Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0224012B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0224012B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0224012B2
JPH0224012B2 JP61231087A JP23108786A JPH0224012B2 JP H0224012 B2 JPH0224012 B2 JP H0224012B2 JP 61231087 A JP61231087 A JP 61231087A JP 23108786 A JP23108786 A JP 23108786A JP H0224012 B2 JPH0224012 B2 JP H0224012B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
wafer
frame
mask
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61231087A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6387725A (en
Inventor
Shiro Hamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP61231087A priority Critical patent/JPS6387725A/en
Publication of JPS6387725A publication Critical patent/JPS6387725A/en
Publication of JPH0224012B2 publication Critical patent/JPH0224012B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体生産用露光装置に係り、特に、
半導体ウエハー等の試料が載置されたステージを
高精度に位置決め移動するためのステージ移動装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an exposure apparatus for semiconductor production, and in particular,
The present invention relates to a stage moving device for highly accurately positioning and moving a stage on which a sample such as a semiconductor wafer is placed.

(従来の技術) 近年、半導体集積回路の微細化により、高精度
の露光装置が要求されている。この露光装置に不
可欠のものが高精度の移動、位置決め装置であ
る。
(Prior Art) In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, a high precision exposure apparatus is required. What is essential to this exposure apparatus is a highly accurate movement and positioning device.

ここで、第5図を参照して、従来のX線露光装
置の一例について概説する。
Here, an example of a conventional X-ray exposure apparatus will be outlined with reference to FIG.

露光装置ハウジング12には可動状態にステー
ジ13が配設され、このステージ13にはウエハ
ー14が載置されて、エアーロツク手段121に
よつてロツクされる。ウエハー14と露光用マス
ク15との位置決めを行う際、マスク15とウエ
ハー14に設けられたアライメントマークを用い
てマスク15とウエハー14とのアライメント
(位置決め)が行われる。まず、マイクロスコー
プ16が破線で示す位置から実線で示すに移動す
る。ここで、光源17からの光によつてマスク1
5とウエハー14とのアライメントマークの像が
マイクロスコープ16を介してモニタ18に映し
出される。さらにこのアライメントマーク信号は
アライメントマーク検出装置19に入力され、ア
ライメント誤差が検出される。そして、この誤差
に基づいてスキヤナー20によりステージ13が
移動される。上記のアライメント誤差が許容値以
内となると、マイクロスコープ16が実線で示す
位置から破線で示す位置に移動し、SOR光21
によつてウエハー14が露光される。
A stage 13 is movably disposed in the exposure apparatus housing 12, and a wafer 14 is placed on the stage 13 and locked by an air lock means 121. When positioning the wafer 14 and the exposure mask 15, alignment (positioning) between the mask 15 and the wafer 14 is performed using alignment marks provided on the mask 15 and the wafer 14. First, the microscope 16 moves from the position shown by the broken line to the position shown by the solid line. Here, the mask 1 is exposed to light from the light source 17.
5 and the wafer 14 are displayed on a monitor 18 via a microscope 16. Further, this alignment mark signal is input to an alignment mark detection device 19, and an alignment error is detected. Then, the stage 13 is moved by the scanner 20 based on this error. When the above alignment error falls within the allowable value, the microscope 16 moves from the position shown by the solid line to the position shown by the broken line, and the SOR light 21 moves to the position shown by the broken line.
The wafer 14 is exposed to light.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、従来の露光装置の場合、マスクとウ
エハーとのアライメントの際、その都度マイクロ
スコープ、即ち位置決め検出装置SOR光通路を
塞ぐように移動して、アライメントを行い、アラ
イメントが終了すると、位置決め検出装置を移動
してSOR光通路を実質的にあけ、その後SOR光
によつて露光を行つている。このようにアライメ
ントの都度、位置決め検出装置を移動させなけれ
ばらないから、スループツト(単位時間当りの生
産量)が低くなるという問題点がある。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, in the case of a conventional exposure apparatus, each time when aligning a mask and a wafer, the microscope, that is, the positioning detection device SOR moves so as to block the optical path, and the alignment is interrupted. When the alignment is completed, the positioning detection device is moved to substantially open the SOR light path, and then exposure is performed with the SOR light. Since the positioning detection device must be moved each time alignment is performed, there is a problem in that the throughput (production amount per unit time) is low.

さらに、位置決め検出装置の移動による誤差に
よつて、マスクとウエハーとのアライメント検出
が影響されるという問題点がある。
Furthermore, there is a problem in that detection of alignment between the mask and the wafer is affected by errors caused by movement of the positioning detection device.

