND３の出力がハイレベル
になり、AND２の出力はロウレベルであるから、
J2はハイレベル、K2はロウレベルになる。リセ
ツトスイツチオフ後２番目のクロツクパルスで、
Q2はハイレベル、2はロウレベルに変れる。こ
のため、第７図ｃに示すように、信号イ（Q2）
はロウレベルからハイレベルに変わる。Q2がハ
イレベルになるため、AND４の出力がハイレベ
ルになり、J3はハイレベル、K3はロウレベルに
なる。リセツトスイツチオフ後３番目のクロツク
パルスで、Q3はハイレベル、3はロウレベルに
変わる。このため、第７図ｂに示すように、信号
ア（3）はハイレベルからロウレベルに変わる。
と、INV１がロウレベル、INV２がハイレベル
になるため、AND１の出力はロウレベルになり、
J1はハイレベル、K1はロウレベルになり、リセ
ツトスイツチオフ後最初のクロツクパルスでQ1
はハイレベル、1はロウレベルに変わる。この
ため、第７図ｄに示すように、信号ウ（1）は
ハイレベルからロウレベルに変わる。Q1がハイ
レベルになるため、AND３の出力がハイレベル
になり、AND２の出力はロウレベルであるから、
J2はハイレベル、K2はロウレベルになる。リセ
ツトスイツチオフ後２番目のクロツクパルスで、
Q2はハイレベル、2はロウレベルに変れる。こ
のため、第７図ｃに示すように、信号イ（Q2）
はロウレベルからハイレベルに変わる。Q2がハ
イレベルになるため、AND４の出力がハイレベ
ルになり、J3はハイレベル、K3はロウレベルに
なる。リセツトスイツチオフ後３番目のクロツク
パルスで、Q3はハイレベル、3はロウレベルに
変わる。このため、第７図ｂに示すように、信号
ア（3）はハイレベルからロウレベルに変わる。
以上説明したことからわかるように、リセツト
スイツチ１７を、オンしている期間は、クロツク
パルス周期の３倍以上必要である。以上のよう
に、本発明によれば、透過光パワー制御のバイア
ス点の初期設定時に、フイードバツクループ内に
ローパスフイルタを挿入し、バイアス電圧の変化
の速度を遅くしてバイアス電圧が正帰還の領域に
飛び出してバイアス電圧が電源電圧に達するのを
防ぎ、バイアス電圧設定後は、フイードバツクル
ープからローパスフイルタを除去することにより
光パワー制御の精度に影響を与えないようにする
という大きな効果を得られる。
スイツチ１７を、オンしている期間は、クロツク
パルス周期の３倍以上必要である。以上のよう
に、本発明によれば、透過光パワー制御のバイア
ス点の初期設定時に、フイードバツクループ内に
ローパスフイルタを挿入し、バイアス電圧の変化
の速度を遅くしてバイアス電圧が正帰還の領域に
飛び出してバイアス電圧が電源電圧に達するのを
防ぎ、バイアス電圧設定後は、フイードバツクル
ープからローパスフイルタを除去することにより
光パワー制御の精度に影響を与えないようにする
という大きな効果を得られる。
第１図および第２図はそれぞれＥ−Ｏ変調器の
バイアス電圧と透過光パワーの関係を示す図、第
３図は従来の光パワー制御装置の構成図、第４図
は本発明の一実施例を示す構成図、第５図は同動
作説明波形図、第６図は本発明の一実施例の要部
を示すブロツク図、第７図は同動作説明波形図で
ある。 １……レーザ、２……Ｅ−Ｏ変調器、３……ビ
ームスプリツタ、４……光検出器、５，７，９，
１２……増巾器、６……差動増巾器、８……切換
スイツチ、１０……信号発生器、１１……FM変
調器。
バイアス電圧と透過光パワーの関係を示す図、第
３図は従来の光パワー制御装置の構成図、第４図
は本発明の一実施例を示す構成図、第５図は同動
作説明波形図、第６図は本発明の一実施例の要部
を示すブロツク図、第７図は同動作説明波形図で
ある。 １……レーザ、２……Ｅ−Ｏ変調器、３……ビ
ームスプリツタ、４……光検出器、５，７，９，
１２……増巾器、６……差動増巾器、８……切換
スイツチ、１０……信号発生器、１１……FM変
調器。
Claims (1)
- １ 結晶の電気光学効果を用いた光変調器の透過
光パワーを光電変換した電圧をフイードバツクル
ープを介して前記光変調器のバイアス電圧入力に
印加することにより、透過光パワーを一定に制御
する光パワー制御装置において、透過光パワーを
電圧値に変換する光電変換器と、前記光電変換器
の出力電圧と第１の所定電圧との差電圧を増幅す
る差動増幅器と、前記差動増幅器の出力電圧と第
２の所定電圧とのいずれかをローパスフイルタの
入力に供給する第１の切り替え手段と、前記ロー
パスフイルタの出力電圧と前記第１の切り替え手
段の出力電圧とのいずれかを前記光変調器のバイ
アス電圧入力に供給する第２の切り替え手段を有
し、前記第１の切り替え手段は前記ローパスフイ
ルタの入力に前記第２の所定電圧を供給し、かつ
前記第２の切り替え手段は前記光変調器のバイア
ス電圧入力に前記ローパスフイルタの出力電圧を
供給し、次に前記第１の切り替え手段は前記ロー
パスフイルタの入力に供給する電圧を前記第２の
所定電圧から前記差動増幅器の出力電圧に切り替
えてフイードバツク制御の初期設定を行い、その
後に前記第２の切り替え手段は前記光変調器のバ
イアス電圧入力に供給する電圧を前記ローパスフ
イルタの出力電圧から前記第１の切り替え手段の
出力電圧に切り替えて光パワーの制御を行うこと
を特徴とする光パワー制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060279A JPS55133017A (en) | 1979-04-03 | 1979-04-03 | Light power control unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060279A JPS55133017A (en) | 1979-04-03 | 1979-04-03 | Light power control unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55133017A JPS55133017A (en) | 1980-10-16 |
| JPH0157329B2 true JPH0157329B2 (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=12585056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060279A Granted JPS55133017A (en) | 1979-04-03 | 1979-04-03 | Light power control unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55133017A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61277919A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Canon Inc | 焦点距離可変レンズ |
| US5003624A (en) * | 1990-03-29 | 1991-03-26 | Hughes Aircraft Company | Automatic bias controller for electro-optic modulator |
| JP2697639B2 (ja) * | 1994-11-04 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 光変調装置 |
| EP1380874A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-14 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Control loop apparatus and method therefor |
-
1979
- 1979-04-03 JP JP4060279A patent/JPS55133017A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55133017A (en) | 1980-10-16 |
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