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JPH0157731B2 - - Google Patents
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JPH0157731B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0157731B2
JPH0157731B2 JP11432882A JP11432882A JPH0157731B2 JP H0157731 B2 JPH0157731 B2 JP H0157731B2 JP 11432882 A JP11432882 A JP 11432882A JP 11432882 A JP11432882 A JP 11432882A JP H0157731 B2 JPH0157731 B2 JP H0157731B2
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JP
Japan
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gas
concentration
self
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temperature
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JP11432882A
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Japanese (ja)
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Takashi Yamaguchi
Mitsuji Kira
Shozaburo Sunahara
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Figaro Engineering Inc
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Figaro Engineering Inc
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Publication date
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/122Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits

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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

この発明は自己発熱形のガス検出素子を用いた
ガス検出方法の改良に関し、とりわけ高濃度の汚
染雰囲気中で用いた場合の、自己発熱による素子
の劣化を防止し得るようにしたガス検出方法に関
する。 ここに自己発熱形のガス検出素子とは、N型金
属酸化物半導体のガス吸着による電気伝導度の変
化を用いたガス検出素子の中で、検出電流による
自己発熱が無視し得ないものを言う。 本発明者らは地下街等でのガス検出について検
討を行つた。その結果このような環境では、自己
発熱形の素子は徐々に低抵抗化しガスへの警報濃
度が低下すること、抵抗値の減少は水素やアルコ
ール等のガスに対して特に著しいことを見出し
た。 このような現象は自己発熱を抑制し、素子の加
熱温度を一定にした素子では生じない。しかし自
己発熱形の素子には多くの特徴がある。この素子
は常時は比較的低温に保たれ、ガスに触れると自
己発熱により自動的に昇温する。従つてメタンや
イソブタンのように高温で検出すべきガスを、熱
的劣化なしで検出できる。例えばSnO2系のフイ
ガロ技研株式会社製の#109(#109は商品名)セ
ンサの場合、通常の大気中での素子の温度は300
〜350℃であるのに対して、ガス中(メタン
4000ppm)では550℃に達する。つぎに自己発熱
形の素子は、高濃度のガス中で特に出力が大きく
なる。すなわち出力のガス濃度への依存性が高濃
度のガス中で急激に大きくなる、という特性があ
る。例えば前記の#109センサでは、イソブタン
1000ppm中での素子の抵抗値は5.9KΩ、4000ppm
中では2.8KΩであるのに対して10000ppm中では
1.05KΩになる。この特性は警報レベルのガス中
で素子が最高加熱温度となり、かつその温度付近
でガス中での抵抗温度係数が正となるようにする
ことによつて得られる。ガス濃度が警報濃度より
大きくなると、素子の抵抗値は減少し自己発熱量
が減少する。素子の温度が下がると抵抗温度係数
が正のため、素子の抵抗値は低下し、温度低下と
抵抗値の減少との間の正のフイードバツクサイク
ルが生じる。このため本来の警報濃度での検出に
失販したとしても、実際に危険が生じるまでには
確実に警報が行われることになる。また自己発熱
形の素子はヒータによる加熱が不均一であつても
用いることができる。この理由は不明であるが、
長期間の実験を通じて既に確認されている性質で
ある。このように自己発熱形のガス検出素子には
多くの利点があり、我が国で用いられているガス
検出素子の大部分は自己発熱形のものである。 本発明者らは、地下街等の設置空間で素子が受
ける影響について検討した結果、以下の事実を確
認した。 素子の低抵抗化は自己発熱形の素子でのみ生
ずる。 低抵抗化が生ずる雰囲気中には多量の水素や