本発明の目的はスループツトが高く、しかも位
置決め精度のよいステージ移動機構を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a stage moving mechanism with high throughput and high positioning accuracy.

(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、直線軸案内に移動可能に支持
されるとともにこの直線軸案内に直角な方向に移
動可能に支持され、それぞれ露光用マスクが配置
される第1及び第2の枠体と、この第1及び第2
の枠体内で、それぞれ上記の直線軸案内方向及び
上記の直角方向に移動可能に支持され、ウエハー
が載置される第1及び第2のステージと、予め定
められた第1及び第2の待機位置でそれぞれ第1
及び第2のステージに対応して設けられ、ウエハ
ーと露光用マスクとの位置決めを行う第1及び第
2のアライメント手段と、第1の枠体と第1のス
テージとを一体として、第2の枠体と第2のステ
ージとを一体として露光位置へ移動する移動手段
とを有し、第1及び第2の待機位置における位置
決めと露光位置への移動を交互に行うようにした
ことを特徴とするステージ移動装置が得られる。
(Means for Solving the Problems) According to the present invention, an exposure mask is movably supported on a linear axis guide and movably supported in a direction perpendicular to the linear axis guide, and an exposure mask is arranged respectively. the first and second frames;
first and second stages on which the wafer is placed, which are supported movably in the linear axis guide direction and the perpendicular direction, respectively, within the frame, and predetermined first and second standby stages. 1st in each position
and first and second alignment means provided corresponding to the second stage and for positioning the wafer and the exposure mask; the first frame body and the first stage are integrated; It is characterized by having a moving means for moving the frame body and the second stage together to the exposure position, and positioning at the first and second standby positions and movement to the exposure position are performed alternately. A stage moving device is obtained.

(作用) 本発明のステージ移動装置では第1の待機位置
において、第1のステージに載置されたウエハー
と第1の枠体に配置されたマスクとが第1のアラ
イメント手段によつて位置決めされている際、第
2のステージに載置されたウエハーと第2の枠体
のマスクとは第2のアライメント手段によつて位
置決めされて、露光位置に移動し、露光されてい
る。このように本発明では第1及び第2の待機位
置でのウエハーとマスクとの位置決めと露光位置
への移動とを交互に行つている。
(Function) In the stage moving device of the present invention, at the first standby position, the wafer placed on the first stage and the mask placed on the first frame are positioned by the first alignment means. During the exposure, the wafer placed on the second stage and the mask on the second frame are positioned by the second alignment means, moved to the exposure position, and exposed. In this manner, in the present invention, the wafer and mask are positioned alternately at the first and second standby positions and moved to the exposure position.

(実施例) 以下本発明について実施例により説明する。(Example) The present invention will be explained below with reference to Examples.

まず、第1図を参照して、長方形状の支持枠体
1には長手方向にスライダー1bを介して直線案
内ロツド1aが所定の間隔をおいて複数本(第1
図では4本)取り付けられている。一方、支持枠
体1の左端近傍において直線案内ロツド1aに直
交して複数のガイドロツド1cが所定の間隔をお
いてスライダー1dを介して支持枠体1に取り付
けられている。上述の直線案内ロツド1aには後
述するように露光用マスクが配置される第1の枠
体2が長手方向(以下X軸方向という)に移動可
能に支持されている。また、枠体2はガイドロツ
ド1cに沿つて、即ち、第1図に示すY軸に沿つ
て移動可能である。
First, referring to FIG. 1, a rectangular support frame 1 has a plurality of linear guide rods 1a (first
(In the figure, there are 4) attached. On the other hand, near the left end of the support frame 1, a plurality of guide rods 1c are attached to the support frame 1 through sliders 1d at predetermined intervals so as to be perpendicular to the linear guide rod 1a. A first frame 2 on which an exposure mask is disposed, as described later, is supported on the above-mentioned linear guide rod 1a so as to be movable in the longitudinal direction (hereinafter referred to as the X-axis direction). Further, the frame body 2 is movable along the guide rod 1c, that is, along the Y axis shown in FIG.

