JPH0212376B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0212376B2 JPH0212376B2 JP59235831A JP23583184A JPH0212376B2 JP H0212376 B2 JPH0212376 B2 JP H0212376B2 JP 59235831 A JP59235831 A JP 59235831A JP 23583184 A JP23583184 A JP 23583184A JP H0212376 B2 JPH0212376 B2 JP H0212376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- electron gun
- section
- wehnelt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 36
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は均一なアニールを行なうのに適した電
子ビームアニール用電子銃に関する。
子ビームアニール用電子銃に関する。
[従来の技術]
素子を積層して高速、高密度或いは多機能を有
する三次元回路素子等の実現に絶緑膜上に堆積さ
れた多結晶物質(例.多結晶シリコン)の結晶粒
子径の増大或いは多結晶物質の単結晶化が最も重
要視されている。最近、この様な結晶粒子径の増
大化や単結晶化に最も有効な技術として、電子線
アニールが注目されている。該電子線アニールと
は、一般的には、電子線を、例えば、多結晶シリ
コン上で集束させると同時に該シリコン上で走査
させアニールを行なうものである。さて、この様
な電子アニールで使用する電子線として断面形状
がスポツト状のものを使用すると、アニールの能
率が著しく悪い等の理由から、断面形状がライン
状に近い長方形状のものが使用されている。
する三次元回路素子等の実現に絶緑膜上に堆積さ
れた多結晶物質(例.多結晶シリコン)の結晶粒
子径の増大或いは多結晶物質の単結晶化が最も重
要視されている。最近、この様な結晶粒子径の増
大化や単結晶化に最も有効な技術として、電子線
アニールが注目されている。該電子線アニールと
は、一般的には、電子線を、例えば、多結晶シリ
コン上で集束させると同時に該シリコン上で走査
させアニールを行なうものである。さて、この様
な電子アニールで使用する電子線として断面形状
がスポツト状のものを使用すると、アニールの能
率が著しく悪い等の理由から、断面形状がライン
状に近い長方形状のものが使用されている。
第4図aは断面形状がライン状長方形の電子線
を発生する電子銃を示したものである。図中1は
カソードで、例えば、タングステン線をコの字状
に形成し、両端部を端子電極2a,2bに取付け
たものでる。3はウエネルトで、第4図bに示す
様に、前記カソードの電子放出面の形状に合せ
て、略長方形状の電子線通過口3Hが開けられて
いる。4はアノードである。この様な電子銃にお
いて、前記電極に電流を流すとカソード1の電子
放出面から電子が発生する。この時、該カソード
とウエネルト3の間には負の直流バイアス電圧
が、該カソードとアノード4の間には負の直流高
電圧が夫々印加されると、前記電子放出面から第
5図に示すように、その長手方向に沿つて一様な
分布で電子線が発生し、該発生した電子線がター
ゲツト(図示せず)方向に向う。
を発生する電子銃を示したものである。図中1は
カソードで、例えば、タングステン線をコの字状
に形成し、両端部を端子電極2a,2bに取付け
たものでる。3はウエネルトで、第4図bに示す
様に、前記カソードの電子放出面の形状に合せ
て、略長方形状の電子線通過口3Hが開けられて
いる。4はアノードである。この様な電子銃にお
いて、前記電極に電流を流すとカソード1の電子
放出面から電子が発生する。この時、該カソード
とウエネルト3の間には負の直流バイアス電圧
が、該カソードとアノード4の間には負の直流高
電圧が夫々印加されると、前記電子放出面から第
5図に示すように、その長手方向に沿つて一様な
分布で電子線が発生し、該発生した電子線がター
ゲツト(図示せず)方向に向う。
[発明が解決しようとする問題点]
さて、この様な電子銃から発生された断面が長
方形状の電子線を、例えば、多結晶シリコンに照
射すると、実際にアニールされた部分は電子線が
照射された部分より狭い。
方形状の電子線を、例えば、多結晶シリコンに照
射すると、実際にアニールされた部分は電子線が
照射された部分より狭い。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的とし
たもので、新規な電子銃を提供するものである。
たもので、新規な電子銃を提供するものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、長方形状の電子放出部を有する電子
銃において、前記長方形状電子放出部の長手方向
の端の部分に対向した部分を他の部分より広くし
た通過部を有するウエネルトを設けたものであ
る。
銃において、前記長方形状電子放出部の長手方向
の端の部分に対向した部分を他の部分より広くし
た通過部を有するウエネルトを設けたものであ
る。
[作用]
前記従来の電子銃によるアニールの問題を考察
してみると、次の事が分つた。ターゲツト上に長