アルコールが含まれており、特に水素が多い。
またその濃度は500ppm以下である。 低抵抗化の程度は、雰囲気中の水素濃度と、
ガスへの接触時間との双方で定まり、かつ不可
逆な現象である。 低抵抗化には自己発熱による昇温が寄与して
おり、静浄大気中で印加電圧を増し自己発熱量
を人為的に増した場合にも生ずる。 結局このような問題は居住空間の汚染が予想外
に進行したことにより生じたもので、汚染の著し
い地下街からまず顕在化したものである。すなわ
ち自己発熱形のガス検出素子は、通常の雰囲気は
清浄で自己発熱は小さく、素子が不必要に過熱さ
れる恐れはないという考えを基本的な設計思想と
している。にもかかわらず環境の汚染が予想外に
著しいため素子が常時過熱されるという状況が生
じたのである。本発明はこのような問題の解決を
目的とする。 本発明の方法は、自己発熱形のガス検出素子の
電気伝導度からガス濃度を検出し、所定濃度以上
のガスが存在する場合には警報し、それ以下の濃
度のガスが存在する場合には一定の遅延時間の経
過後素子の温度を低下せしめて素子の劣化を防止
するようにしたものである。 第1図に実施例についてのフローチヤートを示
す。実施例についての数値条件を第1表に示す。 第 1 表 事 項 内 容 自己発熱形 フイガロ技研社製#109ガスガス検出素子 センサ負荷抵抗 3.5KΩヒータ電圧 1.1V固定ヒータ電圧530m watt回路電圧 素子と負荷抵抗の直列片に印加、
100Vまたは50V自己発熱量 静浄大気中約100m watt、ガス
中最高715m watt警報濃度 メタン4000ppm、水素
5000ppm、イソブタン2000ppm、素
子抵抗4KΩ以下で警報 素子温度 静浄大気中 300〜350℃ ガス中最高 550℃ 電源を投入して検出を開始すると、素子はまず
通常の使用条件(回路電圧(Vc)を100V、ヒー
タ電圧(VH)を1.1V素子温度は静浄大気中で
300〜350℃)におかれる。ついで素子の電気伝導
度(σS)からガス濃度を検出し、σSが0.25m以
上で警報を発する。この時のガス濃度はメタンの
場合で4000ppm、イソブタンで2000ppm、水素で
5000ppmにあたり、素子は550℃まで加熱される。
ガス濃度が警報濃度以下に低下すると、警報を停
止する。 素子が警報濃度以下のガスに触れると、すなわ
ちσSが0.031m(Aレベル)以上で0.122m
(Bレベル)以下となると(これは水素として
50ppm以上1000ppm以下に当る。)、2分程度の遅
延時間T1の間はそのまま検出を続け、その間に
ガス濃度が警報濃度まで達しない場合は、雰囲気
の汚染と判断して、回路電圧を50Vまで低下さ
せ、検出を停止する。この場合の自己発熱量は最
大で180m wattにすぎず、素子の温度は380℃
以上となる。ついで10分程度の時間T2の間、こ
の状態を保つた後、通常の使用条件(Vc=
100V)に戻す。 この場合にBレベルは、環境の汚染度に応じて
決定し、500ppmの水素中での電気伝導度よりも
大きくする。また遅延時間T1は、素子の温度変
化に対する過渡特性を考慮するものとし、少くと
も10秒以上とする。素子の温度を下げる時間T2
の間は、検出が停止するので、長くとも30分とす
る。T1をT2にくらべてできる限り小さくし、素
子の劣化をさける。さらにここではVcを小さく
することにより素子温度を低下させたが、Vcに
代えてVHを小さくしても良い。また回路を単純
化するためには、BレベルをCレベルと一致さ
せ、さらにAレベルを廃止しても良い。 第1図の実施例に対する回路例を第2図に示
す。 図において1は交流電源(A.C.100V)で、ト
ランスと平滑回路とを用いて、ヒータ用の交流電
源VH(1.1VAC)と制御回路用直流電源(Vcc.+
5V)とを取りだす。交流電源1に半波整流回路
を介して直流定電圧回路2を接続し、その出力を
自己発熱形のガスセンサ3と負荷抵抗R1,
3.5KΩの直列片に印加する。なお定電圧回路2の
出力は、トランジスタTr1が導通している場合
には100V、非導通の場合には50Vになるように
回路定数を決定する。負荷抵抗R1への印加電圧
を3つのコンパレータC1,C2,C3により検
出する。コンパレータC1は、警報濃度以下のガ
スが存在するか否かを検出するもので、その出力
によりブザー4を作動させる。コンパレータC
2,C3は雰囲気の汚染度を検出するためのもの
である。コンパレータC2,C3の出力をそれぞ
れアンド素子5の入力端子に接続し、その出力を
ノアー素子6の一方の入力に接続する。ノアー素
子6の他の入力端子には、通常の出力がローレベ
ルのノアー素子7を接続する。そしてノアー素子
6の出力をオアー素子8の入力に接続する。オア
ー素子8の他の入力端は通常は出力が0のワンシ
ヨツトフリツプフロツプ回路9を接続する。オア
ー素子8の出力端SをFETトランジスタ10の
ゲートに接続し、トランジスタ10のソースを動
作時間が2分のCRタイマーT1に接続する。CR
タイマーT1にコンパレータC4を接続し、コン
パレータC4の出力側に動作時間が10分のCRタ
イマーT2を接続する。CRタイマーT2にはコ
ンパレータC5を接続する。コンパレータC4と
コンパレータC5の出力をそれぞれナンド素子1
1に入力する。またリセツトセツトフリツプフロ
ツプ回路12のセツト入力にコンパレータC4の
出力を、リセツト入力にナンド素子11の出力を
接続する。ノアー素子7の入力にコンパレータC
5の出力とリセツトセツトフリツプフロツプ回路
12の出力とを接続する。またコンパレータC5
の出力をワンシヨツトフリツプフロツプ回路9へ
入力し、ノアー素子7の出力を、バツフアー13
の出力端Tを介して、トランジスタTr1のベー