枠体2内にはX軸方向に複数のガイドロツド2
aが所定の間隔をおいてスライダー2bを介して
取り付けられており、さらにガイドロツド2aに
直交して複数のガイドロツド2cが所定の間隔を
おいてスライダー2dを介して枠体2に取り付け
られている。ガイドロツド2aには後述するよう
に半導体用ウエハーが載置される第1のステージ
3がX軸方向に移動可能に支持されている。ま
た、この第1のステージ3はガイドロツド2cに
沿つてY軸方向に移動可能である。
A plurality of guide rods 2 are arranged in the frame 2 in the X-axis direction.
A are attached to the frame 2 at predetermined intervals via sliders 2b, and a plurality of guide rods 2c are attached to the frame 2 at predetermined intervals via sliders 2d perpendicular to the guide rods 2a. As will be described later, a first stage 3 on which a semiconductor wafer is placed is supported on the guide rod 2a so as to be movable in the X-axis direction. Further, this first stage 3 is movable in the Y-axis direction along the guide rod 2c.

同様にして、支持枠体の右端近傍には第2の枠
体4が直線案内ロツド1aにX軸方向に移動可能
に支持されており、この第2の枠体4はガイドロ
ツド1eに沿つてY軸方向へ移動可能である。な
お、ガイドロツド1eはスライダー1fを介して
支持枠体1に取り付けられている。スライダー4
bを介して枠体4に取り付けられたガイドロツド
4aには第2のステージ5がX軸方向に移動可能
に支持され、この第2のステージ5はガイドロツ
ド4cに沿つてY軸方向に移動可能である。なお
ガイドロツド4bはスライダー4dを介して第2
の枠体4に取り付けられている。そして、第1の
枠体2と第2の枠体4との高さは異つており、X
軸方向の駆動が干渉しないようにしている。
Similarly, near the right end of the support frame, a second frame 4 is supported by a linear guide rod 1a so as to be movable in the X-axis direction, and this second frame 4 is movable along the guide rod 1e in the Y It is movable in the axial direction. Note that the guide rod 1e is attached to the support frame 1 via a slider 1f. slider 4
A second stage 5 is supported movably in the X-axis direction on a guide rod 4a attached to the frame 4 via b, and this second stage 5 is movable in the Y-axis direction along a guide rod 4c. be. Note that the guide rod 4b is connected to the second rod via the slider 4d.
It is attached to the frame 4 of. The heights of the first frame body 2 and the second frame body 4 are different, and the heights of the first frame body 2 and the second frame body 4 are different from each other.
This prevents axial drive from interfering with each other.

第2図も参照して(なお、第2図では、第1図
において、左側の第1の枠体2及び第1のステー
ジ3のみを示している。)、第1のステージ3上に
はピエゾ素子6aを介してウエハチヤツク機構6
が備えられており、このウエハチヤツク機構6は
第1のステージ3上で回転可能である。そして、
ウエハー7がチヤツク機構6に保持される。一
方、枠体2にはマスクステージ8が連結されてお
りマスク9が配置支持されている。
Referring also to FIG. 2 (in FIG. 2, only the first frame 2 and first stage 3 on the left side are shown in FIG. 1), Wafer chuck mechanism 6 via piezo element 6a
The wafer chuck mechanism 6 is rotatable on the first stage 3. and,
A wafer 7 is held by a chuck mechanism 6. On the other hand, a mask stage 8 is connected to the frame 2, and a mask 9 is arranged and supported.

ところで、第1図に示すように第1の枠体2及
び第1のステージ3が支持枠体1の左端近傍にあ
を状態(以下第1の待機位置という)で第1のス
テージ3に対応して第1のアライメント機構が備
えられている。また第2の枠体4及び第2のステ
ージ5が枠体1の右端近傍にある状態(以下第2
の待機位置という)で第2のステージ5に対応し
て第2のアライメント機構が備えられている(な
お、第1図には第1及び第2のアライメント機構
を示さず)。
By the way, as shown in FIG. 1, the first frame 2 and the first stage 3 are located near the left end of the support frame 1 (hereinafter referred to as the first standby position) and correspond to the first stage 3. A first alignment mechanism is provided. In addition, the second frame 4 and the second stage 5 are in the vicinity of the right end of the frame 1 (hereinafter referred to as the second stage 5).
A second alignment mechanism is provided corresponding to the second stage 5 (referred to as a standby position) (note that the first and second alignment mechanisms are not shown in FIG. 1).

アライメント機構はレベリング機構と位置決め
機構とを備えている。第2図に示すようにレベリ
ング機構はレーザ発振器10a、レンズ系10
b、ビームスプリツター10c、ミラー10d〜
10g、及び光検出器10hを備えており、ミラ
ー10d〜10gはマスクステージ8に支持され
ている。
The alignment mechanism includes a leveling mechanism and a positioning mechanism. As shown in FIG. 2, the leveling mechanism includes a laser oscillator 10a and a lens system 10.
b, beam splitter 10c, mirror 10d~
10g and a photodetector 10h, and the mirrors 10d to 10g are supported by the mask stage 8.

