JPH0222966B2 - - Google Patents
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- JPH0222966B2 JPH0222966B2 JP1921282A JP1921282A JPH0222966B2 JP H0222966 B2 JPH0222966 B2 JP H0222966B2 JP 1921282 A JP1921282 A JP 1921282A JP 1921282 A JP1921282 A JP 1921282A JP H0222966 B2 JPH0222966 B2 JP H0222966B2
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Landscapes
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路板の形成方法に関し、とくにアル
ミニウム基板にアルマイト皮膜を形成し、この皮
膜を構成する結晶体群のセルに、選択的に導電物
質と非導電物質とを充填して、接触面が平滑かつ
微細なパターンの電気回路を形成する回路板の形
成方法に関する。
ミニウム基板にアルマイト皮膜を形成し、この皮
膜を構成する結晶体群のセルに、選択的に導電物
質と非導電物質とを充填して、接触面が平滑かつ
微細なパターンの電気回路を形成する回路板の形
成方法に関する。
従来接触式エンコーダ用コードスイツチ基板な
どを形成する場合、印刷や真空蒸着などの厚膜、
薄膜形成技術と転写法とを併用して、接触子が摺
動する面が平滑でかつ微細な回路パターンを絶縁
基板上に形成する方法が知られている。
どを形成する場合、印刷や真空蒸着などの厚膜、
薄膜形成技術と転写法とを併用して、接触子が摺
動する面が平滑でかつ微細な回路パターンを絶縁
基板上に形成する方法が知られている。
しかし、上記従来例にあつて、回路の最小パタ
ーン巾が100μｍ以下の微細な回路を有し、かつ
100万サイクル以上の摺動寿命を有する回路板の
形成は蒸着等の工程が面倒で高価になり、また薄
膜のため摺動寿命が短かくなる欠点があつた。
ーン巾が100μｍ以下の微細な回路を有し、かつ
100万サイクル以上の摺動寿命を有する回路板の
形成は蒸着等の工程が面倒で高価になり、また薄
膜のため摺動寿命が短かくなる欠点があつた。
本発明は上記欠点を除去するものであり、アル
ミニウム基板上に形成したセルを有するアルマイ
ト皮膜を利用して、長寿命かつ微細な回路パター
ンを容易に形成しうる回路板の形成方法を提供す
ることを目的とする。
ミニウム基板上に形成したセルを有するアルマイ
ト皮膜を利用して、長寿命かつ微細な回路パター
ンを容易に形成しうる回路板の形成方法を提供す
ることを目的とする。
以下本発明を第１図〜第３図と共に説明する。
第１図イ〜カは工程説明図、１はアルミニウムの
金属板、２は前記アルミニウム基板上に陽極酸化
法（アルミニウム基板を陽極としてシヨウ酸等の
電解液中で電解酸化を行なう）によつて形成され
たアルマイト皮膜である。この陽極酸化法で形成
されたアルマイト皮膜２は公知の如く多孔質酸化
皮膜よりなり第２図に示した部分拡大図のよう
に、多くの微細な多角形状の結晶体２ａが密接・
配置され、それぞれの結晶体２ａには最大寸法が
300Å程度の微細なセル２ｂがアルミニウム基板
面にまで接続して形成される。
第１図イ〜カは工程説明図、１はアルミニウムの
金属板、２は前記アルミニウム基板上に陽極酸化
法（アルミニウム基板を陽極としてシヨウ酸等の
電解液中で電解酸化を行なう）によつて形成され
たアルマイト皮膜である。この陽極酸化法で形成
されたアルマイト皮膜２は公知の如く多孔質酸化
皮膜よりなり第２図に示した部分拡大図のよう
に、多くの微細な多角形状の結晶体２ａが密接・
配置され、それぞれの結晶体２ａには最大寸法が
300Å程度の微細なセル２ｂがアルミニウム基板
面にまで接続して形成される。
次に第１図ハにおいて、前記アルマイト皮膜２
上にアクリル系の感光性樹脂（例えばデユポン社
製の商品名リストン）皮膜３がコーテングされ、
次のニ，ホの工程ではこの感光性樹脂皮膜３に不
要フオトレジスト除去処理が施こされて該皮膜３
の一部が除去される。この不要フオトレジスト除
去処理により残余の皮膜３ａ，３ａ間に所望の回
路のアルマイト皮膜のネガパターン２ｃが形成さ
れる。次のヘの工程ではこのネガパターン２ｃの
アルマイト皮膜２の上記結晶体２ａのセル２ｂに
二硫化モリブデン（MOS2）６などの非導電物質
が充填されるが、この方法はアルマイト処理した
アルミニウム基板１をテトラチオモリブデン酸ア
ンモニウムの水溶液で二次電解し、アルマイト皮
膜２のセル２ｂ内に二硫化モリブテンの絶縁層４
を形成することによつて行われる。次いで、トの
工程では上記残余の感光性樹脂皮膜３ａが塩化メ
チレンなどの溶剤やバフなどの併用により、化学
的または機械的に除去される。次のチの工程では
残余のアルマイト皮膜２の結晶体２ａのセル２ｂ
にメツキにより、金７などの導電物質がセル２ｂ
の出口上面２b1より少し盛り上がる程度に充填さ
れる。これにより第３図に示すように、回路の各
接点電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅを構成す
る導電層５がアルマイト皮膜中に形成される。次
のリの工程では、アルマイト皮膜２に上記のよう
に形成された絶縁層４及び導電層５を有するアル
ミニウム基板１の裏面側に上記ハの工程と同じよ
うにして感光性樹脂皮膜８が形成され、次のヌ，
ル，オの工程において、これらの樹脂皮膜８、ア
ルミニウム基板１に不要フオトレジスト除去処理