スへ接続する。 この回路は次のように動作する。 電源を投入すると、素子3のヒータには、
1.1Vの交流電圧が、素子3と負荷抵抗R1の直
列片には直流100Vの電圧が加えられる。雰囲気
中のガス濃度が警報濃度を越えると、コンパレー
タC1によりブザー4が動作する。雰囲気が汚染
されており、コンパレータC2およびコンパレー
タC3で定まる濃度の間にある時はアンド素子5
の出力がハイレベルとなり、ノアー素子6の出力
がローレベルとなる。これによりオアー素子8の
出力もローレベルとなり、FET10が非導通状
態になり、CRタイマーT1が動作しはじめる。
CRタイマーT1が充電すると、コンパレータC
4の出力がハイレベルとなり、リセツトセツトフ
リツプフロツプ回路12の出力が0となり、ノア
ー素子7の出力がハイレベルに反転し、バツフア
ー13を介して、トランジスタTr1が非導通状
態になる。これによつて素子3と負荷抵抗R1へ
の印加電圧は50Vまで低下する。コンパレータC
4の出力がハイレベルとなると、CRタイマーT
2が作動しはじめ、CRタイマーT2の充電後は
コンパレータC5の出力がハイレベルとなる。こ
れによつてナンド素子11の出力がローレベルと
なり、リセツトセツトフリツプフロツプ回路12
がリセツトされる。これによつて、ノアー素子7
およびバツフアー13を介して、トランジスタ
Tr1が再び導通し、素子3と負荷抵抗R1とへ
の印加電圧は再び100Vとなる。一方コンパレー
タC5の出力がハイレベルとなるとワンシヨツト
フリツプフロツプ回路9が動作し、オアー素子8
を介してFETトランジスタ10が導通し、CRタ
イマーT1,T2が放電する。このようにして回
路の動作状態は最初のものに戻る。 この実施例による試験結果を以下に示す。試験
は500ppmの水素中で素子を2週間連続して通電
した際の、警報濃度の変化を調べることによつて
行つた。比較例として、回路電圧をガス濃度によ
らず100Vとした他は、実施例と同様にしたもの
を用いた。 結果を第2表に示す。
The present invention relates to an improvement in a gas detection method using a self-heating type gas detection element, and more particularly to a gas detection method capable of preventing deterioration of the element due to self-heating when used in a highly concentrated contaminated atmosphere. . The self-heating type gas detection element here refers to a gas detection element that uses changes in electrical conductivity due to gas adsorption of an N-type metal oxide semiconductor, and the self-heating caused by the detection current cannot be ignored. . The present inventors have studied gas detection in underground malls and the like. As a result, it was found that in such an environment, the resistance of the self-heating type element gradually decreases and the alarm concentration for gas decreases, and that the decrease in resistance value is particularly remarkable for gases such as hydrogen and alcohol. Such a phenomenon does not occur in an element in which self-heating is suppressed and the heating temperature of the element is kept constant. However, self-heating elements have many characteristics. This element is normally kept at a relatively low temperature, and when it comes into contact with gas, it automatically heats up due to self-heating. Therefore, gases that should be detected at high temperatures, such as methane and isobutane, can be detected without thermal deterioration. For example, in the case of the SnO 2- based #109 (#109 is the product name) sensor manufactured by Figaro Giken Co., Ltd., the temperature of the element in normal air is 300°C.