方形状の電子線が当つた時、該長方形断面の周辺
部から熱伝導により熱がターゲツトの他の部分へ
少し逃げる。特に、該長方形状の長手方向のエツ
ヂ部からの逃げが多い。従つて、ターゲツト上に
当つた電子線の周辺部の特に長手方向のエツヂ部
の温度が他の部分に比べ温度が低くなり、その部
分のターゲツトが充分に加熱されない。この為、
該ターゲツトが多結晶の場合、その部分が充分の
アニールされない。
してみると、次の事が分つた。ターゲツト上に長
方形状の電子線が当つた時、該長方形断面の周辺
部から熱伝導により熱がターゲツトの他の部分へ
少し逃げる。特に、該長方形状の長手方向のエツ
ヂ部からの逃げが多い。従つて、ターゲツト上に
当つた電子線の周辺部の特に長手方向のエツヂ部
の温度が他の部分に比べ温度が低くなり、その部
分のターゲツトが充分に加熱されない。この為、
該ターゲツトが多結晶の場合、その部分が充分の
アニールされない。
そこで、電子線断面の長手方向のエツヂ部の電
子線強度が他の部分より大きくなるような電子線
をターゲツト上に当てるようにすれば、長手方向
エツヂ部からの熱の逃げがあつても、その分補わ
れるので、この様な問題は解決される。この解決
策として、長方形状電子放出部の長手方向の端の
部分に対向したウエネルトの電子線通過口の部分
を適宜広くすれば、この端部に入り込む電気力線
が該広くした分増加するので、該電子銃から第6
図に示す如き電子線強度分布の電子線がターゲツ
ト上に得られる。
子線強度が他の部分より大きくなるような電子線
をターゲツト上に当てるようにすれば、長手方向
エツヂ部からの熱の逃げがあつても、その分補わ
れるので、この様な問題は解決される。この解決
策として、長方形状電子放出部の長手方向の端の
部分に対向したウエネルトの電子線通過口の部分
を適宜広くすれば、この端部に入り込む電気力線
が該広くした分増加するので、該電子銃から第6
図に示す如き電子線強度分布の電子線がターゲツ
ト上に得られる。
[実施例]
第1図aは本発明の一実施例を示した電子銃
で、該電子銃のウエネルト3′の電子線通過口3
H′は第1図bに示す様に、長方形状のカソード
電子線放出部1Gの長手方向の端の部分に対向し
た部分が適宜広げられている。この広げ方は、実
験により、ターゲツトで得られる電子線強度分布
を観察し乍ら適宜に決められる。特に、長方形断
面の電子線長手方向のエツヂ部によるターゲツト
部の温度が電子線の他の部分によるターゲツト部
の温度と同一になる様な電子線強度分布になるよ
うにウエネルトのエツヂ部の広がりが決められ
る。
で、該電子銃のウエネルト3′の電子線通過口3
H′は第1図bに示す様に、長方形状のカソード
電子線放出部1Gの長手方向の端の部分に対向し
た部分が適宜広げられている。この広げ方は、実
験により、ターゲツトで得られる電子線強度分布
を観察し乍ら適宜に決められる。特に、長方形断
面の電子線長手方向のエツヂ部によるターゲツト
部の温度が電子線の他の部分によるターゲツト部
の温度と同一になる様な電子線強度分布になるよ
うにウエネルトのエツヂ部の広がりが決められ
る。
第3図はこの様な電子銃を使用した電子アニー
ル装置の概略図で、5は集束レンズ、6は偏向
器、7は多結晶シリコンである。この様な装置に
おいて、電子銃から発生した第6図に示す如き電
子線強度分布の長方形断面を有する電子線が、集
束レンズ5によつて多結晶シリコン7上に集束さ
れる。同時に、該電子線は偏向器6により、該多
結晶シリコン7上を走査するので、該シリコンの
該電子線で走査された部分がアニールされる。。
ル装置の概略図で、5は集束レンズ、6は偏向
器、7は多結晶シリコンである。この様な装置に
おいて、電子銃から発生した第6図に示す如き電
子線強度分布の長方形断面を有する電子線が、集
束レンズ5によつて多結晶シリコン7上に集束さ
れる。同時に、該電子線は偏向器6により、該多
結晶シリコン7上を走査するので、該シリコンの
該電子線で走査された部分がアニールされる。。
前記実施例では、ウエネルトの電子線通過口の
エツヂ部を適宜広くするようにしたが、第2図に
示す様に、ウエネルトを2つの部分3a,3bか
ら構成し、該2つの部分の間を電子線を通過させ
るようにし、該2つの部分の間の形状をエツヂ部
で適宜開くように成してもよい。
エツヂ部を適宜広くするようにしたが、第2図に
示す様に、ウエネルトを2つの部分3a,3bか
ら構成し、該2つの部分の間を電子線を通過させ
るようにし、該2つの部分の間の形状をエツヂ部
で適宜開くように成してもよい。
[効果]
本発明の如き電子銃を電子アニール装置に使用
すれば、電子線断面の端部の電流密度を大きく出
来、それにより、ラインン状電子線照射部の端部
の放熱を補う事が出来る為、ターゲツト上の電子
線照射部分がその侭充分アニールされる。
すれば、電子線断面の端部の電流密度を大きく出
来、それにより、ラインン状電子線照射部の端部
の放熱を補う事が出来る為、ターゲツト上の電子
線照射部分がその侭充分アニールされる。
第1図aは本発明の一実施例を示した電子銃、
第1図bは該電子銃のウエネルトの一実施例図、
第2図は本発明の電子銃のウエネルトの他の実施
例図、第3図は電子アニール装置の概略図、第4
図aは従来の電子銃の概略図、第4図bは該電子
銃のウエネルト概略図、第5図は従来の電子銃に
よる電子線強度分布図、第6図は本発明の電子銃
による電子線強度分布図である。 1:カソード、3′:ウエネルト、4:アノー