レーザ発振器10aからのレーザ光はレンズ系
10b、ビームスプリツタ10c、レテイクル
(図示せず)及びミラー10d,10eを経てウ
エハー7で焦点を形成し、さらにウエハー7で反
射された光はミラー10gで反射され、再びウエ
ハー7で焦点を形成して、ビームスプリツター1
0cを経て光検出器10hに入力される。上述の
レテイクルはミラー10eを支持する支持材に形
成されているから、レテイクルとウエハー7との
距離が所定の位置(フオーカスの位置)から離れ
ると、即ち、マスク9とウエハー7との距離が所
定の位置から離れると、光検出器10hからの出
力が弱くなる。従つて、光検出器10hからの出
力が最大となるようにピエゾ素子6aによつてチ
ヤツク機構6を調整し、ウエハー7とマスク9と
の平行度及び距離を所定の位置とする。
The laser light from the laser oscillator 10a passes through a lens system 10b, a beam splitter 10c, a reticle (not shown), and mirrors 10d and 10e to form a focal point on the wafer 7, and the light reflected from the wafer 7 is focused on the mirror 10g. It is reflected, forms a focal point again on the wafer 7, and passes through the beam splitter 1.
It is input to the photodetector 10h via 0c. Since the above-mentioned reticle is formed on the support material that supports the mirror 10e, when the distance between the reticle and the wafer 7 moves away from a predetermined position (focus position), that is, the distance between the mask 9 and the wafer 7 becomes a predetermined distance. When moving away from the position, the output from the photodetector 10h becomes weaker. Therefore, the chuck mechanism 6 is adjusted by the piezo element 6a so that the output from the photodetector 10h is maximized, and the parallelism and distance between the wafer 7 and the mask 9 are set at predetermined positions.

一方、第3図に示すように、位置決め機構はレ
ーザ発振器11a、f−θレンズ11b、プリズ
ム11c、ビームスプリツタ11d,11e,ミ
ラー11f〜11i、レンズ11j,11k、及
び光検出器11l,11m等を備えている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, the positioning mechanism includes a laser oscillator 11a, an f-theta lens 11b, a prism 11c, beam splitters 11d and 11e, mirrors 11f to 11i, lenses 11j and 11k, and photodetectors 11l and 11m. etc.

レーザ発振器11aからのレーザ光はf−θレ
ンズ11bを経て、プリズム11cで2経路に分
かれる。一方の光はビームスプリツタ11d、ミ
ラー11f,11gを経て、マスク9に形成され
たレテイクル(図示せず)を通過し、ウエハー上
のマーク(回折格子)に当る。ウエハーマークに
より生じた回折光は上述の場合と逆の経路をたど
つてビームスプリツタ11dを経て光検出器11
lに入力される。
The laser beam from the laser oscillator 11a passes through the f-theta lens 11b and is split into two paths by the prism 11c. One of the lights passes through a beam splitter 11d, mirrors 11f and 11g, passes through a reticle (not shown) formed on the mask 9, and hits a mark (diffraction grating) on the wafer. The diffracted light generated by the wafer mark follows the opposite path to the above case and passes through the beam splitter 11d to the photodetector 11.
input into l.

同様に他の光はビームスプリツタ11e、ミラ
ー11h,11iを経てレテイクルを通過し、ウ
エハーマークに当る。ウエハーマークにより生じ
た回折光は逆の経路をたどつてビームスプリツタ
11eを経て光検出器11mに入力される。
Similarly, other light passes through the beam splitter 11e, mirrors 11h and 11i, passes through the reticle, and hits the wafer mark. The diffracted light generated by the wafer mark follows the opposite path, passes through the beam splitter 11e, and is input to the photodetector 11m.

光検出器11l,11mでの検出光量によつ
て、レテイクルでの光遮断量を知り、レテイク
ル、即ち、マスク9とウエハー7のマークの位置
関係を知ることができる。従つて、光検出器11
l,11mでの検出光量が最大となるようにステ
ージ5をX軸方向あるいはY軸方向に微調整す
る。
Based on the amount of light detected by the photodetectors 11l and 11m, the amount of light blocked by the reticle can be known, and the positional relationship between the reticle, that is, the mark on the mask 9 and the wafer 7 can be known. Therefore, the photodetector 11
The stage 5 is finely adjusted in the X-axis direction or the Y-axis direction so that the amount of detected light at 1 and 11 m is maximized.