~350℃, while in gas (methane)
4000ppm) reaches 550℃. Next, self-heating type elements have particularly high output in high concentration gas. In other words, there is a characteristic that the dependence of the output on the gas concentration increases rapidly in high concentration gas. For example, in the #109 sensor mentioned above, isobutane
The resistance value of the element at 1000ppm is 5.9KΩ, 4000ppm
Inside it is 2.8KΩ, while in 10000ppm
It becomes 1.05KΩ. This characteristic is obtained by ensuring that the element reaches its maximum heating temperature in the gas at the alarm level, and that the temperature coefficient of resistance in the gas becomes positive around that temperature. When the gas concentration becomes higher than the alarm concentration, the resistance value of the element decreases and the amount of self-heating decreases. As the temperature of the device decreases, the resistance of the device decreases due to the positive temperature coefficient of resistance, creating a positive feedback cycle between decreasing temperature and decreasing resistance. For this reason, even if detection at the original alarm concentration fails, a warning will be reliably issued before any danger actually occurs. Further, a self-heating type element can be used even if the heating by the heater is uneven. The reason for this is unknown, but
This property has already been confirmed through long-term experiments. As described above, self-heating type gas detection elements have many advantages, and most of the gas detection elements used in Japan are self-heating type. The inventors of the present invention have confirmed the following facts as a result of studying the effects on devices in installation spaces such as underground malls. Lowering the resistance of the element occurs only in self-heating type elements. The atmosphere in which the resistance decreases contains a large amount of hydrogen and alcohol, especially hydrogen.
Moreover, its concentration is 500 ppm or less. The degree of resistance reduction depends on the hydrogen concentration in the atmosphere and
This phenomenon is determined by both the contact time with the gas and is irreversible. Temperature rise due to self-heating contributes to lowering the resistance, and this also occurs when the self-heating amount is artificially increased by increasing the applied voltage in a still atmosphere. In the end, these problems were caused by the unexpected progress of contamination in living spaces, and they first became apparent in the heavily contaminated underground malls. In other words, the basic design concept of a self-heating type gas detection element is that the atmosphere is normally clean, self-heating is small, and there is no risk of the element being overheated unnecessarily. Despite this, a situation arose in which the elements were constantly overheated due to unexpectedly significant environmental pollution. The present invention aims to solve such problems. The method of the present invention detects the gas concentration from the electrical conductivity of a self-heating type gas detection element, and issues an alarm when a gas exists at a predetermined concentration or higher, and when a gas at a lower concentration exists, the gas concentration is detected. After a certain delay time has elapsed, the temperature of the element is lowered to prevent deterioration of the element. FIG. 1 shows a flowchart for the embodiment. Numerical conditions for Examples are shown in Table 1. Table 1 Contents Self-heating type #109 Gas detection element made by Figaro Giken Sensor load resistance 3.5KΩ Heater voltage 1.1V Fixed Heater voltage 530m watts Applied to the series piece of circuit voltage element and load resistance,
100V or 50V self-heating value Approximately 100m watt in still air, maximum 715m watt in gas watt Alarm concentration methane 4000ppm, hydrogen
5000ppm, isobutane 2000ppm, alarm element temperature when element resistance is 4KΩ or less In still air 300 to 350℃ Maximum in gas 550℃ When the power is turned on and detection starts, the element first under normal operating conditions (circuit voltage (Vc) 100V, heater voltage (VH) and 1.1V element temperature in still air
300-350℃). Next, the gas concentration is detected from the electrical conductivity (σ S ) of the element, and an alarm is issued when σ S is 0.25 m or more. The gas concentration at this time is 4000ppm for methane, 2000ppm for isobutane, and 2000ppm for hydrogen.