及びエツチング処理が施こされ、先に形成した絶
縁層４（ネガパターン２ｃ）に対向するパターン
９が形成される。更にワの工程で残余の感光性樹
脂皮膜８ａが上記ヘの工程と同じようにして除去
され、カの最終工程で、上記オの工程で形成され
たパタータ９内に合成樹脂１０の絶縁物質を充填
して絶縁層１１を形成する。絶縁層１１の形成に
より導電層５がアルミニウム基板１によつて相互
に導通するのを防止された回路板形成が完了し、
例えば第３図に示すようなコードスイツチ基板が
得られることになる。
上にアクリル系の感光性樹脂（例えばデユポン社
製の商品名リストン）皮膜３がコーテングされ、
次のニ，ホの工程ではこの感光性樹脂皮膜３に不
要フオトレジスト除去処理が施こされて該皮膜３
の一部が除去される。この不要フオトレジスト除
去処理により残余の皮膜３ａ，３ａ間に所望の回
路のアルマイト皮膜のネガパターン２ｃが形成さ
れる。次のヘの工程ではこのネガパターン２ｃの
アルマイト皮膜２の上記結晶体２ａのセル２ｂに
二硫化モリブデン（MOS2）６などの非導電物質
が充填されるが、この方法はアルマイト処理した
アルミニウム基板１をテトラチオモリブデン酸ア
ンモニウムの水溶液で二次電解し、アルマイト皮
膜２のセル２ｂ内に二硫化モリブテンの絶縁層４
を形成することによつて行われる。次いで、トの
工程では上記残余の感光性樹脂皮膜３ａが塩化メ
チレンなどの溶剤やバフなどの併用により、化学
的または機械的に除去される。次のチの工程では
残余のアルマイト皮膜２の結晶体２ａのセル２ｂ
にメツキにより、金７などの導電物質がセル２ｂ
の出口上面２b1より少し盛り上がる程度に充填さ
れる。これにより第３図に示すように、回路の各
接点電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅを構成す
る導電層５がアルマイト皮膜中に形成される。次
のリの工程では、アルマイト皮膜２に上記のよう
に形成された絶縁層４及び導電層５を有するアル
ミニウム基板１の裏面側に上記ハの工程と同じよ
うにして感光性樹脂皮膜８が形成され、次のヌ，
ル，オの工程において、これらの樹脂皮膜８、ア
ルミニウム基板１に不要フオトレジスト除去処理
及びエツチング処理が施こされ、先に形成した絶
縁層４（ネガパターン２ｃ）に対向するパターン
９が形成される。更にワの工程で残余の感光性樹
脂皮膜８ａが上記ヘの工程と同じようにして除去
され、カの最終工程で、上記オの工程で形成され
たパタータ９内に合成樹脂１０の絶縁物質を充填
して絶縁層１１を形成する。絶縁層１１の形成に
より導電層５がアルミニウム基板１によつて相互
に導通するのを防止された回路板形成が完了し、
例えば第３図に示すようなコードスイツチ基板が
得られることになる。
このように形成された回路板は、絶縁層４と導
電層５とが形成されているアルマイト皮膜２の各
結晶体２ａとセル２ｂとは、前記のようにきわめ
て微細でかつ相互に密接しているので各接点５ａ
〜５ｅ上を摺接する各接触子（図示せず）は各接
点５ａ〜５ｅにおいて同時に多数のセル２ｂ上を
摺接し、セル２ｂに充填されてかつこのセル２ｂ
の出口上面２b1に少し盛り上がり被着形成された
金７に相互に接触するので接点５ａ〜５ｅと接触
子との電気的接触不良の恐れは全くなく、更にセ
ル２ｂに充填された金７などの導電物質はこのセ
ル２ｂによつて保護されるので耐摩耗性にすぐれ
た長寿命の回路板が得られる。また更に回路のネ
ガパターン形成もフオト処理によるので微細かつ
精度の高いものが容易に得られるなどの利点があ
り、こうして形成された回路板を用いることによ
り、従来に比して格段に小形のコードスイツチが
供給できる。また、上記回路板では接点を構成す
る各導電層５がアルミニウム基板１上に形成され
てはいるが、これらは絶縁層１１によつて相互の
導通が阻止されているのでコード信号の拾い出し
には１枚の金属板から分岐した接触子を用いれば
よい。
電層５とが形成されているアルマイト皮膜２の各
結晶体２ａとセル２ｂとは、前記のようにきわめ
て微細でかつ相互に密接しているので各接点５ａ
〜５ｅ上を摺接する各接触子（図示せず）は各接
点５ａ〜５ｅにおいて同時に多数のセル２ｂ上を
摺接し、セル２ｂに充填されてかつこのセル２ｂ
の出口上面２b1に少し盛り上がり被着形成された
金７に相互に接触するので接点５ａ〜５ｅと接触
子との電気的接触不良の恐れは全くなく、更にセ
ル２ｂに充填された金７などの導電物質はこのセ
ル２ｂによつて保護されるので耐摩耗性にすぐれ
た長寿命の回路板が得られる。また更に回路のネ
ガパターン形成もフオト処理によるので微細かつ
精度の高いものが容易に得られるなどの利点があ
り、こうして形成された回路板を用いることによ
り、従来に比して格段に小形のコードスイツチが
供給できる。また、上記回路板では接点を構成す
る各導電層５がアルミニウム基板１上に形成され
てはいるが、これらは絶縁層１１によつて相互の
導通が阻止されているのでコード信号の拾い出し
には１枚の金属板から分岐した接触子を用いれば
よい。
なお、アルマイト皮膜２のセル２ｂに充填され
る非導電物質や導電物質は実施例のものに限定さ
れるものではなく、回路のパターン形成も任意に
設定できることは言うまでもない。
る非導電物質や導電物質は実施例のものに限定さ
れるものではなく、回路のパターン形成も任意に
設定できることは言うまでもない。
図面はいずれも本発明に係り、第１図イ〜カは
工程説明図、第２図はアルマイト皮膜の部分拡大
図、第３図はコードスイツチ用基板の上面図であ
る。 １……アルミニウム基板、２……アルマイト皮
膜、２ａ……結晶体、２ｂ……セル、２ｃ……ネ
ガパターン、３，８……感光性樹脂皮膜、４，１