なお、前述のように枠体4上のマスクとステー
ジ5上のウエハーも第2のアライメント機構によ
り位置決めされる。
Note that, as described above, the mask on the frame 4 and the wafer on the stage 5 are also positioned by the second alignment mechanism.

第4図も参照して、第2の枠体4及び第2のス
テージ5は図示しない移動手段によつて一体とし
て第2の待機位置から露光位置に移動して、
SOR光によつてウエハーが露光される。第2の
ステージ5において露光が行われている際、前記
のように第1の枠体2(マスク9)及び第1のス
テージ3におけるアライメントが実施され、第1
の枠体2及び第1のステージ3はアライメント終
了の状態で待機している。第2のステージ5にお
ける露光が終了すると、第2の枠体4及び第2の
ステージ5が第2の待機位置に戻るとともに、第
1の枠体2及び第1のステージ3が第1の待機位
置から露光位置に移動し、露光が開始される。こ
の際第2の枠体4及び第2のステージ5における
アライメントが行われる。このようにして、第1
及び第2のステージにおけるアライメントと露光
位置への移動、露光が交互に行われる。
Referring also to FIG. 4, the second frame 4 and the second stage 5 are moved as one body from the second standby position to the exposure position by a moving means (not shown),
The wafer is exposed to SOR light. When exposure is being performed on the second stage 5, alignment is performed on the first frame 2 (mask 9) and the first stage 3 as described above, and the first
The frame body 2 and the first stage 3 are waiting in a state where alignment has been completed. When the exposure on the second stage 5 is completed, the second frame 4 and the second stage 5 return to the second standby position, and the first frame 2 and the first stage 3 return to the first standby position. The camera moves from the position to the exposure position, and exposure starts. At this time, alignment of the second frame 4 and the second stage 5 is performed. In this way, the first
Alignment on the second stage, movement to the exposure position, and exposure are performed alternately.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明では、マスクが配
置される第1の枠体と、この第1の枠体に対応し
て、ウエハーが載置される第1のステージを備え
るとともに、別にマスクが配置される第2の枠体
と、この枠体に対応して、ウエハーが載置される
第2のステージを備えており、しかも第1及び第
2のステージに対応してそれぞれウエハーとマス
クとのアライメントを行う第1及び第2のアライ
メント機構を備えており、第1及び第2のステー
ジでのアライメントと露光位置での露光とを交互
に行うようにしたから、アライメント機構の位置
決め精度に起因するウエハーとマスクとのアライ
メント誤差が生ずることがなく、また、第1のス
テージにおいて露光が行われている際、第2のス
テージでアライメントが行われているのでスルー
プツトが向上するという利点がある。
(Effects of the Invention) As described above, the present invention includes a first frame on which a mask is placed, and a first stage on which a wafer is placed corresponding to the first frame. In addition, a second frame body on which a mask is placed, and a second stage on which a wafer is placed corresponding to this frame body, and a second stage on which a wafer is placed, which corresponds to the first and second stages. Each of them is equipped with a first and second alignment mechanism that aligns the wafer and the mask, and alignment at the first and second stages and exposure at the exposure position are performed alternately, so the alignment mechanism There is no alignment error between the wafer and the mask due to the positioning accuracy of There is an advantage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に用いられるステージ移動機構
の要部を示す斜視図、第2図は本発明に用いられ
るアライメント機構のレベリング機構の動作を説
明するための図、第3図は本発明に用いられるア
ライメント機構の位置決め機構の動作を説明する
ための図、第4図はアライメント動作と露光動作
とを説明するための図、第5図は従来の露光装置
を示す図である。 1……支持枠体、2……第1の枠体、3……第
1のステージ、4……第2の枠体、5……第2の
ステージ、6……ウエハチヤツク機構、7……ウ
エハー、8……マスクステージ、9……マスク。
FIG. 1 is a perspective view showing the main parts of the stage moving mechanism used in the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the leveling mechanism of the alignment mechanism used in the present invention, and FIG. 3 is a perspective view showing the main parts of the stage moving mechanism used in the present invention. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the positioning mechanism of the alignment mechanism used, FIG. 4 is a diagram for explaining the alignment operation and exposure operation, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional exposure apparatus. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Support frame body, 2... First frame body, 3... First stage, 4... Second frame body, 5... Second stage, 6... Wafer chuck mechanism, 7... Wafer, 8...mask stage, 9...mask.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 直線軸案内に移動可能に支持されるとともに
該直線軸案内に直角な方向に移動可能に支持さ
れ、それぞれ露光用マスクが配置される第1及び
第2の枠体と、該第1及び第2の枠体内で、それ
ぞれ前記直線軸案内方向及び前記直角方向に移動
可能に支持され、ウエハーが載置される第1及び
第2のステージと、予め定められた第1及び第2
の待機位置でそれぞれ前記第1及び第2のステー
ジに対応して設けられ、前記ウエハーと露光用マ
スクとの位置決めを行う第1及び第2のアライメ
ント手段と、前記第1の枠体と前記第1のステー
ジとを一体として、前記第2の枠体と前記第2の
ステージとを一体として露光位置へ移動する移動
手段とを有し、前記第1及び第2の待機位置にお
ける前記位置決めと前記露光位置への移動を交互
に行うようにしたことを特徴とするステージ移動
装置。
1. First and second frames that are movably supported on a linear axis guide and movably supported in a direction perpendicular to the linear axis guide, and in which exposure masks are disposed, respectively; first and second stages on which the wafer is placed, which are supported movably in the linear axis guide direction and the perpendicular direction, respectively, within the frame of No. 2, and predetermined first and second stages.
first and second alignment means, which are provided corresponding to the first and second stages, respectively, at standby positions for positioning the wafer and the exposure mask; and the first frame and the second stage. a moving means for integrally moving the second frame body and the second stage to the exposure position; A stage moving device characterized by alternately moving to an exposure position.
JP61231087A 1986-10-01 1986-10-01 Stage conveying mechanism Granted JPS6387725A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231087A JPS6387725A (en) 1986-10-01 1986-10-01 Stage conveying mechanism