At 5000ppm, the element is heated to 550℃.
When the gas concentration falls below the alarm concentration, the alarm will be stopped. When the element comes into contact with gas below the alarm concentration, that is, when σ S is 0.031m (A level) or more, the temperature drops to 0.122m.
(B level) or below (this is hydrogen)
50ppm or more and 1000ppm or less. ), detection continues for a delay time T1 of approximately 2 minutes, and if the gas concentration does not reach the alarm concentration during that time, it is determined that the atmosphere is contaminated, the circuit voltage is lowered to 50V, and detection is stopped. do. In this case, the maximum self-heating amount is only 180m watt, and the temperature of the element is 380℃.
That's all. Then, after maintaining this state for a time T 2 of about 10 minutes, normal usage conditions (Vc =
100V). In this case, the B level is determined depending on the degree of environmental pollution and is set to be higher than the electrical conductivity in hydrogen of 500 ppm. Further, the delay time T 1 shall be set to at least 10 seconds or more, taking into account the transient characteristics of the element with respect to temperature changes. Time to lower the temperature of the element T 2
Detection will stop during this period, so the maximum period is 30 minutes. Make T 1 as small as possible compared to T 2 to avoid deterioration of the element. Furthermore, although the element temperature was lowered by reducing Vc here, VH may be reduced instead of Vc. Furthermore, in order to simplify the circuit, the B level may be made to match the C level, and the A level may be abolished. An example circuit for the embodiment of FIG. 1 is shown in FIG. In the figure, 1 is an AC power supply (AC100V), which uses a transformer and a smoothing circuit to create an AC power supply V H (1.1VAC) for the heater and a DC power supply (Vcc.+) for the control circuit.
5V). A DC constant voltage circuit 2 is connected to the AC power supply 1 via a half-wave rectifier circuit, and its output is connected to a self-heating type gas sensor 3 and a load resistor R1,
Apply to a 3.5KΩ series piece. Note that the circuit constants are determined so that the output of the constant voltage circuit 2 is 100V when the transistor Tr1 is conductive, and 50V when it is not conductive. The voltage applied to the load resistor R1 is detected by three comparators C1, C2, and C3. The comparator C1 detects whether or not a gas having a concentration below the alarm exists, and operates the buzzer 4 based on its output. Comparator C
2, C3 is for detecting the degree of pollution of the atmosphere. The outputs of the comparators C2 and C3 are each connected to an input terminal of an AND element 5, and the output thereof is connected to one input of a NOR element 6. The other input terminal of the NOR element 6 is connected to the NOR element 7 whose output is normally at a low level. Then, the output of the NOR element 6 is connected to the input of the OR element 8. The other input terminal of the OR element 8 is connected to a one-shot flip-flop circuit 9 whose output is normally 0. The output terminal S of the OR element 8 is connected to the gate of the FET transistor 10, and the source of the transistor 10 is connected to a CR timer T1 whose operating time is 2 minutes. CR
A comparator C4 is connected to the timer T1, and a CR timer T2 whose operating time is 10 minutes is connected to the output side of the comparator C4. A comparator C5 is connected to the CR timer T2. The outputs of comparator C4 and comparator C5 are each connected to NAND element 1.
Enter 1. Further, the output of the comparator C4 is connected to the set input of the reset flip-flop circuit 12, and the output of the NAND element 11 is connected to the reset input. Comparator C is connected to the input of Norer element 7.
