JPH022322B2 - - Google Patents
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- JPH022322B2 JPH022322B2 JP60018052A JP1805285A JPH022322B2 JP H022322 B2 JPH022322 B2 JP H022322B2 JP 60018052 A JP60018052 A JP 60018052A JP 1805285 A JP1805285 A JP 1805285A JP H022322 B2 JPH022322 B2 JP H022322B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
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- H10W42/281—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their materials
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波増幅装置に係わり、特に
直列に接続した複数のマイクロ波半導体アンプモ
ジユール(ガリウム、砒素化合物のFET等を使
用)を収納したマイクロ波増幅装置の信号電力
が、金属容器内に設けられた電磁波吸収体によつ
て減衰される減衰量を小にするような構造に関す
るものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a microwave amplification device, and in particular to a microwave amplification device that uses a plurality of microwave semiconductor amplifier modules (using FETs made of gallium or arsenic compounds, etc.) connected in series. This invention relates to a structure that reduces the amount of attenuation of the signal power of a housed microwave amplifier by an electromagnetic wave absorber provided in a metal container.
近時、半導体装置をパツケージにしてアンプモ
ジユールとし、複数のパツケージを接続すること
によつて単数のパツケージの利得を複数倍にして
使用する、簡易なマイクロ波増幅装置が開発さ
れ、広範囲に利用されている。 Recently, a simple microwave amplification device has been developed that uses a semiconductor device as an amplifier module in a package and connects multiple packages to multiply the gain of a single package, and has been widely used. has been done.
然しながら、このようなマイクロ波増幅器は、
伝送されるマイクロ波信号に対し、金属筐体が一
種の導波管のような作用をするために、その金属
筐体に周波数特性ができ、信号が広帯域の周波数
帯を減衰がなく一様に伝送するためには多くの問
題がある。 However, such a microwave amplifier is
Because the metal casing acts like a kind of waveguide for the transmitted microwave signal, the metal casing has frequency characteristics that allow the signal to spread uniformly over a wide frequency band without attenuation. There are many problems in transmission.
例えば、金属筐体が伝送周波数帯域の特定周波
数で共振周波数を有すると、マイクロ波増幅器の
周波数特性が不均一になり、又金属筐体のなかに
配置された複数のアンプモジユールで、出力端子
側からのマイクロ波出力が入力側に帰還されると
発振をするという不都合がある。 For example, if a metal casing has a resonant frequency at a specific frequency in the transmission frequency band, the frequency characteristics of a microwave amplifier will become non-uniform, and the output terminals of multiple amplifier modules arranged in a metal casing will There is a disadvantage that oscillation occurs when the microwave output from the side is fed back to the input side.
この対策として、通常金属筐体の金属蓋の内側
にマイクロ波吸収体を設けることにより、マイク
ロ波増幅器の動作を不安定にする電磁波を吸収す
るようにしているが、反面そのマイクロ波吸収体
のために、マイクロ波電力が減衰するという欠点
があり、これの改善が要望されている。 As a countermeasure to this problem, a microwave absorber is usually installed inside the metal lid of the metal casing to absorb electromagnetic waves that make the operation of the microwave amplifier unstable. Therefore, there is a drawback that the microwave power is attenuated, and improvement of this problem is desired.
第2図は、マイクロ波モジユールの斜視図であ
るが、マイクロ波モジユール1は外形が小型でハ
ーメチツク構造であり、周波数帯域が8GHz〜
18GHzにわたつて、利得が5dB以上の特性を有す
るように設計され、且つ複数のマイクロ波モジユ
ールが容易にカスケード接続が可能のように、パ
ツケージ2の側面に、DC及びRFの端子3が設け
られている。
FIG. 2 is a perspective view of the microwave module. Microwave module 1 has a small external shape and a hermetic structure, and has a frequency band of 8 GHz to 8 GHz.
It is designed to have a gain of 5 dB or more over 18 GHz, and DC and RF terminals 3 are provided on the side of the package 2 so that multiple microwave modules can be easily cascaded. ing.
第3図aは、マイクロ波モジユールの平面図、
第3図bは、その正面図、第3図cは、その側面
図であるが、符合は第2図と同様である。 Figure 3a is a plan view of the microwave module;
3b is a front view thereof, and FIG. 3c is a side view thereof, and the reference numerals are the same as in FIG. 2.
第4図a〜第4図cは、マイクロ波モジユール
が縦続に接続されて金属筐体の内部に配置された
状態を説明するためのマイクロ波増幅装置を示し
ている。 FIGS. 4a to 4c show a microwave amplification device for explaining a state in which microwave modules are connected in series and arranged inside a metal casing.
第4図aは、複数のマイクロ波モジユール1が
縦続に接続されて金属筐体11の内部に収納され
ており、1個のモジユールの利得を5dBとする
と、4個のモジユールが直列に接続されると、約
20dBの利得が得られる。 In Fig. 4a, a plurality of microwave modules 1 are connected in series and housed inside a metal casing 11. If the gain of one module is 5 dB, four modules are connected in series. Then, about
Gain of 20dB can be obtained.