１……絶縁層、５……導電層、５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅ……接点。
工程説明図、第２図はアルマイト皮膜の部分拡大
図、第３図はコードスイツチ用基板の上面図であ
る。 １……アルミニウム基板、２……アルマイト皮
膜、２ａ……結晶体、２ｂ……セル、２ｃ……ネ
ガパターン、３，８……感光性樹脂皮膜、４，１
１……絶縁層、５……導電層、５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅ……接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ アルミニウム基板上にセルを有する結晶
体より成るアルマイト皮膜を形成する第１の工
程と、 ｂ 上記アルマイト皮膜上に感光性樹脂皮膜を形
成する第２の工程と、 ｃ 上記感光性樹脂皮膜の一部を除去して所望の
回路のネガパターンを形成する第３の工程と、 ｄ 上記ネガパターンの上記アルマイト皮膜のセ
ルに非導電物質を充填する第４の工程と、 ｅ 上記残余のアルマイト皮膜上の感光性樹脂皮
膜を除去する第５の工程と、 ｆ 上記感光性樹脂皮膜が除去されたアルマイト
皮膜のセルに導電物質を充填する第６の工程
と、 ｇ 上記アルミニウム基板のアルマイト皮膜が形
成された面の裏面側に感光性樹脂皮膜を形成す
る第７の工程と、 ｈ 上記第７の工程によつて形成された感光性樹
脂皮膜とアルミニウム基板の裏面とをフオトエ
ツチング処理によつて前記ネガパターンに対向
するパターンに除去する第８の工程と、 ｉ 上記第８の工程によつて残余された感光性樹
脂皮膜を除去する第９の工程と、 ｊ 上記第８の工程によつて上記アルミニウム基
板に形成された前記パターンに非導電物質を充
填する第10の工程とより成ることを特徴とする
回路板の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1921282A JPS58137915A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 回路板の形成方法 |
| US06/430,601 US4463084A (en) | 1982-02-09 | 1982-09-30 | Method of fabricating a circuit board and circuit board provided thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1921282A JPS58137915A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 回路板の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137915A JPS58137915A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0222966B2 true JPH0222966B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=11993058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1921282A Granted JPS58137915A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 回路板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137915A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5385682B2 (ja) | 2009-05-19 | 2014-01-08 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品の実装構造 |
| JP5249132B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-07-31 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板 |
| JP5460155B2 (ja) | 2009-07-14 | 2014-04-02 | 新光電気工業株式会社 | キャパシタ及び配線基板 |
| JP5280309B2 (ja) | 2009-07-17 | 2013-09-04 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5436963B2 (ja) | 2009-07-21 | 2014-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
| JP2011151185A (ja) | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
| JP5363384B2 (ja) | 2010-03-11 | 2013-12-11 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP1921282A patent/JPS58137915A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58137915A (ja) | 1983-08-16 |
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