5 and the output of the reset flip-flop circuit 12 are connected. Also, comparator C5
The output of the NOR element 7 is input to the one-shot flip-flop circuit 9, and the output of the NOR element 7 is input to the buffer
is connected to the base of the transistor Tr1 via the output terminal T of the transistor Tr1. This circuit operates as follows. When the power is turned on, the heater of element 3 has
An AC voltage of 1.1V is applied, and a DC voltage of 100V is applied to the series piece of element 3 and load resistor R1. When the gas concentration in the atmosphere exceeds the alarm concentration, the buzzer 4 is activated by the comparator C1. When the atmosphere is contaminated and the concentration is between the concentrations determined by the comparators C2 and C3, the AND element 5
The output of the NOR element 6 becomes high level, and the output of the NOR element 6 becomes low level. As a result, the output of the OR element 8 also becomes low level, the FET 10 becomes non-conductive, and the CR timer T1 starts operating.
When CR timer T1 charges, comparator C
The output of the reset flip-flop circuit 12 becomes 0, the output of the NOR element 7 is inverted to high level, and the transistor Tr1 becomes non-conductive via the buffer 13. This reduces the voltage applied to element 3 and load resistor R1 to 50V. Comparator C
When the output of 4 becomes high level, CR timer T
2 begins to operate, and after charging the CR timer T2, the output of the comparator C5 becomes high level. As a result, the output of the NAND element 11 becomes low level, and the reset set flip-flop circuit 12
is reset. With this, Noah element 7
and a transistor via buffer 13.
Tr1 becomes conductive again, and the voltage applied to element 3 and load resistor R1 becomes 100V again. On the other hand, when the output of the comparator C5 becomes high level, the one-shot flip-flop circuit 9 operates, and the OR element 8
The FET transistor 10 is made conductive through the .times.1.times.2.times.1.times.2.times.1.times.1.times.2.times..times..times..times..times..times..times..RTI. In this way, the operating state of the circuit returns to its original state. Test results according to this example are shown below. The test was conducted by examining the change in alarm concentration when the device was continuously energized for two weeks in 500 ppm hydrogen. As a comparative example, the same method as in the example was used except that the circuit voltage was set to 100 V regardless of the gas concentration. The results are shown in Table 2.

【表】 以上に説明したように、この発明の方法によれ
ば汚染した雰囲気中での使用による自己発熱形の
ガス検出素子の劣化を防止できる。
[Table] As explained above, according to the method of the present invention, deterioration of a self-heating type gas detection element due to use in a contaminated atmosphere can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は実施例の方法でのフローチヤートを示
し、第2図は第1図の実施例を具体化した回路例
を示すものである。 1…交流電源、2…直流定電回路、3…自己発
熱形ガス検出素子、4…負荷抵抗、T1,T2…
タイマー、Tr1…トランジスタ。
FIG. 1 shows a flowchart of the method of the embodiment, and FIG. 2 shows an example of a circuit embodying the embodiment of FIG. 1...AC power supply, 2...DC constant current circuit, 3...self-heating type gas detection element, 4...load resistance, T1, T2...
Timer, Tr1...transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 N型金属酸化物半導体を利用したガス検出素
子を、ヒータ電力と検出電流による自己発熱とに
より加熱し、ガスへの接触時に素子の温度を自動
的に昇温させ、かつ前記ガス検出素子の電気伝導
度からガスを検出して警報するようにした方法に
おいて、 警報濃度以下のガスの存在を検出した場合に遅
延時間をおいてその後ガス検出素子の温度を所定
時間低下せしめ、低濃度のガスの存在によるガス
検出素子の劣化を防止するようにしたことを特徴
とするガス検出方法。
[Claims] 1. A gas detection element using an N-type metal oxide semiconductor is heated by self-heating generated by heater power and a detection current, and the temperature of the element is automatically raised when it comes into contact with gas, and in the method of detecting gas based on the electrical conductivity of the gas detection element and issuing an alarm, when the presence of gas at a concentration below the alarm concentration is detected, there is a delay time, and then the temperature of the gas detection element is lowered for a predetermined period of time. 1. A gas detection method characterized in that deterioration of a gas detection element due to the presence of a low concentration gas is prevented.
JP11432882A 1982-06-30 1982-06-30 Gas detection method Granted JPS593344A (en)

Priority Applications (1)

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JP11432882A JPS593344A (en) 1982-06-30 1982-06-30 Gas detection method

Applications Claiming Priority (1)

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JP11432882A JPS593344A (en) 1982-06-30 1982-06-30 Gas detection method

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