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231087A JPS6387725A (en) 1986-10-01 1986-10-01 Stage conveying mechanism

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6387725A JPS6387725A (en) 1988-04-19
JPH0224012B2 true JPH0224012B2 (en) 1990-05-28

Family

ID=16918081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61231087A Granted JPS6387725A (en) 1986-10-01 1986-10-01 Stage conveying mechanism

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6387725A (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
SG102627A1 (en) 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
JP4078683B2 (en) * 1996-11-28 2008-04-23 株式会社ニコン Projection exposure apparatus, projection exposure method, and scanning exposure method
JPH10209039A (en) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp Projection exposure method and projection exposure apparatus
US7289212B2 (en) 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW527526B (en) 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4932330B2 (en) * 2006-05-31 2012-05-16 Nskテクノロジー株式会社 Exposure equipment
JP4886719B2 (en) * 2008-03-14 2012-02-29 日立ビアメカニクス株式会社 Processing equipment
JP5298157B2 (en) * 2011-04-21 2013-09-25 西進商事株式会社 Laser processing apparatus, laser processing method and laser processed product
JP6353487B2 (en) * 2016-05-26 2018-07-04 株式会社サーマプレシジョン Projection exposure apparatus and projection exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6387725A (en) 1988-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0906590B1 (en) Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit
EP0956518B1 (en) Interferometer system and lithographic apparatus comprising such a system
JP2546350B2 (en) Alignment device
JPH0224012B2 (en)
KR20010091971A (en) Alignment apparatus, alignment method, exposure apparatus, and exposure method
EP0706093B1 (en) Method and apparatus for aligning a mask and a workpiece
US5717492A (en) Position detecting apparatus and a method for manufacturing semiconductor devices using the apparatus
KR100577476B1 (en) Exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the apparatus
US5726757A (en) Alignment method
JP2000299276A (en) Exposure equipment
JPH10177950A (en) Stage device and projection optical device
KR100283838B1 (en) Scanning Exposure Equipment and Scanning Exposure Method
KR920001027B1 (en) Method and apparatus of position alignment
JP3352280B2 (en) Projection exposure apparatus adjusting method and exposure method
JPH10339804A (en) Diffraction optical element and optical axis adjusting device therefor
JPH0723933B2 (en) Optical path length compensation optical system
JPS63224327A (en) Projection aligner
JP2580572B2 (en) Projection exposure equipment
JPH0745116B2 (en) Laser processing equipment
JP2819592B2 (en) Positioning device
JP3027870B2 (en) Position detecting device and method of manufacturing semiconductor element
JPS62262423A (en) Exposure device
JPH02207522A (en) Aligner
JPH05136024A (en) Projection exposure device
JPS61212081A (en) Optical device