ド。
第1図bは該電子銃のウエネルトの一実施例図、
第2図は本発明の電子銃のウエネルトの他の実施
例図、第3図は電子アニール装置の概略図、第4
図aは従来の電子銃の概略図、第4図bは該電子
銃のウエネルト概略図、第5図は従来の電子銃に
よる電子線強度分布図、第6図は本発明の電子銃
による電子線強度分布図である。 1:カソード、3′:ウエネルト、4:アノー
ド。
Claims (1)
- 1 長方形状の電子放出部を有する電子銃におい
て、前記長方形状電子放出部の長手方向の端の部
分に対向した部分を他の部分より広くした通過部
を有するウエネルトを設けた事を特徴とする電子
銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235831A JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235831A JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114449A JPS61114449A (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0212376B2 true JPH0212376B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16991903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235831A Granted JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114449A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526303B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | リニアフィラメント型電子銃 |
| KR101420244B1 (ko) | 2008-05-20 | 2014-07-21 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 전자빔 집속 전극 및 이를 이용한 전자총 |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235831A patent/JPS61114449A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61114449A (ja) | 1986-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2654012B2 (ja) | 電子放出素子およびその製造方法 | |
| US6252344B1 (en) | Electron gun used in an electron beam exposure apparatus | |
| US8450917B2 (en) | High-definition cathode ray tube and electron gun | |
| JPH0212376B2 (ja) | ||
| US20250316436A1 (en) | Planar filament with focused, central electron emission | |
| JPH0238365Y2 (ja) | ||
| JPH0727864B2 (ja) | 電子ビーム加熱装置 | |
| JPS62206754A (ja) | 線状電子線発生装置 | |
| JP2001196020A (ja) | Rheed装置およびその駆動方法 | |
| JPH0136970B2 (ja) | ||
| JP2850411B2 (ja) | 線状電子ビーム用遮蔽マスク | |
| JPH0666256B2 (ja) | 線状電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JP2790218B2 (ja) | 電界放出型電子放出素子 | |
| JPH03257746A (ja) | 線源線状電子ビーム装置用線状カソード | |
| JPS62213051A (ja) | 線状電子線発生装置 | |
| JPH06302535A (ja) | 電子ビームによるアニール方法 | |
| JP2625369B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH0550267A (ja) | 電子ビーム加工装置 | |
| JPH07169422A (ja) | X線管 | |
| JPS61245453A (ja) | 線状電子ビ−ム熱処理装置 | |
| JPH0542099B2 (ja) | ||
| JPS62190716A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
| JPS5891643A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル方法 | |
| JPS6081746A (ja) | 電子ビ−ム発生装置 | |
| JPS62290053A (ja) | 電子放出装置 |