金属の筐体11の両端には入力端子12と出力
端子13が設けてあり、そのらの端子は両端部に
位置するマイクロ波モジユールに接続され、又そ
れぞれのマイクロ波モジユールは、マイクロ波モ
ジユールの端子部14で接続されている。 An input terminal 12 and an output terminal 13 are provided at both ends of the metal housing 11, and these terminals are connected to microwave modules located at both ends, and each microwave module is connected to the microwave module. They are connected through a terminal section 14.
第4図bは、マイクロ波モジユールの金属蓋の
断面図、第4図cは、マイクロ波モジユールの金
属蓋の平面図を示している。 FIG. 4b shows a cross-sectional view of the metal lid of the microwave module, and FIG. 4c shows a plan view of the metal lid of the microwave module.
金属蓋15が取りつけられた筐体は、一種の導
波管になるために、マイクロ波増幅装置の周波数
特性や、又入出力端子間の電磁波の帰還による発
振とか、利得の周波数特性が劣化することになる
ために、出来るだけ筐体を小型構造にして、周波
数帯に共振周波数が存在しない小型構造に設計さ
れている。 Since the housing to which the metal lid 15 is attached becomes a kind of waveguide, the frequency characteristics of the microwave amplifier, oscillation due to feedback of electromagnetic waves between the input and output terminals, and the frequency characteristics of the gain deteriorate. Therefore, the casing is designed to be as compact as possible, with no resonant frequency in the frequency band.
従来は、このような電磁波の帰還等を防止する
ために、金属蓋15の内側にはフエライトゴムの
ような電磁波吸収体16を被着することにより、
漏洩電磁波を吸収させて、比較的安定に動作でき
るようにしている。 Conventionally, in order to prevent the return of such electromagnetic waves, an electromagnetic wave absorber 16 such as ferrite rubber is attached to the inside of the metal lid 15.
It absorbs leaked electromagnetic waves, allowing relatively stable operation.
然しながら、筐体の大きさが小型であるため
に、電磁波吸収体16がマイクロ波モジユールの
接続部14にかなり接近することになり、この電
磁波吸収体によつて、マイクロ波の漏洩電磁波の
みでなく、それぞれのマイクロ波モジユールの接
続した段間部における信号電力が、近接している
電磁波吸収体に吸収されることになり、マイクロ
波の伝送効率が減衰するという欠点がある。 However, due to the small size of the casing, the electromagnetic wave absorber 16 is placed quite close to the connection part 14 of the microwave module, and this electromagnetic wave absorber absorbs not only the leakage electromagnetic waves of the microwave but also the electromagnetic wave absorber 16. , the signal power at the interstage portion where each microwave module is connected is absorbed by a nearby electromagnetic wave absorber, resulting in a disadvantage that the microwave transmission efficiency is attenuated.
導波管モードを吸収するために、金属蓋に設け
られた電磁波吸収体によつて、高周波信号のエネ
ルギの一部が吸収されることが問題点であり、そ
のために高周波増幅器の利得が低下するという不
具合を生ずる。
The problem is that part of the energy of the high-frequency signal is absorbed by the electromagnetic wave absorber installed in the metal lid to absorb the waveguide mode, which reduces the gain of the high-frequency amplifier. This causes a problem.
本発明は上記問題点を解消したマイクロ波増幅
回路を提供するもので、その手段は、縦続に接続
された複数の半導体アンプモジユールが、入力端
子と出力端子を有する金属容器内に格納され、該
金属容器は上面が電磁波吸収体を被着した金属蓋
によつてシールがなされるマイクロ波増幅装置に
おいて、上記複数の半導体アンプモジユールが接
続される段間部分に対応する該電磁波吸収体に開
口部を設け、半導体アンプモジユールで伝送され
る信号の減衰を少なくなるようにしたマイクロ波
増幅装置によつて達成できる。
The present invention provides a microwave amplification circuit that solves the above problems, and includes a plurality of cascaded semiconductor amplifier modules housed in a metal container having an input terminal and an output terminal. In a microwave amplification device, the metal container is sealed with a metal lid having an electromagnetic wave absorber coated on the top surface, and the electromagnetic wave absorber is attached to the electromagnetic wave absorber corresponding to the interstage portion to which the plurality of semiconductor amplifier modules are connected. This can be achieved by a microwave amplification device that is provided with an opening to reduce attenuation of the signal transmitted by the semiconductor amplifier module.
本発明は、複数のマイクロ波モジユールが接続
されて筐体に収納されている状態で、それぞれの
マイクロ波モジユールの接続部分が導体が露出し
ているために、電磁波吸収体がこれに接近してい
ると、信号電力が吸収されてしまつて利得を減少
することを防止するために、それぞれのマイクロ
波モジユールの接続部分に最も接近している電磁
波吸収体の部分に、電磁波を吸収しないように、
開口部を設けることにより、電磁波が吸収される
ことを防止するように考慮したものである。
In the present invention, when a plurality of microwave modules are connected and housed in a housing, the conductor is exposed at the connecting portion of each microwave module, so that the electromagnetic wave absorber approaches this. In order to prevent the signal power from being absorbed and the gain to decrease, the part of the electromagnetic wave absorber that is closest to the connection part of each microwave module is installed so as not to absorb electromagnetic waves.
By providing the opening, consideration was given to preventing electromagnetic waves from being absorbed.
第1図aと第1図bは本発明の実施例を説明す
るためのマイクロ波増幅装置の筐体部と金属蓋と
の模式平面図を示している。
FIG. 1a and FIG. 1b show schematic plan views of a housing portion and a metal lid of a microwave amplification device for explaining an embodiment of the present invention.
第1図aで、複数のマイクロ波パツケージ1が
縦続に接続されているが、その接続部分14で
は、それぞれのマイクロ波モジユールの接続端子
3が露出している。 In FIG. 1a, a plurality of microwave packages 1 are connected in series, and the connecting terminals 3 of the respective microwave modules are exposed at the connecting portions 14 thereof.
入出力信号の周波数がマイクロ波になる程、こ
の露出した接続端子3からマイクロ波の電磁波を
輻射することになり、その近傍に抵抗体があると
通常その分だけ輻射損失として、次段のマイクロ
波パツケージへの入力が減少する。 The more the frequency of the input/output signal becomes a microwave, the more microwave electromagnetic waves will be radiated from this exposed connection terminal 3. If there is a resistor in the vicinity, the radiation loss will normally be reduced by the amount of radiation loss at the next stage. The input to the wave package is reduced.
本発明は、その露出した接続導体からの輻射損
失を可能な限り減少させるために、露出している
接続端子部14の位置に対向して、金属蓋15に
取りつけられたマイクロ波吸収体16に、開口部
17を設けたものであつて、その結果、マイクロ
波増幅装置における損失が、従来は1dB程度であ
つたが、本発明のマイクロ波吸収体に開口部を設
けた結果0.1dB程度の損失迄に改善され、著しい
効果が認められた。 In order to reduce radiation loss from the exposed connection conductor as much as possible, the present invention provides a microwave absorber 16 attached to the metal lid 15 opposite to the exposed connection terminal portion 14. , an opening 17 is provided, and as a result, the loss in the microwave amplification device was conventionally about 1 dB, but as a result of providing the opening in the microwave absorber of the present invention, the loss is about 0.1 dB. It was improved to the point of loss, and a remarkable effect was recognized.
以上詳細に説明したように、本発明のマイクロ
波増幅装置は、広帯域の周波数特性に対し、高利
得で、且つ利得の変動が少ない優れた特性を有す
るマイクロ波増幅装置を供し得るという効果大な
るものがある。
As explained in detail above, the microwave amplification device of the present invention has a great effect in that it can provide a microwave amplification device that has excellent characteristics with high gain and little gain fluctuation with respect to broadband frequency characteristics. There is something.
第1図a、第1図bは、第1図cは本発明のマ
イクロ波増幅装置の正面図と断面図、第2図は、
マイクロ波モジユールを示す斜視図第3図a、第
3図b、第3図cは、マイクロ波モジユールを示
すそれぞれ正面図、側面図、と平面図、第4図
a、第4図b、第4図cは、従来のマイクロ波増
幅装置の断面図と平面図、図において、
1はマイクロ波パツケージ、3は接続端子、1
4はマイクロ波パツケージの接続部分、15は金
属蓋、16はマイクロ波吸収体、17は開口部、
をそれぞれ示している。
1a and 1b, FIG. 1c is a front view and a sectional view of the microwave amplification device of the present invention, and FIG. 2 is a
Figures 3a, 3b and 3c are perspective views of the microwave module, respectively. Figure 4c is a cross-sectional view and a plan view of a conventional microwave amplification device. In the figure, 1 is a microwave package, 3 is a connection terminal, 1
4 is a connection part of the microwave package, 15 is a metal lid, 16 is a microwave absorber, 17 is an opening,
are shown respectively.
Claims (1)
ールが、入力端子と出力端子を有する金属容器内
に格納され、該金属容器は上面が電磁波吸収体を
被着した金属蓋によつてシールがなされるマイク
ロ波増幅装置において、上記複数の半導体アンプ
モジユールが接続される段間部分に対応する該電
磁波吸収体に開口部を設けたことを特徴とするマ
イクロ波増幅装置。1 A plurality of semiconductor amplifier modules connected in series are housed in a metal container having an input terminal and an output terminal, and the metal container is sealed with a metal lid whose top surface is coated with an electromagnetic wave absorber. A microwave amplification device, characterized in that an opening is provided in the electromagnetic wave absorber corresponding to an interstage portion to which the plurality of semiconductor amplifier modules are connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (en) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60018052A JPS61177751A (en) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Microwave amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177751A JPS61177751A (en) | 1986-08-09 |
| JPH022322B2 true JPH022322B2 (en) | 1990-01-17 |
Family
ID=11960925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60018052A Granted JPS61177751A (en) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | Microwave amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177751A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109401A (en) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | Absorbing structure of undesired mode for microwave integrated circuit |
| JPH03123202A (en) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Nec Corp | Field effect transistor |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60018052A patent/JPS61177751A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177751A (en) | 1986-08-09